JPH05285342A - 排ガス処理装置 - Google Patents
排ガス処理装置Info
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- JPH05285342A JPH05285342A JP4085494A JP8549492A JPH05285342A JP H05285342 A JPH05285342 A JP H05285342A JP 4085494 A JP4085494 A JP 4085494A JP 8549492 A JP8549492 A JP 8549492A JP H05285342 A JPH05285342 A JP H05285342A
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02A—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE
- Y02A50/00—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE in human health protection, e.g. against extreme weather
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- Treating Waste Gases (AREA)
- Exhaust Gas Treatment By Means Of Catalyst (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 分解効率のよい排ガス処理装置を得る。
【構成】 揮発性有機塩素化合物を含む排ガスが導入さ
れ分解ガスを排出する排ガス分解塔１，同分解塔の内部
に設けられ紫外線を放射する低圧水銀灯３，分解塔１の
排ガス入口部に設けられ光触媒を噴射するノズル９，分
解塔１につながれ光触媒を回収する集じん器１４，分解
塔１につながれる分解ガス中のオゾンを分解するオゾン
分解塔７を設ける。
れ分解ガスを排出する排ガス分解塔１，同分解塔の内部
に設けられ紫外線を放射する低圧水銀灯３，分解塔１の
排ガス入口部に設けられ光触媒を噴射するノズル９，分
解塔１につながれ光触媒を回収する集じん器１４，分解
塔１につながれる分解ガス中のオゾンを分解するオゾン
分解塔７を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子産業における基板
洗浄ライン等より排出される揮発性有機塩素化合物を含
んだ排水の、ばっ気過程で排出される排ガス等に適用さ
れる排ガス処理装置に関する。
洗浄ライン等より排出される揮発性有機塩素化合物を含
んだ排水の、ばっ気過程で排出される排ガス等に適用さ
れる排ガス処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】基板洗浄ライン等より排出されるトリク
ロロエチレン，テトラクロロエチレン，１，１，１−ト
リクロロエタン，四塩化炭素，クロロホルム，ジクロロ
メタン等の有害な揮発性有機塩素化合物を含有する排水
は、ばっ気して大気中に未処理のまま放出されているの
が現状であり、地球環境保全上問題があった。
ロロエチレン，テトラクロロエチレン，１，１，１−ト
リクロロエタン，四塩化炭素，クロロホルム，ジクロロ
メタン等の有害な揮発性有機塩素化合物を含有する排水
は、ばっ気して大気中に未処理のまま放出されているの
が現状であり、地球環境保全上問題があった。
【０００３】この問題を解決するための従来技術として
は、本発明者によって出願された実願平２−１１０５０
０号排ガス処理装置がある。すなわち、排ガスの分解塔
内に設けられた紫外線発生装置からの波長１８４．９ n
m の紫外線と、紫外線により生成された発生期のオゾン
によって、排ガス中に含まれる揮発性有機塩素化合物が
無機化合物に分解される。更にオゾン分解塔内のオゾン
分解触媒により残留オゾンが酸素に分解され無害化され
排出される。
は、本発明者によって出願された実願平２−１１０５０
０号排ガス処理装置がある。すなわち、排ガスの分解塔
内に設けられた紫外線発生装置からの波長１８４．９ n
m の紫外線と、紫外線により生成された発生期のオゾン
によって、排ガス中に含まれる揮発性有機塩素化合物が
無機化合物に分解される。更にオゾン分解塔内のオゾン
分解触媒により残留オゾンが酸素に分解され無害化され
排出される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例では、揮発
性有機塩素化合物を無機化合物に分解するための反応時
間すなわち，ガス滞留時間が長く、排ガス分解塔が大型
化するという問題があった。
性有機塩素化合物を無機化合物に分解するための反応時
間すなわち，ガス滞留時間が長く、排ガス分解塔が大型
化するという問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するため次の手段を講ずる。
するため次の手段を講ずる。
【０００６】すなわち，排ガス処理装置として、 （１） 揮発性有機塩素化合物を含む排ガスが導入され
分解ガスを排出する排ガス分解塔と，同分解塔の内部に
設けられ紫外線を放射する紫外線発生装置と，上記分解
塔の排ガス入口部に設けられ光触媒を噴射するノズル
と，上記分解塔につながれ分解ガス中より光触媒を回収
する回収装置と，上記分解塔につながれ上記分解ガス中
のオゾンを分解するオゾン分解塔とを設ける。 （２） 揮発性有機塩素化合物を含む排ガスが導入され
分解ガスを排出する排ガス分解塔と，同分解塔の内部に
設けられ紫外線を放射する紫外線発生装置と，上記分解
塔の内部に設けられ光触媒が担持された紫外線反射板
と，上記分解塔につながれ上記分解ガス中のオゾンを分
解するオゾン分解塔とを設ける。 （３） 請求項１および２の排ガス処理装置において，
光触媒として酸化チタン，酸化亜鉛および酸化タングス
テンの少くとも一つを使用する。
分解ガスを排出する排ガス分解塔と，同分解塔の内部に
設けられ紫外線を放射する紫外線発生装置と，上記分解
塔の排ガス入口部に設けられ光触媒を噴射するノズル
と，上記分解塔につながれ分解ガス中より光触媒を回収
する回収装置と，上記分解塔につながれ上記分解ガス中
のオゾンを分解するオゾン分解塔とを設ける。 （２） 揮発性有機塩素化合物を含む排ガスが導入され
分解ガスを排出する排ガス分解塔と，同分解塔の内部に
設けられ紫外線を放射する紫外線発生装置と，上記分解
塔の内部に設けられ光触媒が担持された紫外線反射板
と，上記分解塔につながれ上記分解ガス中のオゾンを分
解するオゾン分解塔とを設ける。 （３） 請求項１および２の排ガス処理装置において，
光触媒として酸化チタン，酸化亜鉛および酸化タングス
テンの少くとも一つを使用する。
【０００７】
（１） 上記１の手段において、排ガスは光触媒が混合
され、排ガス分解塔にはいる。分解塔内で紫外線発生装
置により揮発性有機塩素化合物の分解機能を有する波長
の紫外線が照射される。そして、揮発性有機塩素化合物
は光触媒の手助けで無機化合物に分解される。さらにこ
のとき発生するオゾンによってもこの反応が促進され
る。
され、排ガス分解塔にはいる。分解塔内で紫外線発生装
置により揮発性有機塩素化合物の分解機能を有する波長
の紫外線が照射される。そして、揮発性有機塩素化合物
は光触媒の手助けで無機化合物に分解される。さらにこ
のとき発生するオゾンによってもこの反応が促進され
る。
【０００８】また回収装置は、分解ガス中に含まれる光
触媒を回収する。さらにオゾン分解塔は、分解ガス中に
含まれる残存オゾンを分解１、無害化して排出する。
触媒を回収する。さらにオゾン分解塔は、分解ガス中に
含まれる残存オゾンを分解１、無害化して排出する。
【０００９】以上のようにして、揮発性有機塩素化合物
を含む排ガスは、紫外線，光触媒，オゾンの作用で、短
時間で効率よく分解される。従って排ガス分解塔の小型
化が計れる。 （２） 上記２の手段において、排ガスは排ガス分解塔
にはいる。分解塔内で紫外線発生装置により揮発性有機
塩素化合物の分解機能を有する波長の紫外線が照射され
る。すると光触媒が担持された紫外線反射板で次ぎ次ぎ
反射され、分解塔内で、多くの経路を進む。一方排ガス
中の揮発性有機塩素化合物は、これらの紫外線で励起さ
れるとともに、反射板上の光触媒の手助けで無機化合物
に分解される。さらにこのとき発生するオゾンによって
もこの反応が促進される。
を含む排ガスは、紫外線，光触媒，オゾンの作用で、短
時間で効率よく分解される。従って排ガス分解塔の小型
化が計れる。 （２） 上記２の手段において、排ガスは排ガス分解塔
にはいる。分解塔内で紫外線発生装置により揮発性有機
塩素化合物の分解機能を有する波長の紫外線が照射され
る。すると光触媒が担持された紫外線反射板で次ぎ次ぎ
反射され、分解塔内で、多くの経路を進む。一方排ガス
中の揮発性有機塩素化合物は、これらの紫外線で励起さ
れるとともに、反射板上の光触媒の手助けで無機化合物
に分解される。さらにこのとき発生するオゾンによって
もこの反応が促進される。
【００１０】またオゾン分解塔は、分解ガス中に含まれ
る残存オゾンを分解し、無害化して排出する。
る残存オゾンを分解し、無害化して排出する。
【００１１】以上のようにして、揮発性有機塩素化合物
を含む排ガスは、紫外線，光触媒，オゾンの作用で短時
間で、効率よく分解される。従って排ガス分解塔の小型
化が計れる。
を含む排ガスは、紫外線，光触媒，オゾンの作用で短時
間で、効率よく分解される。従って排ガス分解塔の小型
化が計れる。
【００１２】
【実施例】 （１） 請求項１の発明の一実施例を図１〜図４により
説明する。図１にて、排ガス供給管２を下部に持つ排ガ
ス分解塔１が設けられる。分解塔１の内部には低圧水銀
灯または重水素ランプ３が複数鉛直に設けられる。これ
らは点灯装置４につながれる。
説明する。図１にて、排ガス供給管２を下部に持つ排ガ
ス分解塔１が設けられる。分解塔１の内部には低圧水銀
灯または重水素ランプ３が複数鉛直に設けられる。これ
らは点灯装置４につながれる。
【００１３】また分解塔１の上部出口は、集じん器１４
を介してオゾン分解塔７の下部入口につながれる。オゾ
ン分解塔７の上部出口は排出ライン８につながれる。さ
らにオゾン分解塔７の内部にはオゾン分解触媒層６が設
けられている。
を介してオゾン分解塔７の下部入口につながれる。オゾ
ン分解塔７の上部出口は排出ライン８につながれる。さ
らにオゾン分解塔７の内部にはオゾン分解触媒層６が設
けられている。
【００１４】分解塔１の入口部の供給管２には、光触媒
噴射ノズル９と、その後流側にダクト絞り部１０が設け
られる。また噴射ノズル９は、光触媒サイロ１１を持つ
定量供給機１２を介して空気フアン１３の出口につなが
れる。
噴射ノズル９と、その後流側にダクト絞り部１０が設け
られる。また噴射ノズル９は、光触媒サイロ１１を持つ
定量供給機１２を介して空気フアン１３の出口につなが
れる。
【００１５】光触媒サイロ１１には、酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ），酸化タングステン（ＷＯ3 ），酸化チタン（Ｔi
Ｏ2)等の粉体が収納されている。
Ｏ），酸化タングステン（ＷＯ3 ），酸化チタン（Ｔi
Ｏ2)等の粉体が収納されている。
【００１６】以上において、ばっ気装置等（図示せず）
から供給管２を介して送られてきたトリクロロエチレ
ン，テトラクロロエチレン，ジクロロメタン，１，１，
１−トリクロロエタン，四塩化炭素，クロロホルム等の
有害な揮発性有機塩素化合物を含む排ガスには、光触媒
噴射ノズル９から所定流量の光触媒が吹き込まれる。光
触媒は噴射ノズル９，ダクト絞り部１０の作用で、排ガ
ス中に、均一に混合される。その後排ガスは排ガス分解
塔１にはいる。分解塔内で低圧水銀灯または重水素ラン
プ３から揮発性有機塩素化合物の分解機能を有する波長
１８４．９ nm の紫外線が照射される。すると揮発性有
機塩素化合物は光触媒の手助けで（１）〜（５）式に示
す反応によって無機化合物にまで分解する。この際、紫
外線はもとより紫外線照射時に発生する発生期のオゾン
によっても式（１）〜（５）の反応が促進される。 トリクロロエチレン Ｃ2 ＨＣｌ3 ＋Ｈ2 Ｏ＋3/2 Ｏ2 →２ＣＯ2 ＋３ＨＣｌ …（１） テトラクロロエチレン Ｃ2 Ｃｌ4 ＋２Ｈ2 Ｏ＋Ｏ2 →２ＣＯ2 ＋４ＨＣｌ …（２） ジクロロメタン ＣＨ2 Ｃｌ2 ＋Ｏ2 →ＣＯ2 ＋２ＨＣｌ …（３） クロロホルム ＣＨＣｌ3 ＋Ｈ2 Ｏ＋1/2 Ｏ2 →ＣＯ2 ＋３ＨＣｌ …（４） 四塩化炭素 ＣＣｌ4 ＋２Ｈ2 Ｏ →ＣＯ2 ＋４ＨＣｌ …（５） 排ガス分解塔１を出た分解ガスは集じん器１４にはい
り、分解ガス中の光触媒が回収される。光触媒は光触媒
サイロ１１に戻され再利用される。
から供給管２を介して送られてきたトリクロロエチレ
ン，テトラクロロエチレン，ジクロロメタン，１，１，
１−トリクロロエタン，四塩化炭素，クロロホルム等の
有害な揮発性有機塩素化合物を含む排ガスには、光触媒
噴射ノズル９から所定流量の光触媒が吹き込まれる。光
触媒は噴射ノズル９，ダクト絞り部１０の作用で、排ガ
ス中に、均一に混合される。その後排ガスは排ガス分解
塔１にはいる。分解塔内で低圧水銀灯または重水素ラン
プ３から揮発性有機塩素化合物の分解機能を有する波長
１８４．９ nm の紫外線が照射される。すると揮発性有
機塩素化合物は光触媒の手助けで（１）〜（５）式に示
す反応によって無機化合物にまで分解する。この際、紫
外線はもとより紫外線照射時に発生する発生期のオゾン
によっても式（１）〜（５）の反応が促進される。 トリクロロエチレン Ｃ2 ＨＣｌ3 ＋Ｈ2 Ｏ＋3/2 Ｏ2 →２ＣＯ2 ＋３ＨＣｌ …（１） テトラクロロエチレン Ｃ2 Ｃｌ4 ＋２Ｈ2 Ｏ＋Ｏ2 →２ＣＯ2 ＋４ＨＣｌ …（２） ジクロロメタン ＣＨ2 Ｃｌ2 ＋Ｏ2 →ＣＯ2 ＋２ＨＣｌ …（３） クロロホルム ＣＨＣｌ3 ＋Ｈ2 Ｏ＋1/2 Ｏ2 →ＣＯ2 ＋３ＨＣｌ …（４） 四塩化炭素 ＣＣｌ4 ＋２Ｈ2 Ｏ →ＣＯ2 ＋４ＨＣｌ …（５） 排ガス分解塔１を出た分解ガスは集じん器１４にはい
り、分解ガス中の光触媒が回収される。光触媒は光触媒
サイロ１１に戻され再利用される。
【００１７】さらに、集じん器１４を出た分解ガスは、
解触媒を充てんした触媒層６を内蔵したオゾン分解塔７
に導入される。ここでオゾン分解触媒と分解ガスが接触
し、分解ガス中の残存オゾンが酸素に分解し、排出ライ
ン８より無害なガスとして排出される。
解触媒を充てんした触媒層６を内蔵したオゾン分解塔７
に導入される。ここでオゾン分解触媒と分解ガスが接触
し、分解ガス中の残存オゾンが酸素に分解し、排出ライ
ン８より無害なガスとして排出される。
【００１８】以上のようにして、揮発性有機塩素化合物
を含む排ガスは、紫外線，光触媒，オゾンの作用で、短
時間で効率よく分解される。
を含む排ガスは、紫外線，光触媒，オゾンの作用で、短
時間で効率よく分解される。
【００１９】以下に処理対象の揮発性有機塩素化合物と
してトリクロロエチレン，テトラクロロエチレン，ジク
ロロメタンを用い、光触媒としてＺｎＯ，ＷＯ3 を用い
た実験例を従来例と比較して説明する。 実施例１，１０００ｐｐｍのトリクロロエチレンを
含む排ガスに、２００メッシュアンダーのＺｎＯ光触媒
を排ガス１Ｎｍ3 当たり１ｇ噴射し、紫外線を０．５〜
５秒間照射した場合、図２に実線で示す分解率がえられ
た。点線は従来例の場合を示す。 実施例２，１０００ｐｐｍのテトラクロロエチレン
を含む排ガスに、２００メッシュアンダーのＷＯ3 光触
媒を排ガス１Ｎｍ3 当たり１ｇ噴射した後、紫外線を
０．５〜５秒間照射した場合、図３に実線で示す分解率
がえられた。点線は従来例の場合を示す。 実施例３，１００ｐｐｍのジクロロメタンを含む排
ガスに、２００メッシュアンダーのＺｎＯ光触媒を排ガ
ス１Ｎｍ3 当たり１ｇ噴射した後、紫外線を０．５〜５
秒間照射した場合、図４に実線で示す分解率がえられ
た。点線は従来例の場合を示す。 上記の各測定はＦＩ
Ｄ付ガスクロマトグラフで行った。
してトリクロロエチレン，テトラクロロエチレン，ジク
ロロメタンを用い、光触媒としてＺｎＯ，ＷＯ3 を用い
た実験例を従来例と比較して説明する。 実施例１，１０００ｐｐｍのトリクロロエチレンを
含む排ガスに、２００メッシュアンダーのＺｎＯ光触媒
を排ガス１Ｎｍ3 当たり１ｇ噴射し、紫外線を０．５〜
５秒間照射した場合、図２に実線で示す分解率がえられ
た。点線は従来例の場合を示す。 実施例２，１０００ｐｐｍのテトラクロロエチレン
を含む排ガスに、２００メッシュアンダーのＷＯ3 光触
媒を排ガス１Ｎｍ3 当たり１ｇ噴射した後、紫外線を
０．５〜５秒間照射した場合、図３に実線で示す分解率
がえられた。点線は従来例の場合を示す。 実施例３，１００ｐｐｍのジクロロメタンを含む排
ガスに、２００メッシュアンダーのＺｎＯ光触媒を排ガ
ス１Ｎｍ3 当たり１ｇ噴射した後、紫外線を０．５〜５
秒間照射した場合、図４に実線で示す分解率がえられ
た。点線は従来例の場合を示す。 上記の各測定はＦＩ
Ｄ付ガスクロマトグラフで行った。
【００２０】以上のように本実施例によれば、従来例の
約倍の高い分解率がえられることが分る。 （２−ａ） 請求項２の発明の第１実施例を図５，図６
により説明する。
約倍の高い分解率がえられることが分る。 （２−ａ） 請求項２の発明の第１実施例を図５，図６
により説明する。
【００２１】なお、前記で説明した部分については、説
明を省略する。
明を省略する。
【００２２】図５にて、下部に供給管２を持つ排ガス分
解塔１が設けられる。分解塔１内には、鉛直に軸対称に
３個の低圧水銀灯または重水素ランプが設けられる。こ
れらは点灯装置４につながれる。
解塔１が設けられる。分解塔１内には、鉛直に軸対称に
３個の低圧水銀灯または重水素ランプが設けられる。こ
れらは点灯装置４につながれる。
【００２３】図３に示すように、分解塔１の内側面に紫
外線反射板１６が設けられる。また紫外線反射板１６の
内面に光触媒１７が担持される。紫外線反射板１６には
アルミシート等を用いる。また光触媒としてはＴｉ
Ｏ2，ＺｒＯ，ＷＯ3 等の少くとも一つ，すなわち一つ
または所定の組合せを用いる。光触媒の粒径は平均粒径
として１μｍ〜１００μｍ、好ましくは１０μｍ前後を
用いる。粒径が小さすぎると高価になり、粒径が大きす
ぎると紫外線反射板への担持が困難になる。光触媒の紫
外線反射板への担持方法としては蒸着（ＣＶＤ等），塗
付，浸漬等の方法を用いる。またその膜厚は１〜１００
μｍが好ましい。膜厚が薄いと膜厚が不均一になりやす
く安定した性能の確保が困難になり、逆に厚膜では高価
であり、又、光触媒層の剥落を生じやすい。
外線反射板１６が設けられる。また紫外線反射板１６の
内面に光触媒１７が担持される。紫外線反射板１６には
アルミシート等を用いる。また光触媒としてはＴｉ
Ｏ2，ＺｒＯ，ＷＯ3 等の少くとも一つ，すなわち一つ
または所定の組合せを用いる。光触媒の粒径は平均粒径
として１μｍ〜１００μｍ、好ましくは１０μｍ前後を
用いる。粒径が小さすぎると高価になり、粒径が大きす
ぎると紫外線反射板への担持が困難になる。光触媒の紫
外線反射板への担持方法としては蒸着（ＣＶＤ等），塗
付，浸漬等の方法を用いる。またその膜厚は１〜１００
μｍが好ましい。膜厚が薄いと膜厚が不均一になりやす
く安定した性能の確保が困難になり、逆に厚膜では高価
であり、又、光触媒層の剥落を生じやすい。
【００２４】さらに排ガス分解塔１の上部出口には、オ
ゾン分解塔７がつながれる。
ゾン分解塔７がつながれる。
【００２５】以上において、低圧水銀灯３から照射され
る１８４．９ nm の波長の紫外線は反射板１６で反射を
繰返し、長い経路を進行する。この間に排ガス中に含ま
れるトリクロロエチレンＣ2 ＨＣｌ3 ，テトラクロロエ
チレンＣ2 Ｃｌ4 ，クロロホルムＣＨＣｌ3 ，四塩化炭
素ＣＣｌ4 等の揮発性有機塩素化合物が、紫外線により
励起される。また光触媒１７の手助けで前記式（１）〜
（５）に示す反応によって無機化合物にまで分解する。
この際、紫外線はもとより紫外線照射時に発生する発生
期のオゾンによっても式（１）〜（５）の反応が促進さ
れる。
る１８４．９ nm の波長の紫外線は反射板１６で反射を
繰返し、長い経路を進行する。この間に排ガス中に含ま
れるトリクロロエチレンＣ2 ＨＣｌ3 ，テトラクロロエ
チレンＣ2 Ｃｌ4 ，クロロホルムＣＨＣｌ3 ，四塩化炭
素ＣＣｌ4 等の揮発性有機塩素化合物が、紫外線により
励起される。また光触媒１７の手助けで前記式（１）〜
（５）に示す反応によって無機化合物にまで分解する。
この際、紫外線はもとより紫外線照射時に発生する発生
期のオゾンによっても式（１）〜（５）の反応が促進さ
れる。
【００２６】以上のようにして、揮発性有機塩素化合物
を含む排ガスは、紫外線，光触媒，オゾンの作用で、短
時間で効率よく分解される。
を含む排ガスは、紫外線，光触媒，オゾンの作用で、短
時間で効率よく分解される。
【００２７】本実施例にて、６Ｗの低圧水銀ランプ３
（３本）を用いた実験例を図７により説明する。 実験例１，揮発性有機塩素系化合物として、１０００
ｐｐｍのテトラクロロエチレンを用い、光触媒としてＺ
ｎＯを２μｍ担持させ、紫外線を０．５〜５秒間照射し
た場合、図の実線で示すような分解率がえられた。点線
は従来例の場合を示す。
（３本）を用いた実験例を図７により説明する。 実験例１，揮発性有機塩素系化合物として、１０００
ｐｐｍのテトラクロロエチレンを用い、光触媒としてＺ
ｎＯを２μｍ担持させ、紫外線を０．５〜５秒間照射し
た場合、図の実線で示すような分解率がえられた。点線
は従来例の場合を示す。
【００２８】本実施例によれば、図より約倍の分解率が
えられることが分る。 （２−ｂ） 請求項２の発明の第２実施例を図９〜図１
１により説明する。この実施例は第１実施例の排ガス分
解塔１を図９，図１０に示すように変更したものであ
る。
えられることが分る。 （２−ｂ） 請求項２の発明の第２実施例を図９〜図１
１により説明する。この実施例は第１実施例の排ガス分
解塔１を図９，図１０に示すように変更したものであ
る。
【００２９】すなわち、分解塔１内に、鉛直に低圧水銀
灯または重水素ランプ３が配置される。ランプ３は軸上
および周囲に７個軸対称に配置される。またランプ３を
同軸に囲む径の大きい円筒形の紫外線反射板１６ａが配
置される。さらに反射板１６ａの下端は、反射板１０ａ
と同径の孔ａを持つ仕切板１５で仕切られる。反射板１
６ａの内面上には光触媒１７が担持される。
灯または重水素ランプ３が配置される。ランプ３は軸上
および周囲に７個軸対称に配置される。またランプ３を
同軸に囲む径の大きい円筒形の紫外線反射板１６ａが配
置される。さらに反射板１６ａの下端は、反射板１０ａ
と同径の孔ａを持つ仕切板１５で仕切られる。反射板１
６ａの内面上には光触媒１７が担持される。
【００３０】作用は第１実施例とほぼ同様である。
【００３１】以下に本実施例を用いて行った実験例につ
いて説明する。装置としては、３本の低圧水銀ランプを
使用し、光触媒としてＷＯ3 を０．５μｍ担持した反射
板１６ａを用いた。また他の５個の孔ａを閉じた。 実験例１，１０００ｐｐｍのトリクロロエチレンを
含む排ガスに、０．５〜５秒間紫外線を照射した場合、
得られた分解率を図１０に実線で示す。点線は従来例の
場合を示す。 実験例２，１００ｐｐｍのジクロロエチレンを含む
排ガスに、０．５〜５秒間紫外線を照射した場合、得ら
れた分解率を図１１に実線で示す。点線は従来例の場合
を示す。
いて説明する。装置としては、３本の低圧水銀ランプを
使用し、光触媒としてＷＯ3 を０．５μｍ担持した反射
板１６ａを用いた。また他の５個の孔ａを閉じた。 実験例１，１０００ｐｐｍのトリクロロエチレンを
含む排ガスに、０．５〜５秒間紫外線を照射した場合、
得られた分解率を図１０に実線で示す。点線は従来例の
場合を示す。 実験例２，１００ｐｐｍのジクロロエチレンを含む
排ガスに、０．５〜５秒間紫外線を照射した場合、得ら
れた分解率を図１１に実線で示す。点線は従来例の場合
を示す。
【００３２】以上より本実施例によれば、約２倍の分解
率が得られることが分る。
率が得られることが分る。
【００３３】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明は排ガス
に紫外線を照射して、光触媒の働きにより排ガス中に含
まれる揮発性有機塩素化合物を、迅速に且つ高効率に無
機化合物に分解し無害化する。従って装置の小型化，低
コストかが計れる。
に紫外線を照射して、光触媒の働きにより排ガス中に含
まれる揮発性有機塩素化合物を、迅速に且つ高効率に無
機化合物に分解し無害化する。従って装置の小型化，低
コストかが計れる。
【図１】請求項１の発明の一実施例の構成図である。
【図２】同実施例の実験例を示す図である。
【図３】同実施例の実験例を示す図である。
【図４】同実施例の実験例を示す図である。
【図５】請求項２の発明の第１実施例の構成図である。
【図６】同実施例の排ガス分解塔の横断面図である。
【図７】同実施例の実験例を示す図である。
【図８】同発明の第２実施例の排ガス分解塔の横断面図
である。
である。
【図９】同実施例の分解塔の縦断面図である。
【図１０】同実施例の実験例を示す図である。
【図１１】同実施例の実験例を示す図である。
１ 排ガス分解塔 ２ 供給管 ３ 低圧水銀灯又は重水素ランプ ４ 点灯装置 ５ 出口ライン ６ オゾン分解触媒層 ７ オゾン分解塔 ８ 排出ライン ９ 光触媒噴射ノズル １０ 光触媒噴射ダクト絞り部 １１ 光触媒サイロ １２ 光触媒定量供給機 １３ 光触媒輸送空気ファン １４ 集じん器 １５ 仕切り １６，１６ａ 紫外線反射板 １７ 光触媒
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ０１Ｊ 23/30 Ａ 8017−4Ｇ 35/02 Ｊ 7821−4Ｇ
Claims (3)
- 【請求項１】 揮発性有機塩素化合物を含む排ガスが導
入され分解ガスを排出する排ガス分解塔と，同分解塔の
内部に設けられ紫外線を放射する紫外線発生装置と，上
記分解塔の排ガス入口部に設けられ光触媒を噴射するノ
ズルと，上記分解塔につながれ分解ガス中より光触媒を
回収する回収装置と，上記分解塔につながれ上記分解ガ
ス中のオゾンを分解するオゾン分解塔とを備えてなるこ
とを特徴とする排ガス処理装置。 - 【請求項２】 揮発性有機塩素化合物を含む排ガスが導
入され分解ガスを排出する排ガス分解塔と，同分解塔の
内部に設けられ紫外線を放射する紫外線発生装置と，上
記分解塔の内部に設けられ光触媒が担持された紫外線反
射板と，上記分解塔につながれ上記分解ガス中のオゾン
を分解するオゾン分解塔とを備えてなることを特徴とす
る排ガス処理装置。 - 【請求項３】 請求項１および２の排ガス処理装置にお
いて，光触媒として酸化チタン，酸化亜鉛および酸化タ
ングステンの少くとも一つを使用したことを特徴とする
排ガス処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4085494A JPH05285342A (ja) | 1992-04-07 | 1992-04-07 | 排ガス処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4085494A JPH05285342A (ja) | 1992-04-07 | 1992-04-07 | 排ガス処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05285342A true JPH05285342A (ja) | 1993-11-02 |
Family
ID=13860491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4085494A Withdrawn JPH05285342A (ja) | 1992-04-07 | 1992-04-07 | 排ガス処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05285342A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100457026B1 (ko) * | 2002-03-07 | 2004-11-16 | 동아엔바이로 주식회사 | 휘발성 유기염소화합물 및 분진 처리장치 |
| US9452379B2 (en) | 2014-01-14 | 2016-09-27 | International Business Machines Corporation | Ozone abatement system for semiconductor manufacturing system |
| CN107587487A (zh) * | 2017-09-18 | 2018-01-16 | 徐州工程学院 | 一种用于四氯化碳处理设备的台阶式泄槽溢洪道 |
-
1992
- 1992-04-07 JP JP4085494A patent/JPH05285342A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100457026B1 (ko) * | 2002-03-07 | 2004-11-16 | 동아엔바이로 주식회사 | 휘발성 유기염소화합물 및 분진 처리장치 |
| US9452379B2 (en) | 2014-01-14 | 2016-09-27 | International Business Machines Corporation | Ozone abatement system for semiconductor manufacturing system |
| US10369510B2 (en) | 2014-01-14 | 2019-08-06 | International Business Machines Corporation | Ozone abatement system for semiconductor manufacturing system |
| US10434455B2 (en) | 2014-01-14 | 2019-10-08 | International Business Machines Corporation | Ozone abatement system for semiconductor manufacturing system |
| US10894229B2 (en) | 2014-01-14 | 2021-01-19 | International Business Machines Corporation | Ozone abatement method for semiconductor manufacturing system |
| CN107587487A (zh) * | 2017-09-18 | 2018-01-16 | 徐州工程学院 | 一种用于四氯化碳处理设备的台阶式泄槽溢洪道 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990608 |