JPH0528752Y2 - - Google Patents
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- JPH0528752Y2 JPH0528752Y2 JP12274587U JP12274587U JPH0528752Y2 JP H0528752 Y2 JPH0528752 Y2 JP H0528752Y2 JP 12274587 U JP12274587 U JP 12274587U JP 12274587 U JP12274587 U JP 12274587U JP H0528752 Y2 JPH0528752 Y2 JP H0528752Y2
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、小さな直方体、すなわちチツプ状の
外装体の側面からリード端子が引き出され、外装
体に沿つて折り曲げられてなる構造に関し、特に
外装体の底面とほぼ同一面にくるように整形され
て、配線基板上の導電パターン面に直接はんだ等
で固着されるタイプの例えば、固体電解コンデン
サなどのチツプ型電子部品に関する。
外装体の側面からリード端子が引き出され、外装
体に沿つて折り曲げられてなる構造に関し、特に
外装体の底面とほぼ同一面にくるように整形され
て、配線基板上の導電パターン面に直接はんだ等
で固着されるタイプの例えば、固体電解コンデン
サなどのチツプ型電子部品に関する。
従来、この種のチツプ型電子部品は第２図ａ，
ｂの斜視図および断面図に示すように、銅系、鉄
系等の金属条材の全表面にはんだ付性を向上させ
るため電気はんだめつきを施した後所定の形状寸
法に加工したリードフレームを形成し、このリー
ドフレームに素子１を固定し、外装樹脂２にて外
装を施し、外装樹脂２より突出したリードフレー
ムを所定寸法に切断し、配線基板に実装しやすい
ように、外装樹脂２に沿つて折り曲げる端子３を
形成し、チツプ型電子部品としていた。
ｂの斜視図および断面図に示すように、銅系、鉄
系等の金属条材の全表面にはんだ付性を向上させ
るため電気はんだめつきを施した後所定の形状寸
法に加工したリードフレームを形成し、このリー
ドフレームに素子１を固定し、外装樹脂２にて外
装を施し、外装樹脂２より突出したリードフレー
ムを所定寸法に切断し、配線基板に実装しやすい
ように、外装樹脂２に沿つて折り曲げる端子３を
形成し、チツプ型電子部品としていた。
上述した従来のチツプ型電子部品は、樹脂外装
内部のリード端子面３ａにも外部端子と同一のめ
つき厚のはんだが施されているため、配線基板に
チツプ型電子部品をはんだペースト等を用い、は
んだめつきの融点よりも高い温度にて実装を行う
と、リード端子面３ａのはんだめつきが溶融し、
かつ外装樹脂２によつて素子１及び素子周辺に残
溜した空気が加熱され膨張し、リード端子面３ａ
と外装樹脂２の界面を通して溶融したはんだを押
し出しながら外装樹脂２の外部へ突出し、外装樹
脂とリード端子の付根３ｃに球状のはんだ玉４を
形成する。このはんだ玉４は振動、衝撃等で配線
基板上に落下し、配線基板の電気回路上を動くた
め回路間の短絡を生じ、電気回路に異常信号を発
生させる等、信頼性に与える影響は甚大である。
一方リード端子面３ａの裏面に当るシード端子面
３ｂは導電性接着剤等で素子１を固定するが、め
つき面のはんだが溶解すると導電性接着剤の銀中
へはんだ中の錫が拡散し、はんだめつきの層部は
空隙となり素子とリード端子面３ｂの接続が不安
定となる。これを防止するため第３図ａ，ｂの斜
視図および断面図に示すように銀等の部分メツキ
５ｂを施す工法を行うのが一般であるがリードフ
レーム材の価格が上るため特殊の場合を除き使用
されていない。
内部のリード端子面３ａにも外部端子と同一のめ
つき厚のはんだが施されているため、配線基板に
チツプ型電子部品をはんだペースト等を用い、は
んだめつきの融点よりも高い温度にて実装を行う
と、リード端子面３ａのはんだめつきが溶融し、
かつ外装樹脂２によつて素子１及び素子周辺に残
溜した空気が加熱され膨張し、リード端子面３ａ
と外装樹脂２の界面を通して溶融したはんだを押
し出しながら外装樹脂２の外部へ突出し、外装樹
脂とリード端子の付根３ｃに球状のはんだ玉４を
形成する。このはんだ玉４は振動、衝撃等で配線
基板上に落下し、配線基板の電気回路上を動くた
め回路間の短絡を生じ、電気回路に異常信号を発
生させる等、信頼性に与える影響は甚大である。
一方リード端子面３ａの裏面に当るシード端子面
３ｂは導電性接着剤等で素子１を固定するが、め
つき面のはんだが溶解すると導電性接着剤の銀中
へはんだ中の錫が拡散し、はんだめつきの層部は
空隙となり素子とリード端子面３ｂの接続が不安
定となる。これを防止するため第３図ａ，ｂの斜
視図および断面図に示すように銀等の部分メツキ
５ｂを施す工法を行うのが一般であるがリードフ
レーム材の価格が上るため特殊の場合を除き使用
されていない。
上述した従来のチツプ型電子部品に対し、本考
案はコンデンサ素子の接合される端子面のはんだ
めつき厚を2μm以下と薄くかつ実装に必要な端子
部のはんだめつき厚を4μm以上と厚くする、即ち
外装樹脂内のはんだめつきを薄くし外装樹脂外部
の端子部のはんだめつきを厚くする二重構造のめ
つき端子を用いる相違点を有する。
案はコンデンサ素子の接合される端子面のはんだ
めつき厚を2μm以下と薄くかつ実装に必要な端子
部のはんだめつき厚を4μm以上と厚くする、即ち
外装樹脂内のはんだめつきを薄くし外装樹脂外部
の端子部のはんだめつきを厚くする二重構造のめ
つき端子を用いる相違点を有する。
上記問題点に対し本考案では、はんだ、錫等の
低融点金属を金属板の表面に施してなる、リード
端子を有する電子部品素子を絶縁体で外装を施し
た電子部品において、電子部品素子と接合し、か
つ外装の内部に位置するリード端子の低融点金属
の厚さを2μm以下とし、かつ外装の外部の少なく
とも一部のリード端子表面の低融点金属の厚さを
4μm以上とする、すなわち厚さに段差をもつ端子
構造を有するチツプ型電子部品を供給することに
ある。
低融点金属を金属板の表面に施してなる、リード
端子を有する電子部品素子を絶縁体で外装を施し
た電子部品において、電子部品素子と接合し、か
つ外装の内部に位置するリード端子の低融点金属
の厚さを2μm以下とし、かつ外装の外部の少なく
とも一部のリード端子表面の低融点金属の厚さを
4μm以上とする、すなわち厚さに段差をもつ端子
構造を有するチツプ型電子部品を供給することに
ある。
次に本考案を実施例による説明する。
第１図ａは本考案の一実施例の破断面の斜視図
であり、第１図ｂは本考案の第１図ａの断面図で
ある。
であり、第１図ｂは本考案の第１図ａの断面図で
ある。
第１図ａにおいて、固体タンタル電解コンデン
サなどのコンデンサ素子１（以下素子と省略す
る）をはんだめつきが施されたフレーム状の金属
端子３に、陽極側は溶接にて接合し、陰極側は銀
ペーストなどの導電性接着剤にて接合するが、こ
のフレーム状リード端子の素子接合部及びモール
ド外装に入る大部分の端子表面のメツキを2μm以
下のSn85％以上含有する組成のはんだめつきを
施しかつモールド外装部の端子表面のメツキを
4μm以上のはんだ組成のめつきを施す、すなわち
一体となつたフレーム状端子に段差めつきを施し
たものを用いる。
サなどのコンデンサ素子１（以下素子と省略す
る）をはんだめつきが施されたフレーム状の金属
端子３に、陽極側は溶接にて接合し、陰極側は銀
ペーストなどの導電性接着剤にて接合するが、こ
のフレーム状リード端子の素子接合部及びモール
ド外装に入る大部分の端子表面のメツキを2μm以
下のSn85％以上含有する組成のはんだめつきを
施しかつモールド外装部の端子表面のメツキを
4μm以上のはんだ組成のめつきを施す、すなわち
一体となつたフレーム状端子に段差めつきを施し
たものを用いる。
以上により接合の完了したフレーム体をトラン
スフアーモールド成形により外装樹脂２に封止
し、素子１に接合したリード端子３を外装樹脂２
の側面から外部に引き出し、側面に沿つて下方に
折り曲げ、さらに実装ができるように外装樹脂２
の底面に沿つて折り曲げる。
スフアーモールド成形により外装樹脂２に封止
し、素子１に接合したリード端子３を外装樹脂２
の側面から外部に引き出し、側面に沿つて下方に
折り曲げ、さらに実装ができるように外装樹脂２
の底面に沿つて折り曲げる。
以上説明したように本考案は、はんだめつき等
の低融点金属を電気めつき等によりリード端子３
の表面に形成し素子１を接合後モールド等の外装
樹脂２を施したチツプ型電子部品において、リー
ド端子３の素子接続部及びモールド外装に入る大
部分の端子表面のメツキを2μm以下のSn85％以
上含有する組成のはんだめつきを施し、かつモー
ルド外装部の端子表面に4μm以上のはんだめつき
を施した物を用いることにより、実装に伴うモー
ルドとリード端子付根４にはんだ玉４の発生を防
止できかつ確実なはんだ付が可能である。
の低融点金属を電気めつき等によりリード端子３
の表面に形成し素子１を接合後モールド等の外装
樹脂２を施したチツプ型電子部品において、リー
ド端子３の素子接続部及びモールド外装に入る大
部分の端子表面のメツキを2μm以下のSn85％以
上含有する組成のはんだめつきを施し、かつモー
ルド外装部の端子表面に4μm以上のはんだめつき
を施した物を用いることにより、実装に伴うモー
ルドとリード端子付根４にはんだ玉４の発生を防
止できかつ確実なはんだ付が可能である。
第４図は、はんだめつき厚とはんだ玉の関係を
示す実験結果である。
示す実験結果である。
はんだめつき厚が厚くなると、はんだ玉の発生
が著しくなることを示す。
が著しくなることを示す。
はんだめつき厚を2μm以下とするこてではんだ
玉の発生を押える事が可能である。
玉の発生を押える事が可能である。
第５図は素子とリード端子を接続するために導
電性接着剤（銀系ペースト）５を用いた場合の、
はんだめつき厚とはんだめつきの錫の銀中への拡
散が生じるはんだ喰れの発生率についての実験結
果である。
電性接着剤（銀系ペースト）５を用いた場合の、
はんだめつき厚とはんだめつきの錫の銀中への拡
散が生じるはんだ喰れの発生率についての実験結
果である。
はんだめつき厚が厚くなると喰れが著しくなる
事を示しており、この接合ではめつき厚を3μm以
下とする必要がある。即ちはんだ玉及びはんだ喰
れから素子との接合面でのめつき厚は2μm以下と
する必要がある。
事を示しており、この接合ではめつき厚を3μm以
下とする必要がある。即ちはんだ玉及びはんだ喰
れから素子との接合面でのめつき厚は2μm以下と
する必要がある。
第６図は、はんだめつき厚と部品実装時のはん
だぬれ性について、はんだぬれ性のゼロクロス時
間（JIS−Ｃ−0053はんだ付試験方法の図２中の
t0からＡ点までに要する時間）をグラフ化した結
果である、この結果より外部端子のめつき厚は４
〜5μm以上とする必要がある。
だぬれ性について、はんだぬれ性のゼロクロス時
間（JIS−Ｃ−0053はんだ付試験方法の図２中の
t0からＡ点までに要する時間）をグラフ化した結
果である、この結果より外部端子のめつき厚は４
〜5μm以上とする必要がある。
以上よりモールド外装内部のめつき厚を2μm以
下としモールド外装より突出した端子部のめつき
厚を４〜5μm以上とすることで、はんだ玉の発
生、はんだ喰れによる接続不安定及び実装性の問
題を解決する事が出来る。
下としモールド外装より突出した端子部のめつき
厚を４〜5μm以上とすることで、はんだ玉の発
生、はんだ喰れによる接続不安定及び実装性の問
題を解決する事が出来る。
第１図ａおよびｂはそれぞれ本考案の一実施例
を示す破断斜視図及び断面図であり樹脂外装２の
内部のはんだめつき端子３ａ，３ｂを外装樹脂よ
り突出しているリード端子面のめつき厚さと段差
を付けた図である。第２図ａおよびｂは従来品の
斜視図および断面図、第３図ａおよびｂは端子面
３ｂの表面よりはんだめつきを取り除き銀メツキ
を施した物の破断斜視図および断面図、第４図は
本考案に関する、はんだめつき厚とはんだ玉発生
率の関係を示すグラフである。第５図は本考案に
関する、はんだめつき厚と接合面のはんだ喰れ発
生率の関係を示すグラフである。第６図は本考案
に関する、はんだめつき厚とはんだぬれ性の関係
を示すグラフである。 １……コンデンサ素子、２……外装樹脂、３…
…端子、３ａ……上部端子面、３ｂ……素子との
接合する端子面、４……はんだ玉、５……導電性
接着剤、５ｂ……銀メツキ。
を示す破断斜視図及び断面図であり樹脂外装２の
内部のはんだめつき端子３ａ，３ｂを外装樹脂よ
り突出しているリード端子面のめつき厚さと段差
を付けた図である。第２図ａおよびｂは従来品の
斜視図および断面図、第３図ａおよびｂは端子面
３ｂの表面よりはんだめつきを取り除き銀メツキ
を施した物の破断斜視図および断面図、第４図は
本考案に関する、はんだめつき厚とはんだ玉発生
率の関係を示すグラフである。第５図は本考案に
関する、はんだめつき厚と接合面のはんだ喰れ発
生率の関係を示すグラフである。第６図は本考案
に関する、はんだめつき厚とはんだぬれ性の関係
を示すグラフである。 １……コンデンサ素子、２……外装樹脂、３…
…端子、３ａ……上部端子面、３ｂ……素子との
接合する端子面、４……はんだ玉、５……導電性
接着剤、５ｂ……銀メツキ。
Claims (1)
- 低融点金属を金属板の表面に施してなる、リー
ド端子を有する電子部品素子を絶縁体で外装を施
した電子部品において、電子部品素子と接合し、
かつ外装の内部に位置するリード端子の低融点金
属の厚さを2μm以下としかつ外装の外部のリード
端子表面の低融点金属の厚さを4μm以上とする、
厚みに段差をもつ端子構造を有するチツプ型電子
部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12274587U JPH0528752Y2 (ja) | 1987-08-10 | 1987-08-10 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12274587U JPH0528752Y2 (ja) | 1987-08-10 | 1987-08-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6426826U JPS6426826U (ja) | 1989-02-15 |
| JPH0528752Y2 true JPH0528752Y2 (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=31370961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12274587U Expired - Lifetime JPH0528752Y2 (ja) | 1987-08-10 | 1987-08-10 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0528752Y2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2927196B2 (ja) * | 1994-11-25 | 1999-07-28 | 日本電気株式会社 | チップ型電子部品及びその製造方法 |
| JP4284278B2 (ja) | 2003-04-15 | 2009-06-24 | 富士通株式会社 | 光信号処理方法及び装置 |
| JPWO2024203239A1 (ja) * | 2023-03-30 | 2024-10-03 |
-
1987
- 1987-08-10 JP JP12274587U patent/JPH0528752Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6426826U (ja) | 1989-02-15 |
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