JPH0528902B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0528902B2 JPH0528902B2 JP61132818A JP13281886A JPH0528902B2 JP H0528902 B2 JPH0528902 B2 JP H0528902B2 JP 61132818 A JP61132818 A JP 61132818A JP 13281886 A JP13281886 A JP 13281886A JP H0528902 B2 JPH0528902 B2 JP H0528902B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- leads
- coordinate
- coordinates
- displacement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はセラミツクパツケージ半導体における
が如く、セラミツクのベース上に設けられたリー
ドが、成形時の熱変形により基準位置から変移す
る場合、又は、リードフレームにおいて加熱ダイ
ボンデイング、又は加熱ワイヤボンデイングを行
う場合など、製造過程中の加熱による変移後のリ
ードの位置を認識する方法に関するものである。
が如く、セラミツクのベース上に設けられたリー
ドが、成形時の熱変形により基準位置から変移す
る場合、又は、リードフレームにおいて加熱ダイ
ボンデイング、又は加熱ワイヤボンデイングを行
う場合など、製造過程中の加熱による変移後のリ
ードの位置を認識する方法に関するものである。
例えば、セラミツクパツケージ半導体を製造す
る場合に、セラミツクベース上にリードを載置し
たる後焼成してリードを固定するが、焼成の前後
において熱変形が生ずるためにベースが伸縮し、
当初正確な基準位置に設けられたリードの位置が
変移して、その後に行なわれる半導体のパツドと
リードとの間のワイヤボンデイング作業に支障を
来たす場合があつた。
る場合に、セラミツクベース上にリードを載置し
たる後焼成してリードを固定するが、焼成の前後
において熱変形が生ずるためにベースが伸縮し、
当初正確な基準位置に設けられたリードの位置が
変移して、その後に行なわれる半導体のパツドと
リードとの間のワイヤボンデイング作業に支障を
来たす場合があつた。
これを防ぐため、従来は変形後のリードの全数
の位置を認識装置にて認識して、全リードの変形
後の座標を求めていた。しかしながらこの方法に
おいては全リードの認識を行なうため、認識作業
の時間が長くなり、ボンデイング作業の高速自動
化を阻害するものであつた。
の位置を認識装置にて認識して、全リードの変形
後の座標を求めていた。しかしながらこの方法に
おいては全リードの認識を行なうため、認識作業
の時間が長くなり、ボンデイング作業の高速自動
化を阻害するものであつた。
この問題点を改良する方法として、例えば特開
昭59−19337号公報に示される如き、一部のリー
ドのみを認識して、演算により他のリードの変位
後の座標を求める方法が提案されている。
昭59−19337号公報に示される如き、一部のリー
ドのみを認識して、演算により他のリードの変位
後の座標を求める方法が提案されている。
しかしながら、このような従来の方法において
は、座標軸の回転の要素をも加味して演算を行な
うものであり、演算が複雑となり、演算手段も複
雑なものとなり、しかも伸縮率は何れの方法に対
しても同じである、という前提に基づくものであ
るので、特に伸縮率が方向により異なるものに対
しては誤差の多いものであつた。
は、座標軸の回転の要素をも加味して演算を行な
うものであり、演算が複雑となり、演算手段も複
雑なものとなり、しかも伸縮率は何れの方法に対
しても同じである、という前提に基づくものであ
るので、特に伸縮率が方向により異なるものに対
しては誤差の多いものであつた。
本発明は、従来のものの上記の問題点を解決
し、演算及び演算手段が極めて簡単であり、X方
向とY方向とに伸縮率が異なる場合であつても誤
差を小とすることができるリード位置認識方法を
提供することを目的とするものである。
し、演算及び演算手段が極めて簡単であり、X方
向とY方向とに伸縮率が異なる場合であつても誤
差を小とすることができるリード位置認識方法を
提供することを目的とするものである。
本発明は、従来における上記の問題点を解決す
る手段としてセラミツクベース又はリードフレー
ム上に形成された多数のリードが、製造過程中の
加熱により熱変形した後の変移したリードの位置
を認識する方法において、全リードに対するほぼ
中心に座標原点を選び、認識対象の全リードの、
該座標原点に対する変移前の基準X座標及び基準
Y座標を記憶し、認識対象の全リードのうちの特
定のリードA,B又はそれに代る基準点A,B
(そのX座標を基準X座標XOA,XOBとする)、及
びリードC,D又はそれに代る基準点C,D(そ
のY座標を基準Y座標YOA,YOBとする)とを選
び、該リードA,B,C,D又はそれに代る基準
点A,B,C,Dの変移後の位置を認識手段によ
り認識し、該リードA,B、又はそれに代る基準
点A,Bの変移後の変位X座標XA,XB及びリー
ドC,D又はそれに代る基準点C,Dの変位後の
変位X座標YC,YDとを記憶し、 KX=(XA−XB)/(XOA−XOB) KY=(YC−YD)/(YOC−YOD) を演算して求めてX方向及びY方向の伸縮率とな
し、認識対象の全リードの中のリードについて、
変移後の位置の座標である変移X座標及び変移Y
座標を、当該リードの基準X座標及び基準Y座標
のそれぞれにKX,KYを乗ずることにより得た値
とすることを特徴とするリード位置認識方法を提
供せんとするものである。
る手段としてセラミツクベース又はリードフレー
ム上に形成された多数のリードが、製造過程中の
加熱により熱変形した後の変移したリードの位置
を認識する方法において、全リードに対するほぼ
中心に座標原点を選び、認識対象の全リードの、
該座標原点に対する変移前の基準X座標及び基準
Y座標を記憶し、認識対象の全リードのうちの特
定のリードA,B又はそれに代る基準点A,B
(そのX座標を基準X座標XOA,XOBとする)、及
びリードC,D又はそれに代る基準点C,D(そ
のY座標を基準Y座標YOA,YOBとする)とを選
び、該リードA,B,C,D又はそれに代る基準
点A,B,C,Dの変移後の位置を認識手段によ
り認識し、該リードA,B、又はそれに代る基準
点A,Bの変移後の変位X座標XA,XB及びリー
ドC,D又はそれに代る基準点C,Dの変位後の
変位X座標YC,YDとを記憶し、 KX=(XA−XB)/(XOA−XOB) KY=(YC−YD)/(YOC−YOD) を演算して求めてX方向及びY方向の伸縮率とな
し、認識対象の全リードの中のリードについて、
変移後の位置の座標である変移X座標及び変移Y
座標を、当該リードの基準X座標及び基準Y座標
のそれぞれにKX,KYを乗ずることにより得た値
とすることを特徴とするリード位置認識方法を提
供せんとするものである。
本発明は、前述の目的を達成するために発明者
らが種々の実験、研究を重ね、その折に得た知見
に基づいてなされたものである。発明者らはセラ
ミツク上或いはリードフレーム上のリードの変移
について研究した結果、変移は中心から、やや一
様に拡大するような変移が大部分で、矩形の場合
には、X方向とY方向との伸縮率は多少異なる
が、回転的な変移はあまりないことを確かめ、こ
のようなセラミツクベース又はリードフレーム上
のリードの変移を推定認識するのに最も簡単であ
り、かつ誤差の少ない方法として本発明をなすに
至つた。
らが種々の実験、研究を重ね、その折に得た知見
に基づいてなされたものである。発明者らはセラ
ミツク上或いはリードフレーム上のリードの変移
について研究した結果、変移は中心から、やや一
様に拡大するような変移が大部分で、矩形の場合
には、X方向とY方向との伸縮率は多少異なる
が、回転的な変移はあまりないことを確かめ、こ
のようなセラミツクベース又はリードフレーム上
のリードの変移を推定認識するのに最も簡単であ
り、かつ誤差の少ない方法として本発明をなすに
至つた。
本発明は、前述の如く構成することにより、伸
縮方向をX方向とY方向との成分に分けて、特定
のリード(又はその代りの基準点)のみの変移の
前後の座標を認識してX方向の伸縮率KXと、Y
方向の伸縮率KYとを別々に求め、各リードの変
移前の基準X座標に対してはKXを、基準Y座標
に対してはKYをそれぞれ別個に乗じて、変移後
の変移X座標と、変移Y座標とを別個に求めて、
これにより各リードの変移後の位置を得るように
したので、演算中には回転に関する演算は含まれ
ず、演算方式は極めて簡単となり、従つて演算手
段も簡単となる。
縮方向をX方向とY方向との成分に分けて、特定
のリード(又はその代りの基準点)のみの変移の
前後の座標を認識してX方向の伸縮率KXと、Y
方向の伸縮率KYとを別々に求め、各リードの変
移前の基準X座標に対してはKXを、基準Y座標
に対してはKYをそれぞれ別個に乗じて、変移後
の変移X座標と、変移Y座標とを別個に求めて、
これにより各リードの変移後の位置を得るように
したので、演算中には回転に関する演算は含まれ
ず、演算方式は極めて簡単となり、従つて演算手
段も簡単となる。
またX方向とY方向と別個の伸縮率を以て演算
を行なつているので、X方向とY方向とにより伸
縮率が異なる場合でも誤差を僅小とすることがで
きる。
を行なつているので、X方向とY方向とにより伸
縮率が異なる場合でも誤差を僅小とすることがで
きる。
本発明の実施例につき図面を用いて説明する。
図において、実線は設計上の基準位置にあるリ
ードを示し、その中から任意に4個のリード1
A,1B,1C,1Dを選ぶ。全リードのほぼ中
央に座標原点Oを選ぶ、各リード1A,1B,1
C,1Dの設計上の基準X座標、基準Y座標をそ
れぞれ(XOA,YOA),(XOB,YOB),(XOC,YOC),
(XOD,YOD)とし、その他のリードの基準X座
標、基準Y座標と共に記憶装置に記憶せしめる。
ードを示し、その中から任意に4個のリード1
A,1B,1C,1Dを選ぶ。全リードのほぼ中
央に座標原点Oを選ぶ、各リード1A,1B,1
C,1Dの設計上の基準X座標、基準Y座標をそ
れぞれ(XOA,YOA),(XOB,YOB),(XOC,YOC),
(XOD,YOD)とし、その他のリードの基準X座
標、基準Y座標と共に記憶装置に記憶せしめる。
このような基準座標を有する各リードが、成形
時の熱変形により変移し、リード1A,1B,1
C,1Dがそれぞれ2A,2B,2C,2Dの位
置に変移したとする。
時の熱変形により変移し、リード1A,1B,1
C,1Dがそれぞれ2A,2B,2C,2Dの位
置に変移したとする。
変移後の各リード2A,2B,2C,2Dの座
標をパターン認識などによる認識装置により認識
せしめる。変移後認識された変位X座標、変位Y
座標をそれぞれ(XA,YA),(XB,YB),(XC,
XC),(XD,YD)とし、これを記憶装置に記憶せ
しめる。
標をパターン認識などによる認識装置により認識
せしめる。変移後認識された変位X座標、変位Y
座標をそれぞれ(XA,YA),(XB,YB),(XC,
XC),(XD,YD)とし、これを記憶装置に記憶せ
しめる。
これらの移動の前後の各座標を用いてX方向及
びY方向の伸縮率KX,KYを演算により求める。
即ち、なるべくX方向に離れた2点、例えばリー
ド2A及び2BのX座標XOA,XA、XOB,XBを用
いて KX=(XA−XB)/(XOA−XOB) としてX方向の伸縮率KXを演算し、なるべくY
方向に離れた2点、例えばリード2C及び2Dの
Y座標YOC,YC,YOD,YDを用いて、 KY=(YC−YD)/(YOC−YOD) としてY方向の伸縮率KYを演算する。
びY方向の伸縮率KX,KYを演算により求める。
即ち、なるべくX方向に離れた2点、例えばリー
ド2A及び2BのX座標XOA,XA、XOB,XBを用
いて KX=(XA−XB)/(XOA−XOB) としてX方向の伸縮率KXを演算し、なるべくY
方向に離れた2点、例えばリード2C及び2Dの
Y座標YOC,YC,YOD,YDを用いて、 KY=(YC−YD)/(YOC−YOD) としてY方向の伸縮率KYを演算する。
しかして、全リードのうちの或るリードの移動
後の座標を求めるに当たつては、そのリードの変
移前の基準座標をXO,YOとすると、変移後の変
移座標KT,YTは、 XT=KX・XO YT=KY・YO なる演算により求める。
後の座標を求めるに当たつては、そのリードの変
移前の基準座標をXO,YOとすると、変移後の変
移座標KT,YTは、 XT=KX・XO YT=KY・YO なる演算により求める。
伸縮率を求めるのに用いる基準座標或いは変移
座標はリード自体のものでなくとも、リードに代
る基準点としてリードの付近に設けたリード認識
し易いマークの座標を用いてもよい。
座標はリード自体のものでなくとも、リードに代
る基準点としてリードの付近に設けたリード認識
し易いマークの座標を用いてもよい。
伸縮率を求めるために選択されるリードは全部
別個である必要はなく、兼用してもよい。例えば
リード2Aを兼用してリード2Aと2Bとにより
KXを、リード2Aと2DによりKYを求めるよう
にしてもよく、また、リード2Bと2Dとにより
KX,KYを求めるようにしてもよい。
別個である必要はなく、兼用してもよい。例えば
リード2Aを兼用してリード2Aと2Bとにより
KXを、リード2Aと2DによりKYを求めるよう
にしてもよく、また、リード2Bと2Dとにより
KX,KYを求めるようにしてもよい。
上記の例においては伸縮率KX,KYを全リード
に対し共通に適用したが、多数あるリードが、伸
縮状態に関して複数個のグループに分かれる場合
には、そのグループごとに求めた伸縮率を用いて
そのグループの変移座標を求めるようにするのが
好ましい。
に対し共通に適用したが、多数あるリードが、伸
縮状態に関して複数個のグループに分かれる場合
には、そのグループごとに求めた伸縮率を用いて
そのグループの変移座標を求めるようにするのが
好ましい。
本発明により、X座標とY座標とにそれぞれ別
個に伸縮率を乗じて変移後のリードの位置を求め
るようにしたので、演算方式及び演算手段が簡単
なものとなり、また、方向によつて異なる伸縮率
を有する場合においても誤差を僅小とすることが
できるリード位置認識方法を提供することがで
き、実用上極めて大なる効果を奏する。
個に伸縮率を乗じて変移後のリードの位置を求め
るようにしたので、演算方式及び演算手段が簡単
なものとなり、また、方向によつて異なる伸縮率
を有する場合においても誤差を僅小とすることが
できるリード位置認識方法を提供することがで
き、実用上極めて大なる効果を奏する。
図面は本発明の説明用平面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 セラミツクベース又はリードフレーム上に形
成された多数のリードが、製造過程中の加熱によ
り熱変形した後の変移したリードの位置を認識す
る方法において、 全リードに対するほぼ中心に座標原点を選び、 認識対象の全リードの、該座標原点に対する変
移前の基準X座標及び基準Y座標を記憶し、 認識対象の全リードのうちの特定のリードA,
B又はそれに代る基準点A,B(そのX座標を基
準X座標XOA,XOBとする)、及びリードC,D又
はそれに代る基準点C,D(そのY座標を基準Y
座標YOA,YOBとする)とを選び、該リードA,
B,C,D又はそれに代る基準点A,B,C,D
の変移後の位置を認識手段により認識し、 該リードA,B、又はそれに代る基準点A,B
の変移後の変位X座標XA,XB及びリードC,D
又はそれに代る基準点C,Dの変位後の変位Y座
標YC,YDとを記憶し、 KX=(XA−XB)/(XOA−XOB) KY=(YC−YD)/(YOC−YOD) を演算して求めてX方向及びY方向の伸縮率とな
し、 認識対象の全リードの中の任意のリードについ
て、変移後の位置の座標である変移X座標及び変
移Y座標を、当該リードの基準X座標及び基準Y
座標のそれぞれにKX,KYを乗ずることにより得
た値とする ことを特徴とするリード位置認識方法。 2 前記リードA,B又はそれに代る基準点A,
Bの少なくとも一方が、前記リードC,D又はそ
れに代る基準点C,Dの何れかと同一のリード又
は基準点である特許請求の範囲第1項記載の方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61132818A JPS62291042A (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | リ−ド位置認識方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61132818A JPS62291042A (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | リ−ド位置認識方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62291042A JPS62291042A (ja) | 1987-12-17 |
| JPH0528902B2 true JPH0528902B2 (ja) | 1993-04-27 |
Family
ID=15090281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61132818A Granted JPS62291042A (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | リ−ド位置認識方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62291042A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04196145A (ja) * | 1990-11-26 | 1992-07-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品のリードのピッチ及び本数の検出方法 |
-
1986
- 1986-06-10 JP JP61132818A patent/JPS62291042A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62291042A (ja) | 1987-12-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |