JPH05289039A - 基板の洗浄方法 - Google Patents

基板の洗浄方法

Info

Publication number
JPH05289039A
JPH05289039A JP11811392A JP11811392A JPH05289039A JP H05289039 A JPH05289039 A JP H05289039A JP 11811392 A JP11811392 A JP 11811392A JP 11811392 A JP11811392 A JP 11811392A JP H05289039 A JPH05289039 A JP H05289039A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
cleaning
roll
end side
ozone
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11811392A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuo Fujimoto
哲男 藤本
Fusashi Togawa
総史 戸川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Idemitsu Kosan Co Ltd
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Idemitsu Kosan Co Ltd filed Critical Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority to JP11811392A priority Critical patent/JPH05289039A/ja
Publication of JPH05289039A publication Critical patent/JPH05289039A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 少なくとも一面に電極を有し、かつ可撓性を
有する長尺基板の表面の汚染物を均一かつ効率よく除去
する。 【構成】 長尺の可撓性基板(11)を巻回してなる繰
り出しロール(10)から基板(11)を繰り出し、こ
れを巻き取りロール(12)に巻き取る間に、紫外線オ
ゾン洗浄、超音波洗浄、又はこの両洗浄法を組み合わせ
て基板表面の洗浄を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、少なくとも一面に電極
を有し、かつ可撓性を有する電子機器用の長尺基板、特
に液晶表示パネル用の長尺基板を洗浄する方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来、電子装置の基板としては、半導体
用のシリコン基板やプリント基板あるいは液晶表示パネ
ル用のガラス基板等、リジッドでかつ枚葉のものが一般
的に用いられているが、近年、特に液晶表示パネル用に
は軽量化や大画面化が求められて可撓性を有するプラス
チック基板が使用され始めている。液晶表示パネルは、
これらの基板で液晶組成物を挟持することにより構成さ
れ、このとき基板はぬれ性の向上などを目的として表面
を溶液により洗浄することが行われる。
【0003】上記プラスチック基板は、従来のプラスチ
ックフィルムなどと同様に溶液による洗浄が一般に行わ
れている。この方式は乾式と区別して湿式洗浄法とも呼
ばれ、液体の化学的洗浄力を用いた方法である。液体の
種類としては純水、有機溶剤、界面活性剤又は酸やアル
カリ等の化学洗浄剤があり、これらの一種又は二種以上
を組み合わせて溶液洗浄が行われる。また、洗浄力を大
きくするために、ブラシスクラビングやジェットスプレ
ーあるいは超音波等の物理的洗浄法を組み合わせること
も一般的である。具体的には、中性洗剤又はメチルアル
コールに基板を浸漬し、次いで脱イオン水中で超音波洗
浄する方法(特開平1−196020号公報)が提案さ
れている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この洗
浄法は洗浄液を満たした洗浄槽中に枚葉の基板を浸漬し
て洗浄を行うものであり、長尺のプラスチック基板を洗
浄するにはきわめて大きな洗浄槽と大量の洗浄液が必要
となり、効率的な洗浄を行うことができない。また、非
常に長いプラスチック基板の連続体を均一に洗浄するこ
とはほとんど不可能である。さらに、液晶表示パネルの
基板の洗浄としては、洗浄レベルが不足しており、表面
に残った有機物によって基板のぬれ性が低下し、有機物
が不均一に残った場合には液晶組成物が基板に対しては
じいてしまうという問題を生じる。
【0005】本発明は、上記問題点にかんがみてなされ
たもので、液晶表示パネル等の基板として用いられる少
なくとも一面に電極を有し、かつ可撓性を有する長尺基
板の表面の汚染物を均一かつ効率よく除去することがで
きる基板の洗浄方法の提供を目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段及び作用】上記目的を達成
するため、本発明の第一の基板の洗浄方法は、少なくと
も一面に電極を有し、かつ可撓性を有する長尺基板をロ
ール状に巻回して繰り出しロールを形成し、この繰り出
しロールから基板を送り出して巻き取りロールに巻き取
る間に、酸素またはオゾンを含む雰囲気下で基板表面に
紫外線を照射して基板表面に付着した有機汚染物を除去
する洗浄処理を、基板の一端側から他端側へと連続的に
行うようにしたものである。
【0007】また、第二の基板の洗浄方法は、少なくと
も一面に電極を有し、かつ可撓性を有する長尺基板をロ
ール状に巻回して繰り出しロールを形成し、この繰り出
しロールから基板を送り出して巻き取りロールに巻き取
る間に、洗浄液中で超音波振動により基板表面に付着し
た異物を除去する洗浄処理を、基板の一端側から他端側
へと連続的に行うようにしたものである。
【0008】さらに、第三の基板の洗浄方法は、少なく
とも一面に電極を有し、かつ可撓性を有する長尺基板を
ロール状に巻回して繰り出しロールを形成し、この繰り
出しロールから基板を送り出して巻き取りロールに巻き
取る間に、酸素又はオゾンを含む雰囲気下で基板表面に
紫外線を照射して基板表面に付着した有機汚染物を除去
する洗浄処理と、洗浄液中で超音波振動により基板表面
に付着した異物を除去する洗浄処理の両方を、基板の一
端側から他端側へと連続的に行うようにしたものであ
る。
【0009】すなわち、上記本発明の基板の洗浄方法に
よれば、長尺の可撓性基板を巻回してなる繰り出しロー
ルから基板を繰り出し、これを巻き取りロールに巻き取
る間に洗浄処理を施すことにより、長尺基板の一端から
他端へと連続的に同一条件で洗浄処理を施すことがで
き、しかも酸素またはオゾンを含む雰囲気下で基板表面
に紫外線を照射して基板表面に付着した有機汚染物を除
去する洗浄処理、洗浄液中で超音波振動により基板表面
に付着した異物を除去する洗浄処理、又は両洗浄処理を
組み合わせて洗浄を行うことにより、高度な洗浄を行う
ようにしたものである。したがって、非常に長いプラス
チック基板の連続体であっても、均一かつ良好な洗浄を
効率よく行うことができるものである。
【0010】以下、本発明について、さらに詳細に説明
する。本発明の被洗浄物である基板は、少なくとも一面
に電極を有し、かつ可撓性を有する長尺基板であり、具
体的にはプラスチック基板の表面に電極を形成したもの
である。プラスチック基板としては、一軸又は二軸延伸
ポリエチレンテレフタレート等の結晶性ポリマー、ポリ
アリレート,ポリスルホン,ポリエーテルスルホン等の
非結晶性ポリマー、ポリエチレン,ポリプロピレン等の
ポリオレフィン、ポリカーボネート,ナイロン等のポリ
アミドなどを挙げることができ、可撓性を有するもので
あればいずれのものでもよい。また、これらのプラスチ
ック基板上に液晶駆動用等として形成される電極として
は、導電性を有する材料であればいずれのものも使用す
ることができ、例えば、蒸着、イオンビーム蒸着、スパ
ッタリング等により形成した酸化インジウム、酸化イン
ジウムと酸化錫とからなるITO、アルミニウム、ニッ
ケル、銅等の金属蒸着又は積層膜などが好適に使用され
る。
【0011】本発明の基板の洗浄方法は、上記長尺の可
撓性基板を巻回してなる繰り出しロールから該基板を繰
り出し、これを巻き取りロールに巻き取る間に、紫外線
オゾン洗浄法、超音波洗浄法又は両洗浄法を組み合わせ
て基板の一端側から他端側へと連続的に洗浄を行うもの
である。
【0012】この場合、上記紫外線オゾン洗浄法は、酸
素又はオゾンを含む雰囲気下で基板表面に紫外線を照射
して基板表面に付着した有機汚染物を除去するものであ
る。この紫外線オゾン洗浄による上記基板の洗浄法とし
ては、例えば図1に示した装置を用いて行うことができ
る。この装置は、箱型の洗浄槽を三つの室に区画し、真
中をオゾン噴射ノズル4、紫外線ランプ5及びヒータ6
を備えた洗浄室1とし、両側室をそれぞれ前排気室2及
び後排気室3としてある。各室は基板通過孔により連通
されており、また前排気室2及び後排気室3にはそれぞ
れ基板出入口が形成されている。さらに、各室1,2,
3には分解ガスを排気する排気口7が設けられている。
なお、図中8はエアーカーテンを形成するためのエアー
ノズル、9はガイドロールである。
【0013】この装置を用いて、上記基板の洗浄を行う
場合、まず上記可撓性基板を繰り出しロール10にセッ
トし、基板11をガイドロール9上に沿って繰り出し、
装置内を前排気室2、洗浄室1、後排気室3の順に通し
て行く。このとき、基板11の向きは電極面が紫外線ラ
ンプ5側に、裏面がガイドロール9に向くようにする。
次いで、装置を通した基板11の端部を巻き取りロール
12に貼り付け、基板をセットする。そして、紫外線ラ
ンプ5により基板11に紫外線を照射し、オゾン発生装
置(図示せず)からのオゾンガスをノズル4から洗浄室
1内に導入して基板表面11に吹き付ける。この状態で
巻き取りロール12を駆動させて、繰り出しロール10
から基板11を繰り出すとともに、装置内を通過させて
巻き取りロール12に巻き取り回収する。
【0014】この場合、洗浄時間の調節は巻き取りロー
ル12の巻き取り速度の調節により行うことができる。
また、紫外線照射強度は紫外線ランプ5のパワーコント
ロールにより行うことができるが、紫外線ランプ5の位
置を上下させて基板11との距離を調節することによっ
ても行うことができる。さらに、基板温度のコントロー
ルは、ヒータ6の出力調節によって行うことができる
が、紫外線照射による発熱があるため照射時間と照射距
離によっても行うことができる。洗浄室1内において
は、有機物の分解ガスが基板11の電極面に付着して再
汚染することを防止するため、洗浄室1底部の排気口7
から分解ガスを排気する。また、洗浄室1と前後排気室
2,3との間の基板通過孔から有害ガスが系外へ漏洩す
ることを防ぐため、基板通過孔部分をエアーカーテン8
でシールを行う。さらに、前後排気室2,3にも排気口
7をそれぞれ設け、安全を確保する構造になっている。
【0015】ここで、紫外線オゾン洗浄における紫外線
発生源としては、184.9nm及び253.7nmの
波長を主波長とする紫外線を効率よく発生する低圧水銀
ランプが好適に使用される。この紫外線ランプの出力と
しては、ランプの大きさにもよるが紫外線照射強度がで
きるだけ高いものが好ましい。洗浄条件における紫外線
照射強度としては、3mW/cm2 以上になるように紫
外線ランプの出力調節及び該ランプと基板との距離(紫
外線照射距離)を調節する。
【0016】オゾン濃度については、基板表面の有機物
料に応じて変化させることが好ましく、特に10ppm
から10%の濃度範囲とすることが好ましい。この場
合、100ppm前後の濃度は、オゾン発生装置を使用
せず、空気中での紫外線照射よっても達成することがで
きる。この濃度範囲では、紫外線照射距離と濃度が反比
例することから紫外線照射距離でオゾン濃度を調節する
ことができる。これ以上の濃度調節はオゾン発生装置の
出力コントロールによる。
【0017】基板温度としては、できるだけ高い方が有
機物の分解速度が速いが、基板のガラス転移温度以上で
は基板の変形が起こり、しかも高温になるほど基板自体
の分解が促進される。よって、基板のガラス転移温度以
下に制御することが望ましく、その方法としては主に加
熱ヒータの出力調節によって行うが、紫外線照射距離や
照射時間によっても行なうことができる。紫外線照射時
間(洗浄時間)としては、長すぎると温度上昇や基板の
裏面から分解が進んで基板電極面の再汚染が起こりやす
い。また、電極自体が変質して抵抗変化を起こす可能性
もある。よって、洗浄時間は短時間であることが好まし
く、できれば30分以内とすることが好ましい。さら
に、紫外線照射距離によって紫外線照射強度及びオゾン
濃度並びに基板温度が変化し、距離が長くなれば洗浄効
果が落ちる方向となるため紫外線照射距離は短い方が好
ましい。通常は150mm以下に調節され、好ましくは
10〜60mmが適切である。
【0018】一方、上記超音波洗浄は、洗浄槽内に洗浄
液を収容し、この洗浄液中に基板を浸漬し、洗浄液中に
超音波振動を発生させるもので、このとき液中の超音波
振動が起こすキャビテーション作用を利用して効率よく
基板の汚れを落すものである。この超音波洗浄による上
記基板の洗浄法としては、例えば、図2に示した装置を
用いて行うことができる。この装置は、水噴射洗浄槽、
超音波洗浄槽、超音波すすぎ槽、仕上げすすぎ槽及び乾
燥機を連設したもので、繰り出しロール10から基板1
1を繰り出し、巻き取りロール12に巻き取り回収する
間にこの装置内を通過させ、水噴射洗浄、超音波洗浄、
超音波すすぎ処理、仕上げすすぎ処理及び乾燥を順次連
続的に行うものである。なお、図2中9はガイドロー
ル、13は水噴射ノズル、14はエアーナイフ、15は
ヒータ、16は除電装置である。
【0019】この装置を用いて、上記基板の洗浄を行う
場合、まず基板11を繰り出しロール10から水噴射洗
浄槽、超音波洗浄槽、超音波すすぎ槽、乾燥機の順にガ
イドロール9に沿って通し、基板の端部を巻き取りロー
ル12に固定する。このとき、基板11の向きに特に規
定はないが、電極面とガイドロール9との接触が少ない
方が好ましい。次いで、巻き取りロール12を駆動させ
て繰り出しロール10から基板11を繰り出すととも
に、装置内を通過させて各処理槽で洗浄処理及びすすぎ
処理を行い、乾燥機で乾燥し、除電装置16で除電し、
巻き取りロール12に巻き取り回収する。
【0020】この場合、水噴射洗浄槽では、水噴射ノズ
ル13から純水又は超純水を吹き付けて基板表面に付着
している比較的大きな汚れを洗い落す。ノズル13に
は、噴霧式又は水をカーテン状に流すスリット式や各種
のノズルを用いることができる。なお、噴射する水の圧
力は特に制限はないが、両面からほぼ同じ圧力に吹き付
けることが好ましい。また、基板の汚れ具合によっては
超音波振動水を吹き付けても効果的である。
【0021】次に、超音波洗浄槽は、槽内に収容した洗
浄液中に基板を浸漬し、洗浄液中に超音波振動を発生さ
せるもので、このとき液中の超音波振動が起こすキャビ
テーション作用を利用して効率よく基板の汚れを落す。
このキャビテーション作用は、有機溶剤の化学的洗浄力
を促進させ、さらに物理的に基板表面の付着物を除去す
る効果がある。超音波振動は、洗浄槽の底部又は側部に
配設した超音波振動子によって発生させることができ、
超音波振動子の種類としてはフェライト系、チタン酸バ
リウム系、ジルコチタン酸系、ニッケル系等の振動子を
使用することができる。この振動子の出力は洗浄槽の大
きさによっても異なるが、通常20kW以下のものが使
用され、振動板の単位面積あたりでは3W/cm2 以下
のものが使用でき、好ましくは0.3〜1W/cm2
するのが適している。また、超音波振動の周波数として
は100kHz以下が主に利用され、好ましくは20〜
50kHzの範囲が好適に利用される。この場合、基板
の種類や汚れの程度等によっては、この範囲で周波数を
変調することも効果的である。なお、キャビテーション
作用を利用せずに、周波数800kHz以上の高周波を
用い、振動加速度による衝撃を利用して洗浄を行うこと
もできる。
【0022】この超音波洗浄に使用する洗浄液として
は、純水、各種界面活性剤、有機溶媒、あるいは酸,ア
ルカリ等の化学物質、及びこれらの混合物を上げること
ができ、これらの中から汚れの種類等に応じて適宜選定
される。また、洗浄により除去した固形の汚れを捕集す
るため洗浄液をフィルターに通して循環ろ過することが
好ましい。この場合、フィルターとしては、主にアブソ
リュートフィルターが用いられ、メッシュサイズや寸法
及び循環流量等は汚れの度合いに応じて設定され、特に
制限されない。
【0023】この超音波洗浄を行う際の条件としては温
度、時間、洗浄液濃度、超音波の出力等があり、各々特
に制限はなく適宜設定することができるが、温度に関し
ては、高すぎると基板の変形やキャビテーション力の減
衰を起こすため、基板のガラス転移温度以下とすること
が好ましく、具体的には40〜70℃程度とすることが
好ましい。
【0024】超音波すすぎ槽は、超音波洗浄槽槽で残っ
た汚れと再付着した汚れを純水又は超純水で洗い流すも
ので、上記超音波洗浄槽と同様の超音波洗浄力を利用し
てすすぎ効果を上げている。純水は槽をオーバーフロー
させながら常時供給し、できるだけ大量に使用すること
が好ましい。また、仕上げすすぎ槽では、超音波すすぎ
槽と同様に、大量の純水又は超純水を槽の底部から供給
して槽をオーバーフローさせながらさらに基板の汚れを
洗い流すものである。この超音波すすぎ槽及び仕上げす
すぎ槽では、供給水量が多い程すすぎの効果は上がり、
またフィルターによる循環ろ過を行いながらすすぎを行
うことが好ましい。
【0025】乾燥機では、まずエアーナイフのノズル1
4から清浄な空気又は不活性ガスを高圧で基板に吹き付
けて基板に付着した水滴を落す。このノズルとしては、
スリット状、ホール状及び各種形状のノズルを用いるこ
とができる。また、水滴を基板に残さないようにするた
め基板を上方に配置し、水滴を下に吹き飛ばすように基
板とノズル14を配置することが好ましい。なお、空気
は基板の両面から同じ圧力で同じ範囲に吹き付けること
が好ましい。次いで、基板をヒータ15によって乾燥さ
せる。ヒータ15としてはブロワーにより熱風乾燥や電
気ヒータ等の熱輻射による乾燥あるいは加熱蒸気による
蒸気乾燥等の方式がある。乾燥温度は、基板の熱変形温
度以下とされ、できれば基板のガラス転移温度以下とす
ることが好適である。
【0026】最後に乾燥後の基板を除電装置16で除電
し、巻き取りロール12に巻き取り回収する。除電装置
16としては、特に制限はないが、基板に対して非接触
性のものが好適である。例えば、イオン化エアーバーに
よって正及び負のイオンを吹き付けて除電するタイプの
ものが好適である。この除電効果を上げるためには、基
板との距離を適正な位置に設定し、空気圧及び装置の出
力を好適に設定することが重要である。なお、基板の搬
送速度は、巻き取りロール12の回転速度によって調節
され、これによって各槽での処理時間が決定される。こ
の巻き取り速度は特に制限されず、基板の汚れや乾燥速
度によって適宜設定される。
【0027】本発明の基板の洗浄方法は、上記長尺可撓
性基板をロール状に巻回して繰り出しロールを形成し、
この繰り出しロールから基板を送り出すとともに、巻き
取りロールに巻き取る間に、上記洗浄法により基板の一
端側から他端側へと連続的に洗浄を行うものである。こ
の場合、洗浄作業は上記紫外線オゾン洗浄法、超音波洗
浄法のいずれか一方法により行えばよいが、汚れの程度
によっては紫外線オゾン洗浄法と超過音波洗浄法とを組
み合わせて連続して行うことが好ましく、これにより洗
浄レベルをより高度にすることができる。上記紫外線の
オゾン洗浄法、超音波洗浄法の順番はどちらが先であっ
てもよく、例えば、紫外線オゾン洗浄の前に超音波洗浄
によって汚れを均一かつ微量な状態にすることにより、
紫外線オゾン洗浄後の基板の清浄性が飛躍的に向上す
る。また、基板に有機汚染物が大量にある場合には、紫
外線オゾン洗浄により有機物を除去してから超音波洗浄
を行い、再び紫外線オゾン洗浄を行うこともできる。さ
らに、場合によっては両方の洗浄法を繰り返して行うこ
とも効果的である。
【0028】このように、本発明の基板の洗浄方法は、
長尺の可撓性基板を巻回してなる繰り出しロールから基
板を繰り出し、これを巻き取りロールに巻き取る間に、
洗浄処理を施すことにより、長尺基板の一端から他端へ
と連続的に同一条件で洗浄処理を施すことができる。し
かも、酸素又はオゾンを含む雰囲気下で基板表面に紫外
線を照射して基板表面に付着した有機汚染物を除去する
洗浄処理、洗浄液中で超音波振動により基板表面に付着
した異物を除去する洗浄処理、又は両洗浄処理を組み合
わせて洗浄を行うことにより、高度な洗浄を行こともで
きる。したがって非常に長いプラスチック基板の連続体
であっても、均一かつ良好な洗浄を効率よく行うことが
できる。
【0029】また、本発明の基板の洗浄方法は、液晶デ
ィスプレイの基板を洗浄する際に好適に採用されるもの
であるが、その他にも半導体用のシリコン基板やプリン
ト基板など、種々のエレクトロニクス基板の洗浄に好適
に使用することができる。さらに、紫外線オゾン洗浄及
び超音波洗浄の具体的方法は、上記図1及び図2に示し
たものに限定されず、種々変更することができる。
【0030】
【実施例】以下、実施例,比較例を示し、本発明をより
具体的に説明するが、本発明は下記実施例に限定される
ものではない。実施例1 ポリエステルスルホン(PES)のITOパターン電極
付きの長尺の基板(住友ベークライト製FST;幅17
0mm、厚さ100μm、長さ50m)を図2に示した
装置を用いて洗浄した。このとき、超音波洗浄を行うた
めの超音波発生装置としては、超音波出力600W、4
0kHzの発信器を用いた超音波洗浄装置(シャープ
(株)製)を使用した。超音波洗浄槽では洗浄液として
中性洗剤約10%濃度を使用し、洗浄時間1分、温度5
0℃の条件で洗浄を行った。次に、純水を50L/分の
流量でオーバーフローさせながら超音波振動によるすす
ぎを行った後、超純水を500L/分の流量でオーバー
フローさせながらすすぎを行った。乾燥は、空気圧力3
kg/cm2 のエアーナイフによる水滴除去後、温風乾
燥(80℃、1分)を行った。なお、基板の送り速度は
80cm/分とした。
【0031】基板の清浄性としてX線光電子分光法によ
り基板表面のカーボンと酸素量を測定した。また、下記
組成の液晶組成物をトルエン溶媒で25wt%に希釈
し、マイクログラビアコータにより基板へ塗布,乾燥し
て、はじき現象(基板上に液晶が乗らない現象)の有無
を目視により観察した。結果を表1に示す。
【0032】
【化1】
【0033】実施例2 実施例1と同様の基板を図1の装置を用いて紫外線オゾ
ン洗浄した。この場合、紫外線ランプとしては3灯の低
圧水銀灯(出力800W;東芝ライテック(株) 洗浄
評価のため、洗浄後の基板のぬれ性として水の接触角を
測定するとともに、製)を用いた。洗浄条件としては、
基板の送り速度を0.8m/分(紫外線照射時間;約3
0秒)、基板温度90℃、照射距離30mm、オゾン濃
度約70ppmで洗浄を行った。洗浄後の基板につい
て、実施例1と同様にぬれ性、基板の清浄性及びはじき
現象の評価を行った。結果を表1に示す。
【0034】実施例3 実施例1と同様の基板について、実施例1と同様にして
超音波洗浄を行った後、続けて実施例2と同様にして紫
外線オゾン洗浄を行った。なお、両洗浄の速度また、水
噴射洗浄はシャワーノズルで50L/分の量の純水によ
り予備洗浄し、は同一で0.8m/分とした。洗浄後の
基板について、実施例1と同様にぬれ性、基板の清浄性
及びはじき現象の評価を行った。結果を表1に示す。
【0035】比較例1 実施例1で被洗浄物として用いた基板と同様の基板につ
いて、洗浄処理を行わずに実施例1と同様にぬれ性、基
板の清浄性及びはじき現象の評価を行った。結果を表1
に示す。 表1 ──────────────────────────────────── 実施例1 実施例2 実施例3 比較例1 US洗浄 UV洗浄 US+UV洗浄 未洗浄 ──────────────────────────────────── 水の接触角(゜) 73 14 7 90 ──────────────────────────────────── XPS表面分析 1.99 1.29 0.99 4.86 カーボン量(対比) 2.29 2017 2.11 2.46 酸素量(対比) ──────────────────────────────────── 液晶の製膜性(はじきの有無) あり なし なし あり ────────────────────────────────────
【0036】実施例4 ポリアリレートのITO蒸着ベタ電極品(鐘ヶ淵化学工
業製;エルメックF−1100)からなる基板に実施例
3と同様にして超音波洗浄を行った後、紫外線オゾン洗
浄を行った。洗浄後の基板について、実施例1と同様に
してぬれ性及びはじき現象の評価を行った。結果を表2
に示す。
【0037】実施例5 アルミニウムパターン電極品のアルベット(パナック工
業製;2軸延伸ポエチレンテレフタレートにアルミニウ
ム膜ラミネート品)からなる基板に実施例3と同様にし
て超音波洗浄を行った後、紫外線オゾン洗浄を行った。
洗浄後の基板について、実施例1と同様にしてぬれ性及
びはじき現象の評価を行った。結果を表2に示す。
【0038】 表2 ──────────────────────────────────── 実施例4 実施例5 ──────────────────────────────────── 基板 ポリアリレート 二軸PET 電極膜 ITO Al ──────────────────────────── 湿式洗浄の有無 あり あり ──────────────────────────── UV照時間 10 10 UV洗浄条件 基板温度 120 70 オゾン濃度 2% 2% ランプ出力 110W 110W ──────────────────────────────────── 水の接触角(゜) 8 25 洗浄評価 ──────────────────────────── 液晶製膜性(はじきの有無) なし なし ────────────────────────────────────
【0039】表1及び表2に示した結果より、本発明の
基板の洗浄方法によれば、基板の汚れを高度に除去する
ことができ、しかも基板のぬれ性が顕著に改善され、か
つ液晶組成物のはじき現象が解消でき、長尺な基板であ
っても良好な洗浄処理を効率よく施すことができること
を確認した。
【0040】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の基板の洗
浄方法よれば、長尺基板の一端から他端へと連続的に同
一条件で洗浄処理を施すことができ、したがって非常に
長いプラスチック基板の連続体であっても、均一かつ良
好な洗浄を効率よく行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかる基板の洗浄方法の一例を説明す
る概略図である。
【図2】本発明にかかる基板の洗浄方法の他の例を説明
する概略図である。
【符号の説明】
1…紫外線オゾン洗浄室 5…紫外線ランプ 9…ガイドロール 10…繰り出しロール 11…基板 12…巻き取りロール

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも一面に電極を有し、かつ可撓
    性を有する長尺基板をロール状に巻回して繰り出しロー
    ルを形成し、この繰り出しロールから基板を送り出して
    巻き取りロールに巻き取る間に、酸素又はオゾンを含む
    雰囲気下で基板表面に紫外線を照射して基板表面に付着
    した有機汚染物を除去する洗浄処理を、基板の一端側か
    ら他端側へと連続的に行うことを特徴とする基板の洗浄
    方法。
  2. 【請求項2】 少なくとも一面に電極を有し、かつ可撓
    性を有する長尺基板をロール状に巻回して繰り出しロー
    ルを形成し、この繰り出しロールから基板を送り出して
    巻き取りロールに巻き取る間に、洗浄液中で超音波振動
    により基板表面に付着した異物を除去する洗浄処理を、
    基板の一端側から他端側へと連続的に行うことを特徴と
    する基板の洗浄方法。
  3. 【請求項3】 少なくとも一面に電極を有し、かつ可撓
    性を有する長尺基板をロール状に巻回して繰り出しロー
    ルを形成し、この繰り出しロールから基板を送り出して
    巻き取りロールに巻き取る間に、酸素又はオゾンを含む
    雰囲気下で基板表面に紫外線を照射して基板表面に付着
    した有機汚染物を除去する洗浄処理と、洗浄液中で超音
    波振動により基板表面に付着した異物を除去する洗浄処
    理の両方を、基板の一端側から他端側へと連続的に行う
    ことを特徴とする基板の洗浄方法。
  4. 【請求項4】 基板が液晶表示パネル用の基板である請
    求項1又は2記載の基板の洗浄方法。
JP11811392A 1992-04-10 1992-04-10 基板の洗浄方法 Pending JPH05289039A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11811392A JPH05289039A (ja) 1992-04-10 1992-04-10 基板の洗浄方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11811392A JPH05289039A (ja) 1992-04-10 1992-04-10 基板の洗浄方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05289039A true JPH05289039A (ja) 1993-11-05

Family

ID=14728352

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11811392A Pending JPH05289039A (ja) 1992-04-10 1992-04-10 基板の洗浄方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05289039A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6230233B1 (en) 1991-09-13 2001-05-08 Sandisk Corporation Wear leveling techniques for flash EEPROM systems
US6468599B1 (en) 1998-12-25 2002-10-22 International Business Machines Corporation Method for removing organic compound by ultraviolet radiation
US6559066B2 (en) 1996-08-02 2003-05-06 Sharp Kabushiki Kaisha Substrate for use in display element, method of manufacturing the same, and apparatus for manufacturing the same
CN119653624A (zh) * 2025-02-18 2025-03-18 固安科宇鑫鹏自动化控制设备有限公司 柔性线路板烘干装置及镀膜防氧化工艺

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6230233B1 (en) 1991-09-13 2001-05-08 Sandisk Corporation Wear leveling techniques for flash EEPROM systems
US6559066B2 (en) 1996-08-02 2003-05-06 Sharp Kabushiki Kaisha Substrate for use in display element, method of manufacturing the same, and apparatus for manufacturing the same
US6468599B1 (en) 1998-12-25 2002-10-22 International Business Machines Corporation Method for removing organic compound by ultraviolet radiation
US6756087B2 (en) 1998-12-25 2004-06-29 International Business Machines Corporation Method for removing organic compound by ultraviolet radiation and apparatus therefor
CN119653624A (zh) * 2025-02-18 2025-03-18 固安科宇鑫鹏自动化控制设备有限公司 柔性线路板烘干装置及镀膜防氧化工艺

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6651680B1 (en) Washing apparatus with UV exposure and first and second ultrasonic cleaning vessels
US6955178B1 (en) Substrate treatment apparatus
JPH05134397A (ja) ガラス基板の洗浄方法、及び洗浄装置
KR100323502B1 (ko) 액정표시패널의 제조방법 및 이것에 사용되는 세정장치
US6391117B2 (en) Method of washing substrate with UV radiation and ultrasonic cleaning
JPH11354487A (ja) 基板乾燥装置および基板乾燥方法
JPH01130771A (ja) 基板洗浄法及び基板洗浄装置
JP3167625B2 (ja) 基板のウェット洗浄方法
KR100402901B1 (ko) 평판디스플레이 제조장치의 다기능 세정모듈 및 이를이용한 세정장치
JPH07308642A (ja) 基板表面乾燥装置
JPH05297335A (ja) 基板の洗浄方法及び基板洗浄装置
JPH04107824A (ja) 洗浄用部材の洗浄方法
JP3018964B2 (ja) 洗浄方法及び洗浄装置
JPH05182945A (ja) 洗浄装置
JPH05297336A (ja) 基板の洗浄方法及び基板洗浄装置
KR100586582B1 (ko) 유리표면 처리장치
JP2000107706A (ja) 洗浄装置
KR20110123175A (ko) 건식 기판 세정 시스템
KR20060108428A (ko) 기판 처리 장치, 기판 세정 장치 및 방법
JPH11333394A (ja) 基板の洗浄方法および洗浄装置
JPH05289040A (ja) 基板の洗浄方法
JPH0684857A (ja) 基板の洗浄方法
JPH0613747A (ja) 電子部品の半田処理方法および装置
KR20080109495A (ko) 이온 에어 나이프 및 그를 이용한 기판 세정 시스템
JP3579850B2 (ja) オゾン水排水の処理方法及び処理システム