JPH05134397A - ガラス基板の洗浄方法、及び洗浄装置 - Google Patents
ガラス基板の洗浄方法、及び洗浄装置Info
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- JPH05134397A JPH05134397A JP29754991A JP29754991A JPH05134397A JP H05134397 A JPH05134397 A JP H05134397A JP 29754991 A JP29754991 A JP 29754991A JP 29754991 A JP29754991 A JP 29754991A JP H05134397 A JPH05134397 A JP H05134397A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ガラス基板上に付着した微小な異物を除去可
能とするとともに、水シミを生じさせないガラス基板の
洗浄方法、及び洗浄装置を得る。 【構成】 ガラス基板１０を親水化する第１の洗浄槽２
０と親水化したガラス基板に水分子を拡散浸透させる第
２の洗浄槽３０と温純水中からガラス基板１０を一定速
度で引き上げることにより乾燥を行う第３の洗浄槽４０
と収納部５０、及び搬送系５を備え、第１の洗浄槽２
０、第２の洗浄槽３０、第３の洗浄槽４０の順番で洗浄
を行う。
能とするとともに、水シミを生じさせないガラス基板の
洗浄方法、及び洗浄装置を得る。 【構成】 ガラス基板１０を親水化する第１の洗浄槽２
０と親水化したガラス基板に水分子を拡散浸透させる第
２の洗浄槽３０と温純水中からガラス基板１０を一定速
度で引き上げることにより乾燥を行う第３の洗浄槽４０
と収納部５０、及び搬送系５を備え、第１の洗浄槽２
０、第２の洗浄槽３０、第３の洗浄槽４０の順番で洗浄
を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はガラス基板の洗浄方法、
及び洗浄装置に関するものであり、特に半導体製造用の
フォトマスク及びレチクルなどのガラス基板のミクロン
以下の異物を除去するためのガラス基板の洗浄方法、及
び洗浄装置に関するものである。
及び洗浄装置に関するものであり、特に半導体製造用の
フォトマスク及びレチクルなどのガラス基板のミクロン
以下の異物を除去するためのガラス基板の洗浄方法、及
び洗浄装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ基板の表面に形成される集
積回路の高集積化に伴い、描画されるパターンの線幅は
年々微細化してきている。フォトリソグラフィ技術によ
って微細パターンを得る場合、フォトマスク又はレチク
ル上に塵埃などの異物が付着していると、異物が遮光物
として作用し、異物の像がウエハ上に転写されてしま
う。このため、本来のマスクパターンとは異なるパター
ンがウエハ上に形成され、外観形状不良さらには回路上
の欠陥となるおそれがある。回路が高集積化され、パタ
ーンが微細化するにつれて、外観形状不良による回路上
への影響が大きくなり、また微小な異物による外観形状
不良も無視できないものとなってきた。従って、これら
異物をほぼ完全に除去する方法を確立することが製品の
品質および歩留りを向上するために極めて重要となって
きた。
積回路の高集積化に伴い、描画されるパターンの線幅は
年々微細化してきている。フォトリソグラフィ技術によ
って微細パターンを得る場合、フォトマスク又はレチク
ル上に塵埃などの異物が付着していると、異物が遮光物
として作用し、異物の像がウエハ上に転写されてしま
う。このため、本来のマスクパターンとは異なるパター
ンがウエハ上に形成され、外観形状不良さらには回路上
の欠陥となるおそれがある。回路が高集積化され、パタ
ーンが微細化するにつれて、外観形状不良による回路上
への影響が大きくなり、また微小な異物による外観形状
不良も無視できないものとなってきた。従って、これら
異物をほぼ完全に除去する方法を確立することが製品の
品質および歩留りを向上するために極めて重要となって
きた。
【０００３】従来のフォトマスク又はレチクルの洗浄方
法、及び洗浄装置として特開昭５９−１９５６４６号公
報に開示されたものがあり、簡単に説明すると、マスク
の表裏面を水、又は電解液で濡らしながらマスクを一対
の回転ブラシの中間を通過させ回転ブラシでマスクの表
裏面の汚れを機械的に除去し、アルコール系の有機溶媒
でリンスしたのち、アルコール系又はフロン系蒸気中で
乾燥させ洗浄処理を完了するものである。この方法は１
μｍ以上の異物を除去する方法としては非常にすぐれた
ものであった。
法、及び洗浄装置として特開昭５９−１９５６４６号公
報に開示されたものがあり、簡単に説明すると、マスク
の表裏面を水、又は電解液で濡らしながらマスクを一対
の回転ブラシの中間を通過させ回転ブラシでマスクの表
裏面の汚れを機械的に除去し、アルコール系の有機溶媒
でリンスしたのち、アルコール系又はフロン系蒸気中で
乾燥させ洗浄処理を完了するものである。この方法は１
μｍ以上の異物を除去する方法としては非常にすぐれた
ものであった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ここで、発明者の詳細
なる検討の結果、従来の方法ではガラス基板上に回転ブ
ラシから生ずる微小なゴミがガラス基板上に再付着し、
依然として異物がガラス基板上に残留する場合が多かっ
た。また、リンス工程で十分に除去できない水が原因と
なり、乾燥後に水シミとなることがあるなどの事実が明
らかとなった。
なる検討の結果、従来の方法ではガラス基板上に回転ブ
ラシから生ずる微小なゴミがガラス基板上に再付着し、
依然として異物がガラス基板上に残留する場合が多かっ
た。また、リンス工程で十分に除去できない水が原因と
なり、乾燥後に水シミとなることがあるなどの事実が明
らかとなった。
【０００５】従って、上記の従来技術による洗浄方法、
及び洗浄装置においては、１μｍ以下の微細な異物の除
去に対して必ずしも十分な効果が得られなかった。ま
た、水シミの防止に対しても十分な効果が得られなかっ
た。本発明はこのような問題点に着目してなされたもの
で、１μｍ以下の異物を確実に除去することを可能とす
る高度な洗浄能力を有するガラス基板の洗浄方法、及び
洗浄装置を提供することを目的とする。
及び洗浄装置においては、１μｍ以下の微細な異物の除
去に対して必ずしも十分な効果が得られなかった。ま
た、水シミの防止に対しても十分な効果が得られなかっ
た。本発明はこのような問題点に着目してなされたもの
で、１μｍ以下の異物を確実に除去することを可能とす
る高度な洗浄能力を有するガラス基板の洗浄方法、及び
洗浄装置を提供することを目的とする。
【０００６】また、高度な洗浄能力を持つとともに、水
シミなどを生じないガラス基板の洗浄方法、及び洗浄装
置を提供することを目的とする。
シミなどを生じないガラス基板の洗浄方法、及び洗浄装
置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記問題点の解決のため
に、本発明の１つの態様によれば、フォトマスク、又は
レチクルなどのガラス基板に紫外線照射を行いその表面
を十分に親水化し、その後に純水又は温純水をガラス基
板に拡散浸透させた後、ブラシスクラブ又は超音波によ
る洗浄を行うものとした。
に、本発明の１つの態様によれば、フォトマスク、又は
レチクルなどのガラス基板に紫外線照射を行いその表面
を十分に親水化し、その後に純水又は温純水をガラス基
板に拡散浸透させた後、ブラシスクラブ又は超音波によ
る洗浄を行うものとした。
【０００８】また、上記洗浄を行った後、最後は温純水
による引き上げ乾燥を行うものとした。
による引き上げ乾燥を行うものとした。
【０００９】
【作用】本発明によるガラス基板の洗浄方法、及び洗浄
装置においては以下の原理によりガラス表面から異物を
除去できる。ガラスの表面に紫外線を照射すると紫外線
のエネルギーによりガラス基板表面近傍に存在する酸素
分子（Ｏ2 ）がオゾン分子（Ｏ3 ）に変化する。さらに
オゾン分子が紫外線エネルギー又は熱エネルギーにより
分解し、反応性の高い活性基（Ｏ*）を生じる。この酸
素（Ｏ*）はガラス基板表面の有機物を酸化除去すると
同時にガラス基板表面のＳｉ−Ｏ−Ｈ基の水素原子
（Ｈ）と結合をもち、ガラス基板表面を親水化する。親
水性の表面では界面エネルギーは増大するとともに、水
の濡れ性（浸透性）は極めて大きくなり水分子（Ｈ
2 Ｏ）はガラス基板上の微細な部分まで拡散浸透してゆ
く。ガラス基板表面が親水化され、水分子が拡散浸透し
ている状態では水又は温水を用いたブラシレス又は超音
波などの洗浄作用が最も効率よく働き、ガラス基板表面
に存在する微小ゴミはすべて表面から除去される。ま
た、表面が均一に水分子で覆われるため、引き上げ工程
における温水の局部的な残留は極めておこりにくくな
り、その結果水シミなどのない清浄な乾燥表面が得られ
る。
装置においては以下の原理によりガラス表面から異物を
除去できる。ガラスの表面に紫外線を照射すると紫外線
のエネルギーによりガラス基板表面近傍に存在する酸素
分子（Ｏ2 ）がオゾン分子（Ｏ3 ）に変化する。さらに
オゾン分子が紫外線エネルギー又は熱エネルギーにより
分解し、反応性の高い活性基（Ｏ*）を生じる。この酸
素（Ｏ*）はガラス基板表面の有機物を酸化除去すると
同時にガラス基板表面のＳｉ−Ｏ−Ｈ基の水素原子
（Ｈ）と結合をもち、ガラス基板表面を親水化する。親
水性の表面では界面エネルギーは増大するとともに、水
の濡れ性（浸透性）は極めて大きくなり水分子（Ｈ
2 Ｏ）はガラス基板上の微細な部分まで拡散浸透してゆ
く。ガラス基板表面が親水化され、水分子が拡散浸透し
ている状態では水又は温水を用いたブラシレス又は超音
波などの洗浄作用が最も効率よく働き、ガラス基板表面
に存在する微小ゴミはすべて表面から除去される。ま
た、表面が均一に水分子で覆われるため、引き上げ工程
における温水の局部的な残留は極めておこりにくくな
り、その結果水シミなどのない清浄な乾燥表面が得られ
る。
【００１０】
【実施例】本発明の第１の実施例を図面を参照にして説
明する。図１は本発明の第１の実施例に好適なガラス基
板の洗浄装置の概略図である。洗浄装置は、図１に示す
ように、複数枚のガラス基板１０を収納する収納部５０
とガラス基板１０を親水化処理する第１の洗浄槽２０と
ブラシスクラブ又は超音波を用いてガラス基板１０の純
水（温純水）洗浄を行う第２の洗浄槽３０とガラス基板
１０表面上の水を除去し乾燥する第３の洗浄槽（乾燥
部）４０とガラス基板を各洗浄槽に搬送するとともに、
各洗浄槽内でガラス基板１０を上下動可能な搬送系５と
で構成されている。
明する。図１は本発明の第１の実施例に好適なガラス基
板の洗浄装置の概略図である。洗浄装置は、図１に示す
ように、複数枚のガラス基板１０を収納する収納部５０
とガラス基板１０を親水化処理する第１の洗浄槽２０と
ブラシスクラブ又は超音波を用いてガラス基板１０の純
水（温純水）洗浄を行う第２の洗浄槽３０とガラス基板
１０表面上の水を除去し乾燥する第３の洗浄槽（乾燥
部）４０とガラス基板を各洗浄槽に搬送するとともに、
各洗浄槽内でガラス基板１０を上下動可能な搬送系５と
で構成されている。
【００１１】さて、図１では収納部５０に対して最も離
れた位置に、第１の洗浄槽２０を配置し、第１の洗浄槽
２０から収納部５０に向かって順番に第２、第３の洗浄
槽を配置している。なお、第１の洗浄槽２０、第２の洗
浄槽３０、第３の洗浄槽４０はガラス基板１０を各洗浄
槽に搬送する直線的な搬送経路５ａに沿って直線的に配
置されるが、必ずしも第１の洗浄槽２０から収納部５０
まで直線的に配置されている必要はない。例えば、第１
の洗浄槽２０と第３の洗浄槽４０とが収納部５０の隣に
配置されるようにしてもよい。
れた位置に、第１の洗浄槽２０を配置し、第１の洗浄槽
２０から収納部５０に向かって順番に第２、第３の洗浄
槽を配置している。なお、第１の洗浄槽２０、第２の洗
浄槽３０、第３の洗浄槽４０はガラス基板１０を各洗浄
槽に搬送する直線的な搬送経路５ａに沿って直線的に配
置されるが、必ずしも第１の洗浄槽２０から収納部５０
まで直線的に配置されている必要はない。例えば、第１
の洗浄槽２０と第３の洗浄槽４０とが収納部５０の隣に
配置されるようにしてもよい。
【００１２】図２において、２本の搬送支持体（アー
ム）１１ａ、１１ｂの保持部１２ａ、１２ｂは洗浄され
るべきガラス基板１０の対角線方向にある２つのコーナ
部を保持し、これによりガラス基板１０は傾いて保持さ
れる。図２に示すようにガラス基板１０を傾いて保持す
るのは水切れを良くするためである。アーム１１ａ、１
１ｂは上下動可能な構造となっており、収納部５０と各
洗浄槽２０，３０，４０との間の搬出入を行い。また、
各洗浄槽と搬送系５との間でガラス基板１０の上下動を
行う。
ム）１１ａ、１１ｂの保持部１２ａ、１２ｂは洗浄され
るべきガラス基板１０の対角線方向にある２つのコーナ
部を保持し、これによりガラス基板１０は傾いて保持さ
れる。図２に示すようにガラス基板１０を傾いて保持す
るのは水切れを良くするためである。アーム１１ａ、１
１ｂは上下動可能な構造となっており、収納部５０と各
洗浄槽２０，３０，４０との間の搬出入を行い。また、
各洗浄槽と搬送系５との間でガラス基板１０の上下動を
行う。
【００１３】また、ガラス基板１０は、移動方向に対し
て直角に保持搬送される。洗浄中に各槽を移動する際、
各槽での夫々の処理前はガラス基板１０のパターン面１
０ｂが前方、ガラス面１０ａが後方となり、処理後は反
対にガラス基板１０のガラス面１０ａが前方、パターン
面１０ｂが後方となる様に搬送される。これは装置の小
型化及び搬送中の万一のゴミ付着の影響を考慮したもの
である。
て直角に保持搬送される。洗浄中に各槽を移動する際、
各槽での夫々の処理前はガラス基板１０のパターン面１
０ｂが前方、ガラス面１０ａが後方となり、処理後は反
対にガラス基板１０のガラス面１０ａが前方、パターン
面１０ｂが後方となる様に搬送される。これは装置の小
型化及び搬送中の万一のゴミ付着の影響を考慮したもの
である。
【００１４】さて、図１で第１の洗浄槽２０はガラス基
板を照射するＵＶ光を射出するＵＶランプ２１ａ、２１
ｂ、ガラス基板１０にＵＶ光を照射したことにより発生
するオゾンをモニターするオゾンモニター２２、ＵＶラ
ンプの直接光及び反射光を槽外へ漏らさないためのＵＶ
遮光板２３ａ、２３ｂ、オゾン排気部２４、ＵＶ照射量
モニター２５、オゾン吸着剤２６、ＵＶ光反射板２７
ａ、２７ｂより構成される。ＵＶランプ２１ａ、２１ｂ
はガラス基板１０を両側から挟むように対向して配置さ
れる。ＵＶ光反射板２７ａ、２７ｂはＵＶ光を均一にガ
ラス基板に照射できるように配置され、このときのＵＶ
光照射量はＵＶ光量モニター２５で測定管理される。
板を照射するＵＶ光を射出するＵＶランプ２１ａ、２１
ｂ、ガラス基板１０にＵＶ光を照射したことにより発生
するオゾンをモニターするオゾンモニター２２、ＵＶラ
ンプの直接光及び反射光を槽外へ漏らさないためのＵＶ
遮光板２３ａ、２３ｂ、オゾン排気部２４、ＵＶ照射量
モニター２５、オゾン吸着剤２６、ＵＶ光反射板２７
ａ、２７ｂより構成される。ＵＶランプ２１ａ、２１ｂ
はガラス基板１０を両側から挟むように対向して配置さ
れる。ＵＶ光反射板２７ａ、２７ｂはＵＶ光を均一にガ
ラス基板に照射できるように配置され、このときのＵＶ
光照射量はＵＶ光量モニター２５で測定管理される。
【００１５】発生したオゾン（Ｏ3 ）はオゾンモニター
２２で測定管理され、槽下部のオゾン排気２４により外
部に漏れない様に排気される。尚、排気中のオゾンは排
気系の途中に設けられたオゾン吸着剤２６で吸着除去
し、安全な濃度で排出される。ガラス基板１０に照射さ
れるＵＶ光の波長はガラス基板１０を十分に親水性化可
能な波長であり、本実施例ではＳｉ−Ｏで作られたガラ
ス基板１０を２５０ｎｍ以下の波長を有するＵＶ光で照
射し、このＵＶ光照射によりガラス基板表面を十分に親
水性化するものとする。
２２で測定管理され、槽下部のオゾン排気２４により外
部に漏れない様に排気される。尚、排気中のオゾンは排
気系の途中に設けられたオゾン吸着剤２６で吸着除去
し、安全な濃度で排出される。ガラス基板１０に照射さ
れるＵＶ光の波長はガラス基板１０を十分に親水性化可
能な波長であり、本実施例ではＳｉ−Ｏで作られたガラ
ス基板１０を２５０ｎｍ以下の波長を有するＵＶ光で照
射し、このＵＶ光照射によりガラス基板表面を十分に親
水性化するものとする。
【００１６】第２の洗浄槽３０は噴射式超音波振動子３
１ａ、３１ｂ、純粋シャワーノズル３２ａ、３２ｂ、３
３ａ、３３ｂ、跳ね返り防止板３４ａ、３４ｂ、回転ブ
ラシ３５ａ、３５ｂ、排水口３６より構成される。洗浄
槽３０の上から純粋シャワーノズル３２ａ、３２ｂ、噴
射式超音波振動子３１ａ、３１ｂ、純粋シャワーノズル
３３ａ、３３ｂ、回転ブラシ３５ａ、３５ｂがガラス基
板１０を挟んで等距離に設置され、最も効果的に異物の
除去がはかられる様位置決めされる。
１ａ、３１ｂ、純粋シャワーノズル３２ａ、３２ｂ、３
３ａ、３３ｂ、跳ね返り防止板３４ａ、３４ｂ、回転ブ
ラシ３５ａ、３５ｂ、排水口３６より構成される。洗浄
槽３０の上から純粋シャワーノズル３２ａ、３２ｂ、噴
射式超音波振動子３１ａ、３１ｂ、純粋シャワーノズル
３３ａ、３３ｂ、回転ブラシ３５ａ、３５ｂがガラス基
板１０を挟んで等距離に設置され、最も効果的に異物の
除去がはかられる様位置決めされる。
【００１７】跳ね返り防止板３４ａ、３４ｂは噴射式超
音波振動子３１ａ、３１ｂと純粋シャワーノズル３３
ａ、３３ｂの間に設けられ、超音波及びブラシスクラブ
時のガラス基板１０への異物の再付着を防止している。
排水口３６及び槽底部３７は排液の回収効率が最も高く
なるように傾斜構造としている。また、純水シャワー３
２ａ、３２ｂ及び純水シャワー３３ａ、３３ｂでは必要
に応じて温純水の噴出が可能であり、ガラス基板１０に
静電的なダメージが発生する場合にはＣＯ2 （炭酸）ガ
スを溶解させた水を供給することも可能である。尚、温
純水を使用すると洗浄効果が高まる。
音波振動子３１ａ、３１ｂと純粋シャワーノズル３３
ａ、３３ｂの間に設けられ、超音波及びブラシスクラブ
時のガラス基板１０への異物の再付着を防止している。
排水口３６及び槽底部３７は排液の回収効率が最も高く
なるように傾斜構造としている。また、純水シャワー３
２ａ、３２ｂ及び純水シャワー３３ａ、３３ｂでは必要
に応じて温純水の噴出が可能であり、ガラス基板１０に
静電的なダメージが発生する場合にはＣＯ2 （炭酸）ガ
スを溶解させた水を供給することも可能である。尚、温
純水を使用すると洗浄効果が高まる。
【００１８】第３の洗浄槽４０は石英ガラス槽４１、温
純水加熱用ヒータ４２、微粒子計測器４３、温純水供給
口４４、温純水排水口４５より構成される。これらによ
り、ガラス基板１０に対して異物の再付着がなく、かつ
水シミなどが生じないよう温純水の洗浄度及び温度を維
持管理できる構造としている。すなわち、洗浄度に関し
てはガラス基板を乾燥処理する槽は汚染（コンタミネー
ション）の少ない石英ガラス製の石英ガラス槽４１であ
り、異物だまりが少ない形状で常時温純水のオーバーフ
ローを行うとともに、微粒子計測器４３で温純水中のパ
ーティクル数を測定し、パーティクル数が一定数以上に
ならないように管理している。温度に関しては温純水加
熱用ヒーター４２で温純水の温度変動をおこさないよう
常にエネルギー供給量を制御している。
純水加熱用ヒータ４２、微粒子計測器４３、温純水供給
口４４、温純水排水口４５より構成される。これらによ
り、ガラス基板１０に対して異物の再付着がなく、かつ
水シミなどが生じないよう温純水の洗浄度及び温度を維
持管理できる構造としている。すなわち、洗浄度に関し
てはガラス基板を乾燥処理する槽は汚染（コンタミネー
ション）の少ない石英ガラス製の石英ガラス槽４１であ
り、異物だまりが少ない形状で常時温純水のオーバーフ
ローを行うとともに、微粒子計測器４３で温純水中のパ
ーティクル数を測定し、パーティクル数が一定数以上に
ならないように管理している。温度に関しては温純水加
熱用ヒーター４２で温純水の温度変動をおこさないよう
常にエネルギー供給量を制御している。
【００１９】次に洗浄動作について説明する。 〔ステップ１〕収納部５０より出発したガラス基板１０
は、搬送系５により最も離れた第１の洗浄槽２０へ搬送
される。第１の洗浄槽２０に搬送されたガラス基板１０
はアーム１１ａ、１１ｂにより第１の洗浄槽２０の中の
所定の位置に移動される。第１の洗浄槽２０はガラス基
板１０が投入される前はランプ強度を落としたアイドリ
ング状態であるが、ガラス基板１０が投入されるとラン
プ強度は最大（Full）となり、強力なＵＶ光の照射状態
となる。ＵＶ照射光量をＵＶ照射光量モニター２５で測
定し、発生するオゾンをオゾンモニター２１で計測し必
要量のＵＶ照射を行う。このとき発生したオゾンは下方
のオゾン排気２４よりオゾン吸着剤２６を経由して安全
濃度として排気される。 〔ステップ２〕〔ステップ１〕におけるＵＶ光照射によ
り、十分親水性となったガラス基板１０は搬送系５によ
り第２の洗浄槽３０に搬送され、ガラス基板１０はアー
ム１１ａ、１１ｂにより温水シャワーノズル３２ａ、３
２ｂ付近に移動される。ここではまず温水シャワーノズ
ル３２ａ、３２ｂで純水又は温純水のリンスを行い、ガ
ラス基板全面を純水又は温純水で濡らす。ガラス基板１
０は十分親水化されており、前述の作用の項で述べたよ
うに、水分子はガラス基板１０に拡散浸透する。その
後、アーム１１ａ、１１ｂはガラス基板１０を回転ブラ
シ３５ａ、３５ｂ近傍に移動する。そして、純水シャワ
ーノズル３３ａ、３３ｂで純水又は温純水を噴出させな
がら回転ブラシ３５ａ、３５ｂによるスクラブ洗浄を行
う。ガラス基板１０は上下方向のストローク運転を繰り
返し、ガラス基板１０の全面に渡ってスクラブ洗浄を行
う。このとき回転ブラシ３５ａ、３５ｂはガラス基板１
０を上から下へ掻き出す方向に回転している。続いてア
ーム１１ａ、１１ｂはガラス基板１０を噴射式超音波振
動子３１ａ、３１ｂ近傍に移動する。そして、噴射式超
音波振動子３１ａ、３１ｂを用いた超音波洗浄をブラシ
スクラブと同様にガラス基板１０の全面に行い、最後に
純水シャワーノズル３２ａ、３２ｂからの純水又は温純
水で仕上げリンスを行う。 〔ステップ３〕異物が除去されたガラス基板１０は搬送
系５により第３の洗浄槽４０へ搬送される。アーム１１
ａ、１１ｂはガラス基板１０を石英ガラス槽４１内の温
純水中に浸し、ガラス基板の温度が温純水と同じになっ
たところで２〜１０ｍｍ／ｓｅｃの低速度で液中よりガ
ラス基板を引き上げる。作用の項で説明したように、ガ
ラス基板１０の表面は水分子で覆われているので、水シ
ミのない乾燥が可能となる。 〔ステップ４〕引き上げ後、乾燥し、清浄になったガラ
ス基板１０は搬送系５により収納部５０へ搬送され、洗
浄が終了する。
は、搬送系５により最も離れた第１の洗浄槽２０へ搬送
される。第１の洗浄槽２０に搬送されたガラス基板１０
はアーム１１ａ、１１ｂにより第１の洗浄槽２０の中の
所定の位置に移動される。第１の洗浄槽２０はガラス基
板１０が投入される前はランプ強度を落としたアイドリ
ング状態であるが、ガラス基板１０が投入されるとラン
プ強度は最大（Full）となり、強力なＵＶ光の照射状態
となる。ＵＶ照射光量をＵＶ照射光量モニター２５で測
定し、発生するオゾンをオゾンモニター２１で計測し必
要量のＵＶ照射を行う。このとき発生したオゾンは下方
のオゾン排気２４よりオゾン吸着剤２６を経由して安全
濃度として排気される。 〔ステップ２〕〔ステップ１〕におけるＵＶ光照射によ
り、十分親水性となったガラス基板１０は搬送系５によ
り第２の洗浄槽３０に搬送され、ガラス基板１０はアー
ム１１ａ、１１ｂにより温水シャワーノズル３２ａ、３
２ｂ付近に移動される。ここではまず温水シャワーノズ
ル３２ａ、３２ｂで純水又は温純水のリンスを行い、ガ
ラス基板全面を純水又は温純水で濡らす。ガラス基板１
０は十分親水化されており、前述の作用の項で述べたよ
うに、水分子はガラス基板１０に拡散浸透する。その
後、アーム１１ａ、１１ｂはガラス基板１０を回転ブラ
シ３５ａ、３５ｂ近傍に移動する。そして、純水シャワ
ーノズル３３ａ、３３ｂで純水又は温純水を噴出させな
がら回転ブラシ３５ａ、３５ｂによるスクラブ洗浄を行
う。ガラス基板１０は上下方向のストローク運転を繰り
返し、ガラス基板１０の全面に渡ってスクラブ洗浄を行
う。このとき回転ブラシ３５ａ、３５ｂはガラス基板１
０を上から下へ掻き出す方向に回転している。続いてア
ーム１１ａ、１１ｂはガラス基板１０を噴射式超音波振
動子３１ａ、３１ｂ近傍に移動する。そして、噴射式超
音波振動子３１ａ、３１ｂを用いた超音波洗浄をブラシ
スクラブと同様にガラス基板１０の全面に行い、最後に
純水シャワーノズル３２ａ、３２ｂからの純水又は温純
水で仕上げリンスを行う。 〔ステップ３〕異物が除去されたガラス基板１０は搬送
系５により第３の洗浄槽４０へ搬送される。アーム１１
ａ、１１ｂはガラス基板１０を石英ガラス槽４１内の温
純水中に浸し、ガラス基板の温度が温純水と同じになっ
たところで２〜１０ｍｍ／ｓｅｃの低速度で液中よりガ
ラス基板を引き上げる。作用の項で説明したように、ガ
ラス基板１０の表面は水分子で覆われているので、水シ
ミのない乾燥が可能となる。 〔ステップ４〕引き上げ後、乾燥し、清浄になったガラ
ス基板１０は搬送系５により収納部５０へ搬送され、洗
浄が終了する。
【００２０】以上の実施例ではガラス基板の親水性化処
理をＵＶ光照射で行うこととしたが、ガラス基板の表面
を親水性化する方法としてはＵＶ光照射の他にオゾン
（Ｏ3 ）処理も有効であることが実験的に確かめられて
いる。以下オゾン処理を簡単に説明する。以上の実施例
ではＵＶ光照射によりオゾン分子を発生させ、活性基の
酸素（Ｏ*）を生じさせていたが、オゾン処理ではＵＶ
光照射を行うことなく、直接オゾン分子を供給し、さら
に熱エネルギーを供給することによって、活性基の酸素
（Ｏ*）を生じさせるものである。
理をＵＶ光照射で行うこととしたが、ガラス基板の表面
を親水性化する方法としてはＵＶ光照射の他にオゾン
（Ｏ3 ）処理も有効であることが実験的に確かめられて
いる。以下オゾン処理を簡単に説明する。以上の実施例
ではＵＶ光照射によりオゾン分子を発生させ、活性基の
酸素（Ｏ*）を生じさせていたが、オゾン処理ではＵＶ
光照射を行うことなく、直接オゾン分子を供給し、さら
に熱エネルギーを供給することによって、活性基の酸素
（Ｏ*）を生じさせるものである。
【００２１】
【発明の効果】以上、本発明によれば、ガラス表面の親
水性化をはかったのち、純水、又は温純水による洗浄を
行うので、フォトマスク又はレチクルなどのガラス基板
上の１ミクロン以下の異物の除去が実現可能となる。ま
た、ガラス表面の親水化をはかったのち、純水、又は温
純水による洗浄を行い、さらに温純水による引き上げ乾
燥を行うので、微小な異物の除去を水シミなく実現する
ことができる。
水性化をはかったのち、純水、又は温純水による洗浄を
行うので、フォトマスク又はレチクルなどのガラス基板
上の１ミクロン以下の異物の除去が実現可能となる。ま
た、ガラス表面の親水化をはかったのち、純水、又は温
純水による洗浄を行い、さらに温純水による引き上げ乾
燥を行うので、微小な異物の除去を水シミなく実現する
ことができる。
【００２２】また、有害な有機化学物質を全く使用せ
ず、光と水だけによる洗浄方法であるため、環境汚染な
どの心配が全くないといった効果がある。
ず、光と水だけによる洗浄方法であるため、環境汚染な
どの心配が全くないといった効果がある。
【図１】本発明の一実施例によるガラス基板洗浄装置の
概略構成図、
概略構成図、
【図２】図１の装置における搬送アームの概略図であ
る。
る。
５…搬送系 １０…ガラス基板 ２０…第１の洗浄槽 ３０…第２の洗浄槽 ４０…第３の洗浄槽 ５０…収納部 ２１ａ、２１ｂ…ＵＶランプ ３２ａ、３２ｂ、３３ａ、３３ｂ…純水シャワーノズル ３１ａ、３１ｂ…噴出式超音波振動子 ３５ａ、３５ｂ…回転ブラシ ４１…石英ガラス槽
Claims (8)
- 【請求項１】 ガラス基板に付着した異物を除去するガ
ラス基板洗浄方法であって、 前記ガラス基板の表面を親水性化する第１工程と；前記
第１工程によって親水性化された前記の表面に純水、或
いは温純水を拡散浸透させる第２工程と；前記第２工程
によって純水、或いは温純水が拡散浸透した前記ガラス
基板の表面に付着した前記異物を除去する第３工程と；
を有することを特徴とするガラス基板洗浄方法。 - 【請求項２】 前記第１工程の親水性化は前記ガラス基
板の表面近傍に活性基の酸素を供給して行うことを特徴
とする請求項１記載の洗浄方法。 - 【請求項３】 前記活性基の酸素供給は紫外線を照射す
ることにより行うことを特徴とする請求項２記載の洗浄
方法。 - 【請求項４】 前記第３工程の後、前記異物が除去さ
れ、かつ純水、或いは温純水が拡散浸透した前記ガラス
基板を温純水中に浸す第４工程と；前記温純水と前記ガ
ラス基板を所定速度で相対移動させることにより前記基
板の表面を乾燥させる第５工程とを有することを特徴と
する請求項１記載の洗浄方法。 - 【請求項５】 ガラス基板に付着した異物を除去するた
めのガラス基板の洗浄装置において、 前記ガラス基板の活性基の酸素を供給する酸素供給手段
と；前記ガラス基板の表面に純水、或いは温純水を拡散
浸透させる給水手段と；前記ガラス基板の表面に付着し
ている異物を除去する異物除去手段と；温純水が満たさ
れており、前記ガラス基板全面を該温純水で浸すことが
可能な水槽を備え、前記ガラス基板と該温純水とを所定
の速度で相対移動させる移動手段を有する乾燥手段とを
有することを特徴とするガラス基板洗浄装置。 - 【請求項６】 前記酸素供給手段は紫外線を照射する照
射手段であることを特徴とする請求項５記載の洗浄装
置。 - 【請求項７】 前記移動手段は前記ガラス基板を引き上
げる引き上げ手段であること特徴とする請求項５に記載
の洗浄装置。 - 【請求項８】 前記異物除去手段はナイロンブラシを用
いたブラシスクラブと８００ＫＨｚ以上の周波数の超音
波との少なくとも一方を用いて行うことを特徴とする請
求項５記載の洗浄装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29754991A JPH05134397A (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | ガラス基板の洗浄方法、及び洗浄装置 |
| US07/973,672 US5372651A (en) | 1991-11-14 | 1992-11-09 | Method for cleaning a substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29754991A JPH05134397A (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | ガラス基板の洗浄方法、及び洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05134397A true JPH05134397A (ja) | 1993-05-28 |
Family
ID=17847983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29754991A Pending JPH05134397A (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | ガラス基板の洗浄方法、及び洗浄装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5372651A (ja) |
| JP (1) | JPH05134397A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001028952A1 (en) * | 1999-10-22 | 2001-04-26 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Glass panel and production method therefor |
| JP2006295050A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの切削方法および切削装置 |
| JP2006303051A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの研削方法および研削装置 |
| CN106001037A (zh) * | 2016-07-20 | 2016-10-12 | 张小云 | 一种玻璃加工清洗架 |
| CN112871831A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-06-01 | 常州高光半导体材料有限公司 | 掩膜版除尘除油设备 |
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| US6391117B2 (en) | 1992-02-07 | 2002-05-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of washing substrate with UV radiation and ultrasonic cleaning |
| JP3356522B2 (ja) * | 1994-01-19 | 2002-12-16 | 富士通株式会社 | 洗浄方法、かかる洗浄方法を使った半導体装置の製造方法および液晶表示装置の製造方法 |
| JP2893676B2 (ja) * | 1994-05-19 | 1999-05-24 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハのｈｆ洗浄方法 |
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| US20050215063A1 (en) * | 1997-05-09 | 2005-09-29 | Bergman Eric J | System and methods for etching a silicon wafer using HF and ozone |
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