JPH05291076A - 積層セラミックコンデンサの外部電極形成方法 - Google Patents
積層セラミックコンデンサの外部電極形成方法Info
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- JPH05291076A JPH05291076A JP11825792A JP11825792A JPH05291076A JP H05291076 A JPH05291076 A JP H05291076A JP 11825792 A JP11825792 A JP 11825792A JP 11825792 A JP11825792 A JP 11825792A JP H05291076 A JPH05291076 A JP H05291076A
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- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 20
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910020617 PbO—B2O3—SiO2 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 15
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 18
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 1
- FAKFSJNVVCGEEI-UHFFFAOYSA-J tin(4+);disulfate Chemical compound [Sn+4].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O FAKFSJNVVCGEEI-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｐｂ系複合ペロブスカイト型セラミックから
なる誘電体にクラック（内部クラック）が発生すること
を防止するとともに、外部電極にニッケルなどの金属メ
ッキを行った後にも積層セラミックコンデンサ素子の絶
縁抵抗を低下させることがなく、かつ、接着強度にも優
れた外部電極を形成する。 【構成】 Ａｇ粉末１００重量部と、軟化点が４００℃
以下のＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラスフリット１８
〜２７重量部とを含有する導電ペーストを、Ｐｂ系複合
ペロブスカイト型セラミックを誘電体１とする積層セラ
ミックコンデンサ素子３に塗布し、６００℃以下の温度
で焼付けを行うことにより外部電極４を形成する。
なる誘電体にクラック（内部クラック）が発生すること
を防止するとともに、外部電極にニッケルなどの金属メ
ッキを行った後にも積層セラミックコンデンサ素子の絶
縁抵抗を低下させることがなく、かつ、接着強度にも優
れた外部電極を形成する。 【構成】 Ａｇ粉末１００重量部と、軟化点が４００℃
以下のＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラスフリット１８
〜２７重量部とを含有する導電ペーストを、Ｐｂ系複合
ペロブスカイト型セラミックを誘電体１とする積層セラ
ミックコンデンサ素子３に塗布し、６００℃以下の温度
で焼付けを行うことにより外部電極４を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、積層セラミックコン
デンサに関し、詳しくは、Ｐｂ系複合ペロブスカイト型
セラミックを誘電体として用いた積層セラミックコンデ
ンサの外部電極形成方法に関する。
デンサに関し、詳しくは、Ｐｂ系複合ペロブスカイト型
セラミックを誘電体として用いた積層セラミックコンデ
ンサの外部電極形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】この発
明が関連する積層セラミックコンデンサとしては、例え
ば、図１に示すように、ＢａＴｉＯ3系誘電体セラミッ
ク（高温焼成セラミック）からなる誘電体１１中に複数
層の内部電極（例えば、Ｐｄ電極）１２を積層して積層
セラミックコンデンサ素子１３を形成し、その両端側に
導電ペーストを塗布、焼付けして外部電極１４を形成す
るとともに、ニッケル、スズ、あるいは半田などのメッ
キを施し、外部電極１４上に金属メッキ膜１５を形成し
て、実装時の半田付け工程における銀くわれを防止した
り、半田付け性を向上させたりした積層セラミックコン
デンサがある。
明が関連する積層セラミックコンデンサとしては、例え
ば、図１に示すように、ＢａＴｉＯ3系誘電体セラミッ
ク（高温焼成セラミック）からなる誘電体１１中に複数
層の内部電極（例えば、Ｐｄ電極）１２を積層して積層
セラミックコンデンサ素子１３を形成し、その両端側に
導電ペーストを塗布、焼付けして外部電極１４を形成す
るとともに、ニッケル、スズ、あるいは半田などのメッ
キを施し、外部電極１４上に金属メッキ膜１５を形成し
て、実装時の半田付け工程における銀くわれを防止した
り、半田付け性を向上させたりした積層セラミックコン
デンサがある。
【０００３】そして、上記のような積層セラミックコン
デンサおいては、近年、小型化、大容量化への要求が大
きくなり、その要求に応えるために高い誘電率を有する
Ｐｂ系複合ペロブスカイト型セラミックが誘電体として
用いられるに至っている。
デンサおいては、近年、小型化、大容量化への要求が大
きくなり、その要求に応えるために高い誘電率を有する
Ｐｂ系複合ペロブスカイト型セラミックが誘電体として
用いられるに至っている。
【０００４】このＰｂ系複合ペロブスカイト型セラミッ
クは、高い誘電率を有するとともに、９００〜１０００
℃という低温で焼結できるという特徴を有しており、積
層セラミックコンデンサの誘電体として使用した場合、
焼結温度を低くすることが可能であるため、内部電極と
して、耐熱性に優れた高価なＰｔやＰｄを用いることな
く、Ａｇの含有率が高く経済的なＡｇ−Ｐｄ合金を用い
ることができるという長所がある。
クは、高い誘電率を有するとともに、９００〜１０００
℃という低温で焼結できるという特徴を有しており、積
層セラミックコンデンサの誘電体として使用した場合、
焼結温度を低くすることが可能であるため、内部電極と
して、耐熱性に優れた高価なＰｔやＰｄを用いることな
く、Ａｇの含有率が高く経済的なＡｇ−Ｐｄ合金を用い
ることができるという長所がある。
【０００５】しかし、Ｐｂ系複合ペロブスカイト型セラ
ミックを誘電体として用いた積層セラミックコンデンサ
において外部電極を形成する場合、導電ペーストを積層
セラミックコンデンサ素子に塗布して８００℃以上の温
度で焼付けを行うと、ガラスフリットとＰｂ系複合ペロ
ブスカイト型セラミック（誘電体）が反応してガラス成
分が誘電体の粒界に侵入し、誘電体にクラックが発生し
て、内部電極切れを生じ、静電容量が変動するという問
題点がある。
ミックを誘電体として用いた積層セラミックコンデンサ
において外部電極を形成する場合、導電ペーストを積層
セラミックコンデンサ素子に塗布して８００℃以上の温
度で焼付けを行うと、ガラスフリットとＰｂ系複合ペロ
ブスカイト型セラミック（誘電体）が反応してガラス成
分が誘電体の粒界に侵入し、誘電体にクラックが発生し
て、内部電極切れを生じ、静電容量が変動するという問
題点がある。
【０００６】また、Ｐｂ系複合ペロブスカイト型セラミ
ックは、ＢａＴｉＯ3系セラミックなどの高温焼成セラ
ミックに比べて化学的耐久性（特に耐酸性）が低いた
め、外部電極にメッキ処理を施す工程でメッキ液が外部
電極を経て誘電体（Ｐｂ系複合ペロブスカイト型セラミ
ック）にまで達し、誘電体を侵して対向電極間の絶縁不
良を生じさせ、特性を劣化させるという問題点がある。
ックは、ＢａＴｉＯ3系セラミックなどの高温焼成セラ
ミックに比べて化学的耐久性（特に耐酸性）が低いた
め、外部電極にメッキ処理を施す工程でメッキ液が外部
電極を経て誘電体（Ｐｂ系複合ペロブスカイト型セラミ
ック）にまで達し、誘電体を侵して対向電極間の絶縁不
良を生じさせ、特性を劣化させるという問題点がある。
【０００７】この発明は、上記問題点を解決するもので
あり、Ｐｂ系複合ペロブスカイト型セラミックからなる
誘電体にクラック（内部クラック）を発生させず、ニッ
ケルやスズなどの金属メッキを行った後にも対向電極間
の絶縁抵抗を低下させることがなく、接着強度にも優れ
た外部電極を形成することが可能な積層セラミックコン
デンサの外部電極形成方法を提供することを目的とす
る。
あり、Ｐｂ系複合ペロブスカイト型セラミックからなる
誘電体にクラック（内部クラック）を発生させず、ニッ
ケルやスズなどの金属メッキを行った後にも対向電極間
の絶縁抵抗を低下させることがなく、接着強度にも優れ
た外部電極を形成することが可能な積層セラミックコン
デンサの外部電極形成方法を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の積層セラミックコンデンサの外部電極形
成方法は、Ｐｂ系複合ペロブスカイト型セラミックから
なる誘電体中に内部電極が積層された積層セラミックコ
ンデンサ素子に外部電極を形成するとともに、該外部電
極にニッケルメッキなどの金属メッキを施してなる積層
セラミックコンデンサの外部電極形成方法であって、Ａ
ｇ粉末１００重量部と、軟化点が４００℃以下のＰｂＯ
−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラスフリット１８〜２７重量部
とを含有する導電ペーストを、積層セラミックコンデン
サ素子に塗布し、６００℃以下の温度で焼付けを行うこ
とにより外部電極を形成することを特徴とする。
に、この発明の積層セラミックコンデンサの外部電極形
成方法は、Ｐｂ系複合ペロブスカイト型セラミックから
なる誘電体中に内部電極が積層された積層セラミックコ
ンデンサ素子に外部電極を形成するとともに、該外部電
極にニッケルメッキなどの金属メッキを施してなる積層
セラミックコンデンサの外部電極形成方法であって、Ａ
ｇ粉末１００重量部と、軟化点が４００℃以下のＰｂＯ
−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラスフリット１８〜２７重量部
とを含有する導電ペーストを、積層セラミックコンデン
サ素子に塗布し、６００℃以下の温度で焼付けを行うこ
とにより外部電極を形成することを特徴とする。
【０００９】なお、上記ガラスフリットは、Ａｌ2Ｏ3、
Ｎａ2Ｏ、Ｋ2Ｏ、及びＺｎＯの１種または２種以上を１
０重量％以下の割合で含有するものであってもよい。
Ｎａ2Ｏ、Ｋ2Ｏ、及びＺｎＯの１種または２種以上を１
０重量％以下の割合で含有するものであってもよい。
【００１０】
【作用】積層セラミックコンデンサ素子に塗布した導電
ペーストの焼付けが低温で行われるため、Ｐｂ系複合ペ
ロブスカイト型セラミックからなる誘電体にクラック
（内部クラック）を発生させることなく、内部電極の断
線（内部電極切れ）による静電容量の変動（劣化）を防
止することが可能になるとともに、外部電極中のガラス
成分が金属メッキ液の誘電体への浸透を阻止して、対向
電極間の絶縁抵抗の劣化を防止し、良好な特性を保持す
ることを可能にする。
ペーストの焼付けが低温で行われるため、Ｐｂ系複合ペ
ロブスカイト型セラミックからなる誘電体にクラック
（内部クラック）を発生させることなく、内部電極の断
線（内部電極切れ）による静電容量の変動（劣化）を防
止することが可能になるとともに、外部電極中のガラス
成分が金属メッキ液の誘電体への浸透を阻止して、対向
電極間の絶縁抵抗の劣化を防止し、良好な特性を保持す
ることを可能にする。
【００１１】また、Ａｇ粉末に添加されるガラスフリッ
トとして、軟化点が低いガラスフリットが用いられてい
るため、焼付け温度を低くしても十分な接着強度を得る
ことができる。
トとして、軟化点が低いガラスフリットが用いられてい
るため、焼付け温度を低くしても十分な接着強度を得る
ことができる。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の実施例を比較例とともに示
してその特徴をさらに詳しく説明する。
してその特徴をさらに詳しく説明する。
【００１３】この実施例においては、式： Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−Ｐｂ（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3）
Ｏ3−ＰｂＴｉＯ3 で表されるＰｂ系複合ペロブスカイト型セラミックを誘
電体として用い、この誘電体中にＡｇ−Ｐｄからなる内
部電極を積層するとともに、下記の実施例１〜４及び比
較例１〜３に示すような導電ペーストを用い、これをＰ
ｂ系複合ペロブスカイト型セラミックからなる誘電体に
塗布し、所定の焼成条件で焼付けを行って外部電極を形
成するとともに、外部電極が形成された積層セラミック
コンデンサ素子を多数の通液孔が形成されたバレルに入
れ、例えば、硫酸ニッケルや硫酸スズなどを含有するメ
ッキ液に浸漬し、バレルを回転させて外部電極上にニッ
ケルメッキ、スズ、あるいは半田などをメッキすること
により、積層セラミックコンデンサを製造した。すなわ
ち、この積層セラミックコンデンサは、図１に示すよう
に、誘電体１中に複数層の内部電極２が積層された積層
セラミックコンデンサ素子３の両端側に外部電極４を設
け、さらに、外部電極４上に金属メッキ膜５を配設する
ことにより形成されている。
Ｏ3−ＰｂＴｉＯ3 で表されるＰｂ系複合ペロブスカイト型セラミックを誘
電体として用い、この誘電体中にＡｇ−Ｐｄからなる内
部電極を積層するとともに、下記の実施例１〜４及び比
較例１〜３に示すような導電ペーストを用い、これをＰ
ｂ系複合ペロブスカイト型セラミックからなる誘電体に
塗布し、所定の焼成条件で焼付けを行って外部電極を形
成するとともに、外部電極が形成された積層セラミック
コンデンサ素子を多数の通液孔が形成されたバレルに入
れ、例えば、硫酸ニッケルや硫酸スズなどを含有するメ
ッキ液に浸漬し、バレルを回転させて外部電極上にニッ
ケルメッキ、スズ、あるいは半田などをメッキすること
により、積層セラミックコンデンサを製造した。すなわ
ち、この積層セラミックコンデンサは、図１に示すよう
に、誘電体１中に複数層の内部電極２が積層された積層
セラミックコンデンサ素子３の両端側に外部電極４を設
け、さらに、外部電極４上に金属メッキ膜５を配設する
ことにより形成されている。
【００１４】実施例１ Ａｇ粉末 ： １００重量部 ガラスフリット ： １８重量部 （組成）……ＰｂＯ：Ｂ2Ｏ3：ＳｉＯ2：Ａｌ2Ｏ3＝８
５：１１：２：２（重量比） （軟化点）…３３０℃ 有機ビヒクル ： ４０重量部 を含有する導電ペーストを外部電極として塗布し、５２
０℃の温度条件下に焼付けを行った後、Ｎｉメッキ、ス
ズメッキ、及び半田メッキのいずれかを施すことにより
積層セラミックコンデンサを製造する。
５：１１：２：２（重量比） （軟化点）…３３０℃ 有機ビヒクル ： ４０重量部 を含有する導電ペーストを外部電極として塗布し、５２
０℃の温度条件下に焼付けを行った後、Ｎｉメッキ、ス
ズメッキ、及び半田メッキのいずれかを施すことにより
積層セラミックコンデンサを製造する。
【００１５】実施例２〜４ ガラスフリットの添加量を２０重量部（実施例２）、２
３重量部（実施例３）、２７重量部（実施例４）に変え
たこと以外は上記実施例１と同一の条件、方法により積
層セラミックコンデンサを製造する。
３重量部（実施例３）、２７重量部（実施例４）に変え
たこと以外は上記実施例１と同一の条件、方法により積
層セラミックコンデンサを製造する。
【００１６】比較例１〜３ ガラスフリットの添加量を１５重量部（比較例１）、１
６重量部（比較例２）、３０重量部（比較例３）に変え
たこと以外は上記実施例１と同一の条件、方法により積
層セラミックコンデンサを製造する。
６重量部（比較例２）、３０重量部（比較例３）に変え
たこと以外は上記実施例１と同一の条件、方法により積
層セラミックコンデンサを製造する。
【００１７】上記のようにして製造した積層セラミック
コンデンサについて、メッキ後に発生した絶縁不良数、
及び電極引張強度を調べるとともに、誘電体の内部クラ
ックの発生の有無などを観察した。その結果を表１に示
す。
コンデンサについて、メッキ後に発生した絶縁不良数、
及び電極引張強度を調べるとともに、誘電体の内部クラ
ックの発生の有無などを観察した。その結果を表１に示
す。
【００１８】
【表１】
【００１９】なお、表１において、「絶縁不良数」は、
直流１６Ｖを印加し、一分後に、logＩＲ＜８．５０と
なる試料の数（試料数１００個当りの数）を示し、「電
極引張強度」は、引張り試験において電極破壊が生じた
ときの荷重（試料１００個の平均値）を示している。
直流１６Ｖを印加し、一分後に、logＩＲ＜８．５０と
なる試料の数（試料数１００個当りの数）を示し、「電
極引張強度」は、引張り試験において電極破壊が生じた
ときの荷重（試料１００個の平均値）を示している。
【００２０】なお、比較例３の試料については、外部電
極形成後（導電ペーストの焼付け後）に誘電体（Ｐｂ系
複合ペロブスカイト型セラミック）に内部クラックの発
生が認められたため、絶縁不良数、及び電極引張強度の
測定（評価）は行わなかった。この内部クラックは、導
電ペースト中のガラスフリットの含有量が多いため、焼
成時の体積収縮による応力が大きくなることにより生じ
たものとみられる。
極形成後（導電ペーストの焼付け後）に誘電体（Ｐｂ系
複合ペロブスカイト型セラミック）に内部クラックの発
生が認められたため、絶縁不良数、及び電極引張強度の
測定（評価）は行わなかった。この内部クラックは、導
電ペースト中のガラスフリットの含有量が多いため、焼
成時の体積収縮による応力が大きくなることにより生じ
たものとみられる。
【００２１】また、図２は、ガラスフリット添加量と絶
縁不良発生率及び電極引張強度との関係を示す線図であ
る。
縁不良発生率及び電極引張強度との関係を示す線図であ
る。
【００２２】表１に示すように、ガラスフリットの添加
量が１８重量部未満の比較例１及び比較例２において
は、試料１００個につき、６個（比較例１），及び３個
（比較例２）の試料について絶縁不良の発生が認められ
た。
量が１８重量部未満の比較例１及び比較例２において
は、試料１００個につき、６個（比較例１），及び３個
（比較例２）の試料について絶縁不良の発生が認められ
た。
【００２３】また、表２から、ガラスフリットの添加量
が増加すると絶縁不良発生率が減少し、Ａｇ粉末１００
重量部に対するガラスフリットの添加量が１８重量部を
越えると絶縁不良が発生しなくなることがわかる。した
がって、ガラスフリットの添加量は、１８重量部以上で
あることが好ましい。
が増加すると絶縁不良発生率が減少し、Ａｇ粉末１００
重量部に対するガラスフリットの添加量が１８重量部を
越えると絶縁不良が発生しなくなることがわかる。した
がって、ガラスフリットの添加量は、１８重量部以上で
あることが好ましい。
【００２４】また、表１及び図２より、ガラスフリット
の添加量が増加するとともに電極引張強度も増大する
が、ガラスフリットの添加量が２７重量部を越え、３０
重量部に達すると前述のように誘電体にクラックが発生
するため、ガラスフリットの添加量は、２７重量部以下
であることが好ましい。
の添加量が増加するとともに電極引張強度も増大する
が、ガラスフリットの添加量が２７重量部を越え、３０
重量部に達すると前述のように誘電体にクラックが発生
するため、ガラスフリットの添加量は、２７重量部以下
であることが好ましい。
【００２５】なお、上記実施例においては、式： Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−Ｐｂ（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3）
Ｏ3−ＰｂＴｉＯ3 で表されるＰｂ系複合ペロブスカイト型セラミックを誘
電体として用いた場合について説明したが、Ｐｂ系複合
ペロブスカイト型セラミックは、上記実施例のセラミッ
クに限られるものではなく、その他の種々のＰｂ系複合
ペロブスカイト型セラミックを用いることができる。
Ｏ3−ＰｂＴｉＯ3 で表されるＰｂ系複合ペロブスカイト型セラミックを誘
電体として用いた場合について説明したが、Ｐｂ系複合
ペロブスカイト型セラミックは、上記実施例のセラミッ
クに限られるものではなく、その他の種々のＰｂ系複合
ペロブスカイト型セラミックを用いることができる。
【００２６】また、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス
フリットの成分比率についても上記実施例に限定される
ものではなく、上記実施例とは異なる成分比率にするこ
とが可能であり、さらに、Ａｌ2Ｏ3、Ｎａ2Ｏ、Ｋ2Ｏ、
ＺｎＯの１種または２種以上を１０重量％以下の割合で
含有させることも可能である。
フリットの成分比率についても上記実施例に限定される
ものではなく、上記実施例とは異なる成分比率にするこ
とが可能であり、さらに、Ａｌ2Ｏ3、Ｎａ2Ｏ、Ｋ2Ｏ、
ＺｎＯの１種または２種以上を１０重量％以下の割合で
含有させることも可能である。
【００２７】また、この発明の積層セラミックコンデン
サの外部電極の形成方法においては、積層セラミックコ
ンデンサ素子の形状や外部電極の形状に特に制約はな
く、必要に応じて種々の形状に形成することが可能であ
る。
サの外部電極の形成方法においては、積層セラミックコ
ンデンサ素子の形状や外部電極の形状に特に制約はな
く、必要に応じて種々の形状に形成することが可能であ
る。
【００２８】
【発明の効果】上述のように、この発明の積層セラミッ
クコンデンサの外部電極形成方法は、Ａｇ粉末１００重
量部と、軟化点が４００℃以下のＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−Ｓｉ
Ｏ2系ガラスフリット１８〜２７重量部とを含有する導
電ペーストを積層セラミックコンデンサ素子に塗布し、
６００℃以下の温度で焼付けを行うことにより外部電極
を形成するようにしているので、ペロブスカイト型セラ
ミックからなる誘電体にクラック（内部クラック）を発
生させることがなく、静電容量の変動（劣化）を防止す
ることができるとともに、金属メッキ液の誘電体への浸
透を阻止し、対向電極間の絶縁抵抗の劣化を防止して良
好な特性を保持することが可能になる。
クコンデンサの外部電極形成方法は、Ａｇ粉末１００重
量部と、軟化点が４００℃以下のＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−Ｓｉ
Ｏ2系ガラスフリット１８〜２７重量部とを含有する導
電ペーストを積層セラミックコンデンサ素子に塗布し、
６００℃以下の温度で焼付けを行うことにより外部電極
を形成するようにしているので、ペロブスカイト型セラ
ミックからなる誘電体にクラック（内部クラック）を発
生させることがなく、静電容量の変動（劣化）を防止す
ることができるとともに、金属メッキ液の誘電体への浸
透を阻止し、対向電極間の絶縁抵抗の劣化を防止して良
好な特性を保持することが可能になる。
【００２９】また、Ａｇ粉末に添加されるガラスフリッ
トとして、軟化点が低いガラスフリットが用いられてい
るため、焼付け温度を低くしても十分な接着強度を得る
ことができる。
トとして、軟化点が低いガラスフリットが用いられてい
るため、焼付け温度を低くしても十分な接着強度を得る
ことができる。
【００３０】したがって、この発明の積層セラミックコ
ンデンサの外部電極の形成方法によれば、十分な強度を
有する外部電極を形成することができるとともに、金属
メッキを施した後の絶縁抵抗の劣化を抑制して良好な特
性を維持することができる。
ンデンサの外部電極の形成方法によれば、十分な強度を
有する外部電極を形成することができるとともに、金属
メッキを施した後の絶縁抵抗の劣化を抑制して良好な特
性を維持することができる。
【００３１】さらに、絶縁抵抗を劣化させることなくメ
ッキ処理を施すことができるため、実装時の半田付け工
程における銀くわれを防止し（ニッケルメッキを施した
場合）、あるいは半田付け性を向上させる（スズメッキ
あるいは半田メッキを施した場合）ことが可能になる。
ッキ処理を施すことができるため、実装時の半田付け工
程における銀くわれを防止し（ニッケルメッキを施した
場合）、あるいは半田付け性を向上させる（スズメッキ
あるいは半田メッキを施した場合）ことが可能になる。
【図１】図１はこの発明の一実施例にかかる方法により
外部電極を形成した積層セラミックコンデンサを示す断
面図である。
外部電極を形成した積層セラミックコンデンサを示す断
面図である。
【図２】ガラスフリットの添加量と、絶縁不良発生率及
び電極引張強度との関係を示す線図である。
び電極引張強度との関係を示す線図である。
１ 誘電体（Ｐｂ系複合ペロブスカイト型セ
ラミック） ２ 内部電極 ３ 積層セラミックコンデンサ素子 ４ 外部電極 ５ 金属メッキ膜
ラミック） ２ 内部電極 ３ 積層セラミックコンデンサ素子 ４ 外部電極 ５ 金属メッキ膜
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｐｂ系複合ペロブスカイト型セラミック
からなる誘電体中に内部電極が積層された積層セラミッ
クコンデンサ素子に外部電極を形成するとともに、該外
部電極にニッケルメッキなどの金属メッキを施してなる
積層セラミックコンデンサの外部電極形成方法であっ
て、Ａｇ粉末１００重量部と、軟化点が４００℃以下の
ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラスフリット１８〜２７
重量部とを含有する導電ペーストを、積層セラミックコ
ンデンサ素子に塗布し、６００℃以下の温度で焼付けを
行うことにより外部電極を形成することを特徴とする積
層セラミックコンデンサの外部電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11825792A JP3253028B2 (ja) | 1992-04-09 | 1992-04-09 | 積層セラミックコンデンサの外部電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11825792A JP3253028B2 (ja) | 1992-04-09 | 1992-04-09 | 積層セラミックコンデンサの外部電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291076A true JPH05291076A (ja) | 1993-11-05 |
| JP3253028B2 JP3253028B2 (ja) | 2002-02-04 |
Family
ID=14732148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11825792A Expired - Lifetime JP3253028B2 (ja) | 1992-04-09 | 1992-04-09 | 積層セラミックコンデンサの外部電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3253028B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5561587A (en) * | 1993-12-10 | 1996-10-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Conductive paste and multilayer ceramic capacitor |
| US6489875B1 (en) * | 1999-07-07 | 2002-12-03 | Tdk Corporation | Multi-layer ferrite chip inductor array and manufacturing method thereof |
| CN115148454A (zh) * | 2021-03-31 | 2022-10-04 | Tdk株式会社 | 层叠电子部件 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100616677B1 (ko) * | 2005-04-11 | 2006-08-28 | 삼성전기주식회사 | 유전체용 글라스 프릿트, 유전체 자기조성물, 적층세라믹커패시터 및 그 제조방법 |
-
1992
- 1992-04-09 JP JP11825792A patent/JP3253028B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5561587A (en) * | 1993-12-10 | 1996-10-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Conductive paste and multilayer ceramic capacitor |
| US6489875B1 (en) * | 1999-07-07 | 2002-12-03 | Tdk Corporation | Multi-layer ferrite chip inductor array and manufacturing method thereof |
| CN115148454A (zh) * | 2021-03-31 | 2022-10-04 | Tdk株式会社 | 层叠电子部件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3253028B2 (ja) | 2002-02-04 |
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