JPH05291094A - 単結晶シリコンウェーハ - Google Patents
単結晶シリコンウェーハInfo
- Publication number
- JPH05291094A JPH05291094A JP8681892A JP8681892A JPH05291094A JP H05291094 A JPH05291094 A JP H05291094A JP 8681892 A JP8681892 A JP 8681892A JP 8681892 A JP8681892 A JP 8681892A JP H05291094 A JPH05291094 A JP H05291094A
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- JP
- Japan
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- wafer
- crystal silicon
- silicon wafer
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- Withdrawn
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- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
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- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体を形成する単結晶シリコンウェーハにお
いて、ウェーハの裏面を任意の厚さになるまで削ること
により発生するウェーハエッヂ部の欠けを防止すること
を目的とする。 【構成】本発明の単結晶シリコンウェーハ１は、ウェー
ハエッヂ部の面取りによってできる尖頭部２が、ウェー
ハ表面３からウェーハ中心までの間の位置にある。 【効果】本発明の単結晶シリコンウェーハは、ウェーハ
の裏面から任意の厚さになるまで削っても、尖頭部の厚
みは十分保たれウェーハエッヂ部の欠けは発生しない。
いて、ウェーハの裏面を任意の厚さになるまで削ること
により発生するウェーハエッヂ部の欠けを防止すること
を目的とする。 【構成】本発明の単結晶シリコンウェーハ１は、ウェー
ハエッヂ部の面取りによってできる尖頭部２が、ウェー
ハ表面３からウェーハ中心までの間の位置にある。 【効果】本発明の単結晶シリコンウェーハは、ウェーハ
の裏面から任意の厚さになるまで削っても、尖頭部の厚
みは十分保たれウェーハエッヂ部の欠けは発生しない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体を形成する単結
晶シリコンウェーハに関するものである。
晶シリコンウェーハに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３に示すように、従来の単結晶シリコ
ンウェーハ１は、ウェーハエッヂの面取りによってでき
る尖頭部２が、ウェーハの表面３と裏面４から等距離な
いし裏面４に近い位置にあった。その為、図４に示す様
に、単結晶シリコンウェーハ１の裏面４から任意の厚さ
になるまで削った場合、ウェーハエッヂの尖頭部２は、
ウェーハ中心部の厚さに比べるとうすくなる。
ンウェーハ１は、ウェーハエッヂの面取りによってでき
る尖頭部２が、ウェーハの表面３と裏面４から等距離な
いし裏面４に近い位置にあった。その為、図４に示す様
に、単結晶シリコンウェーハ１の裏面４から任意の厚さ
になるまで削った場合、ウェーハエッヂの尖頭部２は、
ウェーハ中心部の厚さに比べるとうすくなる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の単結晶シリ
コンウェーハでは、図３に示すように、ウェーハエッヂ
の面取りによってできる尖頭部２がウェーハ表面３と裏
面４から等距離ないし裏面に近い位置にあった。この
為、半導体製造工程においてボンディングを行う際、チ
ップボンディングワイヤーの接触防止を目的にウェーハ
を任意の厚さになるまで裏面から削る裏面研削処理後、
前記した尖頭部の厚みが図４に示すように薄くなり、ウ
ェーハエッヂ部の欠けや欠けによって引き起こされるウ
ェーハの割れやキズ、更に割れによって発生するゴミに
よって製品の歩留り低下を招く大きな原因となってい
た。
コンウェーハでは、図３に示すように、ウェーハエッヂ
の面取りによってできる尖頭部２がウェーハ表面３と裏
面４から等距離ないし裏面に近い位置にあった。この
為、半導体製造工程においてボンディングを行う際、チ
ップボンディングワイヤーの接触防止を目的にウェーハ
を任意の厚さになるまで裏面から削る裏面研削処理後、
前記した尖頭部の厚みが図４に示すように薄くなり、ウ
ェーハエッヂ部の欠けや欠けによって引き起こされるウ
ェーハの割れやキズ、更に割れによって発生するゴミに
よって製品の歩留り低下を招く大きな原因となってい
た。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の単結晶シリコン
ウェーハは、ウェーハエッヂの面取りによってできた尖
頭部が、ウェーハ表面からウェーハの厚さの中心までの
間の位置にある。すなわち前記尖頭部がウェーハ厚さの
中心部よりもウェーハ表面側にある構造になっている。
ウェーハは、ウェーハエッヂの面取りによってできた尖
頭部が、ウェーハ表面からウェーハの厚さの中心までの
間の位置にある。すなわち前記尖頭部がウェーハ厚さの
中心部よりもウェーハ表面側にある構造になっている。
【０００５】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は、本発明の一実施例の単結晶シリコンウェー
ハの断面図である。図１に示すように、本発明の単結晶
シリコンウェーハは、半導体製造工程において、単結晶
シリコンウェーハ１を取り扱う際に発生するウェーハエ
ッヂ部の欠けを防止する為に行う面取りによってできる
尖頭部２がウェーハ表面３からウェーハの厚さの中心５
までの間の位置にある。例えば、尖頭部の位置は、６イ
ンチ径のウェーハを例にとると、ウェーハ厚は約６００
μｍで最終工程での裏面エッチング後の厚さは３００〜
４００μｍ程度となるので尖頭部の位置はウェーハ表面
から２００〜３００μｍが適当となる。このように、尖
頭部２が中心５よりもウェーハ表面３側にあると、半導
体装置の最終製造工程において、各半導体装置をウェー
ハから個々に切り離すために、ウェーハ裏面をエッチン
グしてウェーハを薄くても、図２に示すように、ウェー
ハエッヂは従来（図４）よりも厚いので従来のように割
れる心配がなくなり、歩留りが向上する。
る。図１は、本発明の一実施例の単結晶シリコンウェー
ハの断面図である。図１に示すように、本発明の単結晶
シリコンウェーハは、半導体製造工程において、単結晶
シリコンウェーハ１を取り扱う際に発生するウェーハエ
ッヂ部の欠けを防止する為に行う面取りによってできる
尖頭部２がウェーハ表面３からウェーハの厚さの中心５
までの間の位置にある。例えば、尖頭部の位置は、６イ
ンチ径のウェーハを例にとると、ウェーハ厚は約６００
μｍで最終工程での裏面エッチング後の厚さは３００〜
４００μｍ程度となるので尖頭部の位置はウェーハ表面
から２００〜３００μｍが適当となる。このように、尖
頭部２が中心５よりもウェーハ表面３側にあると、半導
体装置の最終製造工程において、各半導体装置をウェー
ハから個々に切り離すために、ウェーハ裏面をエッチン
グしてウェーハを薄くても、図２に示すように、ウェー
ハエッヂは従来（図４）よりも厚いので従来のように割
れる心配がなくなり、歩留りが向上する。
【０００６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の単結晶シ
リコンウェーハは、裏面研削処理を行った後でも、面取
りによってできた尖頭部の厚みは、十分保たれ、ウェー
ハエッヂ部の欠けは発生しないという効果を有する。
リコンウェーハは、裏面研削処理を行った後でも、面取
りによってできた尖頭部の厚みは、十分保たれ、ウェー
ハエッヂ部の欠けは発生しないという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例の断面図。
【図２】図１の単結晶シリコンウェーハを裏面研削した
後の断面図。
後の断面図。
【図３】従来の単結晶シリコンウェーハの断面図。
【図４】図３のウェーハを裏面研削した後の断面図。
１ 単結晶シリコンウェーハ ２ 面取りによってできた尖頭部 ３ 表面 ４ 裏面 ５ ウェーハの厚さの中心
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体を形成する単結晶シリコンウェー
ハにおいて、ウェーハエッヂの面取りによってできた尖
頭部が、ウェーハ表面からのウェーハの厚さの中心まで
の間の位置にあることを特徴とする単結晶シリコンウェ
ーハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8681892A JPH05291094A (ja) | 1992-04-08 | 1992-04-08 | 単結晶シリコンウェーハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8681892A JPH05291094A (ja) | 1992-04-08 | 1992-04-08 | 単結晶シリコンウェーハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291094A true JPH05291094A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=13897389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8681892A Withdrawn JPH05291094A (ja) | 1992-04-08 | 1992-04-08 | 単結晶シリコンウェーハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05291094A (ja) |
-
1992
- 1992-04-08 JP JP8681892A patent/JPH05291094A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990608 |