JPH05291112A - フォトマスク平面性維持装置 - Google Patents
フォトマスク平面性維持装置Info
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- JPH05291112A JPH05291112A JP8397692A JP8397692A JPH05291112A JP H05291112 A JPH05291112 A JP H05291112A JP 8397692 A JP8397692 A JP 8397692A JP 8397692 A JP8397692 A JP 8397692A JP H05291112 A JPH05291112 A JP H05291112A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】フォトマスクの自重によるフォトマスクのたわ
みを精度良く補正し、より微細なフォトマスクパターン
の転写を可能とする。 【構成】外気から隔離された気密空間を形成するチャン
バー手段（１）をフォトマスク（Ｒ）の被照射面側に設
ける。そして、フォトマスクのたわみを検出手段（１
１，１２）を用いて光学的に検出する。圧力調節手段
（１３）は、検出手段からの出力信号（Ｆ）に基づい
て、気密空間内の圧力を調節する。
みを精度良く補正し、より微細なフォトマスクパターン
の転写を可能とする。 【構成】外気から隔離された気密空間を形成するチャン
バー手段（１）をフォトマスク（Ｒ）の被照射面側に設
ける。そして、フォトマスクのたわみを検出手段（１
１，１２）を用いて光学的に検出する。圧力調節手段
（１３）は、検出手段からの出力信号（Ｆ）に基づい
て、気密空間内の圧力を調節する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトリソグラフィに
用いられるフォトマスクの平面性を維持する装置に関す
るものである。更に詳しくは、重力によるフォトマスク
のたわみを補正する装置に関するものである。
用いられるフォトマスクの平面性を維持する装置に関す
るものである。更に詳しくは、重力によるフォトマスク
のたわみを補正する装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置等は、その加工寸法が年々微
細化される傾向にある。このため、微細化した半導体装
置のフォトリソグラフィを行う縮小投影露光装置におい
て、その解像度を更に向上させるために、投影レンズの
開口数（ＮＡ）を上げることが行われている。
細化される傾向にある。このため、微細化した半導体装
置のフォトリソグラフィを行う縮小投影露光装置におい
て、その解像度を更に向上させるために、投影レンズの
開口数（ＮＡ）を上げることが行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、投影レンズ
の開口数を上げると、この開口数の２乗に比例して、被
露光面上の焦点深度が浅くなる。しかも、投影露光の原
板としてのフォトマスクにおいて、自重によるたわみが
発生していると、露光面上のパターン面の一部が投影レ
ンズの焦点深度から外れるため、露光面上の一部の領域
しかマスクパターンが転写されない。
の開口数を上げると、この開口数の２乗に比例して、被
露光面上の焦点深度が浅くなる。しかも、投影露光の原
板としてのフォトマスクにおいて、自重によるたわみが
発生していると、露光面上のパターン面の一部が投影レ
ンズの焦点深度から外れるため、露光面上の一部の領域
しかマスクパターンが転写されない。
【０００４】そこで、本発明は、上記の問題をすべて解
消し、フォトマスクの自重によるフォトマスクのたわみ
を精度良く補正し、より微細なフォトマスクパターンの
転写を可能とすることを目的とする。
消し、フォトマスクの自重によるフォトマスクのたわみ
を精度良く補正し、より微細なフォトマスクパターンの
転写を可能とすることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述の目的の達成のため
に、本発明のフォトマスク平面性維持装置は、例えば図
１に示される如く、フォトマスクを照明する照明光
（Ｌ）を透過させる透過部（１ａ）を有し、透過部とフ
ォトマスク（Ｒ）との間に外気から隔離された気密空間
を形成するチャンバー手段（１）と、フォトマスクのた
わみ量を光学的に検出する検出手段（１１，１２）と、
検出手段からの出力（Ｆ）に基づいて、気密空間内の圧
力を調節して、フォトマスクのたわみを補正する圧力調
節手段（１３）とを有するように構成されている。
に、本発明のフォトマスク平面性維持装置は、例えば図
１に示される如く、フォトマスクを照明する照明光
（Ｌ）を透過させる透過部（１ａ）を有し、透過部とフ
ォトマスク（Ｒ）との間に外気から隔離された気密空間
を形成するチャンバー手段（１）と、フォトマスクのた
わみ量を光学的に検出する検出手段（１１，１２）と、
検出手段からの出力（Ｆ）に基づいて、気密空間内の圧
力を調節して、フォトマスクのたわみを補正する圧力調
節手段（１３）とを有するように構成されている。
【０００６】
【作用】本発明では、フォトマスクの照明光源側にチャ
ンバー手段を設けることにより、チャンバー手段内とフ
ォトマスクとの間に外気から密閉された空間を形成して
おり、この空間内の圧力を調節することで、たわんだ
（湾曲した）フォトマスクを補正している。具体的に
は、まず、検出手段を用いて、フォトマスクのたわみ量
を光学的に検出する。次に、検出手段から出力されるフ
ォトマスクのたわみ量に基づいて、このたわみ量を補正
するように、圧力調節手段がチャンバー手段内の空間の
圧力を調節する。
ンバー手段を設けることにより、チャンバー手段内とフ
ォトマスクとの間に外気から密閉された空間を形成して
おり、この空間内の圧力を調節することで、たわんだ
（湾曲した）フォトマスクを補正している。具体的に
は、まず、検出手段を用いて、フォトマスクのたわみ量
を光学的に検出する。次に、検出手段から出力されるフ
ォトマスクのたわみ量に基づいて、このたわみ量を補正
するように、圧力調節手段がチャンバー手段内の空間の
圧力を調節する。
【０００７】ここで、フォトマスクのたわみ量と圧力調
節手段が発生させる圧力差の関係について詳述する。
今、図４に示すように、単純支持はり４０，４１でフォ
トマスクＲの両端が支持されているとすると、フォトマ
スクＲに等分布荷重Ｗ〔ｋｇｆ／ｍ〕が掛かっていると
きのたわみ量ｖは、 ｖ＝５Ｗａ4 ／３２Ｅｂｈ3 である。 但し、ａ：単純支持はり４０，４１間の距離、 ｈ：フォトマスクＲの厚さ、 ｂ：単純支持はり４０，４１の長手方向のフォトマスク
Ｒの長さ、 Ｅ：フォトマスクＲのヤング率、 ここで、フォトマスクのたわみを補正するためには、等
分布荷重Ｗと逆向きの気圧差ΔＰを掛ければ良い。即
ち、たわみを補正するための気圧差ΔＰは、 ΔＰ＝５ｖａ4 ／３２Ｅｂｈ3 ‥‥（１） となる。このため、検出手段で検出するフォトマスクの
たわみ量ｖと外気圧とから、フォトマスクを補正できる
チャンバー手段内の空間の圧力が算出できる。そして、
圧力調節手段は、チャンバー手段内の空間の圧力が算出
された圧力になるように調節できる。
節手段が発生させる圧力差の関係について詳述する。
今、図４に示すように、単純支持はり４０，４１でフォ
トマスクＲの両端が支持されているとすると、フォトマ
スクＲに等分布荷重Ｗ〔ｋｇｆ／ｍ〕が掛かっていると
きのたわみ量ｖは、 ｖ＝５Ｗａ4 ／３２Ｅｂｈ3 である。 但し、ａ：単純支持はり４０，４１間の距離、 ｈ：フォトマスクＲの厚さ、 ｂ：単純支持はり４０，４１の長手方向のフォトマスク
Ｒの長さ、 Ｅ：フォトマスクＲのヤング率、 ここで、フォトマスクのたわみを補正するためには、等
分布荷重Ｗと逆向きの気圧差ΔＰを掛ければ良い。即
ち、たわみを補正するための気圧差ΔＰは、 ΔＰ＝５ｖａ4 ／３２Ｅｂｈ3 ‥‥（１） となる。このため、検出手段で検出するフォトマスクの
たわみ量ｖと外気圧とから、フォトマスクを補正できる
チャンバー手段内の空間の圧力が算出できる。そして、
圧力調節手段は、チャンバー手段内の空間の圧力が算出
された圧力になるように調節できる。
【０００８】また、フォトマスクの自重によりフォトマ
スクをたわませる力と釣り合う力を外気圧とチャンバー
手段内の圧力との圧力差によって生じさせても良い。即
ち、外気圧とチャンバー手段内の圧力との圧力差は、以
下の（２）式を満足するようにすれば良い。 Ｐξ＝ｍｇ ‥‥（２） 但し、Ｐξ：外気圧とチャンバー手段内の圧力との圧力
差 ｍ：フォトマスクの単位面積当りの重量 ｇ：重力加速度 である。
スクをたわませる力と釣り合う力を外気圧とチャンバー
手段内の圧力との圧力差によって生じさせても良い。即
ち、外気圧とチャンバー手段内の圧力との圧力差は、以
下の（２）式を満足するようにすれば良い。 Ｐξ＝ｍｇ ‥‥（２） 但し、Ｐξ：外気圧とチャンバー手段内の圧力との圧力
差 ｍ：フォトマスクの単位面積当りの重量 ｇ：重力加速度 である。
【０００９】従って、フォトマスクのたわみを補正すべ
きチャンバー手段内の空間の圧力Ｐηは、外気圧をＰκ
とするとき、以下の（３）式を満足するようにすれば良
い。 Ｐη＝ｍｇ−Ｐκ ‥‥（３） そして、チャンバー手段内の空間の圧力がこのＰηとな
るように、圧力調節手段で調節すると、自重によるフォ
トマスクのたわみが補正される。
きチャンバー手段内の空間の圧力Ｐηは、外気圧をＰκ
とするとき、以下の（３）式を満足するようにすれば良
い。 Ｐη＝ｍｇ−Ｐκ ‥‥（３） そして、チャンバー手段内の空間の圧力がこのＰηとな
るように、圧力調節手段で調節すると、自重によるフォ
トマスクのたわみが補正される。
【００１０】
【実施例】以下に、図１を参照しながら本発明の実施例
を説明する。図１において、フォトマスク（以下、レチ
クルと記す）Ｒは、レチクルステージ４上に載置されて
いる。そして、このレチクルＲ上には、照明光を透過さ
せる石英等の素材で形成された透過部１ａを有するチャ
ンバー１が載置されており、レチクルＲと接するチャン
バー１の周縁部１ｂには、ゴム製の弾性体の気密部材２
が設けられている。これより、外気から遮断された気密
空間が形成される。
を説明する。図１において、フォトマスク（以下、レチ
クルと記す）Ｒは、レチクルステージ４上に載置されて
いる。そして、このレチクルＲ上には、照明光を透過さ
せる石英等の素材で形成された透過部１ａを有するチャ
ンバー１が載置されており、レチクルＲと接するチャン
バー１の周縁部１ｂには、ゴム製の弾性体の気密部材２
が設けられている。これより、外気から遮断された気密
空間が形成される。
【００１１】また、このチャンバー１側面には、通気孔
３が設けられており、この通気孔３には、圧力調節（吸
排気）を行なう圧力調節部１３に接続されたチューブ５
が接続されている。さらに、レチクルＲのたわみを光学
的に検出する検出系がレチクルステージの下側に設けら
れている。この検出系は、投光系１１と受光系１２とを
有し、レチクルＲを介して反射する投光系１１からの光
の位置を受光系で検出することで、正確かつ高精度なレ
チクルＲのたわみを検出する。従って、圧力調節部１３
は、受光系からのたわみ量の出力信号Ｆに基づいて、チ
ャンバー１内の空間の圧力を変化させて、レチクルＲの
たわみを補正する。
３が設けられており、この通気孔３には、圧力調節（吸
排気）を行なう圧力調節部１３に接続されたチューブ５
が接続されている。さらに、レチクルＲのたわみを光学
的に検出する検出系がレチクルステージの下側に設けら
れている。この検出系は、投光系１１と受光系１２とを
有し、レチクルＲを介して反射する投光系１１からの光
の位置を受光系で検出することで、正確かつ高精度なレ
チクルＲのたわみを検出する。従って、圧力調節部１３
は、受光系からのたわみ量の出力信号Ｆに基づいて、チ
ャンバー１内の空間の圧力を変化させて、レチクルＲの
たわみを補正する。
【００１２】次に、図３を参照しながら、レチクルＲの
たわみ検出について説明する。なお、図３において、説
明を簡単にするために、投光系１１と受光系１２との間
の光束は、主光線のみ代表させて示しており、レチクル
は、その裏面のみを示している。ここで、図３に示すよ
うに、レチクルの重力によるたわみは、レチクルのほぼ
中心付近で最大となる。従って、投光系１１は、スリッ
ト１１２、投光レンズ１１３を経た光源１１１からの光
束ＢＭをレチクルＲのほぼ中心に向けて斜めに照射する
構成であり、レチクルの裏面Ｒａ（Ｒｂ）には、スリッ
ト１１２の像が形成される。
たわみ検出について説明する。なお、図３において、説
明を簡単にするために、投光系１１と受光系１２との間
の光束は、主光線のみ代表させて示しており、レチクル
は、その裏面のみを示している。ここで、図３に示すよ
うに、レチクルの重力によるたわみは、レチクルのほぼ
中心付近で最大となる。従って、投光系１１は、スリッ
ト１１２、投光レンズ１１３を経た光源１１１からの光
束ＢＭをレチクルＲのほぼ中心に向けて斜めに照射する
構成であり、レチクルの裏面Ｒａ（Ｒｂ）には、スリッ
ト１１２の像が形成される。
【００１３】そして、この光束ＢＭは、レチクルの裏面
Ｒａ（Ｒｂ）で反射されて反射光束ＢＲａ（ＢＲｂ）と
なり、受光系１２に入射する。この受光系１２は、レチ
クルの裏面Ｒａ（Ｒｂ）に形成されたスリット像をリレ
ーレンズ系１２１，１２２によって、受光素子１２３上
に再結像させる光学系であり、レチクルのたわみを受光
素子１２３上の反射光束ＢＲａ（ＢＲｂ）の受光位置の
変化を検出する構成となっている。そして、受光系１２
は、反射光束ＢＲａ（ＢＲｂ）の受光位置をたわみ量の
出力信号Ｆとして出力する。
Ｒａ（Ｒｂ）で反射されて反射光束ＢＲａ（ＢＲｂ）と
なり、受光系１２に入射する。この受光系１２は、レチ
クルの裏面Ｒａ（Ｒｂ）に形成されたスリット像をリレ
ーレンズ系１２１，１２２によって、受光素子１２３上
に再結像させる光学系であり、レチクルのたわみを受光
素子１２３上の反射光束ＢＲａ（ＢＲｂ）の受光位置の
変化を検出する構成となっている。そして、受光系１２
は、反射光束ＢＲａ（ＢＲｂ）の受光位置をたわみ量の
出力信号Ｆとして出力する。
【００１４】ここで、レチクルＲが平面であるとき、投
光系１１からの光束ＢＭは、レチクルの裏面Ｒａで反射
されて反射光束ＢＲａとなり、リレーレンズ系１２１，
１２２によって受光素子１２３上の点Ｐａに結像する。
また、レチクルＲがたわんでいるとき、投光系１１から
の光束ＢＭは、レチクルの裏面Ｒｂで反射されて、反射
光束ＢＲｂとなり、リレーレンズ系１２１，１２２によ
って受光素子１２３上の点Ｐｂに結像する。ここで、受
光素子１２３上で点Ｐａと点Ｐｂとの差がレチクルＲの
たわみ量に対応する。
光系１１からの光束ＢＭは、レチクルの裏面Ｒａで反射
されて反射光束ＢＲａとなり、リレーレンズ系１２１，
１２２によって受光素子１２３上の点Ｐａに結像する。
また、レチクルＲがたわんでいるとき、投光系１１から
の光束ＢＭは、レチクルの裏面Ｒｂで反射されて、反射
光束ＢＲｂとなり、リレーレンズ系１２１，１２２によ
って受光素子１２３上の点Ｐｂに結像する。ここで、受
光素子１２３上で点Ｐａと点Ｐｂとの差がレチクルＲの
たわみ量に対応する。
【００１５】次に、図１に戻って、本実施例によるレチ
クル平面性維持装置のレチクルのたわみ補正動作の説明
を行う。まず、投光系１１からレチクルＲの裏面に向け
て光束ＢＭを投光する。そして、光束ＢＭは、レチクル
Ｒの裏面で反射されて光束ＢＲとなり、受光系１２に入
射する。受光系１２は、その内部の受光素子上の光束Ｂ
Ｒの受光位置をレチクルＲのたわみ量信号Ｆとして、圧
力調節部１３に出力する。ここで、圧力調節部１３は、
演算を行う演算部とデータ等の記憶を行うメモリー部と
を有しており、そのメモリー部に、例えば、上述の
（１）式のような演算式を記憶している。そして、圧力
調節部１３内の演算部は、メモリー部に記憶された演算
式に基づいて、レチクルＲのたわみ量の出力信号Ｆか
ら、レチクルＲのたわみを補正するようなチャンバー１
内の空間の圧力を算出する。この算出された圧力になる
ように、圧力調節部１３は、チャンバー１内の空間の圧
力を調節する。その後、再び、投光系１１と受光系１２
とを用いてレチクルＲのたわみ量を測定する。そして、
レチクルＲがたわんでいるときは、レチクルＲのたわみ
が検出できなくなるまで、上述の動作を繰り返して実行
する。
クル平面性維持装置のレチクルのたわみ補正動作の説明
を行う。まず、投光系１１からレチクルＲの裏面に向け
て光束ＢＭを投光する。そして、光束ＢＭは、レチクル
Ｒの裏面で反射されて光束ＢＲとなり、受光系１２に入
射する。受光系１２は、その内部の受光素子上の光束Ｂ
Ｒの受光位置をレチクルＲのたわみ量信号Ｆとして、圧
力調節部１３に出力する。ここで、圧力調節部１３は、
演算を行う演算部とデータ等の記憶を行うメモリー部と
を有しており、そのメモリー部に、例えば、上述の
（１）式のような演算式を記憶している。そして、圧力
調節部１３内の演算部は、メモリー部に記憶された演算
式に基づいて、レチクルＲのたわみ量の出力信号Ｆか
ら、レチクルＲのたわみを補正するようなチャンバー１
内の空間の圧力を算出する。この算出された圧力になる
ように、圧力調節部１３は、チャンバー１内の空間の圧
力を調節する。その後、再び、投光系１１と受光系１２
とを用いてレチクルＲのたわみ量を測定する。そして、
レチクルＲがたわんでいるときは、レチクルＲのたわみ
が検出できなくなるまで、上述の動作を繰り返して実行
する。
【００１６】以上に示すレチクルＲのたわみ補正動作に
より、レチクルＲの重力によるたわみが補正される。ま
た、圧力調節部１３は、その内部のメモリー部に、たわ
み量と種々の条件（気温、湿度、など）との関係を示す
データを予め記憶しておき、その記憶データより、チャ
ンバー１内の空間の圧力を調節しても良い。これによ
り、レチクルＲの自重によるたわみのみならず、他の要
因によるレチクルＲのたわみも補正できる。
より、レチクルＲの重力によるたわみが補正される。ま
た、圧力調節部１３は、その内部のメモリー部に、たわ
み量と種々の条件（気温、湿度、など）との関係を示す
データを予め記憶しておき、その記憶データより、チャ
ンバー１内の空間の圧力を調節しても良い。これによ
り、レチクルＲの自重によるたわみのみならず、他の要
因によるレチクルＲのたわみも補正できる。
【００１７】なお、圧力調節部１３は、投光系１１と受
光系１２とが検出するレチクルＲのたわみ量の出力信号
Ｆをモニターしつつ、圧力を調節してもよい。具体的に
は、圧力調節部１３は、投光系１１と受光系１２とから
レチクルＲのたわみ量の出力信号Ｆを受ける。その後、
圧力調節部１３は、レチクルＲが光源側に凸であるか凹
であるかを判断し、光源側に凸であればチャンバー１内
の空間の圧力を加圧し、光源側に凹であればチャンバー
１内の空間の圧力を減圧する。そして、再び、投光系１
１と受光系１２とでレチクルＲのたわみ量を検出する。
このとき、圧力調節部１３は、レチクルＲがたわんでい
る場合、再び上述のようなチャンバー１内の空間の圧力
の調節を繰り返す。そして、レチクルＲがたわんでいな
い場合、圧力調節部１３の動作が終了する。
光系１２とが検出するレチクルＲのたわみ量の出力信号
Ｆをモニターしつつ、圧力を調節してもよい。具体的に
は、圧力調節部１３は、投光系１１と受光系１２とから
レチクルＲのたわみ量の出力信号Ｆを受ける。その後、
圧力調節部１３は、レチクルＲが光源側に凸であるか凹
であるかを判断し、光源側に凸であればチャンバー１内
の空間の圧力を加圧し、光源側に凹であればチャンバー
１内の空間の圧力を減圧する。そして、再び、投光系１
１と受光系１２とでレチクルＲのたわみ量を検出する。
このとき、圧力調節部１３は、レチクルＲがたわんでい
る場合、再び上述のようなチャンバー１内の空間の圧力
の調節を繰り返す。そして、レチクルＲがたわんでいな
い場合、圧力調節部１３の動作が終了する。
【００１８】また、前述の演算式に基づいてチャンバー
１内の空間の圧力を調節する場合、１回目のたわみ補正
動作により、ほぼレチクルＲのたわみが補正されること
が多いので、２回目からのたわみ補正動作は、上述のよ
うに投光系１１と受光系１２とのたわみ量出力信号Ｆを
モニターしながら圧力を調節しても良い。ここで、レチ
クルＲの中心付近のたわみ量のみ検出するのではなく、
レチクルＲのたわみ量を複数の箇所で検出すれば、レチ
クルＲの湾曲状態がわかる。そして、このレチクルの湾
曲が所定の曲率となるように、チャンバー１内の圧力を
調節することも可能である。このときは、レチクルのた
わみ量を検出するための投光系１１と受光系１２とを複
数設ける。そして、複数の投光系１１と受光系１２とが
検出する各々の検出点においてのレチクルＲが所定の曲
率になるときの夫々のたわみ量を予め算出する。圧力調
節部１３は、各々の検出点でのレチクルＲのたわみ量が
予め算出された夫々のたわみ量となるように、チャンバ
ー１内の圧力を調節する。このように、このレチクル平
面性維持装置が設けられた投影露光装置の投影光学系に
像面湾曲がある場合には、その投影光学系の有する像面
湾曲に見合わせて、レチクルを湾曲させることができ
る。
１内の空間の圧力を調節する場合、１回目のたわみ補正
動作により、ほぼレチクルＲのたわみが補正されること
が多いので、２回目からのたわみ補正動作は、上述のよ
うに投光系１１と受光系１２とのたわみ量出力信号Ｆを
モニターしながら圧力を調節しても良い。ここで、レチ
クルＲの中心付近のたわみ量のみ検出するのではなく、
レチクルＲのたわみ量を複数の箇所で検出すれば、レチ
クルＲの湾曲状態がわかる。そして、このレチクルの湾
曲が所定の曲率となるように、チャンバー１内の圧力を
調節することも可能である。このときは、レチクルのた
わみ量を検出するための投光系１１と受光系１２とを複
数設ける。そして、複数の投光系１１と受光系１２とが
検出する各々の検出点においてのレチクルＲが所定の曲
率になるときの夫々のたわみ量を予め算出する。圧力調
節部１３は、各々の検出点でのレチクルＲのたわみ量が
予め算出された夫々のたわみ量となるように、チャンバ
ー１内の圧力を調節する。このように、このレチクル平
面性維持装置が設けられた投影露光装置の投影光学系に
像面湾曲がある場合には、その投影光学系の有する像面
湾曲に見合わせて、レチクルを湾曲させることができ
る。
【００１９】また、プロキシミティー露光の場合におい
ては、図３に示すように、レチクルＲと露光される基板
Ｗとの間隔が非常に小さいので、投光系１１と受光系１
２とをレチクルＲの被照射面側に設け、レチクルＲの被
照射面側に光を投射してレチクルのたわみ量を測定する
ことが望ましい。尚、本発明による実施例では、レチク
ルＲの被照射面側にチャンバー１を配置しているので、
チャンバー１自身は結像性能に影響を与えないが、照明
光Ｌの照明効率（透過部１ａの透過率）を向上させるに
は、チャンバー１の透過部において、照明光Ｌの波長に
見合った反射防止膜を蒸着することが望ましい。
ては、図３に示すように、レチクルＲと露光される基板
Ｗとの間隔が非常に小さいので、投光系１１と受光系１
２とをレチクルＲの被照射面側に設け、レチクルＲの被
照射面側に光を投射してレチクルのたわみ量を測定する
ことが望ましい。尚、本発明による実施例では、レチク
ルＲの被照射面側にチャンバー１を配置しているので、
チャンバー１自身は結像性能に影響を与えないが、照明
光Ｌの照明効率（透過部１ａの透過率）を向上させるに
は、チャンバー１の透過部において、照明光Ｌの波長に
見合った反射防止膜を蒸着することが望ましい。
【００２０】また、本実施例においては、レチクルＲの
自重によるたわみばかりでなく、例えば、レチクルＲが
照明光Ｌを吸収するときの熱によるレチクルＲのたわみ
に対しても有効である。
自重によるたわみばかりでなく、例えば、レチクルＲが
照明光Ｌを吸収するときの熱によるレチクルＲのたわみ
に対しても有効である。
【００２１】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、レチク
ル平面性維持装置内部と外部との気圧差によって、レチ
クルの重量によるたわみを補正することができる。この
ため、大型基板に対する大面積の回路パターンの投影露
光、又はプロキシミティ露光の際にレチクルの平面性を
維持するのに有用である。そして、本発明では、検出手
段でレチクルのたわみ量を検出しているため、原理的に
レチクルの高精度な平面性を維持することができる。従
って、解像度の高いパターンニングを行うことができ
る。
ル平面性維持装置内部と外部との気圧差によって、レチ
クルの重量によるたわみを補正することができる。この
ため、大型基板に対する大面積の回路パターンの投影露
光、又はプロキシミティ露光の際にレチクルの平面性を
維持するのに有用である。そして、本発明では、検出手
段でレチクルのたわみ量を検出しているため、原理的に
レチクルの高精度な平面性を維持することができる。従
って、解像度の高いパターンニングを行うことができ
る。
【００２２】さらに、重力によるレチクルのたわみを補
正するだけではなく、レチクルが照明光を吸収するとき
に発生する熱によるレチクルのたわみも補正可能であ
る。
正するだけではなく、レチクルが照明光を吸収するとき
に発生する熱によるレチクルのたわみも補正可能であ
る。
【図１】本発明による実施例の断面図。
【図２】本発明をプロキシミティー露光に適用した例を
示す断面図。
示す断面図。
【図３】レチクルのたわみ検出の原理を説明する図。
【図４】レチクルのたわみ量を算出する演算式を求める
前提を示す図。
前提を示す図。
１ ‥‥チャンバー ４ ‥‥レチクルステージ １１ ‥‥投光系 １２ ‥‥受光系 １３ ‥‥圧力調節部 Ｆ ‥‥たわみ量の出力信号 Ｌ ‥‥照明光 Ｒ ‥‥フォトマスク（レチクル）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/20 ５２１ 7818−2Ｈ
Claims (1)
- 【請求項１】フォトマスクを照明する照明光を透過させ
る透過部を有し、該透過部と前記フォトマスクとの間に
外気から隔離された気密空間を形成するチャンバー手段
と、 前記フォトマスクのたわみ量を光学的に検出する検出手
段と、 該検出手段からの出力に基づいて、前記気密空間内の圧
力を調節して、前記フォトマスクのたわみを補正する圧
力調節手段とを有することを特徴とするフォトマスク平
面性維持装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8397692A JPH05291112A (ja) | 1992-04-06 | 1992-04-06 | フォトマスク平面性維持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8397692A JPH05291112A (ja) | 1992-04-06 | 1992-04-06 | フォトマスク平面性維持装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291112A true JPH05291112A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=13817573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8397692A Pending JPH05291112A (ja) | 1992-04-06 | 1992-04-06 | フォトマスク平面性維持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05291112A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004226897A (ja) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 露光方法及び露光装置 |
| JP2005085991A (ja) * | 2003-09-09 | 2005-03-31 | Canon Inc | 露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 |
| JP2006010860A (ja) * | 2004-06-23 | 2006-01-12 | Dainippon Printing Co Ltd | マスクの撓み補正装置 |
| WO2011121868A1 (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 基板保持装置，基板保持方法、それらを用いた検査装置、及び検査方法 |
| JP2013109044A (ja) * | 2011-11-17 | 2013-06-06 | Hitachi High-Technologies Corp | プロキシミティ露光装置 |
| US20130155385A1 (en) * | 2010-08-24 | 2013-06-20 | Nikon Corporation | Vacuum chamber assembly for supporting a workpiece |
| US10871369B2 (en) | 2018-08-02 | 2020-12-22 | Corning Incorporated | Systems for and methods of measuring photomask flatness with reduced gravity-induced error |
-
1992
- 1992-04-06 JP JP8397692A patent/JPH05291112A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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