JPH05291126A - 半導体基板塗布装置 - Google Patents
半導体基板塗布装置Info
- Publication number
- JPH05291126A JPH05291126A JP4083735A JP8373592A JPH05291126A JP H05291126 A JPH05291126 A JP H05291126A JP 4083735 A JP4083735 A JP 4083735A JP 8373592 A JP8373592 A JP 8373592A JP H05291126 A JPH05291126 A JP H05291126A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- cup
- wafer
- diameter
- skirt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 一様なホトレジスト塗膜が低い排気圧により
形成できることを目的とする。 【構成】 半導体基板１０２の直上に吸気口となる半導
体基板１０２より小さな径の中空円筒１０３が設けら
れ、半導体基板１０２の下方に排気口１０７ａ，１０７
ｂに向かって拡径する半導体基板１０２より大きな径の
スカート１０５を設けた。
形成できることを目的とする。 【構成】 半導体基板１０２の直上に吸気口となる半導
体基板１０２より小さな径の中空円筒１０３が設けら
れ、半導体基板１０２の下方に排気口１０７ａ，１０７
ｂに向かって拡径する半導体基板１０２より大きな径の
スカート１０５を設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は回転塗布式により半導体
基板上にホトレジスト液を塗布する半導体基板塗布装置
に関する。
基板上にホトレジスト液を塗布する半導体基板塗布装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体基板塗布装置について図３
を参照して述べる。
を参照して述べる。
【０００３】同図において、１は上部が開口され底部５
に排気口６ａ，６ｂが形成された円筒形のカップであ
る。２は半導体基板（以下、ウェーハと称す）であり、
このウェーハ２は、カップ１内において、底部５の中央
部を挿通し、回転駆動するスピンナ７上に吸着されてい
る。そして、ウェーハ２の直上には塗布液を滴下するノ
ズル３が配設され、ウェーハ２の周りにはノズル３に向
かって縮径する反射板４が装着されている。また、排気
口６ａ，６ｂはパイプ９ａ，９ｂを介して排気装置（図
示せず）に連結した廃液箱８に接続され、カップ１の底
部５にはスピンナ７を囲み、塗布廃液が外部へ流出する
のを防止する円筒形の液止めガイド１０が突設されてい
る。
に排気口６ａ，６ｂが形成された円筒形のカップであ
る。２は半導体基板（以下、ウェーハと称す）であり、
このウェーハ２は、カップ１内において、底部５の中央
部を挿通し、回転駆動するスピンナ７上に吸着されてい
る。そして、ウェーハ２の直上には塗布液を滴下するノ
ズル３が配設され、ウェーハ２の周りにはノズル３に向
かって縮径する反射板４が装着されている。また、排気
口６ａ，６ｂはパイプ９ａ，９ｂを介して排気装置（図
示せず）に連結した廃液箱８に接続され、カップ１の底
部５にはスピンナ７を囲み、塗布廃液が外部へ流出する
のを防止する円筒形の液止めガイド１０が突設されてい
る。
【０００４】かかる構成の半導体基板塗布装置では、ノ
ズル３から塗布液（ホトレジスト液）がウェーハ２上に
滴下され、排気装置が作動してカップ１の上部開口部か
ら気体が吸い込まれる。そして、スピンナ７の回転によ
りウェーハ２の表面から飛散したレジストは、反射板４
により下方に導かれ、気流Ａに伴って排気口６ａ，６
ｂ、パイプ９ａ，９ｂを順に通過して廃液箱８に導入さ
れていた。
ズル３から塗布液（ホトレジスト液）がウェーハ２上に
滴下され、排気装置が作動してカップ１の上部開口部か
ら気体が吸い込まれる。そして、スピンナ７の回転によ
りウェーハ２の表面から飛散したレジストは、反射板４
により下方に導かれ、気流Ａに伴って排気口６ａ，６
ｂ、パイプ９ａ，９ｂを順に通過して廃液箱８に導入さ
れていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の半導体基板塗布装置においては、ウェーハ２の
下方に気流の渦が発生するため、ミストが生じ、ウェー
ハ表面に形成された塗膜にホトレジストの微粒が付着す
ると共に、ホトレジストのはね返りが生じ、加えてホト
レジスト塗膜の膜厚に１０％以上のバラツキが生じる。
このため、微細なパターン形成が困難となり、歩留りが
低下するという問題点があった。
た従来の半導体基板塗布装置においては、ウェーハ２の
下方に気流の渦が発生するため、ミストが生じ、ウェー
ハ表面に形成された塗膜にホトレジストの微粒が付着す
ると共に、ホトレジストのはね返りが生じ、加えてホト
レジスト塗膜の膜厚に１０％以上のバラツキが生じる。
このため、微細なパターン形成が困難となり、歩留りが
低下するという問題点があった。
【０００６】また、カップ１の開口部が広いため、排気
圧を高くしなければならず、コスト高になるという問題
点があった。
圧を高くしなければならず、コスト高になるという問題
点があった。
【０００７】本発明の目的は、上述した問題点に鑑み、
一様なホトレジスト塗膜が低い排気圧により形成できる
半導体基板塗布装置を提供するものである。
一様なホトレジスト塗膜が低い排気圧により形成できる
半導体基板塗布装置を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上述した目的を
達成するため、上部が開放され底部に排気口が形成され
たカップ内に回転駆動するスピンナが設けられ、前記ス
ピンナ上に塗布液が塗布される半導体基板が吸着され、
前記半導体基板の周りに前記カップの開放部に向かって
縮径し余剰塗布液を下方へ導く反射板が装着された半導
体基板塗布装置において、前記半導体基板の直上に吸気
口となる前記半導体基板より小さな径の中空円筒が設け
られ、前記半導体基板の下方に前記排気口に向かって拡
径する前記半導体基板より大きな径のスカートを設けた
ものである。
達成するため、上部が開放され底部に排気口が形成され
たカップ内に回転駆動するスピンナが設けられ、前記ス
ピンナ上に塗布液が塗布される半導体基板が吸着され、
前記半導体基板の周りに前記カップの開放部に向かって
縮径し余剰塗布液を下方へ導く反射板が装着された半導
体基板塗布装置において、前記半導体基板の直上に吸気
口となる前記半導体基板より小さな径の中空円筒が設け
られ、前記半導体基板の下方に前記排気口に向かって拡
径する前記半導体基板より大きな径のスカートを設けた
ものである。
【０００９】
【作用】本発明においては、半導体基板の下方に排気口
に向かって拡径する半導体基板より大きな径のスカート
を設けたので、気流はスカートによりスム−ズに案内さ
れ排気口に導入される。よって、カップ内に気流の渦が
発生するなどの乱れがなくなる。
に向かって拡径する半導体基板より大きな径のスカート
を設けたので、気流はスカートによりスム−ズに案内さ
れ排気口に導入される。よって、カップ内に気流の渦が
発生するなどの乱れがなくなる。
【００１０】また、半導体基板の直上に半導体基板より
小さな径の中空円筒を設けたので、吸気口が小さくな
り、排気圧の低下が可能となる。
小さな径の中空円筒を設けたので、吸気口が小さくな
り、排気圧の低下が可能となる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の半導体基板塗布装置に係わる
一実施例を図１及び図２に基づいて説明する。
一実施例を図１及び図２に基づいて説明する。
【００１２】即ち、半導体基板塗布装置は、上部が開放
され底部１１０に一対の排気口１０７ａ，１０７ｂが形
成された円筒形のカップ１０６内に、その底部１１０の
中央部を挿通し、且つ回転駆動するスピンナ１０１が内
設され、このスピンナ１０１上にウェーハ１０２が吸着
されている。スピンナ１０１の側面はカップ１０６の底
部１１０に突設された円筒形の液止めガイド１１２によ
り囲まれ、前記ウェーハ１０２の真上には若干の間隔、
例えば４mm前後を設けてウェーハ１０２より小さい径の
中空円筒１０３が同心円状に配設されている。さらに、
ウェーハ１０２の周りにあって中空円筒１０３に向かっ
て縮径し飛散した余剰の塗布液（ホトレジスト液）を下
へ落すための反射板１０４が中空円筒１０３の周面に固
着されている。また、ウェーハ１０２より下側には反射
板１０４との間に若干の隙間を設け排気口１０７ａ，１
０７ｂに向かって拡径するウェーハ１０２より大きな径
のスカート１０５が液止めガイド１１２に周設されてい
る。また、前記排気口１０７ａ，１０７ｂにはパイプ１
１１ａ，１１１ｂ、廃液箱１０８が順に接続され、廃液
箱１０８には排気装置（図示せず）からのパイプ１１３
が接続されている。さらに、前記中空円筒１０３の直上
にはホトレジスト液をウェーハ１０２上に滴下するノズ
ル１０９が配設されている。
され底部１１０に一対の排気口１０７ａ，１０７ｂが形
成された円筒形のカップ１０６内に、その底部１１０の
中央部を挿通し、且つ回転駆動するスピンナ１０１が内
設され、このスピンナ１０１上にウェーハ１０２が吸着
されている。スピンナ１０１の側面はカップ１０６の底
部１１０に突設された円筒形の液止めガイド１１２によ
り囲まれ、前記ウェーハ１０２の真上には若干の間隔、
例えば４mm前後を設けてウェーハ１０２より小さい径の
中空円筒１０３が同心円状に配設されている。さらに、
ウェーハ１０２の周りにあって中空円筒１０３に向かっ
て縮径し飛散した余剰の塗布液（ホトレジスト液）を下
へ落すための反射板１０４が中空円筒１０３の周面に固
着されている。また、ウェーハ１０２より下側には反射
板１０４との間に若干の隙間を設け排気口１０７ａ，１
０７ｂに向かって拡径するウェーハ１０２より大きな径
のスカート１０５が液止めガイド１１２に周設されてい
る。また、前記排気口１０７ａ，１０７ｂにはパイプ１
１１ａ，１１１ｂ、廃液箱１０８が順に接続され、廃液
箱１０８には排気装置（図示せず）からのパイプ１１３
が接続されている。さらに、前記中空円筒１０３の直上
にはホトレジスト液をウェーハ１０２上に滴下するノズ
ル１０９が配設されている。
【００１３】かくして、かかる構成の半導体基板塗布装
置では、ノズル１０９よりホトレジスト液がウェーハ１
０２上に滴下され、スピン塗布が開始すると、排気装置
が作動し、気体が中空円筒１０３よりウェーハ１０２上
を通過して反射板１０４とスカート１０５との間を一様
に流れ、排気口１０７ａ，１０７ｂに導入される。この
とき、気流Ａに伴って余剰のホトレジスト液がミストや
はね返り液となって廃液箱１０８に集められる。
置では、ノズル１０９よりホトレジスト液がウェーハ１
０２上に滴下され、スピン塗布が開始すると、排気装置
が作動し、気体が中空円筒１０３よりウェーハ１０２上
を通過して反射板１０４とスカート１０５との間を一様
に流れ、排気口１０７ａ，１０７ｂに導入される。この
とき、気流Ａに伴って余剰のホトレジスト液がミストや
はね返り液となって廃液箱１０８に集められる。
【００１４】従って、本実施例においては、気流がスカ
ート１０５によりスム−ズに案内され排気口１０７ａ，
１０７ｂに導入されるので、カップ１０６内の気流の乱
れがなくなる。また、吸気口が小さくなるので、排気圧
の低下が可能となる。
ート１０５によりスム−ズに案内され排気口１０７ａ，
１０７ｂに導入されるので、カップ１０６内の気流の乱
れがなくなる。また、吸気口が小さくなるので、排気圧
の低下が可能となる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、気
流はスカートによりスム−ズに案内され排気口に導入さ
れるので、カップ内の気流の乱れがなくなる。従って、
ミストの発生がなくなり、塗膜面へのホトレジスト微粒
の付着が防止できると共に、ホトレジストのはね返りが
防止できる。加えて、塗膜の膜厚のバラツキが５％以下
に低下するので、微細なパターン形成が容易にでき、歩
留りが向上できる。
流はスカートによりスム−ズに案内され排気口に導入さ
れるので、カップ内の気流の乱れがなくなる。従って、
ミストの発生がなくなり、塗膜面へのホトレジスト微粒
の付着が防止できると共に、ホトレジストのはね返りが
防止できる。加えて、塗膜の膜厚のバラツキが５％以下
に低下するので、微細なパターン形成が容易にでき、歩
留りが向上できる。
【００１６】また、排気圧の低下が可能になるので、省
エネ及びコストダウンができる。
エネ及びコストダウンができる。
【図１】本発明の半導体基板塗布装置の断面図である。
【図２】本発明の半導体基板塗布装置の平面図である。
【図３】従来の半導体基板塗布装置の断面図である。
１０１ スピンナ １０２ ウェーハ １０３ 中空円筒 １０４ 反射板 １０５ スカート １０６ カップ １０７ａ，１０７ｂ 排気口 １０８ 廃液箱 １０９ ノズル １１０ 底部 １１１ａ，１１１ｂ，１１３ パイプ １１２ 液止めガイド
Claims (1)
- 【請求項１】 上部が開放され底部に排気口が形成され
たカップ内に回転駆動するスピンナが設けられ、前記ス
ピンナ上に塗布液が塗布される半導体基板が吸着され、
前記半導体基板の周りに前記カップの開放部に向かって
縮径し余剰塗布液を下方へ導く反射板が装着された半導
体基板塗布装置において、前記半導体基板の直上に吸気
口となる前記半導体基板より小さな径の中空円筒が設け
られ、前記半導体基板の下方に前記排気口に向かって拡
径する前記半導体基板より大きな径のスカートを設けた
ことを特徴とする半導体基板塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4083735A JPH05291126A (ja) | 1992-04-06 | 1992-04-06 | 半導体基板塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4083735A JPH05291126A (ja) | 1992-04-06 | 1992-04-06 | 半導体基板塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291126A true JPH05291126A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=13810790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4083735A Pending JPH05291126A (ja) | 1992-04-06 | 1992-04-06 | 半導体基板塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05291126A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020202367A (ja) * | 2019-06-05 | 2020-12-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
-
1992
- 1992-04-06 JP JP4083735A patent/JPH05291126A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020202367A (ja) * | 2019-06-05 | 2020-12-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
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