JPH05291473A - 樹脂封止型半導体装置およびそれに用いるリードフレーム - Google Patents
樹脂封止型半導体装置およびそれに用いるリードフレームInfo
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- JPH05291473A JPH05291473A JP4094183A JP9418392A JPH05291473A JP H05291473 A JPH05291473 A JP H05291473A JP 4094183 A JP4094183 A JP 4094183A JP 9418392 A JP9418392 A JP 9418392A JP H05291473 A JPH05291473 A JP H05291473A
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- Japan
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- semiconductor device
- resin
- die pad
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 樹脂封止型半導体装置の幾可学的強度を向上
させ、かつ基板実装時の樹脂クラックの発生を防止し、
さらに、樹脂封止時のダイパッドシフトの発生を防止す
るものである。 【構成】 半導体素子１を接着剤３により固定するダイ
パッドプレート１１に、その中央に三角形状突起１２を
設けると共に、その各辺に絶縁テープ１４を介して複数
のリード５を固定する。そして、前記三角形状突起１２
の一部が、半導体装置外形に完全に露出するように樹脂
７で封止するものである。
させ、かつ基板実装時の樹脂クラックの発生を防止し、
さらに、樹脂封止時のダイパッドシフトの発生を防止す
るものである。 【構成】 半導体素子１を接着剤３により固定するダイ
パッドプレート１１に、その中央に三角形状突起１２を
設けると共に、その各辺に絶縁テープ１４を介して複数
のリード５を固定する。そして、前記三角形状突起１２
の一部が、半導体装置外形に完全に露出するように樹脂
７で封止するものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置の
構造およびそれに用いるリードフレームの構造に関する
ものである。
構造およびそれに用いるリードフレームの構造に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】図１０は従来の樹脂封止型半導体装置を
示す断面側面図であり、図１１はその一部のみ詳細に示
す平面透視図である。図において、１はシリコン表面に
回路が形成された半導体素子、２はこの半導体素子１を
接着剤３を用いて固着したダイパッドであり、ダイパッ
ドサポート４によって支持されている（図１１参照）。
５はリード、６は半導体素子１上に形成されたワイヤボ
ンディングパッドとリード５とを電気的に接続するＡＵ
線、７はリード５の一端が露出するように封止した封止
樹脂である。
示す断面側面図であり、図１１はその一部のみ詳細に示
す平面透視図である。図において、１はシリコン表面に
回路が形成された半導体素子、２はこの半導体素子１を
接着剤３を用いて固着したダイパッドであり、ダイパッ
ドサポート４によって支持されている（図１１参照）。
５はリード、６は半導体素子１上に形成されたワイヤボ
ンディングパッドとリード５とを電気的に接続するＡＵ
線、７はリード５の一端が露出するように封止した封止
樹脂である。
【０００３】なお、上記ダイパッドサポート４は図１１
に示すように、４本で支持するものや、２本あるいは３
本で支持するものなど、半導体装置の品種により、各種
の方法で支持されている。
に示すように、４本で支持するものや、２本あるいは３
本で支持するものなど、半導体装置の品種により、各種
の方法で支持されている。
【０００４】この構成による樹脂封止型半導体装置を製
造工程順に説明すると、半導体素子１をダイパッド２に
接着剤３を用いて固着する。そして、この半導体素子１
上に形成されているワイヤボンディングパッドとリード
５をＡＵ線６により電気的に接続する。その後、リード
５の一端が露出するように、全体を封止樹脂７により封
止する。そして、この封止樹脂７より突出したリード５
およびダイパッドサポート４を切り曲げ加工して、樹脂
封止型半導体装置を得ることができる。
造工程順に説明すると、半導体素子１をダイパッド２に
接着剤３を用いて固着する。そして、この半導体素子１
上に形成されているワイヤボンディングパッドとリード
５をＡＵ線６により電気的に接続する。その後、リード
５の一端が露出するように、全体を封止樹脂７により封
止する。そして、この封止樹脂７より突出したリード５
およびダイパッドサポート４を切り曲げ加工して、樹脂
封止型半導体装置を得ることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成の樹脂封止型半導体装置では、倉庫保管等の流通経路
において、空気中の水分を吸湿し、封止樹脂７とダイパ
ッド２との界面および接着剤３に水分としてたまる。特
に封止樹脂厚が薄くなると、後者の影響が大となる。そ
の後、半導体装置を基板に実装する際の熱８により、接
着剤３中にたまった水分が急激に気化膨張し、その蒸気
圧によって膨張した接着剤９が、ダイパッド２を押し下
げ、封止樹脂７にクラック１０を発生させる（図３参
照）。この樹脂クラック１０はダイパッド２が長方形の
場合は長辺側の中央部から、正方形の場合は各辺の中央
部から発生する。これは幾可学的なストレスが、その部
分に集中するからである。この樹脂クラック１０は半導
体素子１上に形成された回路のアルミ配線部を腐食させ
る要因となり、半導体装置が機能しなくなる場合がある
など、信頼性を劣化させるという問題点があった。
成の樹脂封止型半導体装置では、倉庫保管等の流通経路
において、空気中の水分を吸湿し、封止樹脂７とダイパ
ッド２との界面および接着剤３に水分としてたまる。特
に封止樹脂厚が薄くなると、後者の影響が大となる。そ
の後、半導体装置を基板に実装する際の熱８により、接
着剤３中にたまった水分が急激に気化膨張し、その蒸気
圧によって膨張した接着剤９が、ダイパッド２を押し下
げ、封止樹脂７にクラック１０を発生させる（図３参
照）。この樹脂クラック１０はダイパッド２が長方形の
場合は長辺側の中央部から、正方形の場合は各辺の中央
部から発生する。これは幾可学的なストレスが、その部
分に集中するからである。この樹脂クラック１０は半導
体素子１上に形成された回路のアルミ配線部を腐食させ
る要因となり、半導体装置が機能しなくなる場合がある
など、信頼性を劣化させるという問題点があった。
【０００６】本発明は、以上述べた半導体装置の信頼性
を劣化させる樹脂クラックの発生という問題点を除去す
るため、各辺の中央部に三角形状突起を設けたダイパッ
ドプレートに半導体素子を搭載するようにしたので、幾
可学的な強度向上および蒸気圧の放出を行い、樹脂クラ
ックの発生を防止し、信頼性の優れた樹脂封止型半導体
装置を提供することを目的とする。
を劣化させる樹脂クラックの発生という問題点を除去す
るため、各辺の中央部に三角形状突起を設けたダイパッ
ドプレートに半導体素子を搭載するようにしたので、幾
可学的な強度向上および蒸気圧の放出を行い、樹脂クラ
ックの発生を防止し、信頼性の優れた樹脂封止型半導体
装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る樹脂封止型
半導体装置は、各辺の中央部に三角形状突起を設けた平
板状のダイパッドプレートと、このダイパッドプレート
に接着剤により固定した半導体素子と、このダイパッド
プレートに絶縁テープを介して固定した複数のリードと
を備え、前記三角形状突起の一部が半導体装置外形に完
全に露出するように樹脂封止するものである。
半導体装置は、各辺の中央部に三角形状突起を設けた平
板状のダイパッドプレートと、このダイパッドプレート
に接着剤により固定した半導体素子と、このダイパッド
プレートに絶縁テープを介して固定した複数のリードと
を備え、前記三角形状突起の一部が半導体装置外形に完
全に露出するように樹脂封止するものである。
【０００８】また、本発明に係るリードフレームは、リ
ードを支持するダムバーに、サポートのハーフエッジに
対向してハーフエッジを設けることにより、サポートと
ダムバーとが重ならないようにしたものである。
ードを支持するダムバーに、サポートのハーフエッジに
対向してハーフエッジを設けることにより、サポートと
ダムバーとが重ならないようにしたものである。
【０００９】
【作用】本発明は幾可学的強度が向上し、かつ基板実装
時の樹脂クラックの発生を防止することができ、さら
に、ダイパッドプレートと数１０本のリードが絶縁テー
プを介して固定されているので樹脂封止時のダイパッド
シフトの発生を防止することができる。
時の樹脂クラックの発生を防止することができ、さら
に、ダイパッドプレートと数１０本のリードが絶縁テー
プを介して固定されているので樹脂封止時のダイパッド
シフトの発生を防止することができる。
【００１０】
【実施例】図１は本発明に係る樹脂封止型半導体装置の
一実施例を示す断面側面図であり、図２は図１の一部の
み詳細に示す平面透視図である。図において、１１は図
２に示すように、三角形状突起１２を各辺の中央部に設
けたダイパッドプレートであり、半導体素子１が接着剤
３により接着され、さらに、その詳細を図３に示すよう
に、両面に接着剤１３が塗布された絶縁テープ１４（例
えば厚さ２５〜５０μｍ程度）を介してリード５が接着
される。
一実施例を示す断面側面図であり、図２は図１の一部の
み詳細に示す平面透視図である。図において、１１は図
２に示すように、三角形状突起１２を各辺の中央部に設
けたダイパッドプレートであり、半導体素子１が接着剤
３により接着され、さらに、その詳細を図３に示すよう
に、両面に接着剤１３が塗布された絶縁テープ１４（例
えば厚さ２５〜５０μｍ程度）を介してリード５が接着
される。
【００１１】なお、このダイパッドプレート１１の三角
形状突起１２の一部は、半導体装置の外形まで達してお
り、この部分から水分を放出することによって、半導体
装置の基板実装の際の加熱による接着剤３中の水分の膨
張を避けることができる。また、このダイパッドプレー
ト１１の三角形状突起１２を各辺の中央部に設けること
により、幾可学的なストレスの緩和を図ることができ
る。
形状突起１２の一部は、半導体装置の外形まで達してお
り、この部分から水分を放出することによって、半導体
装置の基板実装の際の加熱による接着剤３中の水分の膨
張を避けることができる。また、このダイパッドプレー
ト１１の三角形状突起１２を各辺の中央部に設けること
により、幾可学的なストレスの緩和を図ることができ
る。
【００１２】図４は図１のＣ部の詳細な側面図であり、
ダイパッドプレート１１の各辺の中央部に設けた三角状
突起１２の先端が、樹脂封止型半導体装置の外部に露出
するためには、その先端をリード５と同じ高さに設置さ
れるように、ダイパッドプレート１１の一部をダウンセ
ット１５させるものである。このため、リード５および
三角形状突起１２を金型で挟み、樹脂封止することがで
きる。この結果、ダイパッドプレート１１の三角形状突
起１２は、樹脂封止型半導体装置の外部に露出するた
め、内部の水分をスムーズに矢印１６の方向に放出する
ことができる。
ダイパッドプレート１１の各辺の中央部に設けた三角状
突起１２の先端が、樹脂封止型半導体装置の外部に露出
するためには、その先端をリード５と同じ高さに設置さ
れるように、ダイパッドプレート１１の一部をダウンセ
ット１５させるものである。このため、リード５および
三角形状突起１２を金型で挟み、樹脂封止することがで
きる。この結果、ダイパッドプレート１１の三角形状突
起１２は、樹脂封止型半導体装置の外部に露出するた
め、内部の水分をスムーズに矢印１６の方向に放出する
ことができる。
【００１３】なお、図５はリード５の一部をアップセッ
ト１７させた場合であり、図４に示す場合と同様に動作
することはもちろんである。
ト１７させた場合であり、図４に示す場合と同様に動作
することはもちろんである。
【００１４】ところで、ダイパッドプレート１１の三角
形状突起１２の位置は、樹脂封止型半導体装置の一辺に
設けたリード５の数が、奇数の場合には図６に示すよう
に１個のサポート１２Ａを設け、偶数の場合には図７に
示すように、２個のサポート１２Ａ、１２Ｂを設ける。
このため、リード５と三角形状突起１２とは重なること
はない。
形状突起１２の位置は、樹脂封止型半導体装置の一辺に
設けたリード５の数が、奇数の場合には図６に示すよう
に１個のサポート１２Ａを設け、偶数の場合には図７に
示すように、２個のサポート１２Ａ、１２Ｂを設ける。
このため、リード５と三角形状突起１２とは重なること
はない。
【００１５】なお、上記サポート１２Ａおよび１２Ｂ、
ダムバー１９は、工程途中では外形より０．５mm程度以
上突出しており、リード加工時に、ダムバーカット２０
と一緒に、サポートカット１８を行なう。
ダムバー１９は、工程途中では外形より０．５mm程度以
上突出しており、リード加工時に、ダムバーカット２０
と一緒に、サポートカット１８を行なう。
【００１６】また、最近、半導体装置の薄型化が進み、
ダムバー１９の位置も半導体装置の外形までの距離が
０．２mm以下と短かくなり、ダイパッドプレート１１の
三角形状突起１２を突出するときに、ダムバー１９と重
なる恐れがある。そこで、図９に示すように、ダムバー
１９にハーフエッジ１９Ａを設けると共に、サポート１
２Ａにもハーフエッジ１２Ａ−１を設けることにより、
重なりを回避することができる。
ダムバー１９の位置も半導体装置の外形までの距離が
０．２mm以下と短かくなり、ダイパッドプレート１１の
三角形状突起１２を突出するときに、ダムバー１９と重
なる恐れがある。そこで、図９に示すように、ダムバー
１９にハーフエッジ１９Ａを設けると共に、サポート１
２Ａにもハーフエッジ１２Ａ−１を設けることにより、
重なりを回避することができる。
【００１７】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る樹脂封止型半導体装置およびそれに用いるリードフレ
ームによれば、半導体素子を固着するダイパッドプレー
トの各辺の中央に三角形状突起を設け、半導体装置の外
形部まで、リードが重ならないように形成することにし
たので、幾可学的強度が向上すると共に、ダイパッドプ
レートを、蒸気圧が放出し易い形状にしたので、基板実
装時に発生する樹脂クラックを防止することができ、信
頼性を向上することができる。さらに、通常の工程どう
りで、製造できるだけではなく、ダイパッドプレートが
数１０本のリードで支えられ、かつダイパッドプレート
そのものも、サポートで支えられているので、樹脂封止
時のダイパッドシフトが生じることはない、などの効果
がある。
る樹脂封止型半導体装置およびそれに用いるリードフレ
ームによれば、半導体素子を固着するダイパッドプレー
トの各辺の中央に三角形状突起を設け、半導体装置の外
形部まで、リードが重ならないように形成することにし
たので、幾可学的強度が向上すると共に、ダイパッドプ
レートを、蒸気圧が放出し易い形状にしたので、基板実
装時に発生する樹脂クラックを防止することができ、信
頼性を向上することができる。さらに、通常の工程どう
りで、製造できるだけではなく、ダイパッドプレートが
数１０本のリードで支えられ、かつダイパッドプレート
そのものも、サポートで支えられているので、樹脂封止
時のダイパッドシフトが生じることはない、などの効果
がある。
【図１】本発明に係る封脂封止型半導体装置の一実施例
を示す断面側面図である。
を示す断面側面図である。
【図２】図１の一部のみ詳細に示す平面透視図である。
【図３】図１のＡ部の詳細な側面図である。
【図４】図１のＢ部の詳細な側面図である。
【図５】図４の他の実施例を示す側面図である。
【図６】リードの数が奇数の場合の、三角形状突起に設
けたサポートの位置を示す平面図である。
けたサポートの位置を示す平面図である。
【図７】リードの数が偶数の場合の、三角形状突起に設
けたサポートの位置を示す平面図である。
けたサポートの位置を示す平面図である。
【図８】ダムバーとサポートとの重なりを回避する場合
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図９】図８の一部詳細な斜視図である。
【図１０】従来の装置の断面側面図である。
【図１１】図１０の透視平面図である。
【図１２】図１０を説明するための側面図である。
１１ ダイパッドプレート １２ 三角形状突起 １４ 絶縁テープ １９ ダムバー
Claims (4)
- 【請求項１】 各辺の中央部に三角形状突起を設けた平
板状のダイパッドプレートと、このダイパッドプレート
に接着剤により固定した半導体素子と、このダイパッド
プレートに絶縁テープを介して固定した複数のリードと
を備え、前記三角形状突起の一部が半導体装置外形に完
全に露出するように樹脂封止することを特徴とする樹脂
封止型半導体装置。 - 【請求項２】 前記ダイパッドプレートの一部をダウン
セットあるいはリードの一部をアップセットし、三角形
状突起の先端とリードの外形端の高さを同じにしたこと
を特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 前記ダイパッドプレートの三角形状突起
の先端が、露出部で、リードと重ならないように、半導
体装置の一辺に設けたリードの数が奇数あるいは偶数に
より、三角形状突起の先端に設けたサポートの位置を変
えることを特徴とする請求項２記載の樹脂封止型半導体
装置。 - 【請求項４】 リードを支持するダムバーの、サポート
に設けたハーフエッジに対向して、ハーフエッジを設
け、サポートとダムバーとが重ならないようにしたこと
を特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4094183A JPH05291473A (ja) | 1992-04-14 | 1992-04-14 | 樹脂封止型半導体装置およびそれに用いるリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4094183A JPH05291473A (ja) | 1992-04-14 | 1992-04-14 | 樹脂封止型半導体装置およびそれに用いるリードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291473A true JPH05291473A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=14103210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4094183A Pending JPH05291473A (ja) | 1992-04-14 | 1992-04-14 | 樹脂封止型半導体装置およびそれに用いるリードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05291473A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0680086A3 (en) * | 1994-04-15 | 1997-05-02 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Semiconductor device and manufacturing method for this semiconductor device. |
| JPH09129808A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-16 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-04-14 JP JP4094183A patent/JPH05291473A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0680086A3 (en) * | 1994-04-15 | 1997-05-02 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Semiconductor device and manufacturing method for this semiconductor device. |
| JPH09129808A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-16 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
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