JPH05291474A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH05291474A JPH05291474A JP4118380A JP11838092A JPH05291474A JP H05291474 A JPH05291474 A JP H05291474A JP 4118380 A JP4118380 A JP 4118380A JP 11838092 A JP11838092 A JP 11838092A JP H05291474 A JPH05291474 A JP H05291474A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/726—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 正ベンドタイプとしても、逆ベンドタイプと
しても使用できる半導体装置を得る。 【構成】 ＩＣチップを外部と電気的に接続するための
リードを、ＩＣチップと電気的に接続されパッケージの
内部に設けられた内部リード３と、該内部リード３と電
気的に接続され、パッケージの両面にその一部が外部端
子７ａ，７ｂとして突出した導電体５とから構成した。
しても使用できる半導体装置を得る。 【構成】 ＩＣチップを外部と電気的に接続するための
リードを、ＩＣチップと電気的に接続されパッケージの
内部に設けられた内部リード３と、該内部リード３と電
気的に接続され、パッケージの両面にその一部が外部端
子７ａ，７ｂとして突出した導電体５とから構成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置及びその
製造方法に関し、特に１つの構造で正ベンドタイプとし
ても、逆ベンドタイプとしても使用することのできる半
導体装置及びその製造方法に関するものである。
製造方法に関し、特に１つの構造で正ベンドタイプとし
ても、逆ベンドタイプとしても使用することのできる半
導体装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１２は従来の半導体装置の斜視図であ
り、図１０は従来の正ベンドタイプの半導体装置を示す
断面図、図１１は従来の逆ベンドタイプの半導体装置を
示す断面図である。図において１は半導体装置で１ｂは
正ベンドタイプのもの、１ｃは逆ベンドタイプのもので
ある。２はＩＣチップ、３はリード、４はＩＣチップ２
とリード３を電気的に接続するためのバンプ（図ではバ
ンプだがワイヤーボンド方式でもよい。）、６ａはＩＣ
チップ２の上面で半導体装置１におけるＡ面、６ｂはＩ
Ｃチップ２の下面で半導体装置１におけるでのＢ面、８
はＩＣチップ２，リード３等を封止するモールド樹脂、
１２はリード３と同一材料からなり、半導体装置１を基
板等に実装する際に基板等に接続される外部端子であ
る。
り、図１０は従来の正ベンドタイプの半導体装置を示す
断面図、図１１は従来の逆ベンドタイプの半導体装置を
示す断面図である。図において１は半導体装置で１ｂは
正ベンドタイプのもの、１ｃは逆ベンドタイプのもので
ある。２はＩＣチップ、３はリード、４はＩＣチップ２
とリード３を電気的に接続するためのバンプ（図ではバ
ンプだがワイヤーボンド方式でもよい。）、６ａはＩＣ
チップ２の上面で半導体装置１におけるＡ面、６ｂはＩ
Ｃチップ２の下面で半導体装置１におけるでのＢ面、８
はＩＣチップ２，リード３等を封止するモールド樹脂、
１２はリード３と同一材料からなり、半導体装置１を基
板等に実装する際に基板等に接続される外部端子であ
る。
【０００３】図１０に示すように正ベンドタイプの半導
体装置１ｂは外部端子１２がＢ面６ｂ側に加工されてお
り、図１１に示すように逆ベンドタイプの半導体装置１
ｃは外部端子１２がＡ面６ａ側に加工されている。
体装置１ｂは外部端子１２がＢ面６ｂ側に加工されてお
り、図１１に示すように逆ベンドタイプの半導体装置１
ｃは外部端子１２がＡ面６ａ側に加工されている。
【０００４】次に半導体装置１ｂ，１ｃを用いた実装方
法について説明する。図１３は半導体装置１ｂ，１ｃを
基板に両面実装した状態を示す側面図、１４は半導体装
置１ｂ，１ｃを基板に片面実装した状態を示す平面図で
あり、図において、図１０及び図１１と同一符号は同一
または相当部分を示しており、９は基板、１０は基板９
にスルーホールにより形成された配線である。尚、図中
の丸内数字は半導体装置１ｂ，１ｃのリードナンバーを
示す。
法について説明する。図１３は半導体装置１ｂ，１ｃを
基板に両面実装した状態を示す側面図、１４は半導体装
置１ｂ，１ｃを基板に片面実装した状態を示す平面図で
あり、図において、図１０及び図１１と同一符号は同一
または相当部分を示しており、９は基板、１０は基板９
にスルーホールにより形成された配線である。尚、図中
の丸内数字は半導体装置１ｂ，１ｃのリードナンバーを
示す。
【０００５】図１３の両面実装において、半導体装置を
上下対称に配置する場合には、基板９の片面に正ベンド
タイプの半導体装置１ｂを実装し、基板９の他面に逆ベ
ンドタイプの半導体装置１ｃを実装し、半導体装置１
ｂ，１ｃ間を同一リードナンバーで接続する配線１０を
基板の上下に貫通するスルーホールで行う。
上下対称に配置する場合には、基板９の片面に正ベンド
タイプの半導体装置１ｂを実装し、基板９の他面に逆ベ
ンドタイプの半導体装置１ｃを実装し、半導体装置１
ｂ，１ｃ間を同一リードナンバーで接続する配線１０を
基板の上下に貫通するスルーホールで行う。
【０００６】また、図１４の片面実装においても同一基
板９上に正ベンドタイプの半導体装置１ｂと逆ベンドタ
イプの半導体装置１ｃとを隣り合わせて実装し、半導体
装置１ｂ，１ｃ間の同一リードナンバーを配線１０によ
り接続する。
板９上に正ベンドタイプの半導体装置１ｂと逆ベンドタ
イプの半導体装置１ｃとを隣り合わせて実装し、半導体
装置１ｂ，１ｃ間の同一リードナンバーを配線１０によ
り接続する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は以
上のように構成されており、両面実装，片面実装するた
めには正ベンドタイプと逆ベンドタイプの２種類の半導
体装置を作製しなければならず、製造する半導体装置の
種類が多くなり、加工プロセスが増し、製造コストが高
くなるという問題点があった。
上のように構成されており、両面実装，片面実装するた
めには正ベンドタイプと逆ベンドタイプの２種類の半導
体装置を作製しなければならず、製造する半導体装置の
種類が多くなり、加工プロセスが増し、製造コストが高
くなるという問題点があった。
【０００８】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、１つのもので正ベンドタイプと
逆ベンドタイプの両方に用いることができる半導体装置
を得るとともに、さらにこの装置に適した製造方法を提
供することを目的とする。
ためになされたもので、１つのもので正ベンドタイプと
逆ベンドタイプの両方に用いることができる半導体装置
を得るとともに、さらにこの装置に適した製造方法を提
供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置は、ＩＣチップを外部と電気的に接続するためのリー
ドを、ＩＣの端子に接続されモールド樹脂内部に設けら
れた内部リードと、この内部リードに接続され、その一
部がモールド樹脂からなるパッケージの上面，下面の両
面に突出した導電体とから構成したものである。
置は、ＩＣチップを外部と電気的に接続するためのリー
ドを、ＩＣの端子に接続されモールド樹脂内部に設けら
れた内部リードと、この内部リードに接続され、その一
部がモールド樹脂からなるパッケージの上面，下面の両
面に突出した導電体とから構成したものである。
【００１０】また、この発明に係る半導体装置の製造方
法は、ＩＣチップに内部リードを取り付ける工程、内部
リードに導電体を取り付ける工程、ＩＣチップ，内部リ
ード及び導電体をモールド樹脂で封止するとともに、導
電体の一部をモールド樹脂からなるパッケージの上面，
下面の両面に露出させる工程とを含むことを特徴とする
ものである。
法は、ＩＣチップに内部リードを取り付ける工程、内部
リードに導電体を取り付ける工程、ＩＣチップ，内部リ
ード及び導電体をモールド樹脂で封止するとともに、導
電体の一部をモールド樹脂からなるパッケージの上面，
下面の両面に露出させる工程とを含むことを特徴とする
ものである。
【００１１】また、この発明に係る半導体装置の製造方
法は、ＩＣチップに導電体が一体成形された内部リード
を取り付ける工程、ＩＣチップ，内部リード及び導電体
をモールド樹脂で封止するとともに、導電体の一部を前
記モールド樹脂からなるパッケージの上面，下面の両面
に露出させる工程とを含むことを特徴とするものであ
る。
法は、ＩＣチップに導電体が一体成形された内部リード
を取り付ける工程、ＩＣチップ，内部リード及び導電体
をモールド樹脂で封止するとともに、導電体の一部を前
記モールド樹脂からなるパッケージの上面，下面の両面
に露出させる工程とを含むことを特徴とするものであ
る。
【００１２】また、この発明に係る半導体装置の製造方
法は、ＩＣチップに内部リードを取り付ける工程、ＩＣ
チップ及び内部リードをモールド樹脂で封止するととも
に、モールド樹脂に内部リードと接点を持ちかつその両
面に貫通する穴を形成する工程、モールド樹脂の穴に導
電体を挿入しその一部を内部リードと電気的に接続する
とともにモールド樹脂からなるパッケージの上面，下面
の両面に露出させる工程とを備えたことを特徴とするも
のである。
法は、ＩＣチップに内部リードを取り付ける工程、ＩＣ
チップ及び内部リードをモールド樹脂で封止するととも
に、モールド樹脂に内部リードと接点を持ちかつその両
面に貫通する穴を形成する工程、モールド樹脂の穴に導
電体を挿入しその一部を内部リードと電気的に接続する
とともにモールド樹脂からなるパッケージの上面，下面
の両面に露出させる工程とを備えたことを特徴とするも
のである。
【００１３】
【作用】この発明においては、パッケージの上面，下面
の両方に内部リードと接続される導電体が突出した構造
としたから、半導体装置を上面側の端子で接続して用い
るか、下面側の端子で接続して用いるかにより正ベンド
タイプとしても逆ベンドタイプとしても使用することが
できる。
の両方に内部リードと接続される導電体が突出した構造
としたから、半導体装置を上面側の端子で接続して用い
るか、下面側の端子で接続して用いるかにより正ベンド
タイプとしても逆ベンドタイプとしても使用することが
できる。
【００１４】また、この発明においては、ＩＣチップに
内部リードを取り付け、内部リードに導電体を電気的に
接続し、ＩＣチップ，内部リード，及び導電体を該導電
体の一部がパッケージの上面，下面の両面に突出するよ
うモールド樹脂で封止するようにしたので、簡単な製法
でもって上面，下面により正ベンドタイプと逆ベンドタ
イプが形成される半導体装置が得られる。
内部リードを取り付け、内部リードに導電体を電気的に
接続し、ＩＣチップ，内部リード，及び導電体を該導電
体の一部がパッケージの上面，下面の両面に突出するよ
うモールド樹脂で封止するようにしたので、簡単な製法
でもって上面，下面により正ベンドタイプと逆ベンドタ
イプが形成される半導体装置が得られる。
【００１５】また、この発明においては、内部リードと
導電体とを一体成形したものをＩＣチップに取り付け、
ＩＣチップ，内部リード，及び導電体を該導電体の一部
がパッケージの上面，下面の両面に突出するようモール
ド樹脂で封止するようにしたので、より工程を簡単にで
きる。
導電体とを一体成形したものをＩＣチップに取り付け、
ＩＣチップ，内部リード，及び導電体を該導電体の一部
がパッケージの上面，下面の両面に突出するようモール
ド樹脂で封止するようにしたので、より工程を簡単にで
きる。
【００１６】また、この発明においては、ＩＣチップお
よび内部リードをモールド樹脂で封止した後、モールド
樹脂内に導電体を挿入し、内部リードと電気的に接続す
るとともに、パッケージの上面，下面の両方に導電体の
一部を出すようにしたので、簡単な製法でもって半導内
部置の上面，下面により正ベンドタイプと逆ベンドタイ
プが形成される半導体装置が得られる。
よび内部リードをモールド樹脂で封止した後、モールド
樹脂内に導電体を挿入し、内部リードと電気的に接続す
るとともに、パッケージの上面，下面の両方に導電体の
一部を出すようにしたので、簡単な製法でもって半導内
部置の上面，下面により正ベンドタイプと逆ベンドタイ
プが形成される半導体装置が得られる。
【００１７】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１は本発明の第１の実施例による半導体装置の
断面図、図２は平面断面図，図３は斜視図である。図に
おいて、２はＩＣチップ、３は内部リード、４はＩＣチ
ップ２と内部リード３とを電気的に接続するためのバン
プ、６ａはＩＣチップ２の上面で半導体装置１における
Ａ面、６ｂはＩＣチップ２の下面で半導体装置１におけ
るＢ面、８はＩＣチップ２，内部リード３等を封止する
モールド樹脂である。また、１ａは本実施例の半導体装
置、５は内部リード３と外部とを電気的に接続するため
の導電体、７ａは導電体５の半導体装置１ａのＡ面側６
ａに露出している外部端子、７ｂは導電体５の半導体装
置１ａのＢ面側６ｂに露出している外部端子である。
する。図１は本発明の第１の実施例による半導体装置の
断面図、図２は平面断面図，図３は斜視図である。図に
おいて、２はＩＣチップ、３は内部リード、４はＩＣチ
ップ２と内部リード３とを電気的に接続するためのバン
プ、６ａはＩＣチップ２の上面で半導体装置１における
Ａ面、６ｂはＩＣチップ２の下面で半導体装置１におけ
るＢ面、８はＩＣチップ２，内部リード３等を封止する
モールド樹脂である。また、１ａは本実施例の半導体装
置、５は内部リード３と外部とを電気的に接続するため
の導電体、７ａは導電体５の半導体装置１ａのＡ面側６
ａに露出している外部端子、７ｂは導電体５の半導体装
置１ａのＢ面側６ｂに露出している外部端子である。
【００１８】また、図４は本実施例の半導体装置１ａを
基板に両面実装した状態を示す側面図、図５は本実施例
の半導体装置１ａを基板に片面実装した状態を示す平面
図であり、図において、９，１０は従来のものと同一で
あり、図中の丸内数字は半導体装置１ａのリードナンバ
ーを示す。
基板に両面実装した状態を示す側面図、図５は本実施例
の半導体装置１ａを基板に片面実装した状態を示す平面
図であり、図において、９，１０は従来のものと同一で
あり、図中の丸内数字は半導体装置１ａのリードナンバ
ーを示す。
【００１９】次に本実施例の半導体装置１ａを用いた実
装方法について説明する。両面実装において、半導体装
置１ａを上下対称に配置する場合には、図４に示すよう
に、基板９の片面に半導体装置１ａをＢ面６ｂ側を基板
９に対向して実装するとともに、基板９の他面に半導体
装置１ａをＡ面６ａ側を基板９に対向して実装する。こ
れにより、基板の両面に実装した半導体装置１ａ間の同
一リードナンバーを接続する配線１０が従来と同様に、
基板９の上下間に設けたスルーホールのみで行える。
装方法について説明する。両面実装において、半導体装
置１ａを上下対称に配置する場合には、図４に示すよう
に、基板９の片面に半導体装置１ａをＢ面６ｂ側を基板
９に対向して実装するとともに、基板９の他面に半導体
装置１ａをＡ面６ａ側を基板９に対向して実装する。こ
れにより、基板の両面に実装した半導体装置１ａ間の同
一リードナンバーを接続する配線１０が従来と同様に、
基板９の上下間に設けたスルーホールのみで行える。
【００２０】また、片面実装においては、図５に示すよ
うに、半導体装置１ａのＢ面６ｂ側を基板９に向けて実
装するとともに、これに隣接して実装する半導体装置１
ａはＡ面６ａ側を基板９に向けて実装する。これによ
り、互いに隣接して実装した半導体装置１ａの同一リー
ドナンバーを接続する配線１０が従来と同様に単純に行
なえる。
うに、半導体装置１ａのＢ面６ｂ側を基板９に向けて実
装するとともに、これに隣接して実装する半導体装置１
ａはＡ面６ａ側を基板９に向けて実装する。これによ
り、互いに隣接して実装した半導体装置１ａの同一リー
ドナンバーを接続する配線１０が従来と同様に単純に行
なえる。
【００２１】次に、本実施例の半導体装置１ａの製造方
法の一例を説明する。まず、ＩＣチップ２に内部リード
３を取り付けた後、導電体５を内部リード３に取り付け
る。そして、導電体５の外部端子７ａ，７ｂがパッケー
ジの両面に露出するようにこれらをモールド樹脂８で封
止する。
法の一例を説明する。まず、ＩＣチップ２に内部リード
３を取り付けた後、導電体５を内部リード３に取り付け
る。そして、導電体５の外部端子７ａ，７ｂがパッケー
ジの両面に露出するようにこれらをモールド樹脂８で封
止する。
【００２２】このような本実施例による半導体装置１ａ
においては、ＩＣチップ２を外部と電気的に接続するた
めのリードを、内部リード３と導電体５とから構成し、
ＩＣチップ２に電気的に接続された各内部リード３に対
して、内部リード３と電気的に接続した導電体５を設
け、これらをモールド樹脂８で封止する際に、その厚さ
方向の上面，下面の両方に導電体５の一部が外部端子７
ａ，７ｂとして露出するよう封止したので、外部端子７
ａ側を実装面としたものは従来の半導体装置１ｂでの正
ベンドタイプと同一であり、また、外部端子７ａ側を実
装面としたものは従来の半導体装置１ｃでの逆ベンドタ
イプと同一となり、半導体装置１ｃ１種類のみで、正ベ
ンドタイプと逆ベンドタイプの両方に用いることがで
き、従来のように正ベンドタイプと逆ベンドタイプの２
種類の半導体装置を製造する必要がなくなり、装置を安
価に得ることができるという効果がある。
においては、ＩＣチップ２を外部と電気的に接続するた
めのリードを、内部リード３と導電体５とから構成し、
ＩＣチップ２に電気的に接続された各内部リード３に対
して、内部リード３と電気的に接続した導電体５を設
け、これらをモールド樹脂８で封止する際に、その厚さ
方向の上面，下面の両方に導電体５の一部が外部端子７
ａ，７ｂとして露出するよう封止したので、外部端子７
ａ側を実装面としたものは従来の半導体装置１ｂでの正
ベンドタイプと同一であり、また、外部端子７ａ側を実
装面としたものは従来の半導体装置１ｃでの逆ベンドタ
イプと同一となり、半導体装置１ｃ１種類のみで、正ベ
ンドタイプと逆ベンドタイプの両方に用いることがで
き、従来のように正ベンドタイプと逆ベンドタイプの２
種類の半導体装置を製造する必要がなくなり、装置を安
価に得ることができるという効果がある。
【００２３】なお、上記実施例では、ＩＣチップ２に内
部リード３を取り付けた後、内部リード３に導電体５を
取り付けて半導体装置１ｃを製造したが、これは図６に
示すように、内部リード３として、導電体５が一体成形
されたリードを使用してもよく、この場合においても上
記実施例と同様の構造が得られる。
部リード３を取り付けた後、内部リード３に導電体５を
取り付けて半導体装置１ｃを製造したが、これは図６に
示すように、内部リード３として、導電体５が一体成形
されたリードを使用してもよく、この場合においても上
記実施例と同様の構造が得られる。
【００２４】また、図７に示すように、まず、ＩＣチッ
プ２に内部リード３を取り付けた後、これらを導電体を
通す穴を設けたモールド樹脂８で封止し、その後、モー
ルド樹脂８に導電体５を挿入し、導電体５を内部リード
３と電気的に接続するとともにその一部をパッケージの
両面に露出させるようにして製造してもよく、この場合
においても上記実施例と同様の構造が得られる。
プ２に内部リード３を取り付けた後、これらを導電体を
通す穴を設けたモールド樹脂８で封止し、その後、モー
ルド樹脂８に導電体５を挿入し、導電体５を内部リード
３と電気的に接続するとともにその一部をパッケージの
両面に露出させるようにして製造してもよく、この場合
においても上記実施例と同様の構造が得られる。
【００２５】また、図８に示すように、ＩＣチップ２に
内部リード３を取り付け、これらを導電体を通す穴を設
けたモールド樹脂８で封止した後、モールド樹脂８の導
電体を通す穴に液状の導電体５を流入して硬化させ、導
電体５を内部リード３と電気的に接続するとともに、そ
の一部をパッケージの両面に露出させるように製造して
もよく、この場合においても同様の構造が得られる。
内部リード３を取り付け、これらを導電体を通す穴を設
けたモールド樹脂８で封止した後、モールド樹脂８の導
電体を通す穴に液状の導電体５を流入して硬化させ、導
電体５を内部リード３と電気的に接続するとともに、そ
の一部をパッケージの両面に露出させるように製造して
もよく、この場合においても同様の構造が得られる。
【００２６】また、上記実施例においては、外部端子７
ａ，７ｂを除いて導電体５がモールド樹脂８内に埋まる
ような構成としたが、これは図９に示すように、導電体
５をモールド樹脂８の側面に配置するようにしてもよ
く、この場合においても、上記実施例の構造と同様の効
果が得られる。これに加え、この構造においては半田付
け時の目視検査が容易に行なえるという効果もある。な
お、以上の実施例ではＩＣチップ２に内部リード３を取
り付けるのにバンプ４を用いるようにしたが、これはワ
イヤーボンド方式であってもよい。
ａ，７ｂを除いて導電体５がモールド樹脂８内に埋まる
ような構成としたが、これは図９に示すように、導電体
５をモールド樹脂８の側面に配置するようにしてもよ
く、この場合においても、上記実施例の構造と同様の効
果が得られる。これに加え、この構造においては半田付
け時の目視検査が容易に行なえるという効果もある。な
お、以上の実施例ではＩＣチップ２に内部リード３を取
り付けるのにバンプ４を用いるようにしたが、これはワ
イヤーボンド方式であってもよい。
【００２７】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、ＩＣ
チップを外部と電気的に接続するためのリードを、モー
ルド樹脂内に設けられ、ＩＣチップと電気的に接続され
た内部リードと、内部リードと電気的に接続され、パッ
ケージの上面，下面の両方にその一部が外部端子として
突出した導電体とから構成したので、該半導体装置を実
装するに際し、正ベンドタイプと逆ベンドタイプの両方
に用いることができ、従来のように逆ベンドタイプと正
ベンドタイプの２種類製造する必要がなく、装置が安価
に得られるという効果がある。
チップを外部と電気的に接続するためのリードを、モー
ルド樹脂内に設けられ、ＩＣチップと電気的に接続され
た内部リードと、内部リードと電気的に接続され、パッ
ケージの上面，下面の両方にその一部が外部端子として
突出した導電体とから構成したので、該半導体装置を実
装するに際し、正ベンドタイプと逆ベンドタイプの両方
に用いることができ、従来のように逆ベンドタイプと正
ベンドタイプの２種類製造する必要がなく、装置が安価
に得られるという効果がある。
【００２８】また、この発明によれば、ＩＣチップに内
部リードを取り付け、内部リードに導電体を電気的に接
続し、ＩＣチップ，内部リード，及び導電体を該導電体
の一部がパッケージの上面，下面の両面に突出するよう
モールド樹脂で封止するようにしたので、簡単な製法で
もって上面，下面により正ベンドタイプと逆ベンドタイ
プが形成される半導体装置が得られる効果がある。
部リードを取り付け、内部リードに導電体を電気的に接
続し、ＩＣチップ，内部リード，及び導電体を該導電体
の一部がパッケージの上面，下面の両面に突出するよう
モールド樹脂で封止するようにしたので、簡単な製法で
もって上面，下面により正ベンドタイプと逆ベンドタイ
プが形成される半導体装置が得られる効果がある。
【００２９】また、この発明によれば、内部リードと導
電体とを一体成形したものをＩＣチップに取り付け、Ｉ
Ｃチップ，内部リード，及び導電体を該導電体の一部が
パッケージの上面，下面の両面に突出するようモールド
樹脂で封止するようにしたので、より工程を簡単にでき
る効果がある。
電体とを一体成形したものをＩＣチップに取り付け、Ｉ
Ｃチップ，内部リード，及び導電体を該導電体の一部が
パッケージの上面，下面の両面に突出するようモールド
樹脂で封止するようにしたので、より工程を簡単にでき
る効果がある。
【００３０】また、この発明によれば、ＩＣチップおよ
び内部リードをモールド樹脂で封止した後、モールド樹
脂内に導電体を挿入し、内部リードと電気的に接続する
とともに、パッケージの上面，下面の両方に導電体の一
部を出すようにしたので、簡単な製法でもって半導内部
置の上面，下面により正ベンドタイプと逆ベンドタイプ
が形成される半導体装置が得られる効果がある。
び内部リードをモールド樹脂で封止した後、モールド樹
脂内に導電体を挿入し、内部リードと電気的に接続する
とともに、パッケージの上面，下面の両方に導電体の一
部を出すようにしたので、簡単な製法でもって半導内部
置の上面，下面により正ベンドタイプと逆ベンドタイプ
が形成される半導体装置が得られる効果がある。
【図１】この発明の一実施例による半導体装置の構造を
示す側面断面図である。
示す側面断面図である。
【図２】この発明の一実施例による半導体装置の構造を
示す平面断面図である。
示す平面断面図である。
【図３】この発明の一実施例による半導体装置の構造を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図４】この発明の一実施例による半導体装置を用いて
両面実装した状態を示す側面図である。
両面実装した状態を示す側面図である。
【図５】この発明の一実施例による半導体装置を用いて
片面実装した状態を示す平面図である。
片面実装した状態を示す平面図である。
【図６】この発明の一実施例による半導体装置の製造方
法の一例に用いる部品図である。
法の一例に用いる部品図である。
【図７】この発明の一実施例による半導体装置の製造方
法の一例を示す側面図である。
法の一例を示す側面図である。
【図８】この発明の一実施例による半導体装置の製造方
法の一例を示す側面図である。
法の一例を示す側面図である。
【図９】この発明の他の実施例による半導体装置の構造
を示す側面断面図である。
を示す側面断面図である。
【図１０】従来の半導体装置（正ベンドタイプ）を示す
断面図である。
断面図である。
【図１１】従来の半導体装置（逆ベンドタイプ）を示す
断面図である。
断面図である。
【図１２】従来の半導体装置を示す斜視図である。
【図１３】従来の半導体装置のもので両面実装した状態
を示す側面図である。
を示す側面図である。
【図１４】従来の半導体装置のもので片面実装した状態
を示す平面図である。
を示す平面図である。
１ａ 半導体装置 １ｂ 半導体装置（正ベンドタイプ） １ｃ 半導体装置（逆ベンドタイプ） ２ ＩＣチップ ３ 内部リード ４ バンプ ５ 導電体 ６ａ Ａ面 ６ｂ Ｂ面 ７ａ 外部端子 ７ｂ 外部端子 ８ モールド樹脂 ９ 基板 １０ 配線 １１ 液状の導電体 １２ 外部端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 島本 晴夫 兵庫県伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機 株式会社北伊丹製作所内
Claims (6)
- 【請求項１】 ＩＣチップと、該ＩＣチップを封止する
モールド樹脂と、前記ＩＣチップの端子をモールド樹脂
パッケージ外部に引き出すリードとを有する半導体装置
において、 前記リードは、 前記ＩＣチップの端子に接続され、上記モールド樹脂内
部に設けられた内部リードと、 該内部リードに接続され、その一部が前記モールド樹脂
からなるパッケージの上面，下面の両面に突出した導電
体とからなることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 ＩＣチップと、該ＩＣチップを封止する
モールド樹脂と、前記ＩＣチップの端子をモールド樹脂
パッケージ外部に引き出すリードとを有する半導体装置
の製造方法において、 上記ＩＣチップの端子に内部リードを接続する工程と、 該内部リードに導電体を取り付ける工程と、 上記導電体の一部が上記モールド樹脂パッケージの上
面，下面の両面に突出するように上記ＩＣチップ，内部
リード及び導電体をモールド樹脂で封止する工程とを含
むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 ＩＣチップと、該ＩＣチップを封止する
モールド樹脂と、前記ＩＣチップの端子をモールド樹脂
パッケージ外部に引き出すリードとを有する半導体装置
の製造方法において、 上記ＩＣチップの端子に、導電体が一体成形された内部
リードを接続する工程と、 上記導電体の一部が上記モールド樹脂パッケージの上
面，下面の両面に突出するように上記ＩＣチップ，内部
リード及び導電体をモールド樹脂で封止する工程とを含
むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 ＩＣチップと、該ＩＣチップを封止する
モールド樹脂と、前記ＩＣチップの端子をモールド樹脂
パッケージ外部に引き出すリードとを有する半導体装置
の製造方法において、 上記ＩＣチップの端子に内部リードを接続する工程と、 上記ＩＣチップ及び内部リードをモールド樹脂でパッケ
ージ封止する工程と、 上記モールド樹脂パッケージに、上記内部リードと接点
を持ちかつ該パッケージの上面，下面に貫通する穴を形
成する工程と、 上記モールド樹脂パッケージの穴部に、その一部が前記
内部リードと電気的に接続するとともに、他の一部が上
記モールド樹脂からなるパッケージの上面，下面の両面
に突出する導電体を形成する工程とを備えたことを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 固体状の導電体を上記穴部に挿入して上
記導電体を形成することを特徴とする請求項４記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 液体状の導電体を上記穴部に流入した後
硬化させて上記導電体を形成することを特徴とする請求
項４記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4118380A JPH05291474A (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4118380A JPH05291474A (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291474A true JPH05291474A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=14735270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4118380A Pending JPH05291474A (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05291474A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7352052B2 (en) | 2004-04-30 | 2008-04-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
-
1992
- 1992-04-10 JP JP4118380A patent/JPH05291474A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7352052B2 (en) | 2004-04-30 | 2008-04-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
| US7932605B2 (en) | 2004-04-30 | 2011-04-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
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