JPH05291486A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH05291486A JPH05291486A JP4085269A JP8526992A JPH05291486A JP H05291486 A JPH05291486 A JP H05291486A JP 4085269 A JP4085269 A JP 4085269A JP 8526992 A JP8526992 A JP 8526992A JP H05291486 A JPH05291486 A JP H05291486A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】半導体素子１，１´には、回路形成面１ａ，１
ａ´が対向するように配置され、半導体素子１，１´の
回路形成面１ａ，１ａ´の電極を除く面に絶縁部材３，
３´が、そして、第一リードフレーム４，４´が絶縁部
材３，３´にそれぞれ接着，接合される。半導体素子
１，１´の回路形成面１ａ，１ａ´の中央部の電極と第
一リードフレーム４，４´は、金属細線５，５´によっ
て電気的に接続される。 【効果】半導体素子周囲のリードを樹脂に固定する部分
の長さを短くでき、半導体装置の外形寸法が大形化せ
ず、充分なリード固定強度が得られ、半導体装置の高集
積化が達成できる。
ａ´が対向するように配置され、半導体素子１，１´の
回路形成面１ａ，１ａ´の電極を除く面に絶縁部材３，
３´が、そして、第一リードフレーム４，４´が絶縁部
材３，３´にそれぞれ接着，接合される。半導体素子
１，１´の回路形成面１ａ，１ａ´の中央部の電極と第
一リードフレーム４，４´は、金属細線５，５´によっ
て電気的に接続される。 【効果】半導体素子周囲のリードを樹脂に固定する部分
の長さを短くでき、半導体装置の外形寸法が大形化せ
ず、充分なリード固定強度が得られ、半導体装置の高集
積化が達成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高集積化に適した樹脂
封止型半導体装置に関する。
封止型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より樹脂封止型半導体装置では、半
導体素子を素子搭載部であるタブの上に固定するととも
に、タブの周囲に複数のリードを配設し、半導体素子と
リードを金属細線によって電気的に接続して、その周囲
を樹脂で封止する構造が採用されている。
導体素子を素子搭載部であるタブの上に固定するととも
に、タブの周囲に複数のリードを配設し、半導体素子と
リードを金属細線によって電気的に接続して、その周囲
を樹脂で封止する構造が採用されている。
【０００３】近年、半導体装置の高集積化を達成するた
め、２個以上の半導体素子を搭載した半導体装置に対す
る要求が強くなっている。従来のようにタブ上に半導体
素子を固定した構造で、複数の半導体素子を搭載した構
造は、特開昭62−8529号公報，特開昭62−131555号公
報，特開昭62−119952号公報および特開昭63−124450号
公報に開示されたものがある。
め、２個以上の半導体素子を搭載した半導体装置に対す
る要求が強くなっている。従来のようにタブ上に半導体
素子を固定した構造で、複数の半導体素子を搭載した構
造は、特開昭62−8529号公報，特開昭62−131555号公
報，特開昭62−119952号公報および特開昭63−124450号
公報に開示されたものがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、それ
ぞれ以下に示すような課題があるため実用化には至って
いない。すなわち、特開昭62−8529号公報および特開昭
62−131555号公報に開示されているようなタブの両側に
半導体素子を搭載する構造では、片面の素子上の電極と
リードフレームを金属細線で接続した後に、反対面の金
属細線接続を行う必要がある。この構造では、最初に接
続した金属細線にダメージを与えないで反対側の金属細
線の接続を行うことが困難である。
ぞれ以下に示すような課題があるため実用化には至って
いない。すなわち、特開昭62−8529号公報および特開昭
62−131555号公報に開示されているようなタブの両側に
半導体素子を搭載する構造では、片面の素子上の電極と
リードフレームを金属細線で接続した後に、反対面の金
属細線接続を行う必要がある。この構造では、最初に接
続した金属細線にダメージを与えないで反対側の金属細
線の接続を行うことが困難である。
【０００５】特開昭63−124450号公報に開示されている
ような２段のリードフレームを樹脂封止する構造では、
通常用いられているトランスファモールドで量産的にこ
れを製造することが困難である。
ような２段のリードフレームを樹脂封止する構造では、
通常用いられているトランスファモールドで量産的にこ
れを製造することが困難である。
【０００６】特開昭62−119952号公報に開示されている
ようなパッケージ内部でリードフレームどうしを接合し
て一つのパッケージを構成する構造では、樹脂封止の前
にリードフレームを成型することが困難であり、パッケ
ージが厚くなるため、高集積化の観点からはあまり意味
がない。
ようなパッケージ内部でリードフレームどうしを接合し
て一つのパッケージを構成する構造では、樹脂封止の前
にリードフレームを成型することが困難であり、パッケ
ージが厚くなるため、高集積化の観点からはあまり意味
がない。
【０００７】さらに、従来技術で開示されているような
タブ上に半導体素子を固定する構造では、半導体装置の
外形寸法を一定のままで半導体素子の寸法を大形化して
いくと、リードを樹脂に固定する部分の長さが不足し、
リードに充分な固定強度を与えられないという問題が生
じる。
タブ上に半導体素子を固定する構造では、半導体装置の
外形寸法を一定のままで半導体素子の寸法を大形化して
いくと、リードを樹脂に固定する部分の長さが不足し、
リードに充分な固定強度を与えられないという問題が生
じる。
【０００８】また従来構造では、半導体素子側面の近傍
に配置されたリードと素子上の電極を金属細線により接
続するため、電極の位置が素子の周端部に限定される。
このため、特開昭61−241959号公報に開示されているよ
うなリードが半導体素子の回路形成面上まで延長された
パッケージ（以下、リード・オン・チップ構造、略して
ＬＯＣ構造と称する。）で用いられる素子、すなわち、
電極が素子の中央付近に設けられた素子二個を一つのパ
ッケージに搭載する場合には用いることができない。
に配置されたリードと素子上の電極を金属細線により接
続するため、電極の位置が素子の周端部に限定される。
このため、特開昭61−241959号公報に開示されているよ
うなリードが半導体素子の回路形成面上まで延長された
パッケージ（以下、リード・オン・チップ構造、略して
ＬＯＣ構造と称する。）で用いられる素子、すなわち、
電極が素子の中央付近に設けられた素子二個を一つのパ
ッケージに搭載する場合には用いることができない。
【０００９】本発明の目的は、複数の半導体素子を半導
体装置内に搭載しても、半導体装置の外形寸法が大形化
せず、充分なリード固定強度が得られ、ＬＯＣ構造の半
導体素子が搭載可能で、さらに量産性の良好なパッケー
ジ構造を提供することにある。
体装置内に搭載しても、半導体装置の外形寸法が大形化
せず、充分なリード固定強度が得られ、ＬＯＣ構造の半
導体素子が搭載可能で、さらに量産性の良好なパッケー
ジ構造を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は少なくとも２個のＬＯＣ構造の半導体素子
の電極と第一のリードフレームをそれぞれ電気的に接続
し、第一のリードフレームを第二のリードフレームに接
合した。
め、本発明は少なくとも２個のＬＯＣ構造の半導体素子
の電極と第一のリードフレームをそれぞれ電気的に接続
し、第一のリードフレームを第二のリードフレームに接
合した。
【００１１】本発明の樹脂封止型半導体装置は、少なく
とも二個のＬＯＣ構造半導体素子の回路形成面どうしが
対向するように半導体素子を配置し、各半導体素子の電
極を除く回路形成面上に絶縁部材を介して第一のリード
フレームを配設し、第一のリードフレームと半導体素子
の電極をそれぞれ、例えば、金属細線で電気的に接続
し、第一のリードフレームをそれぞれ第二のリードフレ
ームに接合し、これらの周囲を樹脂で封止してパッケー
ジを形成したものであり、以下のいずれかの構成を特徴
とする。
とも二個のＬＯＣ構造半導体素子の回路形成面どうしが
対向するように半導体素子を配置し、各半導体素子の電
極を除く回路形成面上に絶縁部材を介して第一のリード
フレームを配設し、第一のリードフレームと半導体素子
の電極をそれぞれ、例えば、金属細線で電気的に接続
し、第一のリードフレームをそれぞれ第二のリードフレ
ームに接合し、これらの周囲を樹脂で封止してパッケー
ジを形成したものであり、以下のいずれかの構成を特徴
とする。
【００１２】（１）半導体素子の電極と金属細線などに
よって電気的に接続された第一のリードフレームを第二
のリードフレームに接合する。
よって電気的に接続された第一のリードフレームを第二
のリードフレームに接合する。
【００１３】（２)(１）において、第一のリードフレー
ムと第二のリードフレームを溶接により接合する。
ムと第二のリードフレームを溶接により接合する。
【００１４】（３)(１）において、第一のリードフレー
ムと第二のリードフレームをはんだにより接合する。
ムと第二のリードフレームをはんだにより接合する。
【００１５】（４)(１）において、第一のリードフレー
ムの板厚を第二のリードフレームより薄くする。
ムの板厚を第二のリードフレームより薄くする。
【００１６】（５)(１）において、第一のリードフレー
ムの板幅を第二のリードフレームより小さくする。
ムの板幅を第二のリードフレームより小さくする。
【００１７】（６)(１）において、第一のリードフレー
ムと第二のリードフレームに使用する材料を変える。
ムと第二のリードフレームに使用する材料を変える。
【００１８】
【作用】本発明による半導体装置のパッケージでは、半
導体素子の中央付近に電極が配置されたＬＯＣ構造の半
導体素子を用いても、一つのパッケージ内に２個以上の
半導体素子を搭載することができる。
導体素子の中央付近に電極が配置されたＬＯＣ構造の半
導体素子を用いても、一つのパッケージ内に２個以上の
半導体素子を搭載することができる。
【００１９】また、ＬＯＣ構造の半導体素子を用いるこ
とによって、半導体素子を半導体装置の外形近傍まで大
きくすることができ、高集積化が達成される。
とによって、半導体素子を半導体装置の外形近傍まで大
きくすることができ、高集積化が達成される。
【００２０】さらに、本発明によるパッケージは、ＬＯ
Ｃ構造パッケージの製造技術、レーザ溶接または抵抗溶
接による接合技術などの従来技術をそのまま適用できる
ため、量産性が良好である。
Ｃ構造パッケージの製造技術、レーザ溶接または抵抗溶
接による接合技術などの従来技術をそのまま適用できる
ため、量産性が良好である。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１および図２に
よって説明する。
よって説明する。
【００２２】図１は本発明の一実施例である樹脂封止型
半導体装置の断面図である。図２は図１に示した樹脂封
止型半導体装置の第二リードフレームから下の部分を取
り除いた平面図である。本実施例では、半導体素子１，
１´は、その回路形成面１ａ，１ａ´どうしが対向する
ように配置されている。半導体素子１，１´の回路形成
面１ａ，１ａ´の電極２，２´を除く面に接着剤によっ
て絶縁部材３，３´が接合されており、同じく接着剤に
より、第一リードフレーム４，４´が絶縁部材３，３´
にそれぞれ接合されている。半導体素子１，１´の回路
形成面１ａ，１ａ´の中央部に設けられた電極２，２´
と第一リードフレーム４，４´は、金属細線５，５´に
よって電気的に接続されている。第一リードフレーム
４，４´は、それぞれ第二リードフレーム６にパッケー
ジの長辺側の端部で接合されている。これらの部材は封
止樹脂７により封止されている。
半導体装置の断面図である。図２は図１に示した樹脂封
止型半導体装置の第二リードフレームから下の部分を取
り除いた平面図である。本実施例では、半導体素子１，
１´は、その回路形成面１ａ，１ａ´どうしが対向する
ように配置されている。半導体素子１，１´の回路形成
面１ａ，１ａ´の電極２，２´を除く面に接着剤によっ
て絶縁部材３，３´が接合されており、同じく接着剤に
より、第一リードフレーム４，４´が絶縁部材３，３´
にそれぞれ接合されている。半導体素子１，１´の回路
形成面１ａ，１ａ´の中央部に設けられた電極２，２´
と第一リードフレーム４，４´は、金属細線５，５´に
よって電気的に接続されている。第一リードフレーム
４，４´は、それぞれ第二リードフレーム６にパッケー
ジの長辺側の端部で接合されている。これらの部材は封
止樹脂７により封止されている。
【００２３】次に、本実施例に示した樹脂封止型半導体
装置の製造方法を説明する。半導体素子１，１´の回路
形成面１ａ，１´ａに、両面に接着剤が塗布されている
絶縁部材３，３´を介して第一リードフレーム４，４´
を接着する。次に半導体素子１，１´の電極２，２´と
第一リードフレーム４，４´を金属細線５，５´によっ
てそれぞれ電気的に接続する。このように構成した二組
の部材をその回路形成面１ａ，１ａ´どうしを対向さ
せ、第一リードフレーム４，４´をそれぞれ第二リード
フレーム６に接合する。第一リードフレーム４，４´と
第二リードフレーム６の接合は、レーザ溶接，抵抗溶接
あるいははんだなどによって行う。第一リードフレーム
４，４´と第二リードフレーム６の接合後、第一リード
フレーム４，４´の接合部８，８´から外側の部分を切
断し、その後、これらを樹脂７で封止する。第二リード
フレーム６の一端は、パッケージの外側で所定の形状に
成型され、図１に示した半導体装置が得られる。
装置の製造方法を説明する。半導体素子１，１´の回路
形成面１ａ，１´ａに、両面に接着剤が塗布されている
絶縁部材３，３´を介して第一リードフレーム４，４´
を接着する。次に半導体素子１，１´の電極２，２´と
第一リードフレーム４，４´を金属細線５，５´によっ
てそれぞれ電気的に接続する。このように構成した二組
の部材をその回路形成面１ａ，１ａ´どうしを対向さ
せ、第一リードフレーム４，４´をそれぞれ第二リード
フレーム６に接合する。第一リードフレーム４，４´と
第二リードフレーム６の接合は、レーザ溶接，抵抗溶接
あるいははんだなどによって行う。第一リードフレーム
４，４´と第二リードフレーム６の接合後、第一リード
フレーム４，４´の接合部８，８´から外側の部分を切
断し、その後、これらを樹脂７で封止する。第二リード
フレーム６の一端は、パッケージの外側で所定の形状に
成型され、図１に示した半導体装置が得られる。
【００２４】本実施例によれば、従来の技術を用いて中
央部に電極が設けられたＬＯＣ構造の半導体素子２個を
一つのパッケージに搭載することができる。また、半導
体素子周辺のリードを樹脂に固定する部分の長さを小さ
くすることができるので、限られた外形寸法のパッケー
ジの中により大きな半導体素子を搭載することができ、
半導体装置の高集積化が図れる。
央部に電極が設けられたＬＯＣ構造の半導体素子２個を
一つのパッケージに搭載することができる。また、半導
体素子周辺のリードを樹脂に固定する部分の長さを小さ
くすることができるので、限られた外形寸法のパッケー
ジの中により大きな半導体素子を搭載することができ、
半導体装置の高集積化が図れる。
【００２５】絶縁部材３，３´は、エポキシ系樹脂，フ
ェノール樹脂，ポリイミド樹脂などから選択された一種
または複数の樹脂を主成分とし、これに必要に応じて無
機質フィラー、各種添加剤などを加えた材料を使用す
る。
ェノール樹脂，ポリイミド樹脂などから選択された一種
または複数の樹脂を主成分とし、これに必要に応じて無
機質フィラー、各種添加剤などを加えた材料を使用す
る。
【００２６】第一リードフレーム４，４´および第二リ
ードフレーム６は、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ合金（Ｆｅ−４
２Ｎｉなど）、Ｃｕ合金などで形成されている。
ードフレーム６は、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ合金（Ｆｅ−４
２Ｎｉなど）、Ｃｕ合金などで形成されている。
【００２７】金属細線５，５´にはアルミニウム（Ａ
ｌ）、金（Ａｕ）あるいは銅（Ｃｕ）などの細線を使用
する。
ｌ）、金（Ａｕ）あるいは銅（Ｃｕ）などの細線を使用
する。
【００２８】樹脂７には、フェノール系硬化剤，シリコ
ーンゴムおよびフィラーが添加されたエポキシ樹脂を使
用し、この他に難燃化剤，カップリング剤，着色剤など
が若干量添加されている。
ーンゴムおよびフィラーが添加されたエポキシ樹脂を使
用し、この他に難燃化剤，カップリング剤，着色剤など
が若干量添加されている。
【００２９】第二リードフレーム６がパッケージの外部
に引き出されている方向は、図１および図２に示したよ
うな２方向に限定するものではなく、１方向あるいは３
方向以上であっても良い。さらに図では第二リードフレ
ーム６をパッケージの外部で下方に折り曲げ、その先端
をパッケージの下面まで曲げたＪベンド型を例にとって
示してあるが、第二リードフレーム６は任意の方向，形
状に折り曲げても良いし、また折り曲げなくとも良い。
に引き出されている方向は、図１および図２に示したよ
うな２方向に限定するものではなく、１方向あるいは３
方向以上であっても良い。さらに図では第二リードフレ
ーム６をパッケージの外部で下方に折り曲げ、その先端
をパッケージの下面まで曲げたＪベンド型を例にとって
示してあるが、第二リードフレーム６は任意の方向，形
状に折り曲げても良いし、また折り曲げなくとも良い。
【００３０】図１に示した実施例では、第一リードフレ
ーム４，４´と第二リードフレーム６をパッケージの内
部で接合する例を示したが、図３に示すように、パッケ
ージの外側で第一リードフレーム４，４´と第二リード
フレーム６を接合したものでもよい。
ーム４，４´と第二リードフレーム６をパッケージの内
部で接合する例を示したが、図３に示すように、パッケ
ージの外側で第一リードフレーム４，４´と第二リード
フレーム６を接合したものでもよい。
【００３１】また、図１および図３に示した実施例で
は、第一リードフレーム４，４´を、接合部８，８´か
ら外側部分で切断する例を示したが、図４に示すように
第一リードフレーム４，４´を切断せず、パッケージの
外側で第二リードフレーム６とともに成型してもよい。
は、第一リードフレーム４，４´を、接合部８，８´か
ら外側部分で切断する例を示したが、図４に示すように
第一リードフレーム４，４´を切断せず、パッケージの
外側で第二リードフレーム６とともに成型してもよい。
【００３２】また、図１に示した実施例では、第一リー
ドフレーム４，４´と第二リードフレーム６の板厚およ
び板幅を同一にした例を示したが、図５に示すように第
一リードフレーム４，４´の板厚を第二リードフレーム
６より薄くしてもよい。また、図６に示すように第一リ
ードフレーム４，４´の板幅を第二リードフレーム６よ
り小さくしたものでも良い。このように第一リードフレ
ーム４，４´の板厚あるいは板幅を第二リードフレーム
６より小さくすることによって、第一リードフレーム
４，４´と第二リードフレーム６の接合が容易に行な
え、接合と同時に第一リードフレーム４，４´を切断で
きる。
ドフレーム４，４´と第二リードフレーム６の板厚およ
び板幅を同一にした例を示したが、図５に示すように第
一リードフレーム４，４´の板厚を第二リードフレーム
６より薄くしてもよい。また、図６に示すように第一リ
ードフレーム４，４´の板幅を第二リードフレーム６よ
り小さくしたものでも良い。このように第一リードフレ
ーム４，４´の板厚あるいは板幅を第二リードフレーム
６より小さくすることによって、第一リードフレーム
４，４´と第二リードフレーム６の接合が容易に行な
え、接合と同時に第一リードフレーム４，４´を切断で
きる。
【００３３】さらに、第一リードフレーム４，４´と第
二リードフレーム６は同一の材料で構成しても、異なる
材料で構成してもよい。
二リードフレーム６は同一の材料で構成しても、異なる
材料で構成してもよい。
【００３４】図７は本発明の他の実施例を示す樹脂封止
型半導体装置の断面図、図８は図７に示した樹脂封止型
半導体装置の第二リードフレーム６から下の部分を取り
除いた平面図である。本実施例では、半導体素子１，１
´は、その回路形成面１ａ，１ａ´どうしが対向するよ
うに配置されている。半導体素子１，１´の回路形成面
１ａ，１ａ´の電極２，２´を除く面に接着剤によって
絶縁部材３，３´が接合されており、同じく接着剤によ
り、第一リードフレーム４，４´が絶縁部材３，３´に
それぞれ接合されている。半導体素子１,１´の回路形
成面１ａ,１ａ´の短辺側端部に設けられた電極２，２
´と第一リードフレーム４，４´は、金属細線５，５´
によって電気的に接続されている。第一リードフレーム
４，４´は、それぞれ第二リードフレーム６にパッケー
ジの長辺側端部で接合されている。これらの部材は封止
樹脂７により封止される。
型半導体装置の断面図、図８は図７に示した樹脂封止型
半導体装置の第二リードフレーム６から下の部分を取り
除いた平面図である。本実施例では、半導体素子１，１
´は、その回路形成面１ａ，１ａ´どうしが対向するよ
うに配置されている。半導体素子１，１´の回路形成面
１ａ，１ａ´の電極２，２´を除く面に接着剤によって
絶縁部材３，３´が接合されており、同じく接着剤によ
り、第一リードフレーム４，４´が絶縁部材３，３´に
それぞれ接合されている。半導体素子１,１´の回路形
成面１ａ,１ａ´の短辺側端部に設けられた電極２，２
´と第一リードフレーム４，４´は、金属細線５，５´
によって電気的に接続されている。第一リードフレーム
４，４´は、それぞれ第二リードフレーム６にパッケー
ジの長辺側端部で接合されている。これらの部材は封止
樹脂７により封止される。
【００３５】本実施例によれば、端部に電極が設けられ
たＬＯＣ構造の半導体素子２個を用いても、一つのパッ
ケージに搭載することができる。また、半導体素子周辺
のリードを樹脂に固定する部分の長さを小さくすること
ができるので、限られた外形寸法のパッケージの中によ
り大きな半導体素子を搭載することができ、半導体装置
の高集積化が図れる。
たＬＯＣ構造の半導体素子２個を用いても、一つのパッ
ケージに搭載することができる。また、半導体素子周辺
のリードを樹脂に固定する部分の長さを小さくすること
ができるので、限られた外形寸法のパッケージの中によ
り大きな半導体素子を搭載することができ、半導体装置
の高集積化が図れる。
【００３６】
【発明の効果】本発明によれば、ＬＯＣ構造の半導体素
子を用いることができるので、複数の半導体素子を半導
体装置内に搭載しても、半導体装置の外形寸法が大形化
せず、充分なリード固定強度が得られ、半導体装置の高
集積化が達成できる。
子を用いることができるので、複数の半導体素子を半導
体装置内に搭載しても、半導体装置の外形寸法が大形化
せず、充分なリード固定強度が得られ、半導体装置の高
集積化が達成できる。
【図１】本発明の一実施例を示す樹脂封止型半導体装置
の断面図。
の断面図。
【図２】図１の電極の位置を示す平面図。
【図３】図１の第一リードフレームと第二リードフレー
ムの他の接合方法を示す断面図。
ムの他の接合方法を示す断面図。
【図４】本発明の第二の実施例を示す樹脂封止型半導体
装置の断面図。
装置の断面図。
【図５】図１の第一リードフレームの板厚を、第二リー
ドフレームより薄くした例を示す断面図。
ドフレームより薄くした例を示す断面図。
【図６】図１の第一リードフレームの板幅を、第二リー
ドフレームより小さくした例を示す断面図。
ドフレームより小さくした例を示す断面図。
【図７】本発明の第三の実施例を示す樹脂封止型半導体
装置の断面図。
装置の断面図。
【図８】図７の電極の位置を示す平面図。
１，１´…半導体素子、１ａ，１ａ´…回路形成面、
２，２´…電極、３，３´…絶縁部材、４，４´…第一
リードフレーム、５，５´…金属細線、６…第二リード
フレーム、７…樹脂、８，８´…接合部。
２，２´…電極、３，３´…絶縁部材、４，４´…第一
リードフレーム、５，５´…金属細線、６…第二リード
フレーム、７…樹脂、８，８´…接合部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 25/18 (72)発明者 小幡 まや 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 (72)発明者 河野 竜治 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内
Claims (7)
- 【請求項１】半導体素子と、リードの集合体から成るリ
ードフレームと前記半導体素子と前記リードフレームと
を電気的に接続する手段を設け、これらの周囲を樹脂で
封止してパッケージを形成した樹脂封止型半導体装置に
おいて、複数の前記半導体素子を用い、前記半導体素子
の回路形成面どうしが対向しており、それぞれの前記半
導体素子の回路形成面上の電極を除く部分の少なくとも
一部分に絶縁部材を接着し、前記絶縁部材上に第一のリ
ードフレームをそれぞれ配設し、前記第一のリードフレ
ームと前記半導体素子上の前記電極とをそれぞれ電気的
に接続し、前記第一のリードフレームをそれぞれ第二の
リードフレームに接合したことを特徴とする樹脂封止型
半導体装置。 - 【請求項２】請求項１において、前記半導体素子上の前
記電極と前記第一のリードフレームとを金属細線により
電気的に接続した樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】請求項１において、前記第一のリードフレ
ームと前記第二のリードフレームを溶接により接合した
樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項４】請求項１において、前記第一のリードフレ
ームと前記第二のリードフレームをはんだにより接合し
た樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項５】請求項１において、前記第一のリードフレ
ームの板厚を前記第二のリードフレームより薄くした樹
脂封止型半導体装置。 - 【請求項６】請求項１において、前記第一のリードフレ
ームの板幅を前記第二のリードフレームより小さくした
樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項７】請求項１において、前記第一のリードフレ
ームと前記第二のリードフレームを異なる材料で構成し
た樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4085269A JPH05291486A (ja) | 1992-04-07 | 1992-04-07 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4085269A JPH05291486A (ja) | 1992-04-07 | 1992-04-07 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291486A true JPH05291486A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=13853854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4085269A Pending JPH05291486A (ja) | 1992-04-07 | 1992-04-07 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05291486A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6864566B2 (en) | 2001-08-21 | 2005-03-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Duel die package |
| DE19747105B4 (de) * | 1996-12-27 | 2005-05-12 | Lg Semicon Co. Ltd., Cheongju | Bauelement mit gestapelten Halbleiterchips |
-
1992
- 1992-04-07 JP JP4085269A patent/JPH05291486A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19747105B4 (de) * | 1996-12-27 | 2005-05-12 | Lg Semicon Co. Ltd., Cheongju | Bauelement mit gestapelten Halbleiterchips |
| US6864566B2 (en) | 2001-08-21 | 2005-03-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Duel die package |
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