JPH08111491A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH08111491A JPH08111491A JP6246080A JP24608094A JPH08111491A JP H08111491 A JPH08111491 A JP H08111491A JP 6246080 A JP6246080 A JP 6246080A JP 24608094 A JP24608094 A JP 24608094A JP H08111491 A JPH08111491 A JP H08111491A
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- bed
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- resin
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、放熱板を設けてなる樹脂封止型半導
体装置において、放熱特性を損うことなく、ボンディン
グの接合性を飛躍的に向上できるようにすることを最も
主要な特徴とする。 【構成】たとえば、半導体チップ１１が搭載されるベッ
ド１３の外側に間隙を有して放熱板１４を配置する。デ
プレスにより、吊りピン１５を折り曲げて熱板１４をベ
ッド１３よりも高い位置に配置する。この放熱板１４の
下面に、熱可塑性テープ１６によりリードフレーム１７
を固着する。そして、そのインナリード１７ａとチップ
１１上の電極パッド１１ａとをＡｕワイヤ１８を介して
個々に接続した後、周囲を樹脂１９により封止する構成
とされている。このように、インナリード１７ａのボン
ド点の直下に熱可塑性テープ１６を配しない構成とする
ことで、絶縁テープの影響を受けずに、安定したボンデ
ィングが可能となる。
体装置において、放熱特性を損うことなく、ボンディン
グの接合性を飛躍的に向上できるようにすることを最も
主要な特徴とする。 【構成】たとえば、半導体チップ１１が搭載されるベッ
ド１３の外側に間隙を有して放熱板１４を配置する。デ
プレスにより、吊りピン１５を折り曲げて熱板１４をベ
ッド１３よりも高い位置に配置する。この放熱板１４の
下面に、熱可塑性テープ１６によりリードフレーム１７
を固着する。そして、そのインナリード１７ａとチップ
１１上の電極パッド１１ａとをＡｕワイヤ１８を介して
個々に接続した後、周囲を樹脂１９により封止する構成
とされている。このように、インナリード１７ａのボン
ド点の直下に熱可塑性テープ１６を配しない構成とする
ことで、絶縁テープの影響を受けずに、安定したボンデ
ィングが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、たとえば放熱板を設
けてなる半導体装置に関するもので、特に高出力で大型
の半導体素子の搭載に適した樹脂封止型半導体装置に使
用されるものである。
けてなる半導体装置に関するもので、特に高出力で大型
の半導体素子の搭載に適した樹脂封止型半導体装置に使
用されるものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、塵埃などから保護するために、半
導体チップを樹脂により封止してなる樹脂封止型半導体
装置が実用化されている。また、この種の樹脂封止型半
導体装置においては、封止された半導体チップの熱放散
を目的として放熱板を設けた装置も開発されている。
導体チップを樹脂により封止してなる樹脂封止型半導体
装置が実用化されている。また、この種の樹脂封止型半
導体装置においては、封止された半導体チップの熱放散
を目的として放熱板を設けた装置も開発されている。
【０００３】図１０は、熱放散性の向上を図った樹脂封
止型半導体装置の一構成例を示すものである。この半導
体装置の場合、半導体チップ１は、ダイボンドペースト
２によってベッド（放熱板）３上にダイボンドされる。
ベッド３上には、絶縁テープ４を介してリードフレーム
５のインナリード５ａが接着される。絶縁テープ４とし
ては、たとえば熱硬化性テープあるいは高ガラス転移温
度点を有する熱可塑性テープが用いられる。ベッド３お
よびリードフレーム５は、熱伝導性の良いカッパ（Ｃ
ｕ）により形成されている。
止型半導体装置の一構成例を示すものである。この半導
体装置の場合、半導体チップ１は、ダイボンドペースト
２によってベッド（放熱板）３上にダイボンドされる。
ベッド３上には、絶縁テープ４を介してリードフレーム
５のインナリード５ａが接着される。絶縁テープ４とし
ては、たとえば熱硬化性テープあるいは高ガラス転移温
度点を有する熱可塑性テープが用いられる。ベッド３お
よびリードフレーム５は、熱伝導性の良いカッパ（Ｃ
ｕ）により形成されている。
【０００４】そして、半導体チップ１の電極とリードフ
レーム５のインナリード５ａとが金（Ａｕ）ワイヤ６に
よりボンディング接続され、その周囲が樹脂７によりパ
ッケージングされている。リードフレーム５のアウタリ
ード５ｂは、図示の如く、パッケージング後に所定の形
状にフォーミングされる。
レーム５のインナリード５ａとが金（Ａｕ）ワイヤ６に
よりボンディング接続され、その周囲が樹脂７によりパ
ッケージングされている。リードフレーム５のアウタリ
ード５ｂは、図示の如く、パッケージング後に所定の形
状にフォーミングされる。
【０００５】このような構成の樹脂封止型半導体装置に
おいては、半導体チップ１から発生する熱は、放熱板を
兼用するベッド３、このベッド３に貼り付けられたリー
ドフレーム５を経て、外部に放散される。
おいては、半導体チップ１から発生する熱は、放熱板を
兼用するベッド３、このベッド３に貼り付けられたリー
ドフレーム５を経て、外部に放散される。
【０００６】しかしながら、上記した構成の樹脂封止型
半導体装置の場合、ベッド３の上に絶縁テープ４により
インナリード５ａが貼り付けられているため、次のよう
な問題点があった。
半導体装置の場合、ベッド３の上に絶縁テープ４により
インナリード５ａが貼り付けられているため、次のよう
な問題点があった。
【０００７】たとえば、上記絶縁テープ４が熱硬化性テ
ープの場合、図１１に示すように、リードフレーム５を
ベッド３に貼り付けた後に加熱によってテープを硬化さ
せなければならず、テープキュアの工程が必要となる。
このテープキュア時にはテープからアウトガスが発生す
るため、このアウトガスがインナリード５ａに付着する
ことにより、金ワイヤ６とインナリード５ａとのボンデ
ィング性を著しく低下させるという欠点があった。
ープの場合、図１１に示すように、リードフレーム５を
ベッド３に貼り付けた後に加熱によってテープを硬化さ
せなければならず、テープキュアの工程が必要となる。
このテープキュア時にはテープからアウトガスが発生す
るため、このアウトガスがインナリード５ａに付着する
ことにより、金ワイヤ６とインナリード５ａとのボンデ
ィング性を著しく低下させるという欠点があった。
【０００８】インナリード５ａに付着したアウトガス
は、テープキュア後の洗浄により取り除くことができ
る。しかし、洗浄のための工程が１つ増え、その分、コ
ストが上がる。
は、テープキュア後の洗浄により取り除くことができ
る。しかし、洗浄のための工程が１つ増え、その分、コ
ストが上がる。
【０００９】同様に、ダイボンドペースト２のキュア工
程においても、テープからのアウトガスによってインナ
リード５ａは汚染される。通常、テープキュアの後に、
ペースト２のキュア工程があり、このキュア時に、テー
プからアウトガスが発生してインナリード５ａに付着す
る。しかし、このとき付着したガスは、半導体チップ１
へのダメージを配慮すると、洗浄により取り除くことが
できない。
程においても、テープからのアウトガスによってインナ
リード５ａは汚染される。通常、テープキュアの後に、
ペースト２のキュア工程があり、このキュア時に、テー
プからアウトガスが発生してインナリード５ａに付着す
る。しかし、このとき付着したガスは、半導体チップ１
へのダメージを配慮すると、洗浄により取り除くことが
できない。
【００１０】一方、絶縁テープ４に熱可塑性テープを用
いた場合、図１２に示すように、熱可塑性テープは高温
で軟化させてベッド３とリードフレーム５とを貼り付け
た後、常温での硬化により相互を固着させるので、キュ
ア工程は必要ない。したがって、アウトガスによるイン
ナリード５ａの汚染は、熱硬化性テープに比べると問題
にはならない。このように、熱可塑性テープの場合に
は、キュアや洗浄の工程が不要となり、熱硬化性テープ
を用いる場合よりも、製造プロセスにおける工程数を削
減できる。
いた場合、図１２に示すように、熱可塑性テープは高温
で軟化させてベッド３とリードフレーム５とを貼り付け
た後、常温での硬化により相互を固着させるので、キュ
ア工程は必要ない。したがって、アウトガスによるイン
ナリード５ａの汚染は、熱硬化性テープに比べると問題
にはならない。このように、熱可塑性テープの場合に
は、キュアや洗浄の工程が不要となり、熱硬化性テープ
を用いる場合よりも、製造プロセスにおける工程数を削
減できる。
【００１１】ところが、一般に用いられる熱可塑性テー
プは、ボンディングの際に加えられる温度により容易に
軟化され、ベッド３とインナリード５ａとの貼り合わせ
を不安定なものとするという不具合があった。
プは、ボンディングの際に加えられる温度により容易に
軟化され、ベッド３とインナリード５ａとの貼り合わせ
を不安定なものとするという不具合があった。
【００１２】すなわち、ワイヤボンディング時には、ベ
ッド３の下に熱源（図示していない）が置かれ、インナ
リード５ａが金ワイヤ６との接合のための合金化に適し
た温度に保たれるようになっている。熱可塑性テープ
は、金ワイヤ６とインナリード５ａとをボンディング接
続する接合点（２´ｎｄボンド点）の直下にあるため、
ボンディング時の温度によって軟化されると、ボンディ
ングの際にかかる上からの力によりインナリード５ａの
位置を維持できなくなり、これがボンディング性を低下
させる原因となっていた。
ッド３の下に熱源（図示していない）が置かれ、インナ
リード５ａが金ワイヤ６との接合のための合金化に適し
た温度に保たれるようになっている。熱可塑性テープ
は、金ワイヤ６とインナリード５ａとをボンディング接
続する接合点（２´ｎｄボンド点）の直下にあるため、
ボンディング時の温度によって軟化されると、ボンディ
ングの際にかかる上からの力によりインナリード５ａの
位置を維持できなくなり、これがボンディング性を低下
させる原因となっていた。
【００１３】ボンディング時の温度よりもさらに高い温
度で軟化する熱可塑性テープを使用することも考えられ
るが、この場合、非常に高い温度で貼り付けを行わなけ
ればならない。このため、テープの膨張が大きくなり、
常温により硬化する際にリードフレーム５の反りを生じ
させる結果となる。
度で軟化する熱可塑性テープを使用することも考えられ
るが、この場合、非常に高い温度で貼り付けを行わなけ
ればならない。このため、テープの膨張が大きくなり、
常温により硬化する際にリードフレーム５の反りを生じ
させる結果となる。
【００１４】また、ボンディング時の温度を低くした場
合には、接合の際の合金化の状態が悪くなり、結局は、
金ワイヤ６とインナリード５ａとのボンディング性を低
下させることになる。
合には、接合の際の合金化の状態が悪くなり、結局は、
金ワイヤ６とインナリード５ａとのボンディング性を低
下させることになる。
【００１５】いずれの場合においても、構造上、２´ｎ
ｄボンド点への熱源からの熱の伝わり（効率）が悪いも
のとなっている。たとえば、ベッド３とインナリード５
ａとの間には絶縁テープ４が存在するため、ベッド３の
下に置かれた熱源からの熱がインナリード５ａに非常に
伝わり難い構造となっており、ボンディング性の確保に
は構造的に不利なものとなっている。
ｄボンド点への熱源からの熱の伝わり（効率）が悪いも
のとなっている。たとえば、ベッド３とインナリード５
ａとの間には絶縁テープ４が存在するため、ベッド３の
下に置かれた熱源からの熱がインナリード５ａに非常に
伝わり難い構造となっており、ボンディング性の確保に
は構造的に不利なものとなっている。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
においては、２´ｎｄボンド点の直下に絶縁テープがあ
るため、ワイヤボンディングの接合性が悪いという問題
があった。そこで、この発明は、放熱特性を損うことな
く、接合性を向上することが可能な半導体装置を提供す
ることを目的としている。
においては、２´ｎｄボンド点の直下に絶縁テープがあ
るため、ワイヤボンディングの接合性が悪いという問題
があった。そこで、この発明は、放熱特性を損うことな
く、接合性を向上することが可能な半導体装置を提供す
ることを目的としている。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の半導体装置にあっては、電極を有する
半導体素子と、この素子が搭載される素子搭載部と、こ
の搭載部の外側に間隙を有して配置され、かつ部分的に
前記搭載部につながる放熱部と、この放熱部の一面に固
着され、かつ先端部が前記搭載部と前記放熱部との間の
間隙に延在されて、前記半導体素子の電極とワイヤボン
ディング接続されるリード配線と、このリード配線の前
記ボンディング点を含んで前記半導体素子を封止する封
止体とから構成されている。
めに、この発明の半導体装置にあっては、電極を有する
半導体素子と、この素子が搭載される素子搭載部と、こ
の搭載部の外側に間隙を有して配置され、かつ部分的に
前記搭載部につながる放熱部と、この放熱部の一面に固
着され、かつ先端部が前記搭載部と前記放熱部との間の
間隙に延在されて、前記半導体素子の電極とワイヤボン
ディング接続されるリード配線と、このリード配線の前
記ボンディング点を含んで前記半導体素子を封止する封
止体とから構成されている。
【００１８】
【作用】この発明は、上記した手段により、ボンディン
グに有利な構造とすることが可能となるため、絶縁テー
プの影響を受けることなく、安定にボンディングできる
ようになるものである。
グに有利な構造とすることが可能となるため、絶縁テー
プの影響を受けることなく、安定にボンディングできる
ようになるものである。
【００１９】
【実施例】以下、この発明の一実施例について図面を参
照して説明する。図１は、本発明にかかる樹脂封止型半
導体装置を、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａ
ｇｅ）タイプを例に示すものである。なお、同図（ａ）
は内部を透視して示す樹脂封止型半導体装置の平面図で
あり、同図（ｂ）は同図（ａ）におけるＡ−Ａ´線に沿
う略断面図である。
照して説明する。図１は、本発明にかかる樹脂封止型半
導体装置を、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａ
ｇｅ）タイプを例に示すものである。なお、同図（ａ）
は内部を透視して示す樹脂封止型半導体装置の平面図で
あり、同図（ｂ）は同図（ａ）におけるＡ−Ａ´線に沿
う略断面図である。
【００２０】すなわち、この半導体装置の場合、半導体
チップ１１は、ダイボンドペースト１２によってベッド
１３上にダイボンドされる。半導体チップ１１は略正方
形状とされ、その表面には、各辺に沿って複数の電極パ
ッド１１ａが配置されている。ベッド１３には、これに
部分的につながる放熱板１４が設けられている。
チップ１１は、ダイボンドペースト１２によってベッド
１３上にダイボンドされる。半導体チップ１１は略正方
形状とされ、その表面には、各辺に沿って複数の電極パ
ッド１１ａが配置されている。ベッド１３には、これに
部分的につながる放熱板１４が設けられている。
【００２１】たとえば、ベッド１３および放熱板１４
は、熱伝導性の良いカッパ（Ｃｕ）板を用いて一体的に
形成されている。この場合、Ｃｕ板のエッチングまたは
打ち抜きにより、ベッド１３は上記半導体チップ１１よ
りも少し大きい略正方形状に、放熱板１４は上記ベッド
１３の周囲を囲む枠状にそれぞれ形成され、相互が吊り
ピン１５により対角線上でつながれている。すなわち、
ベッド１３と放熱板１４とは、各辺の相互間が、それぞ
れ略台形状の開口分だけ離間配置されている。そして、
デプレスにより吊りピン１５の部分が折り曲げられて、
放熱板１４はベッド１３の上方に段差を有して異なる平
面に配置されている。
は、熱伝導性の良いカッパ（Ｃｕ）板を用いて一体的に
形成されている。この場合、Ｃｕ板のエッチングまたは
打ち抜きにより、ベッド１３は上記半導体チップ１１よ
りも少し大きい略正方形状に、放熱板１４は上記ベッド
１３の周囲を囲む枠状にそれぞれ形成され、相互が吊り
ピン１５により対角線上でつながれている。すなわち、
ベッド１３と放熱板１４とは、各辺の相互間が、それぞ
れ略台形状の開口分だけ離間配置されている。そして、
デプレスにより吊りピン１５の部分が折り曲げられて、
放熱板１４はベッド１３の上方に段差を有して異なる平
面に配置されている。
【００２２】上記放熱板１４の下面には、絶縁テープ１
６を介してリードフレーム１７が接着される。リードフ
レーム１７は、インナリード１７ａとアウタリード１７
ｂとからなる複数のリード配線によって形成される。リ
ードフレーム１７の各リード配線は、上記半導体チップ
１１の電極パッド１１ａのそれぞれに対応して設けら
れ、インナリード１７ａのそれぞれが上記ベッド１３お
よび放熱板１４の相互と上記吊りピン１５との間におけ
る略台形状の開口内に突出されている。アウタリード１
７ｂ側は、各リード配線の相互が接続されて一体的に形
成されている。上記絶縁テープ１６としては、たとえば
高ガラス転移温度点を有する熱可塑性テープが用いられ
る。
６を介してリードフレーム１７が接着される。リードフ
レーム１７は、インナリード１７ａとアウタリード１７
ｂとからなる複数のリード配線によって形成される。リ
ードフレーム１７の各リード配線は、上記半導体チップ
１１の電極パッド１１ａのそれぞれに対応して設けら
れ、インナリード１７ａのそれぞれが上記ベッド１３お
よび放熱板１４の相互と上記吊りピン１５との間におけ
る略台形状の開口内に突出されている。アウタリード１
７ｂ側は、各リード配線の相互が接続されて一体的に形
成されている。上記絶縁テープ１６としては、たとえば
高ガラス転移温度点を有する熱可塑性テープが用いられ
る。
【００２３】リードフレーム１７の各インナリード１７
ａは、金（Ａｕ）ワイヤ１８により半導体チップ１１の
各電極パッド１１ａと電気的に接続される。この金ワイ
ヤ１８を用いたボンディング接続は、たとえばインナリ
ード１７ａを含むベッド１３の下に熱源（図示していな
い）が置かれ、インナリード１７ａのそれぞれが金ワイ
ヤ１８との接合のための合金化に適した温度に保たれた
状態で行われる。この場合、各インナリード１７ａの下
面を上記ベッド１３の下面と略一致させておくことによ
り、絶縁テープ１６を介することなく、熱源からの熱を
インナリード１７ａに直に伝えることが可能となる。こ
れにより、インナリード１７ａ上の２´ｎｄボンド点へ
の熱源からの熱の伝わりを効率の良いものとすることが
できるなど、ボンディング性の確保には構造的に有利な
ものとなっている。
ａは、金（Ａｕ）ワイヤ１８により半導体チップ１１の
各電極パッド１１ａと電気的に接続される。この金ワイ
ヤ１８を用いたボンディング接続は、たとえばインナリ
ード１７ａを含むベッド１３の下に熱源（図示していな
い）が置かれ、インナリード１７ａのそれぞれが金ワイ
ヤ１８との接合のための合金化に適した温度に保たれた
状態で行われる。この場合、各インナリード１７ａの下
面を上記ベッド１３の下面と略一致させておくことによ
り、絶縁テープ１６を介することなく、熱源からの熱を
インナリード１７ａに直に伝えることが可能となる。こ
れにより、インナリード１７ａ上の２´ｎｄボンド点へ
の熱源からの熱の伝わりを効率の良いものとすることが
できるなど、ボンディング性の確保には構造的に有利な
ものとなっている。
【００２４】しかも、２´ｎｄボンド点の直下には何も
ない、つまりインナリード１７ａの下には絶縁テープ１
６が存在しないため、ボンディング時の温度によって熱
可塑性テープが軟化されたとしても、これによりボンデ
ィング性が低下されることもない。
ない、つまりインナリード１７ａの下には絶縁テープ１
６が存在しないため、ボンディング時の温度によって熱
可塑性テープが軟化されたとしても、これによりボンデ
ィング性が低下されることもない。
【００２５】半導体チップ１１は、上記２´ｎｄボンド
点を含んで、その周囲が樹脂１９によりパッケージング
されている。このパッケージングは、たとえば図示して
いない金型によって、上記２´ｎｄボンド点を含む半導
体チップ１１の上下が挟持され、その金型のキャビティ
内に溶融された樹脂１９が流し込まれる。そして、この
樹脂１９が十分に硬化した後、金型を取り外すことで行
われる。
点を含んで、その周囲が樹脂１９によりパッケージング
されている。このパッケージングは、たとえば図示して
いない金型によって、上記２´ｎｄボンド点を含む半導
体チップ１１の上下が挟持され、その金型のキャビティ
内に溶融された樹脂１９が流し込まれる。そして、この
樹脂１９が十分に硬化した後、金型を取り外すことで行
われる。
【００２６】リードフレーム１７のアウタリード１７ｂ
は、パッケージングの後に、一括して所定の形状にフォ
ーミングされ、さらに個々のリード端子に切り離され
る。次に、上記した構成の樹脂封止型半導体装置の製造
プロセスについて簡単に説明する。
は、パッケージングの後に、一括して所定の形状にフォ
ーミングされ、さらに個々のリード端子に切り離され
る。次に、上記した構成の樹脂封止型半導体装置の製造
プロセスについて簡単に説明する。
【００２７】樹脂封止型半導体装置を製造するに際して
は、あらかじめ、Ｃｕ板のエッチングまたは打ち抜きに
より一体的に形成され、さらにデプレスによって段差の
付けられたベッド１３と放熱板１４、Ｃｕ板のエッチン
グまたは打ち抜きにより一体的に形成された、インナリ
ード１７ａおよびアウタリード１７ｂのみからなるリー
ドフレーム１７、およびウェハ上に形成されて、ダイシ
ングにより切り出された半導体チップ１１がそれぞれに
用意される。
は、あらかじめ、Ｃｕ板のエッチングまたは打ち抜きに
より一体的に形成され、さらにデプレスによって段差の
付けられたベッド１３と放熱板１４、Ｃｕ板のエッチン
グまたは打ち抜きにより一体的に形成された、インナリ
ード１７ａおよびアウタリード１７ｂのみからなるリー
ドフレーム１７、およびウェハ上に形成されて、ダイシ
ングにより切り出された半導体チップ１１がそれぞれに
用意される。
【００２８】まず、ベッド１３と一体的に設けられた放
熱板１４の、その下面のそれぞれに、リードフレーム１
７が絶縁テープ１６を介して接着される。この場合、熱
可塑性テープを高温で軟化させて放熱板１４とインナリ
ード１７ａとを貼り合せた後、常温での熱可塑性テープ
の硬化により相互が固着される。
熱板１４の、その下面のそれぞれに、リードフレーム１
７が絶縁テープ１６を介して接着される。この場合、熱
可塑性テープを高温で軟化させて放熱板１４とインナリ
ード１７ａとを貼り合せた後、常温での熱可塑性テープ
の硬化により相互が固着される。
【００２９】そして、ウェハより個々に切り出された半
導体チップ１１が、ベッド１３上にダイボンドペースト
１２を介して搭載される。この半導体チップ１１は、上
記ダイボンドペースト１２のキュアが行われることによ
ってベッド１３上に固着される。
導体チップ１１が、ベッド１３上にダイボンドペースト
１２を介して搭載される。この半導体チップ１１は、上
記ダイボンドペースト１２のキュアが行われることによ
ってベッド１３上に固着される。
【００３０】この後、ベッド１３の下に置かれる、熱源
からの熱によってインナリード１７ａが合金化に適した
温度に保たれた状態でワイヤボンディングが行われて、
Ａｕワイヤ１８により半導体チップ１１の電極パッド１
１ａとインナリード１７ａとがそれぞれに接続される。
からの熱によってインナリード１７ａが合金化に適した
温度に保たれた状態でワイヤボンディングが行われて、
Ａｕワイヤ１８により半導体チップ１１の電極パッド１
１ａとインナリード１７ａとがそれぞれに接続される。
【００３１】しかる後、ベッド１３上にダイボンドされ
た半導体チップ１１は次段のモールド工程に送られ、そ
の周囲が樹脂１９によりパッケージングされる。そし
て、このパッケージングの後に、リードフレーム１７の
アウタリード１７ｂが所定の形状にフォーミングされ、
さらにリード端子ごとに切り離されることにより、図１
に示した樹脂封止型半導体装置が製造される。
た半導体チップ１１は次段のモールド工程に送られ、そ
の周囲が樹脂１９によりパッケージングされる。そし
て、このパッケージングの後に、リードフレーム１７の
アウタリード１７ｂが所定の形状にフォーミングされ、
さらにリード端子ごとに切り離されることにより、図１
に示した樹脂封止型半導体装置が製造される。
【００３２】上記したように、ワイヤボンディングにと
って有利な構造としている。すなわち、放熱板の下面に
インナリードを固着させるように構成することで、放熱
板がインナリードの上面に配置された構造としている。
これにより、インナリード上の２´ｎｄボンド点の下に
は、ワイヤボンディングのボンディング性を害するよう
なテープが不在となり、インナリードに熱源からの熱を
直に伝えることが可能となるなど、絶縁テープの影響を
受けることなく、安定したボンディングが行えるように
なる。したがって、放熱特性を損うことなしに、ボンデ
ィング性を飛躍的に向上できるようになるものである。
って有利な構造としている。すなわち、放熱板の下面に
インナリードを固着させるように構成することで、放熱
板がインナリードの上面に配置された構造としている。
これにより、インナリード上の２´ｎｄボンド点の下に
は、ワイヤボンディングのボンディング性を害するよう
なテープが不在となり、インナリードに熱源からの熱を
直に伝えることが可能となるなど、絶縁テープの影響を
受けることなく、安定したボンディングが行えるように
なる。したがって、放熱特性を損うことなしに、ボンデ
ィング性を飛躍的に向上できるようになるものである。
【００３３】しかも、ベッドとインナリードとの接着性
を保つために、たとえばインナリードの汚染の原因とな
るアウトガスを発生する熱硬化性テープ、または高ガラ
ス転移温度点（Ｔｇ＝２４０℃以上）の高い熱可塑性テ
ープを、わざわざ使用する必要がない。このため、絶縁
テープとして使用できるテープの制約を緩和でき、テー
プ選択の自由度を広げることが可能となる。
を保つために、たとえばインナリードの汚染の原因とな
るアウトガスを発生する熱硬化性テープ、または高ガラ
ス転移温度点（Ｔｇ＝２４０℃以上）の高い熱可塑性テ
ープを、わざわざ使用する必要がない。このため、絶縁
テープとして使用できるテープの制約を緩和でき、テー
プ選択の自由度を広げることが可能となる。
【００３４】なお、上記実施例においては、半導体チッ
プ１１から発生する熱が、ベッド１３、吊りピン１５、
放熱板１４、絶縁テープ１６、およびリードフレーム１
７を経て外部に放散されるように構成したが、これに限
らず、たとえば図２，図３，図４にそれぞれ示すよう
に、より大きな冷却効果が得られるように構成すること
もできる。
プ１１から発生する熱が、ベッド１３、吊りピン１５、
放熱板１４、絶縁テープ１６、およびリードフレーム１
７を経て外部に放散されるように構成したが、これに限
らず、たとえば図２，図３，図４にそれぞれ示すよう
に、より大きな冷却効果が得られるように構成すること
もできる。
【００３５】因みに、図２には、放熱板１４を樹脂１９
の上面より露出させるように構成してなる樹脂封止型半
導体装置の略断面が、図３には、ベッド１３を樹脂１９
の下面より露出させるように構成してなる樹脂封止型半
導体装置の略断面が、図４には、ベッド１３および放熱
板１４をそれぞれ樹脂１９の表面より露出させるように
構成してなる樹脂封止型半導体装置の略断面がそれぞれ
示されている。
の上面より露出させるように構成してなる樹脂封止型半
導体装置の略断面が、図３には、ベッド１３を樹脂１９
の下面より露出させるように構成してなる樹脂封止型半
導体装置の略断面が、図４には、ベッド１３および放熱
板１４をそれぞれ樹脂１９の表面より露出させるように
構成してなる樹脂封止型半導体装置の略断面がそれぞれ
示されている。
【００３６】また、リードフレーム１７は、放熱板１４
の下面に接着する場合に限らず、たとえば図５，図６に
それぞれ示すように、リードフレーム１７を放熱板１４
の上面に接着するように構成することも可能である。
の下面に接着する場合に限らず、たとえば図５，図６に
それぞれ示すように、リードフレーム１７を放熱板１４
の上面に接着するように構成することも可能である。
【００３７】因みに、図５には、放熱板１４をベッド１
３の下方に段差を有して配置し、このベッド１３の下面
にダイボンドされた半導体チップ１１の電極パッド１１
ａと、放熱板１４の上面に絶縁テープ１６を介して接着
されたリードフレーム１７のインナリード１７ａとを、
それぞれＡｕワイヤ１８により接続するように構成して
なる樹脂封止型半導体装置の略断面が、図６には、放熱
板１４をベッド１３の下方に段差を有して配置し、この
ベッド１３の上面にダイボンドされた半導体チップ１１
の電極パッド１１ａと、放熱板１４の上面に絶縁テープ
１６を介して接着されたリードフレーム１７のインナリ
ード１７ａとを、それぞれＡｕワイヤ１８により接続す
るように構成してなる樹脂封止型半導体装置の略断面
が、それぞれ示されている。
３の下方に段差を有して配置し、このベッド１３の下面
にダイボンドされた半導体チップ１１の電極パッド１１
ａと、放熱板１４の上面に絶縁テープ１６を介して接着
されたリードフレーム１７のインナリード１７ａとを、
それぞれＡｕワイヤ１８により接続するように構成して
なる樹脂封止型半導体装置の略断面が、図６には、放熱
板１４をベッド１３の下方に段差を有して配置し、この
ベッド１３の上面にダイボンドされた半導体チップ１１
の電極パッド１１ａと、放熱板１４の上面に絶縁テープ
１６を介して接着されたリードフレーム１７のインナリ
ード１７ａとを、それぞれＡｕワイヤ１８により接続す
るように構成してなる樹脂封止型半導体装置の略断面
が、それぞれ示されている。
【００３８】また、たとえば図７に示すように、放熱板
１４をベッド１３と同じ平面に配置し、このベッド１３
の上面にダイボンドされた半導体チップ１１の電極パッ
ド１１ａと、放熱板１４の下面に絶縁テープ１６を介し
て接着されたリードフレーム１７のインナリード１７ａ
とを、上記放熱板１４およびベッド１３の相互の開口面
内において、それぞれＡｕワイヤ１８により接続するよ
うに構成することも可能である。
１４をベッド１３と同じ平面に配置し、このベッド１３
の上面にダイボンドされた半導体チップ１１の電極パッ
ド１１ａと、放熱板１４の下面に絶縁テープ１６を介し
て接着されたリードフレーム１７のインナリード１７ａ
とを、上記放熱板１４およびベッド１３の相互の開口面
内において、それぞれＡｕワイヤ１８により接続するよ
うに構成することも可能である。
【００３９】また、ＱＦＰタイプの樹脂封止型半導体装
置に限らず、たとえば図８に示すＤＩＰ（Ｄｕａｌ Ｉ
ｎ−ｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）タイプや、図９に示す
ＳＩＰ（Ｓｉｎｇｌｅ Ｉｎ−ｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇ
ｅ）タイプなど、各種の樹脂封止型半導体装置への適用
が可能である。
置に限らず、たとえば図８に示すＤＩＰ（Ｄｕａｌ Ｉ
ｎ−ｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）タイプや、図９に示す
ＳＩＰ（Ｓｉｎｇｌｅ Ｉｎ−ｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇ
ｅ）タイプなど、各種の樹脂封止型半導体装置への適用
が可能である。
【００４０】これら、ＤＩＰタイプやＳＩＰタイプの樹
脂封止型半導体装置の場合においても、ベッド１３や放
熱板１４をそれぞれ樹脂１９の表面より露出させるよう
に構成することで、より大きな冷却効果が得られるよう
にすることが可能である。
脂封止型半導体装置の場合においても、ベッド１３や放
熱板１４をそれぞれ樹脂１９の表面より露出させるよう
に構成することで、より大きな冷却効果が得られるよう
にすることが可能である。
【００４１】同様に、リードフレーム１７を放熱板１４
の上面に接着するような構成とすることもできる。ま
た、上記したいずれの装置の場合にも、ベッドと放熱板
とを一体的に形成してなる場合に限らず、たとえばベッ
ドと放熱板とを別個に形成し、両者を熱伝導性の高い部
材を介して接合するような構成としても良い。
の上面に接着するような構成とすることもできる。ま
た、上記したいずれの装置の場合にも、ベッドと放熱板
とを一体的に形成してなる場合に限らず、たとえばベッ
ドと放熱板とを別個に形成し、両者を熱伝導性の高い部
材を介して接合するような構成としても良い。
【００４２】同様に、ボンディングのための熱源は、イ
ンナリードを含むベッドの下に配置する場合に限らず、
インナリード上の２´ｎｄボンド点に確実に熱が伝わる
ように、少なくともインナリードの下に配置されるもの
であれば良い。
ンナリードを含むベッドの下に配置する場合に限らず、
インナリード上の２´ｎｄボンド点に確実に熱が伝わる
ように、少なくともインナリードの下に配置されるもの
であれば良い。
【００４３】また、各部のサイズ、およびベッド１３に
対して放熱板１４を配置する位置などは、搭載する半導
体チップ１１の形状やサイズ、構成する樹脂封止型半導
体装置に応じて適宜変更可能なことはいうまでもない。
その他、この発明の要旨を変えない範囲において、種々
変形実施可能なことは勿論である。
対して放熱板１４を配置する位置などは、搭載する半導
体チップ１１の形状やサイズ、構成する樹脂封止型半導
体装置に応じて適宜変更可能なことはいうまでもない。
その他、この発明の要旨を変えない範囲において、種々
変形実施可能なことは勿論である。
【００４４】
【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、放熱特性を損うことなく、接合性を向上することが
可能な半導体装置を提供できる。
ば、放熱特性を損うことなく、接合性を向上することが
可能な半導体装置を提供できる。
【図１】この発明の一実施例にかかる樹脂封止型半導体
装置（ＱＦＰタイプ）の概略を示す構成図。
装置（ＱＦＰタイプ）の概略を示す構成図。
【図２】同じく、放熱板を樹脂の上面より露出させるよ
うに構成した場合を例に示す樹脂封止型半導体装置の略
断面図。
うに構成した場合を例に示す樹脂封止型半導体装置の略
断面図。
【図３】同じく、ベッドを樹脂の下面より露出させるよ
うに構成した場合を例に示す樹脂封止型半導体装置の略
断面図。
うに構成した場合を例に示す樹脂封止型半導体装置の略
断面図。
【図４】同じく、ベッドおよび放熱板をそれぞれ樹脂の
表面より露出させるように構成した場合を例に示す樹脂
封止型半導体装置の略断面図。
表面より露出させるように構成した場合を例に示す樹脂
封止型半導体装置の略断面図。
【図５】同じく、リードフレームを放熱板の上面に接着
するように構成した場合を例に示す樹脂封止型半導体装
置の略断面図。
するように構成した場合を例に示す樹脂封止型半導体装
置の略断面図。
【図６】同じく、リードフレームを放熱板の上面に接着
するように構成した場合の他の例を示す樹脂封止型半導
体装置の略断面図。
するように構成した場合の他の例を示す樹脂封止型半導
体装置の略断面図。
【図７】同じく、放熱板とベッドとを同一平面上に配置
するように構成した場合を例に示す樹脂封止型半導体装
置の略断面図。
するように構成した場合を例に示す樹脂封止型半導体装
置の略断面図。
【図８】この発明の他の実施例にかかる樹脂封止型半導
体装置（ＤＩＰタイプ）の概略を示す構成図。
体装置（ＤＩＰタイプ）の概略を示す構成図。
【図９】同じく、樹脂封止型半導体装置（ＳＩＰタイ
プ）の概略を示す構成図。
プ）の概略を示す構成図。
【図１０】従来技術とその問題点を説明するために示す
樹脂封止型半導体装置の断面図。
樹脂封止型半導体装置の断面図。
【図１１】同じく、熱硬化性テープを用いた場合を例に
樹脂封止型半導体装置の製造プロセスを説明するために
示すフローチャート。
樹脂封止型半導体装置の製造プロセスを説明するために
示すフローチャート。
【図１２】同じく、熱可塑性テープを用いた場合を例に
樹脂封止型半導体装置の製造プロセスを説明するために
示すフローチャート。
樹脂封止型半導体装置の製造プロセスを説明するために
示すフローチャート。
１１…半導体チップ（半導体素子）、１１ａ…電極パッ
ド、１３…ベッド（素子搭載部）、１４…放熱板、１５
…吊りピン、１６…絶縁テープ（熱可塑性テープ）、１
７…リードフレーム、１８…Ａｕワイヤ、１９…樹脂
（封止体）。
ド、１３…ベッド（素子搭載部）、１４…放熱板、１５
…吊りピン、１６…絶縁テープ（熱可塑性テープ）、１
７…リードフレーム、１８…Ａｕワイヤ、１９…樹脂
（封止体）。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/12 23/28 Ｚ 6921−4Ｅ
Claims (6)
- 【請求項１】 電極を有する半導体素子と、 この素子が搭載される素子搭載部と、 この搭載部の外側に間隙を有して配置され、かつ部分的
に前記搭載部につながる放熱部と、 この放熱部の一面に固着され、かつ先端部が前記搭載部
と前記放熱部との間の間隙に延在されて、前記半導体素
子の電極とワイヤボンディング接続されるリード配線
と、 このリード配線の前記ボンディング点を含んで前記半導
体素子を封止する封止体とを具備したことを特徴とする
半導体装置。 - 【請求項２】 前記放熱部は、前記素子搭載部と異なる
平面に位置してなることを特徴とする請求項１に記載の
半導体装置。 - 【請求項３】 前記リード配線の下面と前記素子搭載部
の下面とが略一致していることを特徴とする請求項１に
記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記素子搭載部は、前記封止体の外部に
露出されてなることを特徴とする請求項１に記載の半導
体装置。 - 【請求項５】 前記放熱部は、前記封止体の外部に露出
されてなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装
置。 - 【請求項６】 前記リード配線は、熱可塑性テープを用
いて前記放熱部の一面に固着されることを特徴とする請
求項１に記載の半導体装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6246080A JPH08111491A (ja) | 1994-10-12 | 1994-10-12 | 半導体装置 |
| US08/532,110 US5583371A (en) | 1994-10-12 | 1995-09-22 | Resin-sealed semiconductor device capable of improving in heat radiation characteristics of resin-sealed semiconductor elements |
| KR1019950034834A KR0178623B1 (ko) | 1994-10-12 | 1995-10-11 | 반도체 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6246080A JPH08111491A (ja) | 1994-10-12 | 1994-10-12 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08111491A true JPH08111491A (ja) | 1996-04-30 |
Family
ID=17143188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6246080A Pending JPH08111491A (ja) | 1994-10-12 | 1994-10-12 | 半導体装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5583371A (ja) |
| JP (1) | JPH08111491A (ja) |
| KR (1) | KR0178623B1 (ja) |
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| KR100505838B1 (ko) * | 1997-03-18 | 2005-10-21 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 반도체장치및그제조방법 |
| KR100585583B1 (ko) * | 1998-07-23 | 2006-07-25 | 삼성테크윈 주식회사 | 반도체 팩키지 및 그 제조방법 |
| JP2013536585A (ja) * | 2010-08-25 | 2013-09-19 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 電気回路の製造方法および電気回路 |
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| JP2907186B2 (ja) * | 1997-05-19 | 1999-06-21 | 日本電気株式会社 | 半導体装置、その製造方法 |
| KR100431501B1 (ko) * | 1997-06-05 | 2004-10-02 | 삼성전자주식회사 | 고전력 패키지 구조 및 제조 방법 |
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| US6208020B1 (en) * | 1999-02-24 | 2001-03-27 | Matsushita Electronics Corporation | Leadframe for use in manufacturing a resin-molded semiconductor device |
| TW546806B (en) * | 1999-11-08 | 2003-08-11 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Semiconductor package with common lead frame and heat sink |
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| SG111919A1 (en) | 2001-08-29 | 2005-06-29 | Micron Technology Inc | Packaged microelectronic devices and methods of forming same |
| SG120879A1 (en) | 2002-08-08 | 2006-04-26 | Micron Technology Inc | Packaged microelectronic components |
| SG114585A1 (en) | 2002-11-22 | 2005-09-28 | Micron Technology Inc | Packaged microelectronic component assemblies |
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| SG135074A1 (en) | 2006-02-28 | 2007-09-28 | Micron Technology Inc | Microelectronic devices, stacked microelectronic devices, and methods for manufacturing such devices |
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| TW201011869A (en) * | 2008-09-10 | 2010-03-16 | Cyntec Co Ltd | Chip package structure |
| US11682609B2 (en) * | 2019-06-29 | 2023-06-20 | Texas Instruments Incorporated | Three-dimensional functional integration |
| CN112216658A (zh) * | 2019-07-10 | 2021-01-12 | 恩智浦美国有限公司 | 具有适应各种管芯尺寸的引线框架的半导体器件 |
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| JP2582013B2 (ja) * | 1991-02-08 | 1997-02-19 | 株式会社東芝 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
| JPS63240053A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JP2517691B2 (ja) * | 1990-01-29 | 1996-07-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US5227662A (en) * | 1990-05-24 | 1993-07-13 | Nippon Steel Corporation | Composite lead frame and semiconductor device using the same |
| KR930010072B1 (ko) * | 1990-10-13 | 1993-10-14 | 금성일렉트론 주식회사 | Ccd패키지 및 그 제조방법 |
| JPH04162556A (ja) * | 1990-10-25 | 1992-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | リードフレーム及びその製造方法 |
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1994
- 1994-10-12 JP JP6246080A patent/JPH08111491A/ja active Pending
-
1995
- 1995-09-22 US US08/532,110 patent/US5583371A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-10-11 KR KR1019950034834A patent/KR0178623B1/ko not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5583371A (en) | 1996-12-10 |
| KR0178623B1 (ko) | 1999-03-20 |
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