JPH0529175A - コンデンサアレイ及びその製造方法 - Google Patents
コンデンサアレイ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0529175A JPH0529175A JP3063051A JP6305191A JPH0529175A JP H0529175 A JPH0529175 A JP H0529175A JP 3063051 A JP3063051 A JP 3063051A JP 6305191 A JP6305191 A JP 6305191A JP H0529175 A JPH0529175 A JP H0529175A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- capacitor array
- substrate
- dielectric
- ceramic substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 誘電体磁器基板11として粒界絶縁型または
表面層絶縁型の半導体磁器基板を用い、対向電極として
前記誘電体磁器基板11の一面に共通電極14が、他面
に個別電極13が形成され、該個別電極13はX−Y方
向に互いに分離した複数個の固定電極12から構成され
ているコンデンサアレイ。 【効果】 固定電極12の組み合わせにより、誘電体磁
器基板11の厚みのばらつきによって生じる静電容量の
ばらつきを補正し、所望の取得容量を実現することがで
きる。またコンデンサアレイ10は半導体磁器基板で形
成されているので、誘電体磁器基板11を厚くしても大
きな静電容量を得ることができ、機械的強度、絶縁抵
抗、耐電圧が向上し、さらに取得容量の選定自由度が高
く、しかも取得容量の均一、一定化が図られたコンデン
サアレイ10を得ることができる。
表面層絶縁型の半導体磁器基板を用い、対向電極として
前記誘電体磁器基板11の一面に共通電極14が、他面
に個別電極13が形成され、該個別電極13はX−Y方
向に互いに分離した複数個の固定電極12から構成され
ているコンデンサアレイ。 【効果】 固定電極12の組み合わせにより、誘電体磁
器基板11の厚みのばらつきによって生じる静電容量の
ばらつきを補正し、所望の取得容量を実現することがで
きる。またコンデンサアレイ10は半導体磁器基板で形
成されているので、誘電体磁器基板11を厚くしても大
きな静電容量を得ることができ、機械的強度、絶縁抵
抗、耐電圧が向上し、さらに取得容量の選定自由度が高
く、しかも取得容量の均一、一定化が図られたコンデン
サアレイ10を得ることができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はコンデンサアレイ及びそ
の製造方法、より詳細には誘電体磁器基板に複数個のコ
ンデンサが形成されたコンデンサアレイ及びその製造方
法に関する。
の製造方法、より詳細には誘電体磁器基板に複数個のコ
ンデンサが形成されたコンデンサアレイ及びその製造方
法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、誘電体磁器基板に複数のコンデン
サが形成されたコンデンサアレイとしては、図8、図9
及び図10〜図12に示したようなものが知られてい
る。図8及び図9に示したコンデンサアレイ20は、対
向電極として誘電体磁器基板21の一面に複数個の個別
電極23が形成され、また他面に共通電極24が形成さ
れている。これら個別電極23及び共通電極24にはそ
れぞれリード端子25が半田付けされ、これら全体が絶
縁性樹脂からなる外装26で被覆された構造となってい
る。
サが形成されたコンデンサアレイとしては、図8、図9
及び図10〜図12に示したようなものが知られてい
る。図8及び図9に示したコンデンサアレイ20は、対
向電極として誘電体磁器基板21の一面に複数個の個別
電極23が形成され、また他面に共通電極24が形成さ
れている。これら個別電極23及び共通電極24にはそ
れぞれリード端子25が半田付けされ、これら全体が絶
縁性樹脂からなる外装26で被覆された構造となってい
る。
【0003】図10〜図12に示したコンデンサアレイ
30は、共通電極34が誘電体磁器基板31中に埋設さ
れ、他方、個別電極33が誘電体磁器基板31表面に複
数個形成された構造となっている。
30は、共通電極34が誘電体磁器基板31中に埋設さ
れ、他方、個別電極33が誘電体磁器基板31表面に複
数個形成された構造となっている。
【0004】また、一般に磁器コンデンサと呼ばれるも
のの中には半導体磁器コンデンサと呼称されるものがあ
り、この種の半導体磁器コンデンサは実効誘電率がきわ
めて大きいので、電子部品として利用価値が高い。特
に、粒界絶縁型の半導体磁器コンデンサでは温度特性等
が良好で、しかも大容量であり、コンデンサとして良質
の特性を有している。
のの中には半導体磁器コンデンサと呼称されるものがあ
り、この種の半導体磁器コンデンサは実効誘電率がきわ
めて大きいので、電子部品として利用価値が高い。特
に、粒界絶縁型の半導体磁器コンデンサでは温度特性等
が良好で、しかも大容量であり、コンデンサとして良質
の特性を有している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体磁器コン
デンサにおいては、実効誘電率がきわめて大きく、静電
容量が大きいが、電子部品として用いる場合等には、所
望の静電容量を得るために静電容量の調節を行なわなけ
ればならないことがある。
デンサにおいては、実効誘電率がきわめて大きく、静電
容量が大きいが、電子部品として用いる場合等には、所
望の静電容量を得るために静電容量の調節を行なわなけ
ればならないことがある。
【0006】図8及び図9に示したコンデンサアレイ2
0においても、静電容量を調節するために、つまり静電
容量を小さくするために、誘電体磁器基板21の実効誘
電率を小さくするか、個別電極23及び共通電極24の
電極面積を小さくするか、あるいは誘電体磁器基板21
の厚みを大きくする等の必要があるが、個別電極23ま
たは共通電極24の電極面積を小さくした場合、個別電
極23と共通電極24との位置合わせが困難となる。ま
た、個別電極23及び共通電極24の電極面積を小さく
すると、誘電体磁器基板21の厚さのばらつきや共通電
極24及び個別電極23の電極面積の誤差による静電容
量のばらつきが大きくなる。さらに、磁器コンデンサの
ような平行平板コンデンサの静電容量は数1に示したよ
うな式によって表わされるが、
0においても、静電容量を調節するために、つまり静電
容量を小さくするために、誘電体磁器基板21の実効誘
電率を小さくするか、個別電極23及び共通電極24の
電極面積を小さくするか、あるいは誘電体磁器基板21
の厚みを大きくする等の必要があるが、個別電極23ま
たは共通電極24の電極面積を小さくした場合、個別電
極23と共通電極24との位置合わせが困難となる。ま
た、個別電極23及び共通電極24の電極面積を小さく
すると、誘電体磁器基板21の厚さのばらつきや共通電
極24及び個別電極23の電極面積の誤差による静電容
量のばらつきが大きくなる。さらに、磁器コンデンサの
ような平行平板コンデンサの静電容量は数1に示したよ
うな式によって表わされるが、
【0007】
【数1】
【0008】誘電体磁器基板21が厚く、個別電極23
及び共通電極24の電極面積が小さいと、数1に示した
ような式にあてはまらなくなり、静電容量の調節が困難
となるという課題があった。
及び共通電極24の電極面積が小さいと、数1に示した
ような式にあてはまらなくなり、静電容量の調節が困難
となるという課題があった。
【0009】また、図10〜図12に示したコンデンサ
アレイ30においては、コンデンサとしての誘電体磁器
基板31が薄いため、絶縁抵抗や耐電圧が十分でないと
いう課題があった。
アレイ30においては、コンデンサとしての誘電体磁器
基板31が薄いため、絶縁抵抗や耐電圧が十分でないと
いう課題があった。
【0010】一般に誘電体磁器基板21、31は押し出
し成形やプレス成形によって製造されるが、これらの製
造方法を用いると、押し出し時等における原料及びバイ
ンダー等からなる材料の乾燥具合によって、各誘電体磁
器基板21、31の厚みに±5%程度のばらつきが生じ
ることがある。そこで、誘電体磁器基板21、31の厚
みのばらつきを防止するためには、押し出し圧力、開口
部の厚み設定等を微妙に調節しなくてはならないが、こ
れらの調節は困難であるため、各誘電体磁器基板21、
31の厚みにおけるばらつきが防止されず、さらには静
電容量にもばらつきが生じていた。また、各コンデンサ
アレイ20、30または一枚の誘電体磁器基板21、3
1内におけるコンデンサの静電容量を一定にするため
に、誘電体磁器基板21、31の厚みのばらつきに対応
して電極面積を微調節する方法があるが、従来のコンデ
ンサアレイ20、30では共通電極24、34及び個別
電極23、33を印刷、焼成した後、電極面積を調節す
ることは困難であり、トリミングは行なわれておらず、
電極形成後に静電容量を補正することはできないという
課題があった。
し成形やプレス成形によって製造されるが、これらの製
造方法を用いると、押し出し時等における原料及びバイ
ンダー等からなる材料の乾燥具合によって、各誘電体磁
器基板21、31の厚みに±5%程度のばらつきが生じ
ることがある。そこで、誘電体磁器基板21、31の厚
みのばらつきを防止するためには、押し出し圧力、開口
部の厚み設定等を微妙に調節しなくてはならないが、こ
れらの調節は困難であるため、各誘電体磁器基板21、
31の厚みにおけるばらつきが防止されず、さらには静
電容量にもばらつきが生じていた。また、各コンデンサ
アレイ20、30または一枚の誘電体磁器基板21、3
1内におけるコンデンサの静電容量を一定にするため
に、誘電体磁器基板21、31の厚みのばらつきに対応
して電極面積を微調節する方法があるが、従来のコンデ
ンサアレイ20、30では共通電極24、34及び個別
電極23、33を印刷、焼成した後、電極面積を調節す
ることは困難であり、トリミングは行なわれておらず、
電極形成後に静電容量を補正することはできないという
課題があった。
【0011】本発明は上記した課題に鑑み発明されたも
のであって、誘電体磁器基板の機械的強度が大きくて絶
縁抵抗及び耐電圧が高く、しかも取得容量の選定自由度
が高く、取得容量の均一、一定化が図られたコンデンサ
アレイ及びその製造方法を提供することを目的としてい
る。
のであって、誘電体磁器基板の機械的強度が大きくて絶
縁抵抗及び耐電圧が高く、しかも取得容量の選定自由度
が高く、取得容量の均一、一定化が図られたコンデンサ
アレイ及びその製造方法を提供することを目的としてい
る。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係るコンデンサアレイは、誘電体磁器基板に
複数個のコンデンサが形成されたコンデンサアレイにお
いて、前記誘電体磁器基板が粒界絶縁型または表面層絶
縁型の半導体磁器基板を用いて形成され、対向電極とし
て前記誘電体磁器基板の一面に共通電極が、他面に個別
電極が形成され、該個別電極はX−Y方向に互いに分離
した複数個の固定電極から構成されていることを特徴と
している。
に本発明に係るコンデンサアレイは、誘電体磁器基板に
複数個のコンデンサが形成されたコンデンサアレイにお
いて、前記誘電体磁器基板が粒界絶縁型または表面層絶
縁型の半導体磁器基板を用いて形成され、対向電極とし
て前記誘電体磁器基板の一面に共通電極が、他面に個別
電極が形成され、該個別電極はX−Y方向に互いに分離
した複数個の固定電極から構成されていることを特徴と
している。
【0013】また、本発明に係るコンデンサアレイの製
造方法は、粒界絶縁型または表面層絶縁型の半導体磁器
基板からなる誘電体磁器基板の両面に、電極材料を印刷
パターン(製版マスク)を用いて塗布した後焼成し、前
記誘電体磁器基板の一面に共通電極を、他面に複数個の
固定電極からなる複数個の個別電極を形成し、この後前
記共通電極と前記固定電極とにそれぞれリード端子を固
着することを特徴としている。
造方法は、粒界絶縁型または表面層絶縁型の半導体磁器
基板からなる誘電体磁器基板の両面に、電極材料を印刷
パターン(製版マスク)を用いて塗布した後焼成し、前
記誘電体磁器基板の一面に共通電極を、他面に複数個の
固定電極からなる複数個の個別電極を形成し、この後前
記共通電極と前記固定電極とにそれぞれリード端子を固
着することを特徴としている。
【0014】あるいは、本発明に係るコンデンサアレイ
の製造方法は、粒界絶縁型または表面層絶縁型の半導体
磁器基板からなる誘電体磁器基板の両面に、電極材料を
印刷パターン(製版マスク)を用いて塗布した後焼成
し、前記誘電体磁器基板の一面に共通電極を、他面に複
数個の個別電極を形成し、さらに該個別電極を焼成後に
トリミングすることによってこれら個別電極を複数個の
固定電極に分離し、この後前記共通電極と前記固定電極
とにそれぞれリード端子を固着させることを特徴として
いる。
の製造方法は、粒界絶縁型または表面層絶縁型の半導体
磁器基板からなる誘電体磁器基板の両面に、電極材料を
印刷パターン(製版マスク)を用いて塗布した後焼成
し、前記誘電体磁器基板の一面に共通電極を、他面に複
数個の個別電極を形成し、さらに該個別電極を焼成後に
トリミングすることによってこれら個別電極を複数個の
固定電極に分離し、この後前記共通電極と前記固定電極
とにそれぞれリード端子を固着させることを特徴として
いる。
【0015】
【作用】上記した構成によれば、誘電体磁器基板に複数
個のコンデンサが形成されたコンデンサアレイにおい
て、前記誘電体磁器基板が粒界絶縁型または表面層絶縁
型の半導体磁器基板を用いて形成され、対向電極として
前記誘電体磁器基板の一面に共通電極が、他面に個別電
極が形成され、該個別電極はX−Y方向に互いに分離し
た複数個の固定電極から構成されているので、所望の取
得容量が容易に実現される。つまり、前記コンデンサア
レイにおける複数個の前記固定電極は物理的にはそれぞ
れ分離しているが、電気的にはコンデンサが略並列に並
んだ分布定数回路とし作用し、例えば300pFの静電
容量を有するコンデンサに対応した固定電極が3個形成
され、これらのコンデンサが3個電気的に並列に接続さ
れれば、100pFの静電容量を有するコンデンサアレ
イが得られることとなる。また、前記誘電体磁器基板に
厚みのばらつきがある場合には、この誘電体磁器基板の
厚みのばらつきに対応して、適宜小さな電極面積の固定
電極を形成して組み合わせることにより、厚みのばらつ
きによって生じる静電容量のばらつきが補正されて、静
電容量の微調節が可能となる。さらに、この誘電体磁器
基板が粒界絶縁型または表面層絶縁型の半導体磁器基板
で形成されているので、素体自体の誘電率が大きく、コ
ンデンサに用いた場合には大きな静電容量を有するコン
デンサが得られる。従って、誘電体磁器基板を厚くして
も大きな静電容量が得られるため、誘電体磁器基板を厚
く設定して、機械的強度、絶縁抵抗、耐電圧を向上させ
られる。
個のコンデンサが形成されたコンデンサアレイにおい
て、前記誘電体磁器基板が粒界絶縁型または表面層絶縁
型の半導体磁器基板を用いて形成され、対向電極として
前記誘電体磁器基板の一面に共通電極が、他面に個別電
極が形成され、該個別電極はX−Y方向に互いに分離し
た複数個の固定電極から構成されているので、所望の取
得容量が容易に実現される。つまり、前記コンデンサア
レイにおける複数個の前記固定電極は物理的にはそれぞ
れ分離しているが、電気的にはコンデンサが略並列に並
んだ分布定数回路とし作用し、例えば300pFの静電
容量を有するコンデンサに対応した固定電極が3個形成
され、これらのコンデンサが3個電気的に並列に接続さ
れれば、100pFの静電容量を有するコンデンサアレ
イが得られることとなる。また、前記誘電体磁器基板に
厚みのばらつきがある場合には、この誘電体磁器基板の
厚みのばらつきに対応して、適宜小さな電極面積の固定
電極を形成して組み合わせることにより、厚みのばらつ
きによって生じる静電容量のばらつきが補正されて、静
電容量の微調節が可能となる。さらに、この誘電体磁器
基板が粒界絶縁型または表面層絶縁型の半導体磁器基板
で形成されているので、素体自体の誘電率が大きく、コ
ンデンサに用いた場合には大きな静電容量を有するコン
デンサが得られる。従って、誘電体磁器基板を厚くして
も大きな静電容量が得られるため、誘電体磁器基板を厚
く設定して、機械的強度、絶縁抵抗、耐電圧を向上させ
られる。
【0016】また、上記記載のコンデンサアレイの製造
方法は、粒界絶縁型または表面層絶縁型の半導体磁器基
板からなる誘電体磁器基板の両面に、電極材料を印刷パ
ターン(製版マスク)を用いて塗布した後焼成し、前記
誘電体磁器基板の一面に共通電極を、他面に複数個の固
定電極からなる複数個の個別電極を形成し、この後前記
共通電極と前記固定電極とにそれぞれリード端子を固着
するので、前記印刷パターンを用いることによって、容
易に複数個に分離された固定電極で構成される複数個の
個別電極を有するコンデンサアレイが製造され、複数個
の固定電極が組み合わされて所望の取得容量が実現され
たコンデンサアレイが得られる。さらに、誘電体磁器基
板に厚みのばらつきがある場合には、誘電体磁器基板の
厚みのばらつきに対応して、適宜小さな電極面積の固定
電極を形成して厚みのばらつきによって生じる静電容量
のばらつきを補正することにより、取得容量の選定自由
度が高く、しかも取得容量の均一、一定化が図られたコ
ンデンサアレイが得られる。
方法は、粒界絶縁型または表面層絶縁型の半導体磁器基
板からなる誘電体磁器基板の両面に、電極材料を印刷パ
ターン(製版マスク)を用いて塗布した後焼成し、前記
誘電体磁器基板の一面に共通電極を、他面に複数個の固
定電極からなる複数個の個別電極を形成し、この後前記
共通電極と前記固定電極とにそれぞれリード端子を固着
するので、前記印刷パターンを用いることによって、容
易に複数個に分離された固定電極で構成される複数個の
個別電極を有するコンデンサアレイが製造され、複数個
の固定電極が組み合わされて所望の取得容量が実現され
たコンデンサアレイが得られる。さらに、誘電体磁器基
板に厚みのばらつきがある場合には、誘電体磁器基板の
厚みのばらつきに対応して、適宜小さな電極面積の固定
電極を形成して厚みのばらつきによって生じる静電容量
のばらつきを補正することにより、取得容量の選定自由
度が高く、しかも取得容量の均一、一定化が図られたコ
ンデンサアレイが得られる。
【0017】あるいは、上記記載のコンデンサアレイの
製造方法は、粒界絶縁型または表面層絶縁型の半導体磁
器基板からなる誘電体磁器基板の両面に、電極材料を印
刷パターン(製版マスク)を用いて塗布した後焼成し、
前記誘電体磁器基板の一面に共通電極を、他面に複数個
の個別電極を形成し、さらに該個別電極を焼成後にトリ
ミングすることによってこれら個別電極を複数個の固定
電極に分離し、この後前記共通電極と前記固定電極とに
それぞれリード端子を固着するので、前記印刷パターン
を用いることによって、容易に複数個の個別電極が形成
され、さらに電極焼成後に容易にトリミングにより互い
に分離した複数個の固定電極が組み合わされて形成さ
れ、所望の取得容量が実現されたコンデンサアレイが得
られる。さらに、誘電体磁器基板に厚みのばらつきがあ
る場合には、誘電体磁器基板の厚みのばらつきに対応し
て、適宜トリミングにより固定電極の電極面積を調節す
ることにより厚みのばらつきによって生じる静電容量の
ばらつきを補正することができ、取得容量の選定自由度
が高く、しかも取得容量の均一、一定化が図られたコン
デンサアレイが得られる。
製造方法は、粒界絶縁型または表面層絶縁型の半導体磁
器基板からなる誘電体磁器基板の両面に、電極材料を印
刷パターン(製版マスク)を用いて塗布した後焼成し、
前記誘電体磁器基板の一面に共通電極を、他面に複数個
の個別電極を形成し、さらに該個別電極を焼成後にトリ
ミングすることによってこれら個別電極を複数個の固定
電極に分離し、この後前記共通電極と前記固定電極とに
それぞれリード端子を固着するので、前記印刷パターン
を用いることによって、容易に複数個の個別電極が形成
され、さらに電極焼成後に容易にトリミングにより互い
に分離した複数個の固定電極が組み合わされて形成さ
れ、所望の取得容量が実現されたコンデンサアレイが得
られる。さらに、誘電体磁器基板に厚みのばらつきがあ
る場合には、誘電体磁器基板の厚みのばらつきに対応し
て、適宜トリミングにより固定電極の電極面積を調節す
ることにより厚みのばらつきによって生じる静電容量の
ばらつきを補正することができ、取得容量の選定自由度
が高く、しかも取得容量の均一、一定化が図られたコン
デンサアレイが得られる。
【0018】
【実施例】以下本発明に係るコンデンサアレイ及びその
製造方法の実施例を説明する。
製造方法の実施例を説明する。
【0019】図1、図2及び図3中11は、誘電体磁器
基板を示しており、この誘電体磁器基板11は粒界絶縁
型または表面層絶縁型の半導体磁器基板で形成されてい
る。誘電体磁器基板11の一面には対向電極として共通
電極14が略L字状に形成されている。一方、他面に
は、それぞれ分離形成された複数個の固定電極12から
構成された個別電極13が複数個形成されている。また
共通電極14及び固定電極12の一部にリード端子15
が接続され、これらリード端子15は同一方向に導出さ
れて曲げ加工が施されており、誘電体磁器基体11の全
体及びリード端子15の一部は絶縁性樹脂により形成さ
れた外装16で被覆されている。
基板を示しており、この誘電体磁器基板11は粒界絶縁
型または表面層絶縁型の半導体磁器基板で形成されてい
る。誘電体磁器基板11の一面には対向電極として共通
電極14が略L字状に形成されている。一方、他面に
は、それぞれ分離形成された複数個の固定電極12から
構成された個別電極13が複数個形成されている。また
共通電極14及び固定電極12の一部にリード端子15
が接続され、これらリード端子15は同一方向に導出さ
れて曲げ加工が施されており、誘電体磁器基体11の全
体及びリード端子15の一部は絶縁性樹脂により形成さ
れた外装16で被覆されている。
【0020】なお、所望の取得容量が大きい場合は、共
通電極14の幅を太くして略誘電体磁器基板11の一面
略全面にわたって共通電極14を形成すればよく、一
方、所望の取得容量が小さい場合には共通電極14の幅
を細くして共通電極14の面積を小さくするか、あるい
は、小さい電極面積の固定電極12を所望の取得容量に
応じて複数個形成すればよい。次に、粒界絶縁型半導体
磁器からなる誘電体磁器基板11の製造方法を説明す
る。SrTiO3系を主成分とする磁器材料を主原料とし、原
料を半導体化するための原子価制御剤としてNb2O5 、Y2
O3等のうち少なくとも1種を0.1〜0.5mol%
と、磁器の性質の改良や特性の安定化等を行なう焼結助
剤としてCuO 、MnO2等のうち少なくとも1種を0.05
〜0.4mol%とをそれぞれ秤量配合し、混合した
後、バインダ、水及び分散剤とともに混練する。その
後、押し出し成形法によりシート状に成形し、このシー
ト状の成形体を金型プレス等により所定の大きさに切断
した。次に、切断された成形体を還元雰囲気(N2:99
〜85mol%、H2:1〜15mol%)中において、
1400〜1540℃の温度範囲で4〜6時間焼成(一
次焼成)し、半導体化させる。さらに、絶縁化ペースト
(Bi2O3 、CuO 及びNa2O等の混合ペースト)を塗布し、
成形体の結晶間に粒界絶縁化成分のイオンを拡散させ、
結晶粒界を絶縁化させるために、1000〜1300℃
の温度範囲で空気中において熱処理を行なった。
通電極14の幅を太くして略誘電体磁器基板11の一面
略全面にわたって共通電極14を形成すればよく、一
方、所望の取得容量が小さい場合には共通電極14の幅
を細くして共通電極14の面積を小さくするか、あるい
は、小さい電極面積の固定電極12を所望の取得容量に
応じて複数個形成すればよい。次に、粒界絶縁型半導体
磁器からなる誘電体磁器基板11の製造方法を説明す
る。SrTiO3系を主成分とする磁器材料を主原料とし、原
料を半導体化するための原子価制御剤としてNb2O5 、Y2
O3等のうち少なくとも1種を0.1〜0.5mol%
と、磁器の性質の改良や特性の安定化等を行なう焼結助
剤としてCuO 、MnO2等のうち少なくとも1種を0.05
〜0.4mol%とをそれぞれ秤量配合し、混合した
後、バインダ、水及び分散剤とともに混練する。その
後、押し出し成形法によりシート状に成形し、このシー
ト状の成形体を金型プレス等により所定の大きさに切断
した。次に、切断された成形体を還元雰囲気(N2:99
〜85mol%、H2:1〜15mol%)中において、
1400〜1540℃の温度範囲で4〜6時間焼成(一
次焼成)し、半導体化させる。さらに、絶縁化ペースト
(Bi2O3 、CuO 及びNa2O等の混合ペースト)を塗布し、
成形体の結晶間に粒界絶縁化成分のイオンを拡散させ、
結晶粒界を絶縁化させるために、1000〜1300℃
の温度範囲で空気中において熱処理を行なった。
【0021】このようにして得られた誘電体磁器基板1
1においては、誘電率が約1×104〜約1×105、磁
器層の厚みが500〜600μmであり、電極面積が約
1〜10mm2で静電容量が1×103〜1×104pF
となり大容量化が図られる。従って、誘電体磁器基板1
1を厚くしても大きな静電容量を得ることができるの
で、誘電体磁器基板11を厚く設定して、機械的強度、
絶縁抵抗、耐電圧を向上させることができる。なお、コ
ンデンサアレイ10において、外装16の厚みに比べて
誘電体磁器基板11の厚みは非常に小さいので、コンデ
ンサアレイ10全体の厚みは外装16の厚みによってほ
ぼ決まる。従って、上記のように誘電体磁器基板11の
厚みを大きくしても、コンデンサアレイ10全体の厚み
にまでは影響を及ぼすようなことはない。以下、コンデ
ンサアレイ10の製造方法を説明する。図4(a)、
(b)に示したように、矩形形状の上記した方法により
製造した半導体磁器基板を誘電体磁器基板11として用
いる。この誘電体磁器基板11の一面に共通電極14と
なる金属酸化物ペーストを塗布し(図5(a)、
(b))、他面に複数個の固定電極12となる金属酸化
物ペーストを塗布する(図6(a)、(b))。この塗
布はスクリーン印刷等により行なう。金属酸化物ペース
トの材料としてはAg、Al、ZnまたはNiのうち少
なくとも1種を含むものを用いる。特性上、銀ペースト
がもっとも望ましい。この後、金属酸化物ペーストを焼
き付けて、共通電極14及び固定電極12を形成する。
スクリーン印刷後の金属酸化物ペーストの焼き付けは7
00〜900℃の空気中で行なう。
1においては、誘電率が約1×104〜約1×105、磁
器層の厚みが500〜600μmであり、電極面積が約
1〜10mm2で静電容量が1×103〜1×104pF
となり大容量化が図られる。従って、誘電体磁器基板1
1を厚くしても大きな静電容量を得ることができるの
で、誘電体磁器基板11を厚く設定して、機械的強度、
絶縁抵抗、耐電圧を向上させることができる。なお、コ
ンデンサアレイ10において、外装16の厚みに比べて
誘電体磁器基板11の厚みは非常に小さいので、コンデ
ンサアレイ10全体の厚みは外装16の厚みによってほ
ぼ決まる。従って、上記のように誘電体磁器基板11の
厚みを大きくしても、コンデンサアレイ10全体の厚み
にまでは影響を及ぼすようなことはない。以下、コンデ
ンサアレイ10の製造方法を説明する。図4(a)、
(b)に示したように、矩形形状の上記した方法により
製造した半導体磁器基板を誘電体磁器基板11として用
いる。この誘電体磁器基板11の一面に共通電極14と
なる金属酸化物ペーストを塗布し(図5(a)、
(b))、他面に複数個の固定電極12となる金属酸化
物ペーストを塗布する(図6(a)、(b))。この塗
布はスクリーン印刷等により行なう。金属酸化物ペース
トの材料としてはAg、Al、ZnまたはNiのうち少
なくとも1種を含むものを用いる。特性上、銀ペースト
がもっとも望ましい。この後、金属酸化物ペーストを焼
き付けて、共通電極14及び固定電極12を形成する。
スクリーン印刷後の金属酸化物ペーストの焼き付けは7
00〜900℃の空気中で行なう。
【0022】さらにレーザーまたはカッターで固定電極
12の所定の部分を、静電容量が所定の取得容量の範囲
内に納まるようにトリミングする。
12の所定の部分を、静電容量が所定の取得容量の範囲
内に納まるようにトリミングする。
【0023】次に図7(a)、(b)に示したように、
共通電極14及び固定電極12に、同一方向に曲げ加工
が施されたリード端子15を半田付け等により固着し、
リード端子15を同一方向に導出させる。最後にこれら
全体をポリプロピレン等の絶縁性樹脂で形成される外装
16で被覆する。
共通電極14及び固定電極12に、同一方向に曲げ加工
が施されたリード端子15を半田付け等により固着し、
リード端子15を同一方向に導出させる。最後にこれら
全体をポリプロピレン等の絶縁性樹脂で形成される外装
16で被覆する。
【0024】上記したコンデンサアレイ10の製造方法
によれば、印刷パターンにより容易に、複数の固定電極
12で構成された複数個の個別電極13を有したコンデ
ンサアレイ10が製造されるので、複数の固定電極12
を組み合わせることによって所望の取得容量が実現され
たコンデンサアレイ10を得ることができる。
によれば、印刷パターンにより容易に、複数の固定電極
12で構成された複数個の個別電極13を有したコンデ
ンサアレイ10が製造されるので、複数の固定電極12
を組み合わせることによって所望の取得容量が実現され
たコンデンサアレイ10を得ることができる。
【0025】さらに、誘電体磁器基板11に厚みのばら
つきがある場合においても、誘電体磁器基板11の厚み
のばらつきに対応して、適宜小さな電極面積の固定電極
12を形成して組み合わせることにより、誘電体磁器基
板11の厚みのばらつきによって生じる静電容量のばら
つきを補正することができる。
つきがある場合においても、誘電体磁器基板11の厚み
のばらつきに対応して、適宜小さな電極面積の固定電極
12を形成して組み合わせることにより、誘電体磁器基
板11の厚みのばらつきによって生じる静電容量のばら
つきを補正することができる。
【0026】次に、コンデンサアレイ10の別の製造方
法を説明する。図4(a)、(b)に示したような、矩
形形状の上記した方法により製造した半導体磁器基板を
誘電体磁器基板11として用いる。この誘電体磁器基板
11の一面に共通電極14となる金属酸化物ペーストを
塗布し(図5(a)、(b))、他面に複数個の個別電
極13となる金属酸化物ペーストを塗布する。この塗布
はスクリーン印刷等により行なう。この後、金属酸化物
ペーストを焼き付けて、共通電極14及び個別電極13
を形成する。スクリーン印刷後の金属酸化物ペーストの
焼き付けは700〜900℃の空気中で行なう。
法を説明する。図4(a)、(b)に示したような、矩
形形状の上記した方法により製造した半導体磁器基板を
誘電体磁器基板11として用いる。この誘電体磁器基板
11の一面に共通電極14となる金属酸化物ペーストを
塗布し(図5(a)、(b))、他面に複数個の個別電
極13となる金属酸化物ペーストを塗布する。この塗布
はスクリーン印刷等により行なう。この後、金属酸化物
ペーストを焼き付けて、共通電極14及び個別電極13
を形成する。スクリーン印刷後の金属酸化物ペーストの
焼き付けは700〜900℃の空気中で行なう。
【0027】さらにレーザーまたはカッターで個別電極
13の所定の部分を切断し、複数個の固定電極12を形
成する(図6(a)、(b))。その後、静電容量が所
定の取得容量の範囲内に納まるようにトリミングし、以
下は上記したコンデンサアレイの製造方法と同様にリー
ド端子15を半田付けし、外装16で被覆する。
13の所定の部分を切断し、複数個の固定電極12を形
成する(図6(a)、(b))。その後、静電容量が所
定の取得容量の範囲内に納まるようにトリミングし、以
下は上記したコンデンサアレイの製造方法と同様にリー
ド端子15を半田付けし、外装16で被覆する。
【0028】上記したコンデンサアレイ10の製造方法
によれば、印刷パターンにより容易に個別電極13が形
成され、さらに電極焼成後に容易にトリミングにより互
いに分離した複数の固定電極12が形成されるので、こ
れら固定電極12を組み合わせることによって、所望の
取得容量が実現されたコンデンサアレイ10を得ること
ができる。また、誘電体磁器基板11に厚みのばらつき
がある場合には、誘電体磁器基板11の厚みのばらつき
に対応して、適宜トリミングにより固定電極12の電極
面積を調節することができるので、厚みのばらつきによ
って生じる静電容量のばらつきを補正することができ
る。従って、取得容量の選定自由度が高く、しかも取得
容量の均一、一定化が図られたコンデンサアレイ10を
得ることができる。
によれば、印刷パターンにより容易に個別電極13が形
成され、さらに電極焼成後に容易にトリミングにより互
いに分離した複数の固定電極12が形成されるので、こ
れら固定電極12を組み合わせることによって、所望の
取得容量が実現されたコンデンサアレイ10を得ること
ができる。また、誘電体磁器基板11に厚みのばらつき
がある場合には、誘電体磁器基板11の厚みのばらつき
に対応して、適宜トリミングにより固定電極12の電極
面積を調節することができるので、厚みのばらつきによ
って生じる静電容量のばらつきを補正することができ
る。従って、取得容量の選定自由度が高く、しかも取得
容量の均一、一定化が図られたコンデンサアレイ10を
得ることができる。
【0029】なお、共通電極14は必ずしも実施例のよ
うに一枚ものである必要はなく、2個以上に別れて形成
されていても良い。また、複数個の固定電極12から構
成される個別電極13についても、その個数は限定され
ず、さらにその面積、形状についても特に限定されるも
のではない。
うに一枚ものである必要はなく、2個以上に別れて形成
されていても良い。また、複数個の固定電極12から構
成される個別電極13についても、その個数は限定され
ず、さらにその面積、形状についても特に限定されるも
のではない。
【0030】
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係るコンデ
ンサアレイにあっては、誘電体磁器基板に複数個のコン
デンサが形成されたコンデンサアレイにおいて、前記誘
電体磁器基板が粒界絶縁型または表面層絶縁型の半導体
磁器基板を用いて形成され、対向電極として前記誘電体
磁器基板の一面に共通電極が、他面に個別電極が形成さ
れ、該個別電極はX−Y方向に互いに分離した複数個の
固定電極から構成されているので、これら固定電極を組
み合わせることにより所望の取得容量を実現することが
できる。また、この誘電体磁器基板に厚みのばらつきが
ある場合には、誘電体磁器基板の厚みのばらつきに対応
して、適宜小さな電極面積の固定電極を形成することに
より、厚みのばらつきによって生じる静電容量のばらつ
きを補正することができ、取得容量の選定自由度が高
く、しかも取得容量の均一、一定化が図られたコンデン
サアレイを得ることができる。さらに、この誘電体磁器
基板が粒界絶縁型または表面層絶縁型の半導体磁器基板
で形成されているので、素体自体の誘電率が大きい。従
って、誘電体磁器基板を厚くしても大きな静電容量を得
ることができるので、誘電体磁器基板を厚く設定して、
機械的強度、絶縁抵抗、耐電圧を向上させることができ
る。
ンサアレイにあっては、誘電体磁器基板に複数個のコン
デンサが形成されたコンデンサアレイにおいて、前記誘
電体磁器基板が粒界絶縁型または表面層絶縁型の半導体
磁器基板を用いて形成され、対向電極として前記誘電体
磁器基板の一面に共通電極が、他面に個別電極が形成さ
れ、該個別電極はX−Y方向に互いに分離した複数個の
固定電極から構成されているので、これら固定電極を組
み合わせることにより所望の取得容量を実現することが
できる。また、この誘電体磁器基板に厚みのばらつきが
ある場合には、誘電体磁器基板の厚みのばらつきに対応
して、適宜小さな電極面積の固定電極を形成することに
より、厚みのばらつきによって生じる静電容量のばらつ
きを補正することができ、取得容量の選定自由度が高
く、しかも取得容量の均一、一定化が図られたコンデン
サアレイを得ることができる。さらに、この誘電体磁器
基板が粒界絶縁型または表面層絶縁型の半導体磁器基板
で形成されているので、素体自体の誘電率が大きい。従
って、誘電体磁器基板を厚くしても大きな静電容量を得
ることができるので、誘電体磁器基板を厚く設定して、
機械的強度、絶縁抵抗、耐電圧を向上させることができ
る。
【0031】また、本発明に係るコンデンサアレイの製
造方法は、粒界絶縁型または表面層絶縁型の半導体磁器
基板からなる誘電体磁器基板の両面に、電極材料を印刷
パターン(製版マスク)を用いて塗布した後焼成し、前
記誘電体磁器基板の一面に共通電極を、他面に複数個の
固定電極からなる複数個の個別電極を形成し、この後前
記共通電極と前記固定電極とにそれぞれリード端子を固
着するので、容易に互いに分離した複数個の固定電極か
ら構成される複数個の個別電極を有したコンデンサアレ
イを製造することができる。
造方法は、粒界絶縁型または表面層絶縁型の半導体磁器
基板からなる誘電体磁器基板の両面に、電極材料を印刷
パターン(製版マスク)を用いて塗布した後焼成し、前
記誘電体磁器基板の一面に共通電極を、他面に複数個の
固定電極からなる複数個の個別電極を形成し、この後前
記共通電極と前記固定電極とにそれぞれリード端子を固
着するので、容易に互いに分離した複数個の固定電極か
ら構成される複数個の個別電極を有したコンデンサアレ
イを製造することができる。
【0032】あるいは、コンデンサアレイの製造方法に
おいて、粒界絶縁型または表面層絶縁型の半導体磁器基
板からなる誘電体磁器基板の両面に、電極材料を印刷パ
ターン(製版マスク)を用いて塗布した後焼成し、前記
誘電体磁器基板の一面に共通電極を、他面に複数個の個
別電極を形成し、さらに該個別電極を焼成後にトリミン
グすることによってこれら個別電極を複数個の固定電極
に分離し、この後前記共通電極と前記固定電極とにそれ
ぞれリード端子を固着するので、容易に複数個の個別電
極を形成することができ、さらに電極焼成後に容易にト
リミングにより互いに分離した複数個の固定電極を形成
することができ、これら固定電極の組み合わせによって
所望の取得容量が実現されたコンデンサアレイを製造す
ることができる。
おいて、粒界絶縁型または表面層絶縁型の半導体磁器基
板からなる誘電体磁器基板の両面に、電極材料を印刷パ
ターン(製版マスク)を用いて塗布した後焼成し、前記
誘電体磁器基板の一面に共通電極を、他面に複数個の個
別電極を形成し、さらに該個別電極を焼成後にトリミン
グすることによってこれら個別電極を複数個の固定電極
に分離し、この後前記共通電極と前記固定電極とにそれ
ぞれリード端子を固着するので、容易に複数個の個別電
極を形成することができ、さらに電極焼成後に容易にト
リミングにより互いに分離した複数個の固定電極を形成
することができ、これら固定電極の組み合わせによって
所望の取得容量が実現されたコンデンサアレイを製造す
ることができる。
【図1】本発明に係るコンデンサアレイの実施例を示す
透視図である。
透視図である。
【図2】図1に示したコンデンサアレイのA−A線断面
図である。
図である。
【図3】図1に示したコンデンサアレイのB−B線断面
図である。
図である。
【図4】(a)はコンデンサアレイの製造工程を示す正
面図、(b)は(a)に示した誘電体基板のA−A線断
面図である。
面図、(b)は(a)に示した誘電体基板のA−A線断
面図である。
【図5】(a)はコンデンサアレイの製造工程を示す正
面図、(b)は(a)に示した誘電体基板のA−A線断
面図である。
面図、(b)は(a)に示した誘電体基板のA−A線断
面図である。
【図6】(a)はコンデンサアレイの製造工程を示す正
面図、(b)は(a)に示した誘電体基板のA−A線断
面図である。
面図、(b)は(a)に示した誘電体基板のA−A線断
面図である。
【図7】(a)はコンデンサアレイの製造工程を示す正
面図、(b)は(a)に示したコンデンサアレイのA−
A線断面図である。
面図、(b)は(a)に示したコンデンサアレイのA−
A線断面図である。
【図8】従来のコンデンサアレイを示す透視図である。
【図9】図8に示したコンデンサアレイのA−A線断面
図である。
図である。
【図10】従来の別のコンデンサアレイを示す透視図で
ある。
ある。
【図11】図10に示したコンデンサアレイのA−A線
断面図である。
断面図である。
【図12】図10に示したコンデンサアレイのB−B線
断面図である。
断面図である。
10 コンデンサアレイ
11 誘電体磁器基板
12 固定電極
13 個別電極
14 共通電極
15 リード端子
Claims (3)
- 【請求項1】 誘電体磁器基板に複数個のコンデンサが
形成されたコンデンサアレイにおいて、前記誘電体磁器
基板が粒界絶縁型または表面層絶縁型の半導体磁器基板
を用いて形成され、対向電極として前記誘電体磁器基板
の一面に共通電極が、他面に個別電極が形成され、該個
別電極はX−Y方向に互いに分離した複数個の固定電極
から構成されていることを特徴とするコンデンサアレ
イ。 - 【請求項2】 粒界絶縁型または表面層絶縁型の半導体
磁器基板からなる誘電体磁器基板の両面に、電極材料を
印刷パターン(製版マスク)を用いて塗布した後焼成
し、前記誘電体磁器基板の一面に共通電極を、他面に複
数個の固定電極からなる複数個の個別電極を形成し、こ
の後前記共通電極と前記固定電極とにそれぞれリード端
子を固着することを特徴とするコンデンサアレイの製造
方法。 - 【請求項3】 粒界絶縁型または表面層絶縁型の半導体
磁器基板からなる誘電体磁器基板の両面に、電極材料を
印刷パターン(製版マスク)を用いて塗布した後焼成
し、前記誘電体磁器基板の一面に共通電極を、他面に複
数個の個別電極を形成し、さらに該個別電極を焼成後に
トリミングすることによってこれら個別電極を複数個の
固定電極に分離し、この後前記共通電極と前記固定電極
とにそれぞれリード端子を固着することを特徴とするコ
ンデンサアレイの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3063051A JPH0529175A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | コンデンサアレイ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3063051A JPH0529175A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | コンデンサアレイ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529175A true JPH0529175A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=13218149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3063051A Pending JPH0529175A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | コンデンサアレイ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0529175A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5808878A (en) * | 1995-03-16 | 1998-09-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Circuit substrate shielding device |
-
1991
- 1991-03-27 JP JP3063051A patent/JPH0529175A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5808878A (en) * | 1995-03-16 | 1998-09-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Circuit substrate shielding device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06231906A (ja) | サーミスタ | |
| CN101640129B (zh) | 层叠电容器及层叠电容器的等效串联电阻值的调节方法 | |
| KR100524090B1 (ko) | 적층형 ptc 서미스터의 제조방법 | |
| US6362723B1 (en) | Chip thermistors | |
| JPH0356003B2 (ja) | ||
| JP2001210544A (ja) | チップ積層セラミックコンデンサ | |
| JPS5923458B2 (ja) | 複合部品 | |
| JP2608288B2 (ja) | セラミツク及びこれを用いた回路基体と電子回路基体 | |
| JPH07263272A (ja) | 積層電子部品の製造方法 | |
| JPS636121B2 (ja) | ||
| JPH06232003A (ja) | コンデンサアレイ | |
| US20240212892A1 (en) | Laminated ceramic component | |
| JPH02246307A (ja) | 複合コンデンサおよびその製造方法 | |
| JPS6133625Y2 (ja) | ||
| JP2003124006A (ja) | サーミスタ | |
| JPH0536501A (ja) | 積層型正特性サーミスタ | |
| JPS6228740Y2 (ja) | ||
| JPH0521263A (ja) | コンデンサアレイ及びその製造方法 | |
| JPH0521262A (ja) | コンデンサアレイ及びその製造方法 | |
| JPH04280603A (ja) | 積層バリスタ | |
| JP3885965B2 (ja) | 面実装型チップネットワーク部品 | |
| JP4505925B2 (ja) | チップ型サーミスタ素子 | |
| EP0398364A2 (en) | Thick-film element having flattened resistor layer | |
| JP2590322B2 (ja) | セラミツクの製造法 | |
| JPH02246309A (ja) | 複合コンデンサおよびその製造方法 |