JPH0529176A - 電子部品の端子電極 - Google Patents
電子部品の端子電極Info
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- JPH0529176A JPH0529176A JP3179761A JP17976191A JPH0529176A JP H0529176 A JPH0529176 A JP H0529176A JP 3179761 A JP3179761 A JP 3179761A JP 17976191 A JP17976191 A JP 17976191A JP H0529176 A JPH0529176 A JP H0529176A
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Landscapes
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】長期間の保管や劣悪環境下での保管を行っても
端子電極のはんだ濡れ性が劣化しない電子部品の端子電
極を提供することである。 【構成】セラミック製本体10に内部電極11を形成
し、セラミック製本体10の一対の側端面に設けた端子
電極12が、セラミックとの密着強度を持つ性質を有す
る金属からなる第1外部電極層13と、はんだ耐熱性を
有する金属からなる第2外部電極層14と、はんだ濡れ
性を有する金属からなる第3外部電極層15と、はんだ
濡れ性の劣化を防止する金属からなる第4外部電極層1
6との4層構造である。 【作用】4層構造により、端子電極12のはんだ濡れ性
が劣化しない。
端子電極のはんだ濡れ性が劣化しない電子部品の端子電
極を提供することである。 【構成】セラミック製本体10に内部電極11を形成
し、セラミック製本体10の一対の側端面に設けた端子
電極12が、セラミックとの密着強度を持つ性質を有す
る金属からなる第1外部電極層13と、はんだ耐熱性を
有する金属からなる第2外部電極層14と、はんだ濡れ
性を有する金属からなる第3外部電極層15と、はんだ
濡れ性の劣化を防止する金属からなる第4外部電極層1
6との4層構造である。 【作用】4層構造により、端子電極12のはんだ濡れ性
が劣化しない。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミック製本体を有
する、積層セラミックコンデンサ、抵抗、ダイオード、
トランジスタ等の電子部品の端子電極に関する。
する、積層セラミックコンデンサ、抵抗、ダイオード、
トランジスタ等の電子部品の端子電極に関する。
【0002】
【従来の技術】電子部品として積層セラミックコンデン
サを例にすると、この種のコンデンサは一般に図5と図
6に示すような構造である。このコンデンサは、六面体
であるセラミック製本体50と、セラミック製本体50
を複数のセラミック層状に仕切る複数枚の内部電極51
と、内部電極51に導通すると共にセラミック製本体5
0の一対の側端面と側端面の回りの4面の一部分とに設
けた端子電極52とを有する。
サを例にすると、この種のコンデンサは一般に図5と図
6に示すような構造である。このコンデンサは、六面体
であるセラミック製本体50と、セラミック製本体50
を複数のセラミック層状に仕切る複数枚の内部電極51
と、内部電極51に導通すると共にセラミック製本体5
0の一対の側端面と側端面の回りの4面の一部分とに設
けた端子電極52とを有する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】かかるコンデンサの端
子電極は、一般に、Ag又はAg/Pdからなる厚膜
と、Niメッキ層と、はんだメッキ層とからなる。しか
しながら、端子電極の最表層の金属膜がAg又はAg合
金を主成分としているため、コンデンサの保管環境が悪
かったり(例えば腐食性ガスの雰囲気下に置く)、保管
期間が長かったりすると、Agが硫化して端子電極のは
んだ濡れ性が劣化する恐れがある。はんだ濡れ性の劣化
はコンデンサを基板に実装し難くなる等の不具合を招
く。このことは、積層セラミックコンデンサに限ること
ではなく、セラミック製本体を有する一般の電子部品
〔抵抗、ダイオード、トランジスタ等(チップ型、リー
ド付型を含む)〕にも当て嵌まることである。
子電極は、一般に、Ag又はAg/Pdからなる厚膜
と、Niメッキ層と、はんだメッキ層とからなる。しか
しながら、端子電極の最表層の金属膜がAg又はAg合
金を主成分としているため、コンデンサの保管環境が悪
かったり(例えば腐食性ガスの雰囲気下に置く)、保管
期間が長かったりすると、Agが硫化して端子電極のは
んだ濡れ性が劣化する恐れがある。はんだ濡れ性の劣化
はコンデンサを基板に実装し難くなる等の不具合を招
く。このことは、積層セラミックコンデンサに限ること
ではなく、セラミック製本体を有する一般の電子部品
〔抵抗、ダイオード、トランジスタ等(チップ型、リー
ド付型を含む)〕にも当て嵌まることである。
【0004】従って、本発明の目的は、長期間の保管や
劣悪環境下での保管を行っても端子電極のはんだ濡れ性
が劣化しない電子部品の端子電極を提供することにあ
る。
劣悪環境下での保管を行っても端子電極のはんだ濡れ性
が劣化しない電子部品の端子電極を提供することにあ
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の電子部品の端子電極は、セラミック製本体
に順に設けた、セラミックとの密着強度を持つ性質を有
する金属からなる第1外部電極層と、はんだ耐熱性を有
する金属からなる第2外部電極層と、はんだ濡れ性を有
する金属からなる第3外部電極層と、はんだ濡れ性の劣
化を防止する金属からなる第4外部電極層との4層構造
であることを特徴とする。この構成により、端子電極の
最外層がはんだ濡れ性の劣化を防止する作用を有するた
め、長期間や悪環境下での保管でも、端子電極中の主成
分であるAgの硫化によるはんだ濡れ性の劣化は起こら
ない。
に、本発明の電子部品の端子電極は、セラミック製本体
に順に設けた、セラミックとの密着強度を持つ性質を有
する金属からなる第1外部電極層と、はんだ耐熱性を有
する金属からなる第2外部電極層と、はんだ濡れ性を有
する金属からなる第3外部電極層と、はんだ濡れ性の劣
化を防止する金属からなる第4外部電極層との4層構造
であることを特徴とする。この構成により、端子電極の
最外層がはんだ濡れ性の劣化を防止する作用を有するた
め、長期間や悪環境下での保管でも、端子電極中の主成
分であるAgの硫化によるはんだ濡れ性の劣化は起こら
ない。
【0006】本発明の端子電極において、最内層である
第1外部電極層はセラミックとの密着強度を持つ性質を
有する金属からなる。この第1外部電極層は、セラミッ
クとの密着強度を持つ性質を有する金属がセラミック製
本体の端子電極形成面の表層に、好適には物理的蒸発凝
縮法によって打ち込まれた界面混合層であり、ファン・
デル・ワールスエネルギーによりセラミック製本体に強
く接合する。第1外部電極層を構成する金属としては、
セラミックよりも表面エネルギーが小さくて、セラミッ
クに付着し易いものがよく、Cr、Mnが例示され、セ
ラミックの種類に応じて適宜選定すればよい。
第1外部電極層はセラミックとの密着強度を持つ性質を
有する金属からなる。この第1外部電極層は、セラミッ
クとの密着強度を持つ性質を有する金属がセラミック製
本体の端子電極形成面の表層に、好適には物理的蒸発凝
縮法によって打ち込まれた界面混合層であり、ファン・
デル・ワールスエネルギーによりセラミック製本体に強
く接合する。第1外部電極層を構成する金属としては、
セラミックよりも表面エネルギーが小さくて、セラミッ
クに付着し易いものがよく、Cr、Mnが例示され、セ
ラミックの種類に応じて適宜選定すればよい。
【0007】第1外部電極層上に設ける第2外部電極層
の構成材料となるはんだ耐熱性を有する金属としては、
Ni、Cu、それらの合金等があり、第3外部電極層の
構成材料となるはんだ濡れ性を有する金属としては、S
n、Ag、Agの合金、はんだ合金等があり、それぞれ
任意に選択する。更に、最外層となる第4外部電極層の
材料としては、はんだ濡れ性の劣化を防止する限り特定
されず、はんだ合金、、Sn、Snの合金等がある。
の構成材料となるはんだ耐熱性を有する金属としては、
Ni、Cu、それらの合金等があり、第3外部電極層の
構成材料となるはんだ濡れ性を有する金属としては、S
n、Ag、Agの合金、はんだ合金等があり、それぞれ
任意に選択する。更に、最外層となる第4外部電極層の
材料としては、はんだ濡れ性の劣化を防止する限り特定
されず、はんだ合金、、Sn、Snの合金等がある。
【0008】これらの金属からなる4層構造の端子電極
を形成するに先立って、前処理としてセラミック製本体
の表層をエッチングし、表層に凹凸面を形成しておく
と、第1外部電極層との密着強度が一層高まるアンカー
効果が得られる。端子電極の形成方法は、上記第1〜第
4外部電極層をセラミック製本体に順に形成できれば特
定されない。これら層のうち、第1〜第3外部電極層ま
では、物理的蒸発凝縮法を採用するのが好ましい。この
物理的蒸発凝縮法には、スパッタリング、真空蒸着又は
プラズマ溶射がある。
を形成するに先立って、前処理としてセラミック製本体
の表層をエッチングし、表層に凹凸面を形成しておく
と、第1外部電極層との密着強度が一層高まるアンカー
効果が得られる。端子電極の形成方法は、上記第1〜第
4外部電極層をセラミック製本体に順に形成できれば特
定されない。これら層のうち、第1〜第3外部電極層ま
では、物理的蒸発凝縮法を採用するのが好ましい。この
物理的蒸発凝縮法には、スパッタリング、真空蒸着又は
プラズマ溶射がある。
【0009】物理的蒸発凝縮法を用いて形成した第1〜
第3外部電極層からなる金属皮膜の厚さは1〜2μmと
極めて薄くできる。この3層構造の薄膜上に更に第4外
部電極層を設けても、4層構造の端子電極の厚さ(図2
の寸法a)は1.0〜100μmとなり、Ag又はAg
/Pdからなる従来の端子電極の厚さ(図6の寸法b)
50〜100μmと比べ、端子電極の厚さを広範囲に設
定できる。
第3外部電極層からなる金属皮膜の厚さは1〜2μmと
極めて薄くできる。この3層構造の薄膜上に更に第4外
部電極層を設けても、4層構造の端子電極の厚さ(図2
の寸法a)は1.0〜100μmとなり、Ag又はAg
/Pdからなる従来の端子電極の厚さ(図6の寸法b)
50〜100μmと比べ、端子電極の厚さを広範囲に設
定できる。
【0010】
【実施例】以下、本発明の電子部品の端子電極を実施例
に基づいて説明する。図1及び図2は電子部品として積
層セラミックコンデンサを示し、図1はその斜視図を、
図2は図1の線A−Aにおける断面図を示す。このコン
デンサは、六面体のセラミック製本体10と、セラミッ
ク製本体10をセラミック層状に仕切る複数枚の内部電
極11と、内部電極11に導通する4層構造の端子電極
12とを有する。
に基づいて説明する。図1及び図2は電子部品として積
層セラミックコンデンサを示し、図1はその斜視図を、
図2は図1の線A−Aにおける断面図を示す。このコン
デンサは、六面体のセラミック製本体10と、セラミッ
ク製本体10をセラミック層状に仕切る複数枚の内部電
極11と、内部電極11に導通する4層構造の端子電極
12とを有する。
【0011】この実施例では、端子電極12は、セラミ
ック製本体10の一対の側端面のみに設けてあり、その
側端面に第1外部電極層13、第2外部電極層14、第
3外部電極層15、及び第4外部電極層16を順に設け
た4層構造である。端子電極12の厚さaは、前述した
ように1.0〜100μmである。但し、図2では4層
構造を明瞭にするために各外部電極層を拡大して示して
あり、セラミック製本体10の寸法からすれば端子電極
12の厚さaは極小である。
ック製本体10の一対の側端面のみに設けてあり、その
側端面に第1外部電極層13、第2外部電極層14、第
3外部電極層15、及び第4外部電極層16を順に設け
た4層構造である。端子電極12の厚さaは、前述した
ように1.0〜100μmである。但し、図2では4層
構造を明瞭にするために各外部電極層を拡大して示して
あり、セラミック製本体10の寸法からすれば端子電極
12の厚さaは極小である。
【0012】次に、上記4層構造の端子電極12を有す
るコンデンサの製造例を、端子電極の形成を中心に簡潔
に述べる。 実施例1 まずBaTiO3 等のセラミック誘電体と、エチルセル
ロース、アクリル樹脂、可塑剤等の結合剤と、溶媒とを
混合・分散させて調製したスラリーから、ドクターブレ
ード法等によって15〜50μmの厚さのシートを得
る。次に、Ag、Ag/Pd、又はPd等の貴金属粉末
に、エチルセルロース等の結合剤とミネラルスピリット
等の溶媒とを混合し、粉砕・分散させて得られた内部電
極材を用いて、スクリーン印刷等によりシート上に内部
電極を形成する。これを、プレスにより加圧・加温して
積層した後、所定寸法に切断し、脱バインダー処理及び
焼成を行う。これにより、内部電極を有するセラミック
焼結体が作製される。
るコンデンサの製造例を、端子電極の形成を中心に簡潔
に述べる。 実施例1 まずBaTiO3 等のセラミック誘電体と、エチルセル
ロース、アクリル樹脂、可塑剤等の結合剤と、溶媒とを
混合・分散させて調製したスラリーから、ドクターブレ
ード法等によって15〜50μmの厚さのシートを得
る。次に、Ag、Ag/Pd、又はPd等の貴金属粉末
に、エチルセルロース等の結合剤とミネラルスピリット
等の溶媒とを混合し、粉砕・分散させて得られた内部電
極材を用いて、スクリーン印刷等によりシート上に内部
電極を形成する。これを、プレスにより加圧・加温して
積層した後、所定寸法に切断し、脱バインダー処理及び
焼成を行う。これにより、内部電極を有するセラミック
焼結体が作製される。
【0013】次いで、端子電極を形成するのであるが、
その前処理として前記アンカー効果を得るためにセラミ
ック焼結体の表層をエッチングし、表層を凹凸面にす
る。ここでは、端子電極を形成する方法として物理的蒸
発凝縮法のスパッタリングを用いる。スパッタリングで
は、Ar等の中性ガス中においてグロー放電により加速
された中性イオンによりたたき出されたターゲット材
(端子電極材の金属)をセラミック焼結体の端子電極形
成面に打込む。
その前処理として前記アンカー効果を得るためにセラミ
ック焼結体の表層をエッチングし、表層を凹凸面にす
る。ここでは、端子電極を形成する方法として物理的蒸
発凝縮法のスパッタリングを用いる。スパッタリングで
は、Ar等の中性ガス中においてグロー放電により加速
された中性イオンによりたたき出されたターゲット材
(端子電極材の金属)をセラミック焼結体の端子電極形
成面に打込む。
【0014】それには、セラミック焼結体を既知のスパ
ッタリング装置に入れて、まずセラミックに対する密着
強度の高いクロムのスパッタリングを行うことにより、
焼結体の端子電極形成面にクロムからなる第1外部電極
層13を形成する。次に、同じスパッタリング装置に
て、はんだ耐熱性を有するニッケルのスパッタリングを
行うことにより、第1外部電極層13の表面にニッケル
からなる第2外部電極層14を形成する。更に、同装置
で、はんだ濡れ性を有する銀のスパッタリングを行うこ
とにより、第2外部電極層14の表面に銀からなる第3
外部電極層15を形成する。そして、同様に、はんだ濡
れ性の劣化を防止するはんだ合金のスパッタリングを行
って、第3外部電極層15上にはんだ合金からなる第4
外部電極層16を形成する。これにより、4層構造の端
子電極が作製される。なお、スパッタリングに際して
は、焼結体の端子電極形成面以外の面を適当な治具等に
よって覆っておき、不要な端子電極が形成されないよう
にすることが望ましい。
ッタリング装置に入れて、まずセラミックに対する密着
強度の高いクロムのスパッタリングを行うことにより、
焼結体の端子電極形成面にクロムからなる第1外部電極
層13を形成する。次に、同じスパッタリング装置に
て、はんだ耐熱性を有するニッケルのスパッタリングを
行うことにより、第1外部電極層13の表面にニッケル
からなる第2外部電極層14を形成する。更に、同装置
で、はんだ濡れ性を有する銀のスパッタリングを行うこ
とにより、第2外部電極層14の表面に銀からなる第3
外部電極層15を形成する。そして、同様に、はんだ濡
れ性の劣化を防止するはんだ合金のスパッタリングを行
って、第3外部電極層15上にはんだ合金からなる第4
外部電極層16を形成する。これにより、4層構造の端
子電極が作製される。なお、スパッタリングに際して
は、焼結体の端子電極形成面以外の面を適当な治具等に
よって覆っておき、不要な端子電極が形成されないよう
にすることが望ましい。
【0015】実施例2
4層構造の端子電極のうち、第1〜第3外部電極層13
〜15までは、上記実施例1と同様にスパッタリングに
よって形成する。これで得られた素体10を100〜2
00℃に余熱して、図3に示すように適当な槽20に入
れたフラックス21を素体10の端子電極面に付着させ
る。この後、図4において、槽30に入れた溶融はんだ
31をヒータ内蔵の転写板40の一方側に薄く転写す
る。そして、更に転写板40のはんだ41を素体10の
端子電極面に薄く転写し、これを他方の端子電極面にも
同様に行い、この転写膜を第4外部電極層16とする。
なお、端子電極が側端面以外にも存在する場合は、転写
板40を2枚使用して同様の操作を行えばよい。
〜15までは、上記実施例1と同様にスパッタリングに
よって形成する。これで得られた素体10を100〜2
00℃に余熱して、図3に示すように適当な槽20に入
れたフラックス21を素体10の端子電極面に付着させ
る。この後、図4において、槽30に入れた溶融はんだ
31をヒータ内蔵の転写板40の一方側に薄く転写す
る。そして、更に転写板40のはんだ41を素体10の
端子電極面に薄く転写し、これを他方の端子電極面にも
同様に行い、この転写膜を第4外部電極層16とする。
なお、端子電極が側端面以外にも存在する場合は、転写
板40を2枚使用して同様の操作を行えばよい。
【0016】実施例3
実施例2と同様に、第1〜第3外部電極層13〜15を
実施例1のスパッタリングによって形成する。この素体
の端子電極面にフラックスを付けずに、実施例2の溶融
はんだの代わりにクリームはんだを使用すると共に、ヒ
ータ無しの転写板を用いて、実施例2と同様に素体の端
子電極面にクリームはんだを転写する。その後、オーブ
ン又はコンベア式オーブン等にてクリームはんだを溶融
させて、薄膜の第4外部電極層16を形成する。
実施例1のスパッタリングによって形成する。この素体
の端子電極面にフラックスを付けずに、実施例2の溶融
はんだの代わりにクリームはんだを使用すると共に、ヒ
ータ無しの転写板を用いて、実施例2と同様に素体の端
子電極面にクリームはんだを転写する。その後、オーブ
ン又はコンベア式オーブン等にてクリームはんだを溶融
させて、薄膜の第4外部電極層16を形成する。
【0017】実施例4
第1及び第2外部電極層13、14を実施例1に示すス
パッタリングによって形成し、はんだメッキによって錫
からなる第3外部電極層15を形成する。この場合、は
んだメッキ時に各層13、14のクロム層、ニッケル層
の遮蔽により、メッキ液の浸入を防止できることから、
既知のはんだメッキ工法で得られるメッキ端子の利点を
活かすと共に、メッキ液浸入による絶縁劣化を防止でき
る。更に第4外部電極層16は、上記実施例1〜3に開
示の方法にて形成すればよい。
パッタリングによって形成し、はんだメッキによって錫
からなる第3外部電極層15を形成する。この場合、は
んだメッキ時に各層13、14のクロム層、ニッケル層
の遮蔽により、メッキ液の浸入を防止できることから、
既知のはんだメッキ工法で得られるメッキ端子の利点を
活かすと共に、メッキ液浸入による絶縁劣化を防止でき
る。更に第4外部電極層16は、上記実施例1〜3に開
示の方法にて形成すればよい。
【0018】なお、上記実施例1では、第1〜第3外部
電極層をスパッタリングによって形成したが、真空蒸着
又はプラズマ溶射によって形成してもよいことは言うま
でもない。又、第1〜第4外部電極層を順に構成する金
属は上記クロム、ニッケル、銀(又は錫)、はんだ合金
以外の金属をそれぞれ用いてもよい。
電極層をスパッタリングによって形成したが、真空蒸着
又はプラズマ溶射によって形成してもよいことは言うま
でもない。又、第1〜第4外部電極層を順に構成する金
属は上記クロム、ニッケル、銀(又は錫)、はんだ合金
以外の金属をそれぞれ用いてもよい。
【0019】
【発明の効果】本発明の電子部品の端子電極は、以上説
明したように構成されるので、下記の効果を有する。 (1)端子電極の表層の主成分であるAgの硫化等の現
象が発生しないため、はんだ濡れ性の劣化が起こらな
い。 (2)端子電極の最外層(第4外部電極層)は、はんだ
濡れ性と耐腐食性を備えていればよいため薄層でも構わ
ず、スパッタリング等の物理的蒸発凝縮法を用いて形成
しても、必要な厚さにするのに長時間を要しない。 (3)温度、迷走電流下にて発生するマイグレーション
を抑制できる。
明したように構成されるので、下記の効果を有する。 (1)端子電極の表層の主成分であるAgの硫化等の現
象が発生しないため、はんだ濡れ性の劣化が起こらな
い。 (2)端子電極の最外層(第4外部電極層)は、はんだ
濡れ性と耐腐食性を備えていればよいため薄層でも構わ
ず、スパッタリング等の物理的蒸発凝縮法を用いて形成
しても、必要な厚さにするのに長時間を要しない。 (3)温度、迷走電流下にて発生するマイグレーション
を抑制できる。
【図1】本発明の一実施例に係る積層セラミックコンデ
ンサの斜視図である。
ンサの斜視図である。
【図2】図1に示すコンデンサの線A−Aにおける断面
図である。
図である。
【図3】本発明の実施例2に係る製造例の一工程を示す
説明図である。
説明図である。
【図4】本発明の実施例2に係る製造例の別工程を示す
説明図である。
説明図である。
【図5】従来例に係る積層セラミックコンデンサの斜視
図である。
図である。
【図6】図5に示すコンデンサの線B−Bにおける断面
図である。
図である。
10 セラミック製本体
11 内部電極
12 4層構造の端子電極
13 第1外部電極層
14 第2外部電極層
15 第3外部電極層
16 第4外部電極層
Claims (3)
- 【請求項1】セラミック製本体を有する電子部品の端子
電極が、セラミック製本体に順に設けた、セラミックと
の密着強度を持つ性質を有する金属からなる第1外部電
極層と、はんだ耐熱性を有する金属からなる第2外部電
極層と、はんだ濡れ性を有する金属からなる第3外部電
極層と、はんだ濡れ性の劣化を防止する金属からなる第
4外部電極層との4層構造であることを特徴とする電子
部品の端子電極。 - 【請求項2】前記電子部品は、セラミック製本体の内部
に複数枚の内部電極を形成し、この内部電極を端子電極
に導通させた積層セラミックコンデンサであることを特
徴とする請求項1記載の電子部品の端子電極。 - 【請求項3】前記4層構造の端子電極のうち、第1〜第
3外部電極層までは物理的蒸発凝縮法により形成された
ものであることを特徴とする請求項1又は2記載の電子
部品の端子電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3179761A JPH0529176A (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 電子部品の端子電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3179761A JPH0529176A (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 電子部品の端子電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529176A true JPH0529176A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16071425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3179761A Pending JPH0529176A (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 電子部品の端子電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0529176A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3532926B2 (ja) * | 1997-06-16 | 2004-05-31 | 松下電器産業株式会社 | 抵抗配線基板およびその製造方法 |
| JP2008112758A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-15 | Tdk Corp | 電子部品及びその製造方法 |
| KR20150053979A (ko) * | 2012-10-09 | 2015-05-19 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조방법 |
| KR20150134274A (ko) * | 2014-05-21 | 2015-12-01 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 적층 세라믹 콘덴서 |
| US9520232B2 (en) | 2014-03-31 | 2016-12-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component |
| JP2023098301A (ja) * | 2021-12-28 | 2023-07-10 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及び電子部品の製造方法 |
| JP2025012373A (ja) * | 2023-07-13 | 2025-01-24 | 株式会社村田製作所 | 外部電極形成システム |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60120510A (ja) * | 1983-12-02 | 1985-06-28 | 松下電器産業株式会社 | 積層セラミックコンデンサの端子電極形成方法 |
| JPS6378512A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-08 | 株式会社村田製作所 | セラミツクコンデンサ |
-
1991
- 1991-07-19 JP JP3179761A patent/JPH0529176A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60120510A (ja) * | 1983-12-02 | 1985-06-28 | 松下電器産業株式会社 | 積層セラミックコンデンサの端子電極形成方法 |
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| JP2023098301A (ja) * | 2021-12-28 | 2023-07-10 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及び電子部品の製造方法 |
| JP2025012373A (ja) * | 2023-07-13 | 2025-01-24 | 株式会社村田製作所 | 外部電極形成システム |
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