JPH0529215A - ビームアニール方法 - Google Patents
ビームアニール方法Info
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- JPH0529215A JPH0529215A JP18118591A JP18118591A JPH0529215A JP H0529215 A JPH0529215 A JP H0529215A JP 18118591 A JP18118591 A JP 18118591A JP 18118591 A JP18118591 A JP 18118591A JP H0529215 A JPH0529215 A JP H0529215A
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- JP
- Japan
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- single crystal
- annealing method
- ion beam
- substrate
- irradiation
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、イオンビーム照射により、通常の固
相エピタキシャル成長温度以下の低温で単結晶化速度の
高速化を実現するアニール方法を提供することを目的と
する。 【構成】本発明は、イオンビームを基板表面から照射す
ると共に、Ｘ線、紫外線、電子線等を併せて照射するこ
とにより、エピタキシャル単結晶化を通常の固相エピタ
キシャル成長温度よりも低温において、単結晶化が高速
度化されたビームアニール方法である。
相エピタキシャル成長温度以下の低温で単結晶化速度の
高速化を実現するアニール方法を提供することを目的と
する。 【構成】本発明は、イオンビームを基板表面から照射す
ると共に、Ｘ線、紫外線、電子線等を併せて照射するこ
とにより、エピタキシャル単結晶化を通常の固相エピタ
キシャル成長温度よりも低温において、単結晶化が高速
度化されたビームアニール方法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は試料の被処理物を照射加
熱（アニール）するビームアニール方法に関する。
熱（アニール）するビームアニール方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に各種の加熱源を利用して、半導体
基板等の試料の熱処理を施す方法には、にアニール方法
と称される熱処理がある。これらの方法は、加熱源の種
類によって区別され、電気炉アニール方法、電子ビーム
アニール方法、レーザービームアニール方法、イオンビ
ームアニール方法、ランプアニール方法等に分けられて
いる。
基板等の試料の熱処理を施す方法には、にアニール方法
と称される熱処理がある。これらの方法は、加熱源の種
類によって区別され、電気炉アニール方法、電子ビーム
アニール方法、レーザービームアニール方法、イオンビ
ームアニール方法、ランプアニール方法等に分けられて
いる。
【０００３】前記アニール方法におけるビーム状エネル
ギーを照射する熱処理は、単結晶基板上の非晶質層を単
結晶化させるために、基板表面にビーム状のエネルギー
照射して基板を加熱するものである。これらの熱処理方
法は、基板の表面温度が通常の固相エピタキシャル成長
温度あるいは液相エピタキシャル成長温度以上の状態
で、結晶回復すなわち、単結晶化させる方法であった。
この方法中で、イオンビーム照射による方法おいての
み、通常の固相エピタキシャル成長温度以下の低温で単
結晶化させることができる方法であった。
ギーを照射する熱処理は、単結晶基板上の非晶質層を単
結晶化させるために、基板表面にビーム状のエネルギー
照射して基板を加熱するものである。これらの熱処理方
法は、基板の表面温度が通常の固相エピタキシャル成長
温度あるいは液相エピタキシャル成長温度以上の状態
で、結晶回復すなわち、単結晶化させる方法であった。
この方法中で、イオンビーム照射による方法おいての
み、通常の固相エピタキシャル成長温度以下の低温で単
結晶化させることができる方法であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来のイオンビームアニール方法は、通常の固相エピ
タキシャル成長温度以下の低い温度で、単結晶基板上の
非晶質層が単結晶化するが、その成長速度は遅く、特に
軽イオン照射であれば、さらに単結晶化速度が遅くな
る。
た従来のイオンビームアニール方法は、通常の固相エピ
タキシャル成長温度以下の低い温度で、単結晶基板上の
非晶質層が単結晶化するが、その成長速度は遅く、特に
軽イオン照射であれば、さらに単結晶化速度が遅くな
る。
【０００５】そこで本発明は、イオンビーム照射によ
り、通常の固相エピタキシャル成長温度以下の低い温度
で単結晶化速度の高速化を実現するアニール方法を提供
することを目的とする。
り、通常の固相エピタキシャル成長温度以下の低い温度
で単結晶化速度の高速化を実現するアニール方法を提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は前述した目的を
達成するために、単結晶基板上に形成された非晶質層を
固相エピタキシャル成長温度より低い温度において単結
晶化させる、及び該単結晶基板の単結晶中に発生した欠
陥を前記低温でアニールするイオンビーム照射アニール
法において、半導体基板の一主面の表面にビーム状のイ
オンを照射するイオンビーム照射工程と、前記イオンビ
ーム照射工程のイオンビーム照射中に、外部から電子一
正孔対を多数形成する２次エネルギービームを併せて照
射する２次エネルギービーム照射工程とで構成され、前
記単結晶基板中の非弾性散乱による割合を多くするビー
ムアニール方法を提供する。また前記２次エネルギービ
ームがＸ線、紫外線、電子線であるビームアニール方法
を提供する。
達成するために、単結晶基板上に形成された非晶質層を
固相エピタキシャル成長温度より低い温度において単結
晶化させる、及び該単結晶基板の単結晶中に発生した欠
陥を前記低温でアニールするイオンビーム照射アニール
法において、半導体基板の一主面の表面にビーム状のイ
オンを照射するイオンビーム照射工程と、前記イオンビ
ーム照射工程のイオンビーム照射中に、外部から電子一
正孔対を多数形成する２次エネルギービームを併せて照
射する２次エネルギービーム照射工程とで構成され、前
記単結晶基板中の非弾性散乱による割合を多くするビー
ムアニール方法を提供する。また前記２次エネルギービ
ームがＸ線、紫外線、電子線であるビームアニール方法
を提供する。
【０００７】
【作用】以上のような構成のビームアニール方法によ
り、イオンビームを基板表面から照射すると共に、Ｘ
線、紫外線、電子線等を併せて照射することにより、エ
ピタキシャル単結晶化を通常の固相エピタキシャル成長
温度よりも低温において、単結晶基板中の非弾性散乱に
よる割合を多くさせて単結晶化が高速度化される。
り、イオンビームを基板表面から照射すると共に、Ｘ
線、紫外線、電子線等を併せて照射することにより、エ
ピタキシャル単結晶化を通常の固相エピタキシャル成長
温度よりも低温において、単結晶基板中の非弾性散乱に
よる割合を多くさせて単結晶化が高速度化される。
【０００８】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
【０００９】図１は、本発明の第１実施例のビームアニ
ール方法の概念を説明するための図であり、図２（ａ）
は前記ビームアニール方法を実施するためのビームアニ
ール装置の概略的な外観を示す図であり、同図（ｂ）
は、図２（ａ）のＡ−Ａ´断面を示す図である。
ール方法の概念を説明するための図であり、図２（ａ）
は前記ビームアニール方法を実施するためのビームアニ
ール装置の概略的な外観を示す図であり、同図（ｂ）
は、図２（ａ）のＡ−Ａ´断面を示す図である。
【００１０】このビームアニール装置は、排気系により
真空になるターゲットチャンバ１０にイオンビームの導
入ポート１１と、Ｘ線，電子線，紫外線等を導入する導
入ポート１２が設けられている。このターゲットチャン
バ１０内には、半導体基板１３が、その主面に対して前
記イオンビームが垂直に照射されるように設置されてい
る。そして前記ターゲットチャンバ１０には、前記半導
体基板１３を搬入するための搬送用ポート１５が設けら
れている。
真空になるターゲットチャンバ１０にイオンビームの導
入ポート１１と、Ｘ線，電子線，紫外線等を導入する導
入ポート１２が設けられている。このターゲットチャン
バ１０内には、半導体基板１３が、その主面に対して前
記イオンビームが垂直に照射されるように設置されてい
る。そして前記ターゲットチャンバ１０には、前記半導
体基板１３を搬入するための搬送用ポート１５が設けら
れている。
【００１１】すなわち、本発明はイオンビームを照射し
て、基板単結晶上の非晶質層を通常の固相エピタキシャ
ル成長温度以下の低温で単結晶化すると共に、Ｘ線、紫
外線、電子線等のエネルギービームを同時に照射して、
単結晶化速度の高速化を図る。
て、基板単結晶上の非晶質層を通常の固相エピタキシャ
ル成長温度以下の低温で単結晶化すると共に、Ｘ線、紫
外線、電子線等のエネルギービームを同時に照射して、
単結晶化速度の高速化を図る。
【００１２】次に図１を参照して本発明のビームアニー
ル方法について説明する。
ル方法について説明する。
【００１３】図１において、表面から入射した各イオン
飛跡を中心として、非晶質（アモルファス）層１下の単
結晶基板２中に円柱状の空格子点３と格子間原子４から
なる欠陥領域ｍが形成される。この欠陥領域ｍは、イオ
ン飛跡に沿った円柱状の中心部ａ付近では空格子点濃度
が高く、また半径方向周辺部ｂ，ｂ´では格子間原子濃
度が高くなっている。
飛跡を中心として、非晶質（アモルファス）層１下の単
結晶基板２中に円柱状の空格子点３と格子間原子４から
なる欠陥領域ｍが形成される。この欠陥領域ｍは、イオ
ン飛跡に沿った円柱状の中心部ａ付近では空格子点濃度
が高く、また半径方向周辺部ｂ，ｂ´では格子間原子濃
度が高くなっている。
【００１４】これらの欠陥領域ｍにイオンビームを照射
して欠陥を回復させると共に、単結晶基板２上に形成さ
れた非晶質相の単結晶化を行う。
して欠陥を回復させると共に、単結晶基板２上に形成さ
れた非晶質相の単結晶化を行う。
【００１５】第１に、イオンビームを基板表面から照射
すると、通常の固相エピタキシャル成長温度よりも低温
の状態で、前記空格子点が高濃度領域の中心部ａ付近か
ら低濃度領域の周辺領域の方向（矢印ｅ）へ熱拡散す
る。
すると、通常の固相エピタキシャル成長温度よりも低温
の状態で、前記空格子点が高濃度領域の中心部ａ付近か
ら低濃度領域の周辺領域の方向（矢印ｅ）へ熱拡散す
る。
【００１６】このように拡散することにより、イオン飛
跡に沿った中心部付近ａは、結晶が再結合して結晶性を
回復し、前記周辺部付近ａにおいては、すでに存在して
いた格子間原子４と再結合することにより、結晶が回復
する。
跡に沿った中心部付近ａは、結晶が再結合して結晶性を
回復し、前記周辺部付近ａにおいては、すでに存在して
いた格子間原子４と再結合することにより、結晶が回復
する。
【００１７】また空格子点３は、円柱状の周辺部ｂ，ｂ
´の方向（矢印ｆ）のみならず、これと垂直な非晶質層
２方向（矢印ｇ）へも熱拡散する。この時、前記空格子
点３は、入射するイオンによって反跳されて、前記非晶
質層１から単結晶基板２に供給される格子間原子４より
も熱拡散により単結晶基板から非晶質層へ供給される空
格子点３の数が多い場合に、非晶質一単結晶界面５で空
格子点３、格子間原子４が再結合し、その後、余分に残
った空格子点３が非晶質層１へ供給される。
´の方向（矢印ｆ）のみならず、これと垂直な非晶質層
２方向（矢印ｇ）へも熱拡散する。この時、前記空格子
点３は、入射するイオンによって反跳されて、前記非晶
質層１から単結晶基板２に供給される格子間原子４より
も熱拡散により単結晶基板から非晶質層へ供給される空
格子点３の数が多い場合に、非晶質一単結晶界面５で空
格子点３、格子間原子４が再結合し、その後、余分に残
った空格子点３が非晶質層１へ供給される。
【００１８】そして前記非晶質層１へ供給された余分の
空格子点３は、該非晶質層１中に存在する単結晶との界
面付近で空格子点に相当する空間領域（vacant space）
６を形成する。さらにイオンビームの照射を継続させる
と、前記空格子点３の供給が継続されて、界面付近での
非晶質層中の前記空間領域６が拡大する。
空格子点３は、該非晶質層１中に存在する単結晶との界
面付近で空格子点に相当する空間領域（vacant space）
６を形成する。さらにイオンビームの照射を継続させる
と、前記空格子点３の供給が継続されて、界面付近での
非晶質層中の前記空間領域６が拡大する。
【００１９】この拡大によって、非晶質層１を構成する
原子の熱振動自由度を大きくし、エピタキシャル単結晶
化を通常の固相エピタキシャル成長温度よりも低温にお
いて誘起する。
原子の熱振動自由度を大きくし、エピタキシャル単結晶
化を通常の固相エピタキシャル成長温度よりも低温にお
いて誘起する。
【００２０】第２に、前述したようにイオンビームを照
射している時に、Ｘ線、紫外線、電子線等（以下、２次
照射線と称する）を併せて照射する。
射している時に、Ｘ線、紫外線、電子線等（以下、２次
照射線と称する）を併せて照射する。
【００２１】このように２次照射線を同時照射すること
により、まず、２次照射線のエネルギービームは照射さ
れる基板中に、空格子点一格子間原子を殆ど形成せず、
電子一正孔対を多数形成する。
により、まず、２次照射線のエネルギービームは照射さ
れる基板中に、空格子点一格子間原子を殆ど形成せず、
電子一正孔対を多数形成する。
【００２２】そして、高濃度になった前記電子一正孔対
は、イオンビームの照射の際に形成された中性の空格子
点３に電気的に作用して、該中性の空格子点３を２価の
負に帯電された空格子点に変換する。前記２価の負に帯
電された空格子点は中性の空格子点よりも単結晶基板２
中を容易に動くことができる性質を有している。
は、イオンビームの照射の際に形成された中性の空格子
点３に電気的に作用して、該中性の空格子点３を２価の
負に帯電された空格子点に変換する。前記２価の負に帯
電された空格子点は中性の空格子点よりも単結晶基板２
中を容易に動くことができる性質を有している。
【００２３】つまり図１に示した単結晶基板２から非晶
質層１への熱拡散による空格子点３の供給（矢印ｈ）が
活発化され、単結晶化速度を増速させる。
質層１への熱拡散による空格子点３の供給（矢印ｈ）が
活発化され、単結晶化速度を増速させる。
【００２４】従って、イオンビーム照射に併せて前記２
次照射線を同時に照射して、照射エネルギーの全体的な
レベルを上げることにより、非弾性散乱の割合を大きく
して、単結晶化速度が増加させるものである。ここで、
前記非弾性散乱とは、弾性衝突により生じる散乱であっ
て、散乱前の運動エネルギーの一部が、原子中の電子を
励起することや原子を電離させることに使用されてしま
うため、散乱後の運動エネルギーが散乱前の運動エネル
ギーより小さくなる。
次照射線を同時に照射して、照射エネルギーの全体的な
レベルを上げることにより、非弾性散乱の割合を大きく
して、単結晶化速度が増加させるものである。ここで、
前記非弾性散乱とは、弾性衝突により生じる散乱であっ
て、散乱前の運動エネルギーの一部が、原子中の電子を
励起することや原子を電離させることに使用されてしま
うため、散乱後の運動エネルギーが散乱前の運動エネル
ギーより小さくなる。
【００２５】つまり、第１実施例における同時照射され
た前記２次照射線は、原子核の電子の励起や電離に用い
られるように物質に吸収される。この結果、前記物質が
イオンビームからの弾性散乱によって受け取るエネルギ
ー量より、電子の励起や電離のために受けとるエネルギ
ー量を多くすることができる。
た前記２次照射線は、原子核の電子の励起や電離に用い
られるように物質に吸収される。この結果、前記物質が
イオンビームからの弾性散乱によって受け取るエネルギ
ー量より、電子の励起や電離のために受けとるエネルギ
ー量を多くすることができる。
【００２６】さらに、電子線やＸ線等の２次照射線だけ
の照射では、全く単結晶化しないビーム強度であって
も、イオンビームと同時に照射することにより単結晶化
することが可能である。
の照射では、全く単結晶化しないビーム強度であって
も、イオンビームと同時に照射することにより単結晶化
することが可能である。
【００２７】次に図３、図４に示す特性図を参照して、
本発明の第２実施例を説明する。
本発明の第２実施例を説明する。
【００２８】この第２実施例は、イオンビーム照射だけ
であるが、照射エネルギーのレベルを上げることによ
り、非弾性散乱の割合を大きくし、前記２次照射線を同
時に照射したのと同様な効果を与えて単結晶化速度が増
加させるものである。
であるが、照射エネルギーのレベルを上げることによ
り、非弾性散乱の割合を大きくし、前記２次照射線を同
時に照射したのと同様な効果を与えて単結晶化速度が増
加させるものである。
【００２９】図３は、照射エネルギーに対する単結晶加
速度を示す特性図である。ここで、横軸は照射エネルギ
ー、縦軸は単結晶加速度を示す。この図から明らかなよ
うに、単結晶化度は照射エネルギーが高くなる程大きく
なる。
速度を示す特性図である。ここで、横軸は照射エネルギ
ー、縦軸は単結晶加速度を示す。この図から明らかなよ
うに、単結晶化度は照射エネルギーが高くなる程大きく
なる。
【００３０】もし空格子点濃度のみによって、単結晶化
速度が律速するのならば、照射エネルギーが高くなる
程、単結晶化速度は小さくなる。これは、図４（ａ）に
示すように、原子核的弾性衝突による蓄積エネルギー分
布から非晶質層一単結晶界面付近においては、照射エネ
ルギーが高くなる程、逆に蓄積エネルギーは小さくなる
からである。すなわち、空格子点濃度が小さくなり、非
晶質層へ供給される空格子点の数も少なくなって、単結
晶化速度は小さくなる（図３の点線）。
速度が律速するのならば、照射エネルギーが高くなる
程、単結晶化速度は小さくなる。これは、図４（ａ）に
示すように、原子核的弾性衝突による蓄積エネルギー分
布から非晶質層一単結晶界面付近においては、照射エネ
ルギーが高くなる程、逆に蓄積エネルギーは小さくなる
からである。すなわち、空格子点濃度が小さくなり、非
晶質層へ供給される空格子点の数も少なくなって、単結
晶化速度は小さくなる（図３の点線）。
【００３１】しかし実際は、図３の実線で示す測定値の
ように、逆に照射エネルギーが高くなる程、単結晶化速
度が大きくなる。つまり、図４（ｂ）に示すように、電
子的非弾性衝突による蓄積エネルギー分布から、照射エ
ネルギーが高くなる程、形成される電子一正孔対の数が
多くなり、中性の空格子点が動き易い負２価に帯電した
空格子点へ変換され、非晶質層へ効率よく空格子点が供
給されることになり、単結晶速度が増速したためであ
る。
ように、逆に照射エネルギーが高くなる程、単結晶化速
度が大きくなる。つまり、図４（ｂ）に示すように、電
子的非弾性衝突による蓄積エネルギー分布から、照射エ
ネルギーが高くなる程、形成される電子一正孔対の数が
多くなり、中性の空格子点が動き易い負２価に帯電した
空格子点へ変換され、非晶質層へ効率よく空格子点が供
給されることになり、単結晶速度が増速したためであ
る。
【００３２】以上のように本発明によれば、イオンビー
ム照射により単結晶基板上の非晶質層を通常の固相エピ
タキシャル成長温度よりも低温で単結晶化させる単結晶
化速度をＸ線、電子線、紫外線等の外部エネルギービー
ムを同時照射することにより、増加させることができ
る。
ム照射により単結晶基板上の非晶質層を通常の固相エピ
タキシャル成長温度よりも低温で単結晶化させる単結晶
化速度をＸ線、電子線、紫外線等の外部エネルギービー
ムを同時照射することにより、増加させることができ
る。
【００３３】また本発明は、前述した実施例に限定され
るものではなく、他にも発明の要旨を逸脱しない範囲で
種々の変形や応用が可能であることは勿論である。
るものではなく、他にも発明の要旨を逸脱しない範囲で
種々の変形や応用が可能であることは勿論である。
【００３４】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、イ
オンビーム照射により、通常の固相エピタキシャル成長
温度以下の低温で単結晶化速度の高速化を実現するアニ
ール方法が提供できる。またイオンビーム照射中に、Ｘ
線、電子線、紫外線等のエネルギービームを同時照射さ
せることにより、単結晶化速度の高速化を図ることでき
る。
オンビーム照射により、通常の固相エピタキシャル成長
温度以下の低温で単結晶化速度の高速化を実現するアニ
ール方法が提供できる。またイオンビーム照射中に、Ｘ
線、電子線、紫外線等のエネルギービームを同時照射さ
せることにより、単結晶化速度の高速化を図ることでき
る。
【図１】図１は、本発明の第１実施例のビームアニール
方法の概念を示す図である。
方法の概念を示す図である。
【図２】図２（ａ）は本発明のビームアニール方法を実
施するためのビームアニール装置の概略的な外観を示す
図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のビームアニール
装置のＡ−Ａ´断面を示す図である。
施するためのビームアニール装置の概略的な外観を示す
図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のビームアニール
装置のＡ−Ａ´断面を示す図である。
【図３】図３は、照射エネルギーに対する単結晶加速度
を示す特性図である。
を示す特性図である。
【図４】図４（ａ）は、基板の深さに対する原子核蓄積
エネルギー濃度を示す特性図であり、図４（ｂ）は、基
板の深さに対する電子蓄積エネルギー濃度を示す特性図
である。
エネルギー濃度を示す特性図であり、図４（ｂ）は、基
板の深さに対する電子蓄積エネルギー濃度を示す特性図
である。
１…非晶質（アモルファス）層、２…単結晶基板、３…
空格子点、４…格子間原子、５…非晶質一単結晶界面、
６…空間領域（vacant space）、７…置換原子核、１０
…ターゲットチャンバ、１１…イオンビーム用導入ポー
ト、１２…Ｘ線、電子線、紫外線等の導入ポート、１３
…半導体基板、１４…導入機、１５…搬送用ポート、ｍ
…欠陥領域。
空格子点、４…格子間原子、５…非晶質一単結晶界面、
６…空間領域（vacant space）、７…置換原子核、１０
…ターゲットチャンバ、１１…イオンビーム用導入ポー
ト、１２…Ｘ線、電子線、紫外線等の導入ポート、１３
…半導体基板、１４…導入機、１５…搬送用ポート、ｍ
…欠陥領域。
Claims (3)
- 【請求項１】 単結晶基板上に形成された非晶質層を固
相エピタキシャル成長温度より低い温度において単結晶
化させる、及び該単結晶基板の単結晶中に発生した欠陥
を前記低温でアニールするイオンビーム照射アニール法
において、 半導体基板の一主面の表面にビーム状のイオンを照射す
るイオンビーム照射工程と、 前記イオンビーム照射工程のイオンビーム照射中に、外
部から電子一正孔対を多数形成する２次エネルギービー
ムを併せて照射する２次エネルギービーム照射工程とを
具備し、前記単結晶基板中の非弾性散乱による割合を多
くすることを特徴とするビームアニール方法。 - 【請求項２】 前記２次エネルギービームがＸ線、紫外
線、電子線であることを特徴とする請求項１記載のビー
ムアニール方法。 - 【請求項３】 単結晶基板上に形成された非晶質層を固
相エピタキシャル成長温度より低い温度において単結晶
化させる、及び該単結晶基板の単結晶中に発生した欠陥
を低温でアニールするイオンビーム照射アニール法にお
いて、 半導体基板の一主面の表面に照射するイオンビームのエ
ネルギーを高くするにより、基板中の非弾性散乱による
割合を多くすることを特徴とするビームアニール方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18118591A JPH0529215A (ja) | 1991-07-22 | 1991-07-22 | ビームアニール方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18118591A JPH0529215A (ja) | 1991-07-22 | 1991-07-22 | ビームアニール方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529215A true JPH0529215A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16096353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18118591A Pending JPH0529215A (ja) | 1991-07-22 | 1991-07-22 | ビームアニール方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0529215A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6479313B1 (en) | 2001-05-25 | 2002-11-12 | Kopin Corporation | Method of manufacturing GaN-based p-type compound semiconductors and light emitting diodes |
| JP2011505685A (ja) * | 2007-11-13 | 2011-02-24 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | 粒子ビーム補助による薄膜材料の改良 |
| US8193071B2 (en) * | 2008-03-11 | 2012-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| CN111105999A (zh) * | 2019-12-12 | 2020-05-05 | 广东省半导体产业技术研究院 | 一种led发光器件及其制备方法、辐照处理装置 |
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1991
- 1991-07-22 JP JP18118591A patent/JPH0529215A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6479313B1 (en) | 2001-05-25 | 2002-11-12 | Kopin Corporation | Method of manufacturing GaN-based p-type compound semiconductors and light emitting diodes |
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