JPH0529232A - 常圧気相成長装置 - Google Patents
常圧気相成長装置Info
- Publication number
- JPH0529232A JPH0529232A JP18279291A JP18279291A JPH0529232A JP H0529232 A JPH0529232 A JP H0529232A JP 18279291 A JP18279291 A JP 18279291A JP 18279291 A JP18279291 A JP 18279291A JP H0529232 A JPH0529232 A JP H0529232A
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- JP
- Japan
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- semiconductor wafer
- temperature
- semiconductor wafers
- pressure vapor
- reaction furnace
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体ウェーハの表面の温度を測定してヒータ
の加熱温度を制御し、半導体ウェーハを一定温度に保つ
ことにより、気相成長膜の品質を一定にする。 【構成】搬送プレート２の上に搭載した半導体ウェーハ
１の表面温度を測定する赤外線温度測定器７を少くとも
反応炉６内の数個所に設け、得られた半導体ウェーハ１
の温度により搬送プレート２の下に設けたプレーヒータ
３及びメインヒータ４の加熱温度を制御する。
の加熱温度を制御し、半導体ウェーハを一定温度に保つ
ことにより、気相成長膜の品質を一定にする。 【構成】搬送プレート２の上に搭載した半導体ウェーハ
１の表面温度を測定する赤外線温度測定器７を少くとも
反応炉６内の数個所に設け、得られた半導体ウェーハ１
の温度により搬送プレート２の下に設けたプレーヒータ
３及びメインヒータ４の加熱温度を制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板表面に原料
ガスに応じた膜を気相成長させる常圧気相成長装置に関
する。
ガスに応じた膜を気相成長させる常圧気相成長装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造においては、表面保護
膜や、層間絶縁膜形成等の多くの工程において常圧気相
成長装置が用いられている。
膜や、層間絶縁膜形成等の多くの工程において常圧気相
成長装置が用いられている。
【０００３】図２は従来の常圧気相成長装置の１例を示
す模式的断面図である。
す模式的断面図である。
【０００４】図２に示すように、半導体基板１は、搬送
プレート２に搭載されプレヒータ３およびメインヒータ
４で加温されながら順次コンベア式に反応炉内６に運ば
れ、反応炉６内に設けた原料ガス供給口５より半導体ウ
ェーハ１の表面へ原料ガスを吹きつけられ、原料ガスに
応じた膜、例えば表面保護膜や層間絶縁膜等が形成され
る。
プレート２に搭載されプレヒータ３およびメインヒータ
４で加温されながら順次コンベア式に反応炉内６に運ば
れ、反応炉６内に設けた原料ガス供給口５より半導体ウ
ェーハ１の表面へ原料ガスを吹きつけられ、原料ガスに
応じた膜、例えば表面保護膜や層間絶縁膜等が形成され
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の常圧気
相成長装置は、半導体ウェーハの表面温度調整をプレヒ
ータ及びメインヒータの温度を一定に保つという事のみ
で行なっている為、半導体ウェーハの表面温度を毎回一
定に保つことが出来ず、一定品質の膜を形成することが
出来ないという問題点があった。
相成長装置は、半導体ウェーハの表面温度調整をプレヒ
ータ及びメインヒータの温度を一定に保つという事のみ
で行なっている為、半導体ウェーハの表面温度を毎回一
定に保つことが出来ず、一定品質の膜を形成することが
出来ないという問題点があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の常圧気相成長装
置は、半導体ウェーハを搭載して順次反応炉内に搬送す
る搬送プレートと、前記搬送プレートの下部に設けて前
記半導体ウェーハの温度を測定し前記ヒータの加熱温度
を制御するための赤外線温度測定器とを備えている。
置は、半導体ウェーハを搭載して順次反応炉内に搬送す
る搬送プレートと、前記搬送プレートの下部に設けて前
記半導体ウェーハの温度を測定し前記ヒータの加熱温度
を制御するための赤外線温度測定器とを備えている。
【０００７】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００８】図１は本発明の一実施例を示す模式的断面
図である。
図である。
【０００９】図１に示すように、半導体ウェーハ１を搭
載してコンベア式に順次反応炉６内に搬送する搬送プレ
ート２と、搬送プレート２の下部に設けて半導体ウェー
ハ１を予熱するプレヒータ３と、反応炉６内の搬送プレ
ート２の下部に設けて半導体ウェーハ１を加熱するメイ
ンヒータ４と、反応炉６外及び反応炉６内の数個所に分
散して設け予熱後及び反応炉中の半導体ウェーハ１の温
度を測定する赤外線温度測定器７と、反応炉６内に設け
た原料ガス供給口５とを備えて構成され、赤外線温度測
定器７により、半導体ウェーハ１の表面温度を測定し、
プレヒータ３及びメインヒータ４の温度を制御して反応
炉６内の半導体ウェーハ１の表面温度を一定温度に保っ
た状態で原料ガス供給口５より原料ガスを半導体ウェー
ハ１の表面に吹き付け、膜を形成する。
載してコンベア式に順次反応炉６内に搬送する搬送プレ
ート２と、搬送プレート２の下部に設けて半導体ウェー
ハ１を予熱するプレヒータ３と、反応炉６内の搬送プレ
ート２の下部に設けて半導体ウェーハ１を加熱するメイ
ンヒータ４と、反応炉６外及び反応炉６内の数個所に分
散して設け予熱後及び反応炉中の半導体ウェーハ１の温
度を測定する赤外線温度測定器７と、反応炉６内に設け
た原料ガス供給口５とを備えて構成され、赤外線温度測
定器７により、半導体ウェーハ１の表面温度を測定し、
プレヒータ３及びメインヒータ４の温度を制御して反応
炉６内の半導体ウェーハ１の表面温度を一定温度に保っ
た状態で原料ガス供給口５より原料ガスを半導体ウェー
ハ１の表面に吹き付け、膜を形成する。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体ウ
ェーハの表面温度を一定に保つことで反応条件を同一に
し、毎回、同質の気相成長膜を形成することが出来ると
いう効果を有する。
ェーハの表面温度を一定に保つことで反応条件を同一に
し、毎回、同質の気相成長膜を形成することが出来ると
いう効果を有する。
【図１】本発明の一実施例を示す模式的断面図。
【図２】従来の常圧気相成長装置の一例を示す模式的断
面図。
面図。
１ 半導体ウェーハ ２ 搬送プレート ３ プレヒータ ４ メインヒータ ５ 原料ガス供給口 ６ 反応炉 ７ 赤外線温度測定器
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 半導体ウェーハを搭載して順次反応炉内
に搬送する搬送プレートと、前記搬送プレートの下部に
設けて前記半導体ウェーハを加熱するヒータと、少くと
も前記反応炉内に設けて前記半導体ウェーハの温度を測
定し前記ヒータの加熱温度を制御するための赤外線温度
測定器とを備えたことを特徴とする常圧気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18279291A JPH0529232A (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | 常圧気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18279291A JPH0529232A (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | 常圧気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529232A true JPH0529232A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16124505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18279291A Pending JPH0529232A (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | 常圧気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0529232A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5831248A (en) * | 1996-05-23 | 1998-11-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Heat-controlling device |
| JP2002115073A (ja) * | 2000-10-11 | 2002-04-19 | Kobe Steel Ltd | プラズマ処理装置 |
| EP0966026A3 (en) * | 1998-06-18 | 2002-07-17 | Ngk Insulators, Ltd. | A method for reducing particles from an electrostatic chuck and an equipment for manufacturing a semiconductor |
| US9222581B2 (en) | 2013-02-28 | 2015-12-29 | Kanzaki Kokyukoki Mfg. Co., Ltd. | Continuously variable transmission control system for vehicle and work vehicle |
-
1991
- 1991-07-24 JP JP18279291A patent/JPH0529232A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5831248A (en) * | 1996-05-23 | 1998-11-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Heat-controlling device |
| EP0966026A3 (en) * | 1998-06-18 | 2002-07-17 | Ngk Insulators, Ltd. | A method for reducing particles from an electrostatic chuck and an equipment for manufacturing a semiconductor |
| US6549392B1 (en) | 1998-06-18 | 2003-04-15 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for reducing particles from an electrostatic chuck and an equipment for manufacturing a semiconductor |
| JP2002115073A (ja) * | 2000-10-11 | 2002-04-19 | Kobe Steel Ltd | プラズマ処理装置 |
| US9222581B2 (en) | 2013-02-28 | 2015-12-29 | Kanzaki Kokyukoki Mfg. Co., Ltd. | Continuously variable transmission control system for vehicle and work vehicle |
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