JPH0529271Y2 - - Google Patents
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- JPH0529271Y2 JPH0529271Y2 JP10022088U JP10022088U JPH0529271Y2 JP H0529271 Y2 JPH0529271 Y2 JP H0529271Y2 JP 10022088 U JP10022088 U JP 10022088U JP 10022088 U JP10022088 U JP 10022088U JP H0529271 Y2 JPH0529271 Y2 JP H0529271Y2
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- JP
- Japan
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- gate
- semiconductor switch
- controlled semiconductor
- heat exchanger
- switch
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Landscapes
- Bidet-Like Cleaning Device And Other Flush Toilet Accessories (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、局部洗浄機能を持つ衛生洗浄装置に
関する。
関する。
従来から、局部に温水を噴出して洗浄する各種
の衛生洗浄装置が利用されている。第5図は衛生
洗浄装置Aを便器本体Bに据え付けた典型的な例
を示す斜視図である。衛生洗浄装置Aはそのケー
シング1の内部に機能部を収納し、側部に配置し
た操作パネル1aによつてこれらの機能部を操作
する構成である。
の衛生洗浄装置が利用されている。第5図は衛生
洗浄装置Aを便器本体Bに据え付けた典型的な例
を示す斜視図である。衛生洗浄装置Aはそのケー
シング1の内部に機能部を収納し、側部に配置し
た操作パネル1aによつてこれらの機能部を操作
する構成である。
第6図はケーシング1の内部の概略を示す平面
図であり、左から順にバルブユニツト20、熱交
換器2、ノズル装置21及び温風フアン22を配
置し、更にバルブユニツト20とノズル装置21
との間に制御部の回路基盤23が設けられてい
る。
図であり、左から順にバルブユニツト20、熱交
換器2、ノズル装置21及び温風フアン22を配
置し、更にバルブユニツト20とノズル装置21
との間に制御部の回路基盤23が設けられてい
る。
バルブユニツト20は、減圧弁、開閉弁及び流
量調整弁等を設けたものであり、またノズル装置
21はシリンダ21a及びノズルロツド21bを
備えてこのノズルロツド21bを進退させ、送り
込まれた洗浄水を噴出させる構造を持つ。温風フ
アン22はインペラ及びヒータを内蔵し、温風を
噴き出して乾燥させる機能を備えている。
量調整弁等を設けたものであり、またノズル装置
21はシリンダ21a及びノズルロツド21bを
備えてこのノズルロツド21bを進退させ、送り
込まれた洗浄水を噴出させる構造を持つ。温風フ
アン22はインペラ及びヒータを内蔵し、温風を
噴き出して乾燥させる機能を備えている。
また、熱交換器2は直接加熱式のセラミツクヒ
ータや温度センサ等を内蔵したもので、バルブユ
ニツト20から供給された洗浄水を設定温度まで
加熱してこれをノズル装置21に送り込む系を構
成している。
ータや温度センサ等を内蔵したもので、バルブユ
ニツト20から供給された洗浄水を設定温度まで
加熱してこれをノズル装置21に送り込む系を構
成している。
これらのバルブユニツト20、ノズル装置2
1、温風フアン22及び熱交換器2は、回路基盤
23及び操作パネル1aによつて構成される制御
部によつて制御される。
1、温風フアン22及び熱交換器2は、回路基盤
23及び操作パネル1aによつて構成される制御
部によつて制御される。
熱交換器2及び温風フアン22に内蔵したヒー
タをオン、オフさせる制御のため、スイツチング
素子が制御系に備えられる。このスイツチング素
子は、交流電力用に設計されたゲート制御式の半
導体スイツチが主として利用され、たとえば「ト
ライアツク」と称されるものが一般に利用されて
いる。ところが、このゲート制御式半導体スイツ
チはヒータへの通電電流が大きくなると、発熱量
がかなり大きくなる。一方、ケーシング1は水を
被つても確実に防水できるように密閉構造となつ
ているので、ゲート制御式半導体スイツチからの
放熱冷却には限界があり、異常高温となつて破損
してしまう恐れがある。
タをオン、オフさせる制御のため、スイツチング
素子が制御系に備えられる。このスイツチング素
子は、交流電力用に設計されたゲート制御式の半
導体スイツチが主として利用され、たとえば「ト
ライアツク」と称されるものが一般に利用されて
いる。ところが、このゲート制御式半導体スイツ
チはヒータへの通電電流が大きくなると、発熱量
がかなり大きくなる。一方、ケーシング1は水を
被つても確実に防水できるように密閉構造となつ
ているので、ゲート制御式半導体スイツチからの
放熱冷却には限界があり、異常高温となつて破損
してしまう恐れがある。
このような発熱に対し、たとえばアルミニウム
等の金属製の冷却フアンを設けてこれにゲート制
御式半導体スイツチを取り付け、放熱面積を増し
て冷却したり、洗浄水の配管に沿わせるように半
導体スイツチを配置して間接的に水冷する構造等
が提案されている。
等の金属製の冷却フアンを設けてこれにゲート制
御式半導体スイツチを取り付け、放熱面積を増し
て冷却したり、洗浄水の配管に沿わせるように半
導体スイツチを配置して間接的に水冷する構造等
が提案されている。
しかしながら、熱交換器2とは別体にゲート制
御式半導体スイツチを備えると、多数の機器や配
線が収納されるケーシング1内に新たな据付けス
ペースが必要となる。これは、限られた大きさの
ケーシング1の中に機器を納めなければならない
構造を考えると、設計面でかなり問題となり、他
の機器まで含めたレイアウト全般の変更が必要と
なる。
御式半導体スイツチを備えると、多数の機器や配
線が収納されるケーシング1内に新たな据付けス
ペースが必要となる。これは、限られた大きさの
ケーシング1の中に機器を納めなければならない
構造を考えると、設計面でかなり問題となり、他
の機器まで含めたレイアウト全般の変更が必要と
なる。
また、配管に沿わせてゲート制御式半導体スイ
ツチを固定して冷却効率を上げるには、熱伝導性
の高いたとえば銅板等を利用したベース等を新た
に設けることも必要である。このため、部品点数
も多くなり、しかもケーシング1内に配管した後
にゲート制御式半導体スイツチを別途固定する工
程となるので、コスト面でも不利であつた。
ツチを固定して冷却効率を上げるには、熱伝導性
の高いたとえば銅板等を利用したベース等を新た
に設けることも必要である。このため、部品点数
も多くなり、しかもケーシング1内に配管した後
にゲート制御式半導体スイツチを別途固定する工
程となるので、コスト面でも不利であつた。
そこで、本考案は、ゲート制御式半導体スイツ
チの据付けがコンパクトに簡単に行えるようにす
ることを目的とする。
チの据付けがコンパクトに簡単に行えるようにす
ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
本考案の衛生洗浄装置は、以上の目的を達成す
るために、局部洗浄用の水の供給流路にヒータ内
蔵の熱交換器を設け、該熱交換器からの洗浄温水
を噴出するノズル装置を備えた衛生洗浄装置にお
いて、前記熱交換器のハウジングの表面に伝熱板
を固定すると共に、該伝熱板に前記ヒータへの通
電を制御するゲート制御式半導体スイツチ及び洗
浄温水の異常高温時に前記ヒータへの通電を切る
バイメタルスイツチをそれぞれ取り付け、前記ゲ
ート制御式半導体スイツチとバイメタルスイツチ
のそれぞれの取付座どうしの間に、前記伝熱板の
縦断面積の大きさを他の部分よりも縮小させた熱
伝達抑制部を設け、前記ハウジング内を流れる洗
浄水を、前記伝熱板を介した前記ゲート制御式半
導体スイツチの冷却媒体としたことを特徴とす
る。
るために、局部洗浄用の水の供給流路にヒータ内
蔵の熱交換器を設け、該熱交換器からの洗浄温水
を噴出するノズル装置を備えた衛生洗浄装置にお
いて、前記熱交換器のハウジングの表面に伝熱板
を固定すると共に、該伝熱板に前記ヒータへの通
電を制御するゲート制御式半導体スイツチ及び洗
浄温水の異常高温時に前記ヒータへの通電を切る
バイメタルスイツチをそれぞれ取り付け、前記ゲ
ート制御式半導体スイツチとバイメタルスイツチ
のそれぞれの取付座どうしの間に、前記伝熱板の
縦断面積の大きさを他の部分よりも縮小させた熱
伝達抑制部を設け、前記ハウジング内を流れる洗
浄水を、前記伝熱板を介した前記ゲート制御式半
導体スイツチの冷却媒体としたことを特徴とす
る。
以下、図面に示す実施例により本考案の特徴を
具体的に説明する。
具体的に説明する。
第1図は本考案の衛生洗浄装置の内部を示す概
略平面図である。
略平面図である。
図において、ケーシング1の内部には左から順
にバルブユニツト20、熱交換器2、回路基盤2
3及びノズル装置21が配置されている。なお、
図示していないが、従来例で示したような温風フ
アンを右側に備えることもできる。
にバルブユニツト20、熱交換器2、回路基盤2
3及びノズル装置21が配置されている。なお、
図示していないが、従来例で示したような温風フ
アンを右側に備えることもできる。
バルブユニツト20は、外部の給水源に接続さ
れたもので、減圧弁20a、開閉弁20b及び流
量調整弁20cをこの順に備えている。そして、
これらの弁の作動は、操作パネル1aのスイツチ
を利用して行い、洗浄に必要な流量の洗浄水を給
水管24から熱交換器2に送り込む。また、ノズ
ル装置21は従来例と同様にシリンダ21a及び
ノズルロツド21bを備えたもので、熱交換器2
から供給された洗浄水を噴出して洗浄可能な構成
を持つ。
れたもので、減圧弁20a、開閉弁20b及び流
量調整弁20cをこの順に備えている。そして、
これらの弁の作動は、操作パネル1aのスイツチ
を利用して行い、洗浄に必要な流量の洗浄水を給
水管24から熱交換器2に送り込む。また、ノズ
ル装置21は従来例と同様にシリンダ21a及び
ノズルロツド21bを備えたもので、熱交換器2
から供給された洗浄水を噴出して洗浄可能な構成
を持つ。
第2図は熱交換器2を拡大して示す平面図、第
3図は第2図のI−I線矢視による縦断面図であ
る。
3図は第2図のI−I線矢視による縦断面図であ
る。
熱交換器2は、そのハウジング2aの内部にヒ
ータ3を差し込んだ構造を持つ。このヒータ3
は、セラミツクを利用した筒状体であり、その基
端を給水管24に接続してバルブユニツト20か
らの洗浄水を直接加熱する。ヒータ3の周りには
隔壁4を設け、その内部を加熱チヤンバ4aとし
ている。そして、ヒータ3の先端から離れた位置
の隔壁4に孔4bを開け、ヒータ3の先端から放
出された洗浄水はヒータ3の外側に沿つて流れた
後この孔4bから外部に流れ出る。
ータ3を差し込んだ構造を持つ。このヒータ3
は、セラミツクを利用した筒状体であり、その基
端を給水管24に接続してバルブユニツト20か
らの洗浄水を直接加熱する。ヒータ3の周りには
隔壁4を設け、その内部を加熱チヤンバ4aとし
ている。そして、ヒータ3の先端から離れた位置
の隔壁4に孔4bを開け、ヒータ3の先端から放
出された洗浄水はヒータ3の外側に沿つて流れた
後この孔4bから外部に流れ出る。
更に、孔4bの位置に合わせて温度センサ5が
配置され、ハウジング2aの上部側にはフロート
スイツチ6及びバキユウムブレーカ7を設けてい
る。フロートスイツチ6は空焚き防止用であり、
またバキユウムブレーカ7は洗浄水の逆流を防止
するために配置されている。そして、このバキユ
ウムブレーカ7にはノズル装置21へ洗浄水を送
り込む供給管7aが接続されている。
配置され、ハウジング2aの上部側にはフロート
スイツチ6及びバキユウムブレーカ7を設けてい
る。フロートスイツチ6は空焚き防止用であり、
またバキユウムブレーカ7は洗浄水の逆流を防止
するために配置されている。そして、このバキユ
ウムブレーカ7にはノズル装置21へ洗浄水を送
り込む供給管7aが接続されている。
ハウジング2aの上端面には、2個の開口2
b,2cが開けられ、これに嵌まり込む断面形状
を持つ伝熱板8が固定されている。この伝熱板8
は、例えば熱伝導性の良い銅板等を利用したもの
で、その上面にトライアツク等のゲート制御式半
導体スイツチ9及びバイメタルスイツチ10をそ
れぞれ固定している。
b,2cが開けられ、これに嵌まり込む断面形状
を持つ伝熱板8が固定されている。この伝熱板8
は、例えば熱伝導性の良い銅板等を利用したもの
で、その上面にトライアツク等のゲート制御式半
導体スイツチ9及びバイメタルスイツチ10をそ
れぞれ固定している。
第4図は伝熱板8の平面図であり、ゲート制御
式半導体スイツチ9用の取付座8a及びバイメタ
ルスイツチ10用の取付座8bを凹設している。
この取付座8a,8bは第3図に示すように、ハ
ウジング2aの開口2b,2cに嵌まり込み、そ
の下面をハウジング2a内に露出させて一体化さ
れる。また、第4図に示すように、取付座8a,
8bとの間には、スリツト11及び端部に切欠1
2をほぼ同列上に形成している。そして、縁部の
6個所には固定用のビスが挿通する孔13を開け
ると共に、取付座8a側の縁部には位置決め用の
溝14を切り欠いている。
式半導体スイツチ9用の取付座8a及びバイメタ
ルスイツチ10用の取付座8bを凹設している。
この取付座8a,8bは第3図に示すように、ハ
ウジング2aの開口2b,2cに嵌まり込み、そ
の下面をハウジング2a内に露出させて一体化さ
れる。また、第4図に示すように、取付座8a,
8bとの間には、スリツト11及び端部に切欠1
2をほぼ同列上に形成している。そして、縁部の
6個所には固定用のビスが挿通する孔13を開け
ると共に、取付座8a側の縁部には位置決め用の
溝14を切り欠いている。
ゲート制御式半導体スイツチ9及びバイメタル
スイツチ10は、それぞれの取付座8a,8bに
嵌め込んだ後、保持キヤツプ15によつて固定さ
れる。この保持キヤツプ15はビス15aを孔1
3に通してハウジング2aにねじ込んで固定され
る。
スイツチ10は、それぞれの取付座8a,8bに
嵌め込んだ後、保持キヤツプ15によつて固定さ
れる。この保持キヤツプ15はビス15aを孔1
3に通してハウジング2aにねじ込んで固定され
る。
ここで、ヒータ3への通電をオン、オフさせる
のに用いるゲート制御式半導体スイツチ9に電流
が流れると、スイツチ自体が発熱する。この発熱
に対し、伝熱板8の取付座8aはハウジング2a
内に露出しているので、流れる洗浄水によつて冷
却される。すなわち、ヒータ3で加熱される洗浄
水の最高温度は40℃程度であるのに対して、ゲー
ト制御式半導体スイツチ9の発熱温度は90℃程度
であり、この温度差を利用してゲート制御式半導
体スイツチ9の冷却が可能となる。
のに用いるゲート制御式半導体スイツチ9に電流
が流れると、スイツチ自体が発熱する。この発熱
に対し、伝熱板8の取付座8aはハウジング2a
内に露出しているので、流れる洗浄水によつて冷
却される。すなわち、ヒータ3で加熱される洗浄
水の最高温度は40℃程度であるのに対して、ゲー
ト制御式半導体スイツチ9の発熱温度は90℃程度
であり、この温度差を利用してゲート制御式半導
体スイツチ9の冷却が可能となる。
このようなゲート制御式半導体スイツチ9の冷
却では、外気に曝されている伝熱板8も冷却フイ
ンと同様な機能を持ち、これによつてもゲート制
御式半導体スイツチ9の冷却が促進される。とこ
ろが、伝熱板8が異常に高温となると、バイメタ
ルスイツチ10に影響を与えてしまう。つまり、
バイメタルスイツチ10は、ヒータ3が万一異常
通電したときの洗浄水の異常過熱を防止するため
のものなので、洗浄水の温度がたとえば50℃を越
えたときに作動するように構成されている。この
ため、ゲート制御式半導体スイツチ9の発熱が伝
熱板8によりバイメタルスイツチ9を加熱するよ
うになると、洗浄水の温度に関係なく作動してヒ
ータ3への通電を停止してしまう結果となる。
却では、外気に曝されている伝熱板8も冷却フイ
ンと同様な機能を持ち、これによつてもゲート制
御式半導体スイツチ9の冷却が促進される。とこ
ろが、伝熱板8が異常に高温となると、バイメタ
ルスイツチ10に影響を与えてしまう。つまり、
バイメタルスイツチ10は、ヒータ3が万一異常
通電したときの洗浄水の異常過熱を防止するため
のものなので、洗浄水の温度がたとえば50℃を越
えたときに作動するように構成されている。この
ため、ゲート制御式半導体スイツチ9の発熱が伝
熱板8によりバイメタルスイツチ9を加熱するよ
うになると、洗浄水の温度に関係なく作動してヒ
ータ3への通電を停止してしまう結果となる。
これに対し、取付座8a,8bとの間のスリツ
ト11及び切欠12は、ゲート制御式半導体スイ
ツチ9の取付座8aからバイメタルスイツチ10
の取付座8bへ熱が伝わり難くする。すなわち、
スリツト11及び切欠12の分だけ断面が小さく
なつているので、取付座8aから取付座8bへの
実質的な伝熱面積が小さくなり、熱伝達が低下す
る。したがつて、ゲート制御式半導体スイツチ9
が発熱しても、取付座8bの温度上昇を抑えるこ
とができ、バイメタルスイツチ10の誤作動を招
くことはない。
ト11及び切欠12は、ゲート制御式半導体スイ
ツチ9の取付座8aからバイメタルスイツチ10
の取付座8bへ熱が伝わり難くする。すなわち、
スリツト11及び切欠12の分だけ断面が小さく
なつているので、取付座8aから取付座8bへの
実質的な伝熱面積が小さくなり、熱伝達が低下す
る。したがつて、ゲート制御式半導体スイツチ9
が発熱しても、取付座8bの温度上昇を抑えるこ
とができ、バイメタルスイツチ10の誤作動を招
くことはない。
以上の構成において、ゲート制御式半導体スイ
ツチ9は伝熱板8を介して熱交換器2に一体化さ
れ、熱交換器2を流れる洗浄水によつて冷却され
る。このため、従来のように洗浄水の配管に沿つ
てゲート制御式半導体スイツチを固定配置した
り、別途冷却フインを設けてこれにゲート制御式
半導体スイツチを取り付けたりする場合に比べ、
専用の据付けスペースを必要とせず、ケーシング
1の内部を有効利用できる。また、スリツト11
及び切欠12をゲート制御式半導体スイツチ9と
バイメタルスイツチ10の取付座8a,8bとの
間に設けて熱がバイメタルスイツチ10側へ伝わ
り難くしているので、ゲート制御式半導体スイツ
チ9の発熱の影響をバイメタルスイツチ10に与
えることもない。
ツチ9は伝熱板8を介して熱交換器2に一体化さ
れ、熱交換器2を流れる洗浄水によつて冷却され
る。このため、従来のように洗浄水の配管に沿つ
てゲート制御式半導体スイツチを固定配置した
り、別途冷却フインを設けてこれにゲート制御式
半導体スイツチを取り付けたりする場合に比べ、
専用の据付けスペースを必要とせず、ケーシング
1の内部を有効利用できる。また、スリツト11
及び切欠12をゲート制御式半導体スイツチ9と
バイメタルスイツチ10の取付座8a,8bとの
間に設けて熱がバイメタルスイツチ10側へ伝わ
り難くしているので、ゲート制御式半導体スイツ
チ9の発熱の影響をバイメタルスイツチ10に与
えることもない。
本考案では、熱交換器の内部流路に臨む伝熱板
を利用してゲート制御式半導体スイツチ及びバイ
メタルスイツチを取り付け、内部を通過する洗浄
水によつてゲート制御式半導体スイツチを冷却す
るので、従来構造に比べるとスイツチのための専
用の配置スペースが不要となり、コンパクト化が
可能となる。
を利用してゲート制御式半導体スイツチ及びバイ
メタルスイツチを取り付け、内部を通過する洗浄
水によつてゲート制御式半導体スイツチを冷却す
るので、従来構造に比べるとスイツチのための専
用の配置スペースが不要となり、コンパクト化が
可能となる。
また、熱伝達抑制部によつて、高温になりやす
いゲート制御式半導体スイツチからバイメタルス
イツチ側への伝熱量が小さくなり、バイメタルス
イツチの誤作動を防ぐことができる。このため、
ゲート制御式半導体スイツチとバイメタルスイツ
チを互いに近くに配置することもでき、小型化が
更に促進される。
いゲート制御式半導体スイツチからバイメタルス
イツチ側への伝熱量が小さくなり、バイメタルス
イツチの誤作動を防ぐことができる。このため、
ゲート制御式半導体スイツチとバイメタルスイツ
チを互いに近くに配置することもでき、小型化が
更に促進される。
第1図は本考案の衛生洗浄装置の内部を示す概
略平面図、第2図は熱交換器の拡大平面図、第3
図は第2図のI−I線矢視による断面図、第4図
は伝熱板の平面図、第5図は衛生洗浄装置を便器
本体に据付けた斜視図、第6図は従来から利用さ
れている衛生洗浄装置の内部概略図である。 1……ケーシング、1a……操作パネル、2…
…熱交換器、2a……ハウジング、2b,2c…
…開口、3……ヒータ、4……隔壁、4a……加
熱チヤンバ、4b……孔、5……温度センサ、6
……フロートスイツチ、7……バキユウムブレー
カ、7a……供給管、8……伝熱板、8a,8b
……取付座、9……ゲート制御式半導体スイツ
チ、10……バイメタルスイツチ、11……スリ
ツト、12……切欠、13……孔、14……溝、
20……バルブユニツト、20a……減圧弁、2
0b……開閉弁、20c……流量調整弁、21…
…ノズル装置、21a……シリンダ、21b……
ノズルロツド、22……温風フアン、23……回
路基盤、24……給水管、A……衛生洗浄装置、
B……便器本体。
略平面図、第2図は熱交換器の拡大平面図、第3
図は第2図のI−I線矢視による断面図、第4図
は伝熱板の平面図、第5図は衛生洗浄装置を便器
本体に据付けた斜視図、第6図は従来から利用さ
れている衛生洗浄装置の内部概略図である。 1……ケーシング、1a……操作パネル、2…
…熱交換器、2a……ハウジング、2b,2c…
…開口、3……ヒータ、4……隔壁、4a……加
熱チヤンバ、4b……孔、5……温度センサ、6
……フロートスイツチ、7……バキユウムブレー
カ、7a……供給管、8……伝熱板、8a,8b
……取付座、9……ゲート制御式半導体スイツ
チ、10……バイメタルスイツチ、11……スリ
ツト、12……切欠、13……孔、14……溝、
20……バルブユニツト、20a……減圧弁、2
0b……開閉弁、20c……流量調整弁、21…
…ノズル装置、21a……シリンダ、21b……
ノズルロツド、22……温風フアン、23……回
路基盤、24……給水管、A……衛生洗浄装置、
B……便器本体。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 局部洗浄用の水の供給流路にヒータ内蔵の熱交
換器を設け、該熱交換器からの洗浄温水を噴出す
るノズル装置を備えた衛生洗浄装置において、 前記熱交換器のハウジングの表面に伝熱板を固
定すると共に、該伝熱板に前記ヒータへの通電を
制御するゲート制御式半導体スイツチ及び洗浄温
水の異常高温時に前記ヒータへの通電を切るバイ
メタルスイツチをそれぞれ取り付け、 前記ゲート制御式半導体スイツチとバイメタル
スイツチのそれぞれの取付座どうしの間に、前記
伝熱板の縦断面積の大きさを他の部分よりも縮小
させた熱伝達抑制部を設け、 前記ハウジング内を流れる洗浄水を、前記伝熱
板を介した前記ゲート制御式半導体スイツチの冷
却媒体とした ことを特徴とする衛生洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10022088U JPH0529271Y2 (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10022088U JPH0529271Y2 (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0223080U JPH0223080U (ja) | 1990-02-15 |
| JPH0529271Y2 true JPH0529271Y2 (ja) | 1993-07-27 |
Family
ID=31328103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10022088U Expired - Lifetime JPH0529271Y2 (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0529271Y2 (ja) |
-
1988
- 1988-07-27 JP JP10022088U patent/JPH0529271Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0223080U (ja) | 1990-02-15 |
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