JPH0529307A - オゾン酸化法 - Google Patents
オゾン酸化法Info
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- JPH0529307A JPH0529307A JP18212991A JP18212991A JPH0529307A JP H0529307 A JPH0529307 A JP H0529307A JP 18212991 A JP18212991 A JP 18212991A JP 18212991 A JP18212991 A JP 18212991A JP H0529307 A JPH0529307 A JP H0529307A
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 欠陥密度や界面準位密度が小にて、且つ高純
度の酸化膜を高速で形成形成する。 【構成】 純水にオゾンを含有させ、該オゾン含有純水
に被酸化物を浸漬または曝す。
度の酸化膜を高速で形成形成する。 【構成】 純水にオゾンを含有させ、該オゾン含有純水
に被酸化物を浸漬または曝す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はオゾン酸化法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、純水中には酸素が含有されて居
り、該酸素により半導体等の表面に酸化膜が形成される
ことはあった。
り、該酸素により半導体等の表面に酸化膜が形成される
ことはあった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
によると形成された酸化膜の膜質、とりわけ欠陥密度が
大にて、かつ界面準位密度も大となる等、膜質が悪いと
言う課題があった。
によると形成された酸化膜の膜質、とりわけ欠陥密度が
大にて、かつ界面準位密度も大となる等、膜質が悪いと
言う課題があった。
【０００４】本発明は、かかる従来技術の課題を解決
し、膜質の良好な酸化膜を形成する方法を提供する事を
目的とする。
し、膜質の良好な酸化膜を形成する方法を提供する事を
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し、上記
目的を達成するために、本発明はオゾン酸化法に関し、
（１） 容器内の純水中にオゾン ガスを導入すると共
に、該オゾン含有純水にシリコン ウエーハ等の半導体
等を浸漬または曝して酸化する手段を取る事、及び、
（２） 容器内の純水中に酸素ガスを導入すると共に、
該酸素含有純水中に紫外線ランプを浸漬して、前記酸素
をオゾン化すると共に、該オゾン含有純水に半導体等を
浸漬または曝して酸化する手段を取る事、及び、（３）
透明容器内の純水中に酸素ガスを導入し、前記透明容
器外から紫外線を照射して、前記酸素ガスをオゾン化し
て、該オゾン含有純水に半導体等を浸漬または曝して酸
化する手段を取る事、及び、（４） 容器内の純水中に
酸素ガスを導入すると共に、該酸素含有純水のは入った
容器の非蓋部から紫外線を照射し、前記酸素をオゾン化
し、該オゾン含有純水に半導体等を浸漬または曝して酸
化する手段を取る事、等の手段を取る。
目的を達成するために、本発明はオゾン酸化法に関し、
（１） 容器内の純水中にオゾン ガスを導入すると共
に、該オゾン含有純水にシリコン ウエーハ等の半導体
等を浸漬または曝して酸化する手段を取る事、及び、
（２） 容器内の純水中に酸素ガスを導入すると共に、
該酸素含有純水中に紫外線ランプを浸漬して、前記酸素
をオゾン化すると共に、該オゾン含有純水に半導体等を
浸漬または曝して酸化する手段を取る事、及び、（３）
透明容器内の純水中に酸素ガスを導入し、前記透明容
器外から紫外線を照射して、前記酸素ガスをオゾン化し
て、該オゾン含有純水に半導体等を浸漬または曝して酸
化する手段を取る事、及び、（４） 容器内の純水中に
酸素ガスを導入すると共に、該酸素含有純水のは入った
容器の非蓋部から紫外線を照射し、前記酸素をオゾン化
し、該オゾン含有純水に半導体等を浸漬または曝して酸
化する手段を取る事、等の手段を取る。
【０００６】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳述する。
【０００７】いま、石英容器内に純水を導入しながら、
オゾン発生器よりオゾンガスをバブリングにより導入
し、該オゾン含有純水中にシリコン ウエーハを浸漬す
るか、または該オゾン含有純水にシリコン ウエーハを
浸漬または曝す事によりシリコン ウエーハ表面に常温
にて数分で 1nm-2nm 厚さの良質なシリコン酸化膜を形
成する事ができる。
オゾン発生器よりオゾンガスをバブリングにより導入
し、該オゾン含有純水中にシリコン ウエーハを浸漬す
るか、または該オゾン含有純水にシリコン ウエーハを
浸漬または曝す事によりシリコン ウエーハ表面に常温
にて数分で 1nm-2nm 厚さの良質なシリコン酸化膜を形
成する事ができる。
【０００８】次に、石英容器内に純水を導入しながら、
酸素ガスを導入すると共に、該酸素含有純水中に紫外線
ランプを浸漬資して、前記酸素をオゾン化すると共に、
該オゾン含有純水にシリコン ウエーハを浸漬または曝
す事によりシリコン ウエーハ表面に1nm-2nm 厚さの良
質なシリコン酸化膜を形成する事ができる。
酸素ガスを導入すると共に、該酸素含有純水中に紫外線
ランプを浸漬資して、前記酸素をオゾン化すると共に、
該オゾン含有純水にシリコン ウエーハを浸漬または曝
す事によりシリコン ウエーハ表面に1nm-2nm 厚さの良
質なシリコン酸化膜を形成する事ができる。
【０００９】次に、石英容器内に純水を導入しながら、
該純水中に酸素ガスを導入し、前記石英容器外から紫外
線を照射して、前記酸素をオゾン化し、該オゾン含有純
水にシリコン ウエーハを浸漬または曝す事によりシリ
コン ウエーハ表面に 1nm-2nm 厚さの良質のシリコン
酸化膜を形成する事ができる。
該純水中に酸素ガスを導入し、前記石英容器外から紫外
線を照射して、前記酸素をオゾン化し、該オゾン含有純
水にシリコン ウエーハを浸漬または曝す事によりシリ
コン ウエーハ表面に 1nm-2nm 厚さの良質のシリコン
酸化膜を形成する事ができる。
【００１０】次に、プラスチック容器内に純水を導入し
ながら、該純水中に酸素ガスを導入し、前記プラスチッ
ク容器の上蓋部等の非蓋部から紫外線を照射し、前記酸
素をオゾン化し、該オゾン含有純水にシリコン ウエー
ハを浸漬または曝す事によりシリコンウエーハ表面に 1
nm-2nm 厚さの良質のシリコン酸化膜を形成する事がで
きる。
ながら、該純水中に酸素ガスを導入し、前記プラスチッ
ク容器の上蓋部等の非蓋部から紫外線を照射し、前記酸
素をオゾン化し、該オゾン含有純水にシリコン ウエー
ハを浸漬または曝す事によりシリコンウエーハ表面に 1
nm-2nm 厚さの良質のシリコン酸化膜を形成する事がで
きる。
【００１１】尚、被酸化物はシリコン ウエーハに限ら
ず、その他の半導体やアルミニュウム等の金属や合金あ
るいは合成樹脂や石英等の絶縁物であっても良い。
ず、その他の半導体やアルミニュウム等の金属や合金あ
るいは合成樹脂や石英等の絶縁物であっても良い。
【００１２】更に、本発明は常温に限らずー４０℃程度
の低温から＋１００℃〜＋２００℃（高圧下）の高温の
いずれの温度範囲で適用しても良い事は言うまでもな
い。
の低温から＋１００℃〜＋２００℃（高圧下）の高温の
いずれの温度範囲で適用しても良い事は言うまでもな
い。
【００１３】本発明によるオゾン酸化では欠陥密度は
０．１ケ／ｃｍ2となり、界面準位密度も１０9／ｃｍ2
以下とすることができ、酸化速度は２〜３倍速くするこ
とができる。
０．１ケ／ｃｍ2となり、界面準位密度も１０9／ｃｍ2
以下とすることができ、酸化速度は２〜３倍速くするこ
とができる。
【００１４】本発明によるオゾン酸化では過酸化水素等
の薬剤を用いないため、薬剤中に入りがちなアルミニュ
ウムや鉄等の不純物汚染を受けることもなく、高純度の
酸化膜を形成することができる。
の薬剤を用いないため、薬剤中に入りがちなアルミニュ
ウムや鉄等の不純物汚染を受けることもなく、高純度の
酸化膜を形成することができる。
【００１５】尚、オゾン含有純水をバブリングしてウエ
ット高温（８００℃〜１２００℃）酸化のソースとなし
てもよく、良質のウエット酸化膜を高速で形成すること
もできる。
ット高温（８００℃〜１２００℃）酸化のソースとなし
てもよく、良質のウエット酸化膜を高速で形成すること
もできる。
【００１６】
【発明の効果】本発明により欠陥密度が小にて、界面準
位密度も小にて、且つ不純物含有も少ない高純度の酸化
膜を高速で形成する事ができる効果がある。
位密度も小にて、且つ不純物含有も少ない高純度の酸化
膜を高速で形成する事ができる効果がある。
Claims (4)
- 【請求項１】 容器内には純水が有り、該純水中にはオ
ゾン ガスが導入されると共に、該オゾン含有純水には
シリコン ウエーハ等の半導体等を浸漬または曝して酸
化する事を特徴とするオゾン酸化法。 - 【請求項２】 容器内には純水があり、該純水中には酸
素ガスが導入されると共に、該酸素含有純水中には紫外
線ランプが浸漬されて成り、該紫外線による純水中酸素
のオゾン化によるオゾンにより浸漬または曝して半導体
等を酸化する事を特徴とするオゾン酸化法。 - 【請求項３】 透明容器内には純水が有り、該純水中に
は酸素ガスが導入されると共に、前記透明容器外から紫
外線ランプによる紫外光を照射して、前記純水中酸素を
オゾ化し、該オゾン含有純水に浸漬または曝して半導体
等を酸化する事を特徴とするオゾン酸化法。 - 【請求項４】 容器内には純水が有り、該純水中には酸
素ガスが導入されると共に、該酸素含有純水の入った容
器の非蓋部から紫外線を照射し、前記酸素をオゾン化
し、該オゾン含有純水に浸漬または曝して半導体等を酸
化する事を特徴とするオゾン酸化法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18212991A JPH0529307A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | オゾン酸化法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18212991A JPH0529307A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | オゾン酸化法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529307A true JPH0529307A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16112840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18212991A Pending JPH0529307A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | オゾン酸化法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0529307A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06244174A (ja) * | 1993-08-04 | 1994-09-02 | Tadahiro Omi | 絶縁酸化膜の形成方法 |
| JPH07302775A (ja) * | 1994-05-10 | 1995-11-14 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| WO1996020498A1 (en) * | 1994-12-27 | 1996-07-04 | Tadahiro Ohmi | Oxide film, formation method thereof, and semiconductor device |
| JPH09251995A (ja) * | 1989-05-07 | 1997-09-22 | Tadahiro Omi | 絶縁酸化膜の形成方法 |
| WO2001061760A1 (en) * | 2000-02-15 | 2001-08-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing thin-film transistor, and liquid-crystal display |
| WO2004027849A1 (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
| KR100488907B1 (ko) * | 2002-08-05 | 2005-05-11 | 에이펫(주) | 산화막 형성방법 및 이를 적용한 캐패시터 제조방법 |
| WO2007060881A1 (ja) * | 2005-11-22 | 2007-05-31 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | 半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-07-23 JP JP18212991A patent/JPH0529307A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09251995A (ja) * | 1989-05-07 | 1997-09-22 | Tadahiro Omi | 絶縁酸化膜の形成方法 |
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| US6716768B2 (en) | 2000-02-15 | 2004-04-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing thin-film transistor, and liquid-crystal display |
| KR100488907B1 (ko) * | 2002-08-05 | 2005-05-11 | 에이펫(주) | 산화막 형성방법 및 이를 적용한 캐패시터 제조방법 |
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| WO2007060881A1 (ja) * | 2005-11-22 | 2007-05-31 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | 半導体装置の製造方法 |
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