JPS6260226A - 高速光酸化・窒化装置 - Google Patents
高速光酸化・窒化装置Info
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- JPS6260226A JPS6260226A JP19993685A JP19993685A JPS6260226A JP S6260226 A JPS6260226 A JP S6260226A JP 19993685 A JP19993685 A JP 19993685A JP 19993685 A JP19993685 A JP 19993685A JP S6260226 A JPS6260226 A JP S6260226A
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- Pending
Links
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 title description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 title description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 7
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000007539 photo-oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical group N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 241000220317 Rosa Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910000953 kanthal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体基板等の表面を酸化あるいは窒化する
装置構造に関する。
装置構造に関する。
本発明は、高速光酸化・窒化装置に於て、半導体基板等
の基板をハロゲン・ランプにより加熱すると共に、該基
板の少なくとも表面に紫外線照射を行なう紫外線ランプ
を具備して、前記基板表面を酸化あるいは窒化すること
を特徴とする。
の基板をハロゲン・ランプにより加熱すると共に、該基
板の少なくとも表面に紫外線照射を行なう紫外線ランプ
を具備して、前記基板表面を酸化あるいは窒化すること
を特徴とする。
従来、半導体基板等の酸化あるいは窒化処理は、カンタ
ル・ヒーターによる高温加熱炉に於て、長時間をかけて
行なわれるのが通例であった。
ル・ヒーターによる高温加熱炉に於て、長時間をかけて
行なわれるのが通例であった。
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕しかし、上
記従来技術によると、酸化あるいは窒化処理時間が長い
という問題点があった。
記従来技術によると、酸化あるいは窒化処理時間が長い
という問題点があった。
本発明は、かかる従来技術の問題点をなくし、高速で半
導体基板等を酸化あるいは窒化処理する装置構造を提供
することを目的とする。
導体基板等を酸化あるいは窒化処理する装置構造を提供
することを目的とする。
本発明は、かかる従来技術の問題点を解決するために、
ハロゲン・ランプによる高速・高温加熱を可能とすると
共に、紫外線ランプによる紫外線により雰囲気ガスの活
性化を行ない、一層の高速酸化あるいは窒化処理を可能
とする手段を用いる〔作用〕 ハロゲン・ランプによる赤外線加熱は高温に基板を高速
で到達させる作用があると共に、紫外線照射により、雰
囲気ガスを活性化させ、一層高速酸化あるいは窒化を促
進させる作用がある。
ハロゲン・ランプによる高速・高温加熱を可能とすると
共に、紫外線ランプによる紫外線により雰囲気ガスの活
性化を行ない、一層の高速酸化あるいは窒化処理を可能
とする手段を用いる〔作用〕 ハロゲン・ランプによる赤外線加熱は高温に基板を高速
で到達させる作用があると共に、紫外線照射により、雰
囲気ガスを活性化させ、一層高速酸化あるいは窒化を促
進させる作用がある。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示す高速光酸化・窒化装置
の概略図である。すなわち、石英管１内には、石英ボー
）２にのせられたシリコン・つ工−ハ３があり、石英チ
ューブ１内はガス系６からのガスで満たされている。石
英チューブ１内のガスは薔７により満たされていると共
に反応残分のガスは排気口８より排出される。シリコン
・ウェーハ３は更に、ハロゲン・ランプ４により加熱さ
れると共に、キャノン・ランプ等から成る紫外線ランプ
５によりシリコン−ウェーハ３の表面が紫外線により晒
される。もし１、ガス系６からの供給が酸素または水蒸
気の場合にはシリコン酸化膜が、アンモニアまたは窒素
の場合にはシリコン窒化層が形成される。
の概略図である。すなわち、石英管１内には、石英ボー
）２にのせられたシリコン・つ工−ハ３があり、石英チ
ューブ１内はガス系６からのガスで満たされている。石
英チューブ１内のガスは薔７により満たされていると共
に反応残分のガスは排気口８より排出される。シリコン
・ウェーハ３は更に、ハロゲン・ランプ４により加熱さ
れると共に、キャノン・ランプ等から成る紫外線ランプ
５によりシリコン−ウェーハ３の表面が紫外線により晒
される。もし１、ガス系６からの供給が酸素または水蒸
気の場合にはシリコン酸化膜が、アンモニアまたは窒素
の場合にはシリコン窒化層が形成される。
尚、シリコン表面に酸化膜が形成されその上にタンタル
膜が蒸着された基板を用いると、タンタル酸化膜やタン
タル窒化膜等が形成されることは云うまでもない。
膜が蒸着された基板を用いると、タンタル酸化膜やタン
タル窒化膜等が形成されることは云うまでもない。
本発明の如く、ハロゲン・ランプによる高速加熱と紫外
線ランプによる雰囲気ガスの活性化作用とを組み合わせ
る事により、極めて高速の酸化・窒化処理が可能となる
効果がある。
線ランプによる雰囲気ガスの活性化作用とを組み合わせ
る事により、極めて高速の酸化・窒化処理が可能となる
効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す高速光酸化・窒化装置
の概略図である。 １・・・・・・石英チューブ ２・・・・・・石英ボート ３＋・・・・・シリコン・ウェーハ ４＋・・・・・ハロゲン・ランプ ５・・・・・・紫外線ランプ ６・・・・・・ガス系 ７・・・・・・蓋 ８・・・・・・排気口 以 上
の概略図である。 １・・・・・・石英チューブ ２・・・・・・石英ボート ３＋・・・・・シリコン・ウェーハ ４＋・・・・・ハロゲン・ランプ ５・・・・・・紫外線ランプ ６・・・・・・ガス系 ７・・・・・・蓋 ８・・・・・・排気口 以 上
Claims (1)
- 半導体基板等の基板をハロゲンランプにより加熱すると
共に、該基板の少くとも表面に紫外線照射を行なう紫外
線ランプを具備して、前記基板表面を酸化あるいは窒化
することを特徴とする高速光酸化・窒化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19993685A JPS6260226A (ja) | 1985-09-10 | 1985-09-10 | 高速光酸化・窒化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19993685A JPS6260226A (ja) | 1985-09-10 | 1985-09-10 | 高速光酸化・窒化装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6260226A true JPS6260226A (ja) | 1987-03-16 |
Family
ID=16416055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19993685A Pending JPS6260226A (ja) | 1985-09-10 | 1985-09-10 | 高速光酸化・窒化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6260226A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6469017A (en) * | 1987-09-10 | 1989-03-15 | Fujitsu Ltd | Formation of oxynitride film |
| JPH0422128A (ja) * | 1990-05-17 | 1992-01-27 | Sharp Corp | 酸化シリコン膜の窒化処理方法 |
| JPH06232408A (ja) * | 1993-02-01 | 1994-08-19 | Nec Corp | 絶縁ゲート電界効果トランジスタの製造方法 |
| JP2002532900A (ja) * | 1998-12-15 | 2002-10-02 | シュテアク エルテーペー システムズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 酸窒化ケイ素膜 |
| JP2018148112A (ja) * | 2017-03-08 | 2018-09-20 | 財団法人國家實驗研究院 | 紫外線照射によってケイ素系の表面天然酸化物品質を向上できる装置と方法 |
-
1985
- 1985-09-10 JP JP19993685A patent/JPS6260226A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6469017A (en) * | 1987-09-10 | 1989-03-15 | Fujitsu Ltd | Formation of oxynitride film |
| JPH0422128A (ja) * | 1990-05-17 | 1992-01-27 | Sharp Corp | 酸化シリコン膜の窒化処理方法 |
| JPH06232408A (ja) * | 1993-02-01 | 1994-08-19 | Nec Corp | 絶縁ゲート電界効果トランジスタの製造方法 |
| JP2002532900A (ja) * | 1998-12-15 | 2002-10-02 | シュテアク エルテーペー システムズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 酸窒化ケイ素膜 |
| JP2018148112A (ja) * | 2017-03-08 | 2018-09-20 | 財団法人國家實驗研究院 | 紫外線照射によってケイ素系の表面天然酸化物品質を向上できる装置と方法 |
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