JPH0529380A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0529380A JPH0529380A JP3184535A JP18453591A JPH0529380A JP H0529380 A JPH0529380 A JP H0529380A JP 3184535 A JP3184535 A JP 3184535A JP 18453591 A JP18453591 A JP 18453591A JP H0529380 A JPH0529380 A JP H0529380A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- resin
- semiconductor device
- pressure
- electronic circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/15—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition on active surfaces of flip-chip devices, e.g. underfills
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 第１基板１は第２基板３にフェイスダウンボ
ンディングによって接続されている。キャップ５は第１
基板１を覆うように第２基板３上に接着されている。 【効果】 樹脂封止の際に樹脂１９が高温高圧状態で金
型に注入されるが、キャップ５があるため第１基板１に
は樹脂１９の圧力は伝達されない。したがって、第１基
板１と第２基板との接続部が圧縮応力によって外れると
いうことはなくなる。
ンディングによって接続されている。キャップ５は第１
基板１を覆うように第２基板３上に接着されている。 【効果】 樹脂封止の際に樹脂１９が高温高圧状態で金
型に注入されるが、キャップ５があるため第１基板１に
は樹脂１９の圧力は伝達されない。したがって、第１基
板１と第２基板との接続部が圧縮応力によって外れると
いうことはなくなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、フェイスダウンボン
ディングによって接続されている半導体装置に関するも
のである。
ディングによって接続されている半導体装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の半導体装置の断面図であ
る。半導体基板である第１基板１の上には電子回路が形
成されている。第１基板１の上にはこの電子回路と接続
している半田バンプ電極７が形成されている。半導体基
板である第２基板３の上には電子回路及びこの電子回路
と接続している電極（図示せず）が形成されている。半
田バンプ電極７は第２基板３上に形成された電極（図示
せず）とフェイスダウンボンディングによって接続され
ている。第１基板１と第２基板３との間には、接続部の
耐湿性や機械的強度を向上させるために樹脂１７が注入
されている。第２基板３はリードフレーム９ａにダイボ
ンドされている。
る。半導体基板である第１基板１の上には電子回路が形
成されている。第１基板１の上にはこの電子回路と接続
している半田バンプ電極７が形成されている。半導体基
板である第２基板３の上には電子回路及びこの電子回路
と接続している電極（図示せず）が形成されている。半
田バンプ電極７は第２基板３上に形成された電極（図示
せず）とフェイスダウンボンディングによって接続され
ている。第１基板１と第２基板３との間には、接続部の
耐湿性や機械的強度を向上させるために樹脂１７が注入
されている。第２基板３はリードフレーム９ａにダイボ
ンドされている。
【０００３】第２基板３の外周部近傍には、電極パッド
１１が形成されている。電極パッド１１は、第２基板３
の両側に配置されたリードフレーム９ｂとボンディング
ワイヤ１３によって接続されている。この半導体装置
は、樹脂１９によって封止されている。
１１が形成されている。電極パッド１１は、第２基板３
の両側に配置されたリードフレーム９ｂとボンディング
ワイヤ１３によって接続されている。この半導体装置
は、樹脂１９によって封止されている。
【０００４】フェイスダウンボンディングを用いると、
実装密度を高め、信号の伝達速度を早めることができ
る。また、種類の違う回路基板どうしを接続させて一つ
の半導体装置にしているので半導体装置の多機能化を図
れる。
実装密度を高め、信号の伝達速度を早めることができ
る。また、種類の違う回路基板どうしを接続させて一つ
の半導体装置にしているので半導体装置の多機能化を図
れる。
【０００５】この半導体装置の製造方法を以下説明す
る。まず、第１基板１をフェイスダウンボンディングに
よって第２基板３に接続する。この接続したものを回路
モジュールと呼ぶ。次に第２基板３をリードフレーム９
ａにダイボンドする。この段階では、リードフレーム９
ａと９ｂとは一体になっている。
る。まず、第１基板１をフェイスダウンボンディングに
よって第２基板３に接続する。この接続したものを回路
モジュールと呼ぶ。次に第２基板３をリードフレーム９
ａにダイボンドする。この段階では、リードフレーム９
ａと９ｂとは一体になっている。
【０００６】次に電極パッド１１とリードフレーム９ｂ
とをボンディングワイヤ１３によって接続する。第１基
板１の外縁と第２基板３との間に樹脂１７を滴下する。
滴下された樹脂１７は毛細管現象により内部にまで広が
り、第１基板１と第２基板３との間が樹脂１７で充填さ
れる。加熱することにより樹脂１７を硬化させる。
とをボンディングワイヤ１３によって接続する。第１基
板１の外縁と第２基板３との間に樹脂１７を滴下する。
滴下された樹脂１７は毛細管現象により内部にまで広が
り、第１基板１と第２基板３との間が樹脂１７で充填さ
れる。加熱することにより樹脂１７を硬化させる。
【０００７】この状態のリードフレーム９ａ，９ｂを金
型中に設置し、この金型に高温高圧状態の樹脂１９を注
入する。樹脂１９を高圧状態にしているのは、高圧でな
いと金型中に入り込まないからである。そして、樹脂１
９を冷却して硬化させる。
型中に設置し、この金型に高温高圧状態の樹脂１９を注
入する。樹脂１９を高圧状態にしているのは、高圧でな
いと金型中に入り込まないからである。そして、樹脂１
９を冷却して硬化させる。
【０００８】次にリードフレーム９ｂに半田メッキを施
し、不要なリードフレームを除去し、リードフレーム９
ｂのフォーミングを行なう。この状態が図３である。
し、不要なリードフレームを除去し、リードフレーム９
ｂのフォーミングを行なう。この状態が図３である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】樹脂１９は、温度約１
７５℃、圧力約１００ｋｇ／ｃｍ2 の状態で金型に注入
される。したがってこの樹脂によって回路モジュールに
圧縮応力が加わり、第１基板１と第２基板３との接続部
が圧縮変形したり、クラックが入ったり、破断すること
があった。これらにより第１基板１と第２基板３との接
続が外れ、半導体装置の歩留りが低下していた。
７５℃、圧力約１００ｋｇ／ｃｍ2 の状態で金型に注入
される。したがってこの樹脂によって回路モジュールに
圧縮応力が加わり、第１基板１と第２基板３との接続部
が圧縮変形したり、クラックが入ったり、破断すること
があった。これらにより第１基板１と第２基板３との接
続が外れ、半導体装置の歩留りが低下していた。
【００１０】この発明はかかるる従来の問題点を解決す
るための問題点である。この発明の目的は、第１基板と
第２基板との接続が外れないようにした半導体装置を提
供することである。
るための問題点である。この発明の目的は、第１基板と
第２基板との接続が外れないようにした半導体装置を提
供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明は、樹脂によっ
て封止されている半導体装置であって、電子回路および
電子回路と接続した電極が形成された第１基板と、配線
が形成される第２基板とを備えている。電極は配線にフ
ェイスダウンボンディングによって接続されている。さ
らに、この発明に従って半導体装置には第１基板を覆う
ように配置され、封止の際に樹脂の圧力が第１基板に伝
達されないようにする圧力伝達阻止部材を備えている。
て封止されている半導体装置であって、電子回路および
電子回路と接続した電極が形成された第１基板と、配線
が形成される第２基板とを備えている。電極は配線にフ
ェイスダウンボンディングによって接続されている。さ
らに、この発明に従って半導体装置には第１基板を覆う
ように配置され、封止の際に樹脂の圧力が第１基板に伝
達されないようにする圧力伝達阻止部材を備えている。
【００１２】
【作用】この発明に従って半導体装置は、圧力伝達阻止
部材が第１基板を覆うように配置されている。このた
め、樹脂封止の際に高圧の樹脂が金型に注入されても樹
脂は圧力伝達阻止部材に圧力を加えるだけで第１基板に
は圧力を加えることはできない。したがって、第１基板
と第２基板とに圧縮応力が作用し第１基板と第２基板と
の接続が外れるということがなくなる。なお、ここでい
う第２基板には、電子回路を形成した基板および配線回
路を形成した基板が含まれる。
部材が第１基板を覆うように配置されている。このた
め、樹脂封止の際に高圧の樹脂が金型に注入されても樹
脂は圧力伝達阻止部材に圧力を加えるだけで第１基板に
は圧力を加えることはできない。したがって、第１基板
と第２基板とに圧縮応力が作用し第１基板と第２基板と
の接続が外れるということがなくなる。なお、ここでい
う第２基板には、電子回路を形成した基板および配線回
路を形成した基板が含まれる。
【００１３】
【実施例】図１はこの発明に従った半導体装置の第１実
施例の断面図である。半導体基板である第１基板１の上
には電子回路およびこの電子回路と接続している半田バ
ンプ電極７が形成されている。第１基板１の材料として
はＳｉやＧａＡｓ等がある。半導体基板である第２基板
の上には電子回路およびこの電子回路と接続している電
極（図示せず）が形成されている。なお、第２基板３は
シリコン基板、セラミック基板、プリント基板等の上に
配線回路を形成した回路基板であってもよい。
施例の断面図である。半導体基板である第１基板１の上
には電子回路およびこの電子回路と接続している半田バ
ンプ電極７が形成されている。第１基板１の材料として
はＳｉやＧａＡｓ等がある。半導体基板である第２基板
の上には電子回路およびこの電子回路と接続している電
極（図示せず）が形成されている。なお、第２基板３は
シリコン基板、セラミック基板、プリント基板等の上に
配線回路を形成した回路基板であってもよい。
【００１４】半田バンプ電極７は第２基板３上に形成さ
れた電極（図示せず）とフェイスダウンボンディングに
よって接続されている。この実施例はフェイスダウンボ
ンディングとして、半田バンプを用いてリフローして半
田接続する方法を用いているが、これに限定されるわけ
ではなく、たとえば第１基板１に形成されたＡｕバンプ
と第２基板３の接続パッドとを導電性のペーストを用い
て接続してもよい。
れた電極（図示せず）とフェイスダウンボンディングに
よって接続されている。この実施例はフェイスダウンボ
ンディングとして、半田バンプを用いてリフローして半
田接続する方法を用いているが、これに限定されるわけ
ではなく、たとえば第１基板１に形成されたＡｕバンプ
と第２基板３の接続パッドとを導電性のペーストを用い
て接続してもよい。
【００１５】第１基板１と第２基板３との間には、接続
部の耐湿性や機械的強度を向上させるために樹脂１７が
注入されている。第２基板３はリードフレーム９ａにダ
イボンドされている。第２基板３の外周部近傍には電極
パッド１１が形成されている。電極パッド１１の材料と
してはＡｌやＡｕ等がある。電極パッド１１は第２基板
３の両側に配置されたリードフレーム９ｂとボンディン
グワイヤ１３によって接続されている。
部の耐湿性や機械的強度を向上させるために樹脂１７が
注入されている。第２基板３はリードフレーム９ａにダ
イボンドされている。第２基板３の外周部近傍には電極
パッド１１が形成されている。電極パッド１１の材料と
してはＡｌやＡｕ等がある。電極パッド１１は第２基板
３の両側に配置されたリードフレーム９ｂとボンディン
グワイヤ１３によって接続されている。
【００１６】キャップ５は第１基板１を覆った状態で第
２基板３にエポキシ系の接着剤１５で接着されている。
このキャップ５によって封止の際に樹脂１９の圧力が第
１基板１に伝達されないようにしている。キャップ５の
材料としては、ガラス転移点の高いエポキシ樹脂が好ま
しい。理由は、高温状態で圧力が加わっても変形しにく
い為である。
２基板３にエポキシ系の接着剤１５で接着されている。
このキャップ５によって封止の際に樹脂１９の圧力が第
１基板１に伝達されないようにしている。キャップ５の
材料としては、ガラス転移点の高いエポキシ樹脂が好ま
しい。理由は、高温状態で圧力が加わっても変形しにく
い為である。
【００１７】この発明に従った半導体装置の第１実施例
の製造方法を以下説明する。第１基板１と第２基板３と
の間に樹脂１７を充填するまでは従来例と同じであるの
で説明を省略する。キャップ５を第１基板１を覆うよう
に第２基板３上に配置する。キャップ５の第２基板３と
の接触部には樹脂１５が塗布されている。オーブンで加
熱することにより接着剤１５を硬化させる。このとき樹
脂１７も同時に硬化される。
の製造方法を以下説明する。第１基板１と第２基板３と
の間に樹脂１７を充填するまでは従来例と同じであるの
で説明を省略する。キャップ５を第１基板１を覆うよう
に第２基板３上に配置する。キャップ５の第２基板３と
の接触部には樹脂１５が塗布されている。オーブンで加
熱することにより接着剤１５を硬化させる。このとき樹
脂１７も同時に硬化される。
【００１８】この状態のリードフレーム９ａ，９ｂを金
型中に設置し、この金型に高温高圧状態の樹脂１９を注
入する。このときキャップ５があるので、樹脂１９の圧
力は第１基板１には伝達されない。したがって、第１基
板１と第２基板３との接続部に圧縮応力がかかることは
ない。後の工程は従来例と同じであるので説明は省略す
る。
型中に設置し、この金型に高温高圧状態の樹脂１９を注
入する。このときキャップ５があるので、樹脂１９の圧
力は第１基板１には伝達されない。したがって、第１基
板１と第２基板３との接続部に圧縮応力がかかることは
ない。後の工程は従来例と同じであるので説明は省略す
る。
【００１９】図２はこの発明に従った半導体装置の第２
実施例の断面図である。この実施例で、第２基板３の上
に複数の第１基板１ａ、１ｂがフェイスダウンボンディ
ングによって接続されている。この実施例では、第１基
板１ａ、１ｂに形成されたＡｕバンプ２１を導電性ペー
スト２３によって第１基板３に接続している。キャップ
５は第１基板１ａ、１ｂを覆った状態で第２基板３に接
着剤１５を用いて接着されている。後の構造は第１実施
例と同じであるので説明は省略する。
実施例の断面図である。この実施例で、第２基板３の上
に複数の第１基板１ａ、１ｂがフェイスダウンボンディ
ングによって接続されている。この実施例では、第１基
板１ａ、１ｂに形成されたＡｕバンプ２１を導電性ペー
スト２３によって第１基板３に接続している。キャップ
５は第１基板１ａ、１ｂを覆った状態で第２基板３に接
着剤１５を用いて接着されている。後の構造は第１実施
例と同じであるので説明は省略する。
【００２０】
【発明の効果】この発明に従った半導体装置によれば、
樹脂封止の際に第１基板と第２基板との接続が外れると
いうことはなくなるので、半導体装置の歩留りおよび信
頼性を向上させることができる。
樹脂封止の際に第１基板と第２基板との接続が外れると
いうことはなくなるので、半導体装置の歩留りおよび信
頼性を向上させることができる。
【図１】この発明に従った半導体装置の第１実施例の断
面図である。
面図である。
【図２】この発明に従った半導体装置の第２実施例の断
面図である。
面図である。
【図３】従来の半導体装置の断面図である。
１ 第１基板 ３ 第２基板 ５ キャップ ７ 半田バンプ電極 １９ 樹脂
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 樹脂によって封止されている半導体装置
であって、 電子回路及び前記電子回路と接続した電極が形成された
第１基板と、 配線が形成された第２基板と、を備え、 前記電極は前記配線にフェイスダウンボンディングによ
って接続されており、 さらに、 前記第１基板を覆うように配置され、封止の際に前記樹
脂の圧力が前記第１基板に伝達されないようにする圧力
伝達阻止部材を備えた半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3184535A JPH0529380A (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3184535A JPH0529380A (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529380A true JPH0529380A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16154902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3184535A Withdrawn JPH0529380A (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0529380A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6884514B2 (en) | 2002-01-11 | 2005-04-26 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Method for forming ceramic layer having garnet crystal structure phase and article made thereby |
-
1991
- 1991-07-24 JP JP3184535A patent/JPH0529380A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6884514B2 (en) | 2002-01-11 | 2005-04-26 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Method for forming ceramic layer having garnet crystal structure phase and article made thereby |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981008 |