JPH05294620A - 超電導体 - Google Patents
超電導体Info
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- JPH05294620A JPH05294620A JP5025462A JP2546293A JPH05294620A JP H05294620 A JPH05294620 A JP H05294620A JP 5025462 A JP5025462 A JP 5025462A JP 2546293 A JP2546293 A JP 2546293A JP H05294620 A JPH05294620 A JP H05294620A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】臨界電流密度が高く、しかも、いろいろな超電
導転移温度をもつ超電導体を提供する。 【構成】（Ｌａ1-αＳｒα）2 ＣｕＯ4+δ（ただし、０
＜α≦０．２５）と、下記群から選ばれた少なくとも１
種の物質との層状構成を有する超電導体。 （Ｂｉ1-βＰｂβ）2 Ｓｒ2 Ｃａn Ｃｕn+1 Ｏ6+2n+ δ Ｔｌ2 Ｂａ2 Ｃａm Ｃｕm+1 Ｏ6+2m+ δ ＭＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7+δ （Ｓｒ1-ηＣａη）1-λＣｕＯ2+δ
導転移温度をもつ超電導体を提供する。 【構成】（Ｌａ1-αＳｒα）2 ＣｕＯ4+δ（ただし、０
＜α≦０．２５）と、下記群から選ばれた少なくとも１
種の物質との層状構成を有する超電導体。 （Ｂｉ1-βＰｂβ）2 Ｓｒ2 Ｃａn Ｃｕn+1 Ｏ6+2n+ δ Ｔｌ2 Ｂａ2 Ｃａm Ｃｕm+1 Ｏ6+2m+ δ ＭＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7+δ （Ｓｒ1-ηＣａη）1-λＣｕＯ2+δ
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、核融合炉、電磁流体
発電機、加速器、回転電気機器（電動機、発電機等）、
磁気分離機、磁気浮上列車、核磁気共鳴測定装置、磁気
推進船、電子線露光装置、各種実験装置等のマグネット
コイル用材料として適し、また、送電線、電気エネルギ
ー貯蔵器、変圧器、整流器、調相器等の電力損失が問題
になる用途に適し、さらに、ジョセフソン素子、ＳＱＵ
ＩＤ素子、超電導トランジスタ等の素子として適し、さ
らにまた、赤外線探知材料、磁気遮蔽材料等の機能材料
として適した超電導体に関する。
発電機、加速器、回転電気機器（電動機、発電機等）、
磁気分離機、磁気浮上列車、核磁気共鳴測定装置、磁気
推進船、電子線露光装置、各種実験装置等のマグネット
コイル用材料として適し、また、送電線、電気エネルギ
ー貯蔵器、変圧器、整流器、調相器等の電力損失が問題
になる用途に適し、さらに、ジョセフソン素子、ＳＱＵ
ＩＤ素子、超電導トランジスタ等の素子として適し、さ
らにまた、赤外線探知材料、磁気遮蔽材料等の機能材料
として適した超電導体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、一連の銅複合酸化物系超電導体と
して、以下において説明するようなものが知られてい
る。
して、以下において説明するようなものが知られてい
る。
【０００３】すなわち、“Physical Review Letters
”、第６７巻、第１３６２〜１３６５頁（１９９１）
には、結晶構造は同じだが構成元素が異なる物質を交互
に積み重ねてなるものが記載されている。これは、ＹＢ
ａ2 Ｃｕ3 Ｏ7+δとＰｒＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7+δとの超電導
体で、非超電導体であるＰｒＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7+δの層の
間に超電導体であるＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7+δの層を位置さ
せている。
”、第６７巻、第１３６２〜１３６５頁（１９９１）
には、結晶構造は同じだが構成元素が異なる物質を交互
に積み重ねてなるものが記載されている。これは、ＹＢ
ａ2 Ｃｕ3 Ｏ7+δとＰｒＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7+δとの超電導
体で、非超電導体であるＰｒＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7+δの層の
間に超電導体であるＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7+δの層を位置さ
せている。
【０００４】また、“Japanese Journal of Applied Ph
ysics ”、第３０巻、第Ｌ１３８１〜１３８３頁（１９
９１）には、結晶構造が異なる２種類の物質を積み重ね
てなる超電導体が記載されている。これは、Ｂｉ2 Ｓｒ
2 ＣｕＯ6+δとＢｉ2 Ｓｒ2ＣａＣｕ2 Ｏ8+δとを積み
重ねてなるもので、やはり非超電導体であるＢｉ2 Ｓｒ
2 ＣｕＯ6+δの層の間に超電導体であるＢｉ2 Ｓｒ2 Ｃ
ａＣｕ2 Ｏ8+δの層を位置させている。
ysics ”、第３０巻、第Ｌ１３８１〜１３８３頁（１９
９１）には、結晶構造が異なる２種類の物質を積み重ね
てなる超電導体が記載されている。これは、Ｂｉ2 Ｓｒ
2 ＣｕＯ6+δとＢｉ2 Ｓｒ2ＣａＣｕ2 Ｏ8+δとを積み
重ねてなるもので、やはり非超電導体であるＢｉ2 Ｓｒ
2 ＣｕＯ6+δの層の間に超電導体であるＢｉ2 Ｓｒ2 Ｃ
ａＣｕ2 Ｏ8+δの層を位置させている。
【０００５】さらに、“Applied Physics Letters ”、
第５８巻、第１４４３〜１４４５頁（１９９１）には、
いわゆるＴ構造の超電導体である（Ｌａ1-x Ｓｒx ）2
ＣｕＯ4+δと、いわゆるＴ´構造の非超電導体であるＳ
ｍ2 ＣｕＯ4+δとを積み重ねてなる超電導体が記載され
ている。
第５８巻、第１４４３〜１４４５頁（１９９１）には、
いわゆるＴ構造の超電導体である（Ｌａ1-x Ｓｒx ）2
ＣｕＯ4+δと、いわゆるＴ´構造の非超電導体であるＳ
ｍ2 ＣｕＯ4+δとを積み重ねてなる超電導体が記載され
ている。
【０００６】さて、銅複合酸化物系超電導体における超
電導特性は、電荷担体の量に依存することが知られてい
るが、上述した従来の超電導体は、いずれも、超電導体
の層と非超電導体の層の厚みを変えて超電導特性を制御
するもので、非超電導体の層には超電導電流は流れない
から、超電導転移温度を変えることはできるが臨界電流
密度が低いという問題がある。
電導特性は、電荷担体の量に依存することが知られてい
るが、上述した従来の超電導体は、いずれも、超電導体
の層と非超電導体の層の厚みを変えて超電導特性を制御
するもので、非超電導体の層には超電導電流は流れない
から、超電導転移温度を変えることはできるが臨界電流
密度が低いという問題がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この発明の目的は、従
来の一連の銅複合酸化物系超電導体の上述した問題点を
解決し、臨界電流密度が高く、しかも、いろいろな超電
導転移温度をとり得る超電導体を提供するにある。
来の一連の銅複合酸化物系超電導体の上述した問題点を
解決し、臨界電流密度が高く、しかも、いろいろな超電
導転移温度をとり得る超電導体を提供するにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、（Ｌａ1-αＳｒα）2 ＣｕＯ4+δ（た
だし、０＜α≦０．２５）と、下記群から選ばれた少な
くとも１種の物質との層状構成を有する超電導体を提供
する。
に、この発明は、（Ｌａ1-αＳｒα）2 ＣｕＯ4+δ（た
だし、０＜α≦０．２５）と、下記群から選ばれた少な
くとも１種の物質との層状構成を有する超電導体を提供
する。
【０００９】 （Ｂｉ1-βＰｂβ）2 Ｓｒ2 Ｃａn Ｃｕn+1 Ｏ6+2n+ δ Ｔｌ2 Ｂａ2 Ｃａm Ｃｕm+1 Ｏ6+2m+ δ ＭＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7+δ （Ｓｒ1-ηＣａη）1-λＣｕＯ2+δ ただし、０≦β≦０．３ ０≦γ≦０．５ ０≦η≦０．９５ ０≦λ≦０．２ −０．５≦δ≦０．５ ｍ：１、２または３ ｎ：２または３ Ｍ：Ｙ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏま
たはＥｒ この発明の超電導体は、各層が銅複合酸化物系超電導体
からなっており、各層を構成する物質にドープされる電
荷担体（キャリア）の量、特に、ＣｕＯ2 面１枚当たり
の電荷担体の量（キャリア濃度）によって超電導転移温
度（Ｔｃ）を変えることができる。
たはＥｒ この発明の超電導体は、各層が銅複合酸化物系超電導体
からなっており、各層を構成する物質にドープされる電
荷担体（キャリア）の量、特に、ＣｕＯ2 面１枚当たり
の電荷担体の量（キャリア濃度）によって超電導転移温
度（Ｔｃ）を変えることができる。
【００１０】ところで、たとえば（Ｌａ1-αＳｒα）2
ＣｕＯ4+δにおいて、ＬａをＳｒで置換してキャリアを
ドープしていくと、最初は絶縁体であるが、やがて超電
導体になってＴｃも上昇する。そして、α＝０．０７５
でＴｃが最大値の３６Ｋを示すが、αがこれよりも大き
くなるとＴｃが下がり、やがて非超電導体となる。これ
以外のいくつかの物質も、ほぼ同じ傾向を示すことが知
られている。
ＣｕＯ4+δにおいて、ＬａをＳｒで置換してキャリアを
ドープしていくと、最初は絶縁体であるが、やがて超電
導体になってＴｃも上昇する。そして、α＝０．０７５
でＴｃが最大値の３６Ｋを示すが、αがこれよりも大き
くなるとＴｃが下がり、やがて非超電導体となる。これ
以外のいくつかの物質も、ほぼ同じ傾向を示すことが知
られている。
【００１１】このように、Ｔｃを最大にするためには適
正量のキャリアをドープしなければならないが、その方
法には、構成元素の一部を置換する方法と、得られる超
電導体をさらに熱処理する方法とがある。
正量のキャリアをドープしなければならないが、その方
法には、構成元素の一部を置換する方法と、得られる超
電導体をさらに熱処理する方法とがある。
【００１２】前者の、構成元素の一部を置換する方法
は、“Zeitschrift fur Physik B-condensed Matter
”、第８３巻、第７〜１７頁（１９９１）に記載され
ているように、ブロッキング層やメディエイティング層
の元素を価数の異なる元素で置換することによってＣｕ
Ｏ2 面にキャリアをドープする方法である。しかしなが
ら、通常、銅複合酸化物系超電導体では、置換元素は、
狭い範囲でしか固溶しないか、全く固溶しない。たとえ
ば、（Ｌａ1-αＳｒα）2 ＣｕＯ4+δは、０＜α≦０．
２５の範囲でＬａをＳｒで置換できる。すなわち、０．
２５よりも多くのＳｒを固溶させることはできない。
（Ｂｉ1-βＰｂβ）2 Ｓｒ2 Ｃａn Ｃｕ
n+1 Ｏ6+ 2n+ δ、（Ｓｒ1-ηＣａη）1-λＣｕＯ2+δに
おいても同様で、β、η、λはそれぞれ、０≦β≦０．
３、０≦η≦０．９５、０≦λ≦０．２の範囲でなけれ
ば単相にはできない。また、酸素はこれらの結晶の中で
唯一の陰イオンであり、キャリア濃度に及ぼす影響が大
きいが、銅複合酸化物系超電導体がその結晶構造を形成
するためには、酸素含有量は−０．５≦δ≦０．５の範
囲でなければならない。
は、“Zeitschrift fur Physik B-condensed Matter
”、第８３巻、第７〜１７頁（１９９１）に記載され
ているように、ブロッキング層やメディエイティング層
の元素を価数の異なる元素で置換することによってＣｕ
Ｏ2 面にキャリアをドープする方法である。しかしなが
ら、通常、銅複合酸化物系超電導体では、置換元素は、
狭い範囲でしか固溶しないか、全く固溶しない。たとえ
ば、（Ｌａ1-αＳｒα）2 ＣｕＯ4+δは、０＜α≦０．
２５の範囲でＬａをＳｒで置換できる。すなわち、０．
２５よりも多くのＳｒを固溶させることはできない。
（Ｂｉ1-βＰｂβ）2 Ｓｒ2 Ｃａn Ｃｕ
n+1 Ｏ6+ 2n+ δ、（Ｓｒ1-ηＣａη）1-λＣｕＯ2+δに
おいても同様で、β、η、λはそれぞれ、０≦β≦０．
３、０≦η≦０．９５、０≦λ≦０．２の範囲でなけれ
ば単相にはできない。また、酸素はこれらの結晶の中で
唯一の陰イオンであり、キャリア濃度に及ぼす影響が大
きいが、銅複合酸化物系超電導体がその結晶構造を形成
するためには、酸素含有量は−０．５≦δ≦０．５の範
囲でなければならない。
【００１３】一方、熱処理による方法は、焼結によって
得られた超電導体を、空気や酸素等の酸化性雰囲気下
か、高酸素分圧下で加熱して焼結時に欠損した酸素を取
り入れ、上述したδを大きくしようとする方法である。
この方法は、比較的簡便で、単相にはし得たが超電導特
性がそれほどよくないときによく使われる。たとえば、
ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7+δでは酸素欠損がＣｕ−Ｏ鎖で起こ
ることが多く、Ｔｃは、δが−０．４程度だと４０〜６
０Ｋと低いが、３００〜６００℃の酸化性雰囲気下で熱
処理してδが−０．０５程度になるまで酸素を注入する
と９０Ｋ程度まで上がる。
得られた超電導体を、空気や酸素等の酸化性雰囲気下
か、高酸素分圧下で加熱して焼結時に欠損した酸素を取
り入れ、上述したδを大きくしようとする方法である。
この方法は、比較的簡便で、単相にはし得たが超電導特
性がそれほどよくないときによく使われる。たとえば、
ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7+δでは酸素欠損がＣｕ−Ｏ鎖で起こ
ることが多く、Ｔｃは、δが−０．４程度だと４０〜６
０Ｋと低いが、３００〜６００℃の酸化性雰囲気下で熱
処理してδが−０．０５程度になるまで酸素を注入する
と９０Ｋ程度まで上がる。
【００１４】さて、この発明の超電導体は、結晶構造が
異なる銅複合酸化物系超電導体を積み重ねて形成する
が、（Ｌａ1-αＳｒα）2 ＣｕＯ4+δは、上述した２通
りの方法によってキャリアをドープしやすい物質であ
り、そのＴｃが最大になるキャリア量よりも過剰にドー
プすることができる。一方、上述した特定の群から選ば
れる物質は、２通りの方法でもキャリアをドープしにく
かったり、トープされたキャリアが抜け出してしまいや
すい物質である。
異なる銅複合酸化物系超電導体を積み重ねて形成する
が、（Ｌａ1-αＳｒα）2 ＣｕＯ4+δは、上述した２通
りの方法によってキャリアをドープしやすい物質であ
り、そのＴｃが最大になるキャリア量よりも過剰にドー
プすることができる。一方、上述した特定の群から選ば
れる物質は、２通りの方法でもキャリアをドープしにく
かったり、トープされたキャリアが抜け出してしまいや
すい物質である。
【００１５】そこで、これら（Ｌａ1-αＳｒα）2 Ｃｕ
Ｏ4+δと特定の群から選ばれる物質とを積み重ね、超格
子にすることによって全体のキャリア濃度を調整し、Ｔ
ｃを制御する。ここで、（Ｌａ1-αＳｒα）2 ＣｕＯ
4+δは、キャリア濃度が特定の群から選ばれる物質のそ
れよりも大きく、特定の群から選ばれる物質にキャリア
を供給すると考えられる。このような作用を考慮する
と、この発明の超電導体においては、（Ｌａ1-αＳ
ｒα）2 ＣｕＯ4+δから、特定の群から選ばれる物質に
キャリアがしみ出さなければならないので、各物質の層
の厚みは薄いほうがよく、特に、特定の群から選ばれる
物質の層は２０単位格子よりも薄いのが好ましい。ま
た、（Ｌａ1-αＳｒα）2 ＣｕＯ4+δ、特定の群から選
ばれる物質の層の繰り返し数は、あまり多くなると結晶
性が低下するので、各層の厚みにもよるが、１０００以
下であるのが好ましい。より好ましいのは、２００以下
である。
Ｏ4+δと特定の群から選ばれる物質とを積み重ね、超格
子にすることによって全体のキャリア濃度を調整し、Ｔ
ｃを制御する。ここで、（Ｌａ1-αＳｒα）2 ＣｕＯ
4+δは、キャリア濃度が特定の群から選ばれる物質のそ
れよりも大きく、特定の群から選ばれる物質にキャリア
を供給すると考えられる。このような作用を考慮する
と、この発明の超電導体においては、（Ｌａ1-αＳ
ｒα）2 ＣｕＯ4+δから、特定の群から選ばれる物質に
キャリアがしみ出さなければならないので、各物質の層
の厚みは薄いほうがよく、特に、特定の群から選ばれる
物質の層は２０単位格子よりも薄いのが好ましい。ま
た、（Ｌａ1-αＳｒα）2 ＣｕＯ4+δ、特定の群から選
ばれる物質の層の繰り返し数は、あまり多くなると結晶
性が低下するので、各層の厚みにもよるが、１０００以
下であるのが好ましい。より好ましいのは、２００以下
である。
【００１６】また、特定の群から選ばれる物質の層に
は、その群から選ばれる２種以上の物質が含まれていて
もよい。すなわち、この発明においては、（Ｌａ1-αＳ
ｒα）2 ＣｕＯ4+δの層と特定の群から選ばれた少なく
とも１種の物質の層とが交互に層をなしておればよい。
は、その群から選ばれる２種以上の物質が含まれていて
もよい。すなわち、この発明においては、（Ｌａ1-αＳ
ｒα）2 ＣｕＯ4+δの層と特定の群から選ばれた少なく
とも１種の物質の層とが交互に層をなしておればよい。
【００１７】この発明の超電導体は、テープ状、線状、
繊維状、シート状等、いろいろな形状で使用することが
できる。また、炭素繊維や、セラミックスや、金や銀等
の金属からなる補強線材上に形成して使用することがで
きる。さらに、銀シース等の補強用の中空材料に詰めて
使用することができる。さらにまた、銅等をマトリクス
とする多芯線構造の超電導線材として使用することがで
きる。また、Ｓｉ、ＭｇＯ、ＬａＧａＯ3 、ＬａＡｌＯ
3 、ＮｄＧａＯ3 、ＮｄＡｌＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 等の基
板上に薄膜として形成し、いろいろな素子や、ＬＳＩの
配線として使用することができる。
繊維状、シート状等、いろいろな形状で使用することが
できる。また、炭素繊維や、セラミックスや、金や銀等
の金属からなる補強線材上に形成して使用することがで
きる。さらに、銀シース等の補強用の中空材料に詰めて
使用することができる。さらにまた、銅等をマトリクス
とする多芯線構造の超電導線材として使用することがで
きる。また、Ｓｉ、ＭｇＯ、ＬａＧａＯ3 、ＬａＡｌＯ
3 、ＮｄＧａＯ3 、ＮｄＡｌＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 等の基
板上に薄膜として形成し、いろいろな素子や、ＬＳＩの
配線として使用することができる。
【００１８】この発明の超電導体は、いろいろな方法に
よって作ることができるが、各層を原子オーダーで制御
することができるレーザーアブレーション法、分子線エ
ピタキシー法、電子ビーム蒸着法や、各種のスパッタ法
等の物理的蒸着法によって製膜するのが好ましい。たと
えば、レーザーアブレーション法による場合、次のよう
にする。
よって作ることができるが、各層を原子オーダーで制御
することができるレーザーアブレーション法、分子線エ
ピタキシー法、電子ビーム蒸着法や、各種のスパッタ法
等の物理的蒸着法によって製膜するのが好ましい。たと
えば、レーザーアブレーション法による場合、次のよう
にする。
【００１９】すなわち、まずＬａ、Ｓｒ、Ｃｕの酸化物
や炭酸塩の粉末を混合し、８００〜１０５０℃の空気ま
たは酸化性雰囲気下で１〜１２時間仮焼し、仮焼粉末を
ペレットに成形し、成形体を８００〜１１５０℃で１〜
１２時間かけて焼結し、（Ｌａ1-αＳｒα）2 ＣｕＯ
4+δのターゲット（ターゲット１）を得る。なお、製膜
時に膜組成とターゲット組成とがずれることがあるの
で、各粉末は膜組成が目的とする組成になるように秤量
し、混合する。また、製膜条件によってはＬａが不足す
ることがあり、Ｌａ量を数％程度増やすほうが好ましい
場合もある。
や炭酸塩の粉末を混合し、８００〜１０５０℃の空気ま
たは酸化性雰囲気下で１〜１２時間仮焼し、仮焼粉末を
ペレットに成形し、成形体を８００〜１１５０℃で１〜
１２時間かけて焼結し、（Ｌａ1-αＳｒα）2 ＣｕＯ
4+δのターゲット（ターゲット１）を得る。なお、製膜
時に膜組成とターゲット組成とがずれることがあるの
で、各粉末は膜組成が目的とする組成になるように秤量
し、混合する。また、製膜条件によってはＬａが不足す
ることがあり、Ｌａ量を数％程度増やすほうが好ましい
場合もある。
【００２０】一方、同様にして特定の群から選ばれる物
質のターゲット（ターゲット２）を得る。ただ、仮焼温
度は６５０〜１０００℃、焼結温度は７００〜１１００
℃とする。この場合も、やはり製膜時に膜組成とターゲ
ット組成とがずれることがあるので、各粉末は膜組成が
目的とする組成になるように秤量し、混合する。
質のターゲット（ターゲット２）を得る。ただ、仮焼温
度は６５０〜１０００℃、焼結温度は７００〜１１００
℃とする。この場合も、やはり製膜時に膜組成とターゲ
ット組成とがずれることがあるので、各粉末は膜組成が
目的とする組成になるように秤量し、混合する。
【００２１】次に、ターゲット１、２をチャンバー内に
セットするとともに、これらのターゲットに対向し、か
つ、５〜１５０mm離れた位置に基板をセットし、チャン
バー内を分圧１×１０-5〜５×１０3 Paの酸化性雰囲気
にするとともに、基板を４００〜９００℃に加熱する。
そして、ターゲット１、２にエキシマレーザーを交互に
照射し、基板上に各ターゲットの構成物質を堆積させて
いく。
セットするとともに、これらのターゲットに対向し、か
つ、５〜１５０mm離れた位置に基板をセットし、チャン
バー内を分圧１×１０-5〜５×１０3 Paの酸化性雰囲気
にするとともに、基板を４００〜９００℃に加熱する。
そして、ターゲット１、２にエキシマレーザーを交互に
照射し、基板上に各ターゲットの構成物質を堆積させて
いく。
【００２２】上記において、ターゲットと基板との距離
が５mm未満であると、基板がじゃまになってターゲット
へのエキシマレーザーの照射角度を小さくせざるを得な
くなり、ターゲットのアブレーションが起こりにくくな
る。また、膜厚のむらを生じやすい。ターゲットと基板
との距離を１５０mmよりも長くすると、基板上への堆積
速度が低くなり、実用的でない。
が５mm未満であると、基板がじゃまになってターゲット
へのエキシマレーザーの照射角度を小さくせざるを得な
くなり、ターゲットのアブレーションが起こりにくくな
る。また、膜厚のむらを生じやすい。ターゲットと基板
との距離を１５０mmよりも長くすると、基板上への堆積
速度が低くなり、実用的でない。
【００２３】チャンバー内を酸化性雰囲気にするには、
酸素、オゾン、ＮＯ2 、Ｎ2 Ｏを使用したり、酸素雰囲
気中に紫外線等を照射してオゾンや活性酸素を生成させ
たりする。
酸素、オゾン、ＮＯ2 、Ｎ2 Ｏを使用したり、酸素雰囲
気中に紫外線等を照射してオゾンや活性酸素を生成させ
たりする。
【００２４】チャンバー内の酸化性雰囲気の分圧が１×
１０-5Paよりも低いと、基板上に堆積する銅複合酸化物
の酸素取り込み量が少なくなり、また、１×１０3 Paよ
りも高いと、銅複合酸化物に不純物が混入しやすくなっ
たり、得られる膜のモルホロジーが著しく低下するよう
になる。
１０-5Paよりも低いと、基板上に堆積する銅複合酸化物
の酸素取り込み量が少なくなり、また、１×１０3 Paよ
りも高いと、銅複合酸化物に不純物が混入しやすくなっ
たり、得られる膜のモルホロジーが著しく低下するよう
になる。
【００２５】また、基板の温度が４００℃よりも低い
と、基板上に堆積するターゲット物質の結晶化が起こり
にくくなり、一方、９００℃よりも高いと、堆積した物
質の再蒸発が起こり、膜組成が目的とする組成からずれ
るようになる。
と、基板上に堆積するターゲット物質の結晶化が起こり
にくくなり、一方、９００℃よりも高いと、堆積した物
質の再蒸発が起こり、膜組成が目的とする組成からずれ
るようになる。
【００２６】エキシマレーザーとしては、ＡｒＦやＫｒ
Ｆ、ＸｅＣｌ等を用いることができる。パルス周波数
は、ターゲットの種類や欲するアブレーション励起種に
よって異るが、あまり高すぎると基板上に堆積した原子
の再配列が不完全になり、結晶性が低下することがある
ので、１〜８０Ｈｚ程度が好ましい。
Ｆ、ＸｅＣｌ等を用いることができる。パルス周波数
は、ターゲットの種類や欲するアブレーション励起種に
よって異るが、あまり高すぎると基板上に堆積した原子
の再配列が不完全になり、結晶性が低下することがある
ので、１〜８０Ｈｚ程度が好ましい。
【００２７】ターゲットは、膜圧計によって膜厚をモニ
ターしたり、標準試料によって得た製膜時間と膜厚との
関係から製膜時間をモニターしながら、膜が所望の厚み
になったところで切り換える。反射高速電子線回折（Ｒ
ＨＥＥＤ）によって得られる画像上で回折格子点の強度
をモニターし、その振動パターンから、単位格子の数が
所望の値になった時に切り換えるようにしてもよい。な
お、ターゲットの切り換えに際してレーザーの照射を数
秒から数分止めると、基板上に堆積した原子の再配列が
より完全になって膜質が向上することがある。
ターしたり、標準試料によって得た製膜時間と膜厚との
関係から製膜時間をモニターしながら、膜が所望の厚み
になったところで切り換える。反射高速電子線回折（Ｒ
ＨＥＥＤ）によって得られる画像上で回折格子点の強度
をモニターし、その振動パターンから、単位格子の数が
所望の値になった時に切り換えるようにしてもよい。な
お、ターゲットの切り換えに際してレーザーの照射を数
秒から数分止めると、基板上に堆積した原子の再配列が
より完全になって膜質が向上することがある。
【００２８】このようにして基板上に薄い膜を形成し、
全体の膜厚が所望の値になったところでレーザーの照射
を止め、３００〜６５０℃まで１〜１００℃／分の速度
で冷却する。３００〜６５０℃に達したとき、チャンバ
ー内の酸化性雰囲気の分圧を１×１０-3〜１×１０5 Pa
に上げ、１〜６０分保持する。このとき、基板温度が３
００℃よりも低いか、酸化性雰囲気の分圧が１×１０-3
Paよりも低いと、銅複合酸化物の酸素取り込み量が少な
くなる。また、６５０℃よりも高いと、取り込んだ酸素
が放出させられることがあり、やはり酸素取り込み量が
少なくなる。酸化性雰囲気の分圧が１×１０5 Paよりも
高いと、堆積する銅複合酸化物に不純物が混入しやすく
なる。
全体の膜厚が所望の値になったところでレーザーの照射
を止め、３００〜６５０℃まで１〜１００℃／分の速度
で冷却する。３００〜６５０℃に達したとき、チャンバ
ー内の酸化性雰囲気の分圧を１×１０-3〜１×１０5 Pa
に上げ、１〜６０分保持する。このとき、基板温度が３
００℃よりも低いか、酸化性雰囲気の分圧が１×１０-3
Paよりも低いと、銅複合酸化物の酸素取り込み量が少な
くなる。また、６５０℃よりも高いと、取り込んだ酸素
が放出させられることがあり、やはり酸素取り込み量が
少なくなる。酸化性雰囲気の分圧が１×１０5 Paよりも
高いと、堆積する銅複合酸化物に不純物が混入しやすく
なる。
【００２９】また、酸素の取り込みをより完全なものと
するために、得られた膜を０．１〜１気圧の酸素分圧下
にて３００〜１０００℃で０．１〜２０時間アニールし
たり、１〜４００気圧の酸素分圧下にて３００〜１１０
０℃、１〜２０時間ＨＩＰ（Hot Isostatic Press ）処
理するのも好ましい。
するために、得られた膜を０．１〜１気圧の酸素分圧下
にて３００〜１０００℃で０．１〜２０時間アニールし
たり、１〜４００気圧の酸素分圧下にて３００〜１１０
０℃、１〜２０時間ＨＩＰ（Hot Isostatic Press ）処
理するのも好ましい。
【００３０】以上においては、各層の形成にそれぞれ１
個のターゲットを使用したが、複数個のターゲットを使
用することもできる。たとえば、（Ｂｉ1-βＰｂβ）2
Ｓｒ2 ＣａＣｕ2 Ｏ8+δの層の形成に、ターゲット２に
代えて、ＢｉとＰｂの酸化物粉末を混合し、焼結してな
るペレットと、Ｃｕの酸化物粉末とＳｒの炭酸塩粉末と
を混合し、焼結してなるペレットと、Ｃａの炭酸塩粉末
とＣｕの酸化物粉末とを混合、焼結したペレットとを使
用することができる。
個のターゲットを使用したが、複数個のターゲットを使
用することもできる。たとえば、（Ｂｉ1-βＰｂβ）2
Ｓｒ2 ＣａＣｕ2 Ｏ8+δの層の形成に、ターゲット２に
代えて、ＢｉとＰｂの酸化物粉末を混合し、焼結してな
るペレットと、Ｃｕの酸化物粉末とＳｒの炭酸塩粉末と
を混合し、焼結してなるペレットと、Ｃａの炭酸塩粉末
とＣｕの酸化物粉末とを混合、焼結したペレットとを使
用することができる。
【００３１】
実施例１ Ｌａ2 Ｏ3 、ＳｒＣＯ3 、ＣｕＯの各粉末をＬａ：Ｓ
ｒ：Ｃｕが１．８５：０．３：１になるように秤量し、
混合し、空気中にて９００℃で１２時間仮焼し、粉砕
し、ペレットに成形し、空気中にて１０００℃で２４時
間かけて焼結し、徐冷してターゲット１を得た。
ｒ：Ｃｕが１．８５：０．３：１になるように秤量し、
混合し、空気中にて９００℃で１２時間仮焼し、粉砕
し、ペレットに成形し、空気中にて１０００℃で２４時
間かけて焼結し、徐冷してターゲット１を得た。
【００３２】また、Ｂｉ2 Ｏ3 粉末をペレットに成形
し、空気中にて７５０℃で５時間かけて焼結し、徐冷し
てターゲット２を得た。
し、空気中にて７５０℃で５時間かけて焼結し、徐冷し
てターゲット２を得た。
【００３３】さらに、ＳｒＣＯ3 、ＣｕＯの各粉末をＳ
ｒ：Ｃｕが２：１になるように秤量し、混合し、空気中
にて８００℃で５時間仮焼し、粉砕し、ペレットに成形
し、空気中にて９００℃で５時間かけて焼結し、徐冷し
てターゲット３を得た。
ｒ：Ｃｕが２：１になるように秤量し、混合し、空気中
にて８００℃で５時間仮焼し、粉砕し、ペレットに成形
し、空気中にて９００℃で５時間かけて焼結し、徐冷し
てターゲット３を得た。
【００３４】さらにまた、ＣａＣＯ3 、ＣｕＯの各粉末
をＣａ：Ｃｕが１：１になるように秤量し、混合し、空
気中にて７００℃で５時間仮焼し、粉砕し、ペレットに
成形し、空気中にて８００℃で５時間かけて焼結し、徐
冷してターゲット４を得た。次に、ターゲット１、２、
３、４をチャンバー内にセットするとともに、これらの
ターゲットに対向し、かつ、それぞれのターゲットから
２５mm離れた位置に、面方位が（１００）面のＳｒＴｉ
Ｏ3 基板を置き、チャンバー内の酸化性雰囲気（Ｎ2 Ｏ
ガス）の分圧を０．０１Paに調整し、基板を６００℃に
加熱した。
をＣａ：Ｃｕが１：１になるように秤量し、混合し、空
気中にて７００℃で５時間仮焼し、粉砕し、ペレットに
成形し、空気中にて８００℃で５時間かけて焼結し、徐
冷してターゲット４を得た。次に、ターゲット１、２、
３、４をチャンバー内にセットするとともに、これらの
ターゲットに対向し、かつ、それぞれのターゲットから
２５mm離れた位置に、面方位が（１００）面のＳｒＴｉ
Ｏ3 基板を置き、チャンバー内の酸化性雰囲気（Ｎ2 Ｏ
ガス）の分圧を０．０１Paに調整し、基板を６００℃に
加熱した。
【００３５】次に、各ターゲットに、波長１９３nm、発
振周波数８Hz、パルスエネルギー密度１J/cm2 のＡｒＦ
エキシマレーザーを、基板上に堆積される物質の厚みを
ＲＨＥＥＤでモニターしながら、ターゲット１による層
およびターゲット２、３、４による層の厚みがそれぞれ
１単位格子になるように、ターゲットをターゲット１、
３、４、３、２、３、４、３、２、……と順次切り換え
て照射した。
振周波数８Hz、パルスエネルギー密度１J/cm2 のＡｒＦ
エキシマレーザーを、基板上に堆積される物質の厚みを
ＲＨＥＥＤでモニターしながら、ターゲット１による層
およびターゲット２、３、４による層の厚みがそれぞれ
１単位格子になるように、ターゲットをターゲット１、
３、４、３、２、３、４、３、２、……と順次切り換え
て照射した。
【００３６】かくして、基板上に厚みが約５０nmの薄膜
を得た。この薄膜をＸ線回折等によって分析したとこ
ろ、厚みがそれぞれ１単位格子の、（Ｌａ0.85Ｓ
ｒ0.15）2 ＣｕＯ4+δの層とＢｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3
Ｏ10+ δの層とが交互に１０回積み重ねられたものであ
った。
を得た。この薄膜をＸ線回折等によって分析したとこ
ろ、厚みがそれぞれ１単位格子の、（Ｌａ0.85Ｓ
ｒ0.15）2 ＣｕＯ4+δの層とＢｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3
Ｏ10+ δの層とが交互に１０回積み重ねられたものであ
った。
【００３７】また、この薄膜について、４端子法によっ
て電気抵抗の温度依存性を測定したところ、１００Ｋで
超電導転移に伴う抵抗の急激な低下が始まり（Ｔｃ
onset ）、８０Ｋで抵抗が零になった（Ｔｃzero）。臨
界電流密度は、４．２Ｋで３×１０5 Ａ／cm2 であっ
た。
て電気抵抗の温度依存性を測定したところ、１００Ｋで
超電導転移に伴う抵抗の急激な低下が始まり（Ｔｃ
onset ）、８０Ｋで抵抗が零になった（Ｔｃzero）。臨
界電流密度は、４．２Ｋで３×１０5 Ａ／cm2 であっ
た。
【００３８】実施例２ 実施例１と同様にして、Ｌａ：Ｓｒ：Ｃｕを１．８５：
０．３：１としたターゲット１と、Ｂｉ2 Ｏ3 からなる
ターゲット２と、Ｓｒ：Ｃｕを２：１としたターゲット
３と、Ｃａ：Ｃｕを１：１としたターゲット４とを得
た。
０．３：１としたターゲット１と、Ｂｉ2 Ｏ3 からなる
ターゲット２と、Ｓｒ：Ｃｕを２：１としたターゲット
３と、Ｃａ：Ｃｕを１：１としたターゲット４とを得
た。
【００３９】次に、ターゲット１、２、３、４をチャン
バー内にセットし、以下、実施例１と同様にして、しか
し、ターゲット１による層およびターゲット２、３、４
による層の厚みがそれぞれ１単位格子になるように、タ
ーゲットをターゲット１、３、４、３、２、３、４、
３、２、……と順次切り換えて製膜した。
バー内にセットし、以下、実施例１と同様にして、しか
し、ターゲット１による層およびターゲット２、３、４
による層の厚みがそれぞれ１単位格子になるように、タ
ーゲットをターゲット１、３、４、３、２、３、４、
３、２、……と順次切り換えて製膜した。
【００４０】かくして、基板上に厚みが約５７nmの薄膜
を得た。この薄膜は、厚みがそれぞれ１単位格子の、
（Ｌａ0.85Ｓｒ0.15）2 ＣｕＯ4+δの層とＢｉ2 Ｓｒ2
Ｃａ3Ｃｕ4 Ｏ12+ δの層とが交互に１０回積み重ねら
れたものであった。また、この薄膜のＴｃonset は１１
０Ｋ、Ｔｃzeroは８５Ｋであり、臨界電流密度は４．２
Ｋで４×１０5 Ａ／cm2 であった。
を得た。この薄膜は、厚みがそれぞれ１単位格子の、
（Ｌａ0.85Ｓｒ0.15）2 ＣｕＯ4+δの層とＢｉ2 Ｓｒ2
Ｃａ3Ｃｕ4 Ｏ12+ δの層とが交互に１０回積み重ねら
れたものであった。また、この薄膜のＴｃonset は１１
０Ｋ、Ｔｃzeroは８５Ｋであり、臨界電流密度は４．２
Ｋで４×１０5 Ａ／cm2 であった。
【００４１】実施例３ 実施例１と同様にして、Ｌａ：Ｓｒ：Ｃｕを１．８５：
０．３：１としたターゲット１を得た。
０．３：１としたターゲット１を得た。
【００４２】また、ＢａＣＯ3 、ＣａＣＯ3 、ＣｕＯの
各粉末をＢａ：Ｃａ：Ｃｕが２：１．５：２．２になる
ように秤量し、混合し、空気中にて８５０℃で５時間仮
焼し、粉砕し、これにＴｌ2 Ｏ3 をＴａ：Ｂａ：Ｃａ：
Ｃｕが３：２：１．５：２．２になるように加え、混合
し、ペレットに成形し、空気中にて８５０℃で４時間か
けて焼結し、徐冷してターゲット２を得た。
各粉末をＢａ：Ｃａ：Ｃｕが２：１．５：２．２になる
ように秤量し、混合し、空気中にて８５０℃で５時間仮
焼し、粉砕し、これにＴｌ2 Ｏ3 をＴａ：Ｂａ：Ｃａ：
Ｃｕが３：２：１．５：２．２になるように加え、混合
し、ペレットに成形し、空気中にて８５０℃で４時間か
けて焼結し、徐冷してターゲット２を得た。
【００４３】次に、ターゲット１、２をチャンバー内に
セットし、実施例１と同様に、しかし、ターゲット１に
よる層の厚みが１０単位格子、ターゲット２による層の
厚みが４単位格子になるように、ターゲットをターゲッ
ト１、２、……と順次切り換えて製膜した。なお、基板
はターゲットから１５mm離れた位置に置いた。また、チ
ァンバー内の酸化性雰囲気は８％オゾンを含む酸素ガス
（分圧１Pa）とした。さらに、基板温度は６３０℃と
し、厚みのモニターには膜厚計を用いた。
セットし、実施例１と同様に、しかし、ターゲット１に
よる層の厚みが１０単位格子、ターゲット２による層の
厚みが４単位格子になるように、ターゲットをターゲッ
ト１、２、……と順次切り換えて製膜した。なお、基板
はターゲットから１５mm離れた位置に置いた。また、チ
ァンバー内の酸化性雰囲気は８％オゾンを含む酸素ガス
（分圧１Pa）とした。さらに、基板温度は６３０℃と
し、厚みのモニターには膜厚計を用いた。
【００４４】かくして、基板上に厚みが約２６０nmの薄
膜を得た。この薄膜は、厚みが１０単位格子の（Ｌａ
0.85Ｓｒ0.15）2 ＣｕＯ4+δの層と、厚みが４単位格子
のＴｌ2 Ｂａ2 ＣａＣｕ2 Ｏ8+δの層とが交互に１０回
積み重ねられたものであった。また、この薄膜のＴｃ
onset は１０５Ｋ、Ｔｃzeroは８２Ｋであり、臨界電流
密度は４．２Ｋで３×１０5 Ａ／cm2 であった。
膜を得た。この薄膜は、厚みが１０単位格子の（Ｌａ
0.85Ｓｒ0.15）2 ＣｕＯ4+δの層と、厚みが４単位格子
のＴｌ2 Ｂａ2 ＣａＣｕ2 Ｏ8+δの層とが交互に１０回
積み重ねられたものであった。また、この薄膜のＴｃ
onset は１０５Ｋ、Ｔｃzeroは８２Ｋであり、臨界電流
密度は４．２Ｋで３×１０5 Ａ／cm2 であった。
【００４５】実施例４ 実施例１と同様にして、Ｌａ：Ｓｒ：Ｃｕを１．８０：
０．４：１としたターゲット１を得た。
０．４：１としたターゲット１を得た。
【００４６】また、Ｙ2 Ｏ3 、ＢａＣＯ3 、ＣｕＯの各
粉末をＹ：Ｂａ：Ｃｕが１．１：２：４．２になるよう
に秤量し、混合し、空気中にて７５０℃で１０時間仮焼
し、粉砕し、ペレットに成形し、空気中にて８２０℃で
１０時間かけて焼結し、徐冷してターゲット２を得た。
粉末をＹ：Ｂａ：Ｃｕが１．１：２：４．２になるよう
に秤量し、混合し、空気中にて７５０℃で１０時間仮焼
し、粉砕し、ペレットに成形し、空気中にて８２０℃で
１０時間かけて焼結し、徐冷してターゲット２を得た。
【００４７】次に、ターゲット１、２をチャンバー内に
セットし、以下、実施例１と同様にして、しかし、ター
ゲット１による層およびターゲット２による層の厚みが
それぞれ３単位格子になるように、ターゲットをターゲ
ット１、２、……と順次切り換えて製膜した。なお、チ
ャンバー内の酸化性雰囲気は８％オゾンを含む酸素ガス
（分圧１Pa）とした。また、基板温度は６５０℃、レー
ザーの発振周波数は１０Hz、パルスエネルギー密度は
１．５J/cm2 とした。厚みのモニターには膜厚計を用い
た。
セットし、以下、実施例１と同様にして、しかし、ター
ゲット１による層およびターゲット２による層の厚みが
それぞれ３単位格子になるように、ターゲットをターゲ
ット１、２、……と順次切り換えて製膜した。なお、チ
ャンバー内の酸化性雰囲気は８％オゾンを含む酸素ガス
（分圧１Pa）とした。また、基板温度は６５０℃、レー
ザーの発振周波数は１０Hz、パルスエネルギー密度は
１．５J/cm2 とした。厚みのモニターには膜厚計を用い
た。
【００４８】かくして、基板上に厚みが約１２０nmの薄
膜を得た。この薄膜は、厚みがそれぞれ３単位格子の、
（Ｌａ0.8 Ｓｒ0.2 ）2 ＣｕＯ4+δの層とＹＢａ2 Ｃｕ
3 Ｏ7+δの層とが交互に１６回積み重ねられたものであ
った。また、この薄膜のＴｃonset は８４Ｋ、Ｔｃzero
は７２Ｋであり、臨界電流密度は４．２Ｋで１×１０5
Ａ／cm2 であった。
膜を得た。この薄膜は、厚みがそれぞれ３単位格子の、
（Ｌａ0.8 Ｓｒ0.2 ）2 ＣｕＯ4+δの層とＹＢａ2 Ｃｕ
3 Ｏ7+δの層とが交互に１６回積み重ねられたものであ
った。また、この薄膜のＴｃonset は８４Ｋ、Ｔｃzero
は７２Ｋであり、臨界電流密度は４．２Ｋで１×１０5
Ａ／cm2 であった。
【００４９】さらに、この薄膜を酸素分圧４００kg／cm
2 下にて５００℃で５時間ＨＩＰ処理し、再び電気抵抗
の温度依存性を測定したところ、Ｔｃonset は９０Ｋ、
Ｔｃzeroは８５Ｋであり、臨界電流密度は４．２Ｋで４
×１０5 Ａ／cm2 であった。 実施例５ 実施例１と同様にして、Ｌａ：Ｓｒ：Ｃｕを１．８０：
０．４：１としたターゲット１を得た。
2 下にて５００℃で５時間ＨＩＰ処理し、再び電気抵抗
の温度依存性を測定したところ、Ｔｃonset は９０Ｋ、
Ｔｃzeroは８５Ｋであり、臨界電流密度は４．２Ｋで４
×１０5 Ａ／cm2 であった。 実施例５ 実施例１と同様にして、Ｌａ：Ｓｒ：Ｃｕを１．８０：
０．４：１としたターゲット１を得た。
【００５０】また、ＳｒＣＯ3 、ＣａＣＯ3 、ＣｕＯの
各粉末をＳｒ：Ｃａ：Ｃｕが０．２：０．８：１になる
ように秤量し、混合し、空気中にて７５０℃で１０時間
仮焼し、粉砕し、ペレットに成形し、空気中にて８２０
℃で１０時間かけて焼結し、徐冷してターゲット２を得
た。
各粉末をＳｒ：Ｃａ：Ｃｕが０．２：０．８：１になる
ように秤量し、混合し、空気中にて７５０℃で１０時間
仮焼し、粉砕し、ペレットに成形し、空気中にて８２０
℃で１０時間かけて焼結し、徐冷してターゲット２を得
た。
【００５１】次に、ターゲット１、２をチャンバー内に
セットし、以下、実施例１と同様にして、しかし、ター
ゲット１による層およびターゲット２による層の厚みが
それぞれ４単位格子になるように、ターゲットをターゲ
ット１、２、……と順次切り換えて薄膜を形成した。な
お、基板はターゲットから２５mm離れた位置に置いた。
また、チャンバー内の酸化性雰囲気は８％オゾンを含む
酸素ガス（分圧１Pa）とした。さらに、基板温度は６５
０℃とした。厚みのモニターには膜厚計を用いた。
セットし、以下、実施例１と同様にして、しかし、ター
ゲット１による層およびターゲット２による層の厚みが
それぞれ４単位格子になるように、ターゲットをターゲ
ット１、２、……と順次切り換えて薄膜を形成した。な
お、基板はターゲットから２５mm離れた位置に置いた。
また、チャンバー内の酸化性雰囲気は８％オゾンを含む
酸素ガス（分圧１Pa）とした。さらに、基板温度は６５
０℃とした。厚みのモニターには膜厚計を用いた。
【００５２】かくして、基板上に厚みが約２１０nmの薄
膜を得た。この薄膜は、厚みがそれぞれ４単位格子の、
（Ｌａ0.8 Ｓｒ0.2 ）2 ＣｕＯ4+δの層とＳｒ0.2 Ｃａ
0.8Ｏ2+δの層とが交互に３０回積み重ねられたもので
あった。また、この薄膜のＴｃonset は５０Ｋ、Ｔｃ
zeroは４２Ｋであり、臨界電流密度は４．２Ｋで１×１
０4 Ａ／cm2 であった。
膜を得た。この薄膜は、厚みがそれぞれ４単位格子の、
（Ｌａ0.8 Ｓｒ0.2 ）2 ＣｕＯ4+δの層とＳｒ0.2 Ｃａ
0.8Ｏ2+δの層とが交互に３０回積み重ねられたもので
あった。また、この薄膜のＴｃonset は５０Ｋ、Ｔｃ
zeroは４２Ｋであり、臨界電流密度は４．２Ｋで１×１
０4 Ａ／cm2 であった。
【００５３】
【発明の効果】この発明の超電導体は、（Ｌａ1-αＳｒ
α）2 ＣｕＯ4+δ（ただし、０＜α≦０．２５）と、下
記群から選ばれた少なくとも１種の物質との層状構成を
有するので、実施例にも示したように、臨界電流密度が
高く、しかも、いろいろな超電導転移温度をもつ超電導
体とすることができる。
α）2 ＣｕＯ4+δ（ただし、０＜α≦０．２５）と、下
記群から選ばれた少なくとも１種の物質との層状構成を
有するので、実施例にも示したように、臨界電流密度が
高く、しかも、いろいろな超電導転移温度をもつ超電導
体とすることができる。
【００５４】 （Ｂｉ1-βＰｂβ）2 Ｓｒ2 Ｃａn Ｃｕn+1 Ｏ6+2n+ δ Ｔｌ2 Ｂａ2 Ｃａm Ｃｕm+1 Ｏ6+2m+ δ ＭＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7+δ （Ｓｒ1-ηＣａη）1-λＣｕＯ2+δ ただし、０≦β≦０．３ ０≦γ≦０．５ ０≦η≦０．９５ ０≦λ≦０．２ −０．５≦δ≦０．５ ｍ：１、２または３ ｎ：２または３ Ｍ：Ｙ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏま
たはＥｒ
たはＥｒ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｂ 13/00 ５６５ Ｄ 8936−5Ｇ Ｈ０１Ｌ 39/24 ＺＡＡ Ｄ 8728−4Ｍ
Claims (1)
- 【請求項１】（Ｌａ1-αＳｒα）2 ＣｕＯ4+δ（ただ
し、０＜α≦０．２５）と、下記群から選ばれた少なく
とも１種の物質との層状構成を有する超電導体。 （Ｂｉ1-βＰｂβ）2 Ｓｒ2 Ｃａn Ｃｕn+1 Ｏ6+2n+ δ Ｔｌ2 Ｂａ2 Ｃａm Ｃｕm+1 Ｏ6+2m+ δ ＭＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7+δ （Ｓｒ1-ηＣａη）1-λＣｕＯ2+δ ただし、０≦β≦０．３ ０≦γ≦０．５ ０≦η≦０．９５ ０≦λ≦０．２ −０．５≦δ≦０．５ ｍ：１、２または３ ｎ：２または３ Ｍ：Ｙ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏま
たはＥｒ
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3350892 | 1992-02-20 | ||
| JP4-33508 | 1992-02-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05294620A true JPH05294620A (ja) | 1993-11-09 |
Family
ID=12388489
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5025461A Pending JPH05294619A (ja) | 1992-02-20 | 1993-02-15 | 超電導体 |
| JP5025462A Pending JPH05294620A (ja) | 1992-02-20 | 1993-02-15 | 超電導体 |
| JP5025463A Pending JPH05294621A (ja) | 1992-02-20 | 1993-02-15 | 超電導体 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5025461A Pending JPH05294619A (ja) | 1992-02-20 | 1993-02-15 | 超電導体 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5025463A Pending JPH05294621A (ja) | 1992-02-20 | 1993-02-15 | 超電導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (3) | JPH05294619A (ja) |
-
1993
- 1993-02-15 JP JP5025461A patent/JPH05294619A/ja active Pending
- 1993-02-15 JP JP5025462A patent/JPH05294620A/ja active Pending
- 1993-02-15 JP JP5025463A patent/JPH05294621A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05294621A (ja) | 1993-11-09 |
| JPH05294619A (ja) | 1993-11-09 |
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