JPH0529519A - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents
半導体装置とその製造方法Info
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- JPH0529519A JPH0529519A JP3205412A JP20541291A JPH0529519A JP H0529519 A JPH0529519 A JP H0529519A JP 3205412 A JP3205412 A JP 3205412A JP 20541291 A JP20541291 A JP 20541291A JP H0529519 A JPH0529519 A JP H0529519A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- support bar
- semiconductor chip
- stage support
- sealing resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 樹脂封止型の半導体装置において実装時の熱
影響によりステージ部裏面と封止樹脂との間に生じるパ
ッケージのクラックを防止する。 【構成】 半導体チップ搭載側とは反対側のステージサ
ポートバー４の表面と、少なくとも一対のステージサポ
ートバー４を結ぶ線上のステージ部２表面とに、封止樹
脂とステージサポートバー４あるいはステージ部２との
密着性を低下させる樹脂テープ、銀メッキ、酢酸処理な
どの表面処理を施すと共に、ステージ部２の裏面の封止
樹脂に凹部６を形成する。
影響によりステージ部裏面と封止樹脂との間に生じるパ
ッケージのクラックを防止する。 【構成】 半導体チップ搭載側とは反対側のステージサ
ポートバー４の表面と、少なくとも一対のステージサポ
ートバー４を結ぶ線上のステージ部２表面とに、封止樹
脂とステージサポートバー４あるいはステージ部２との
密着性を低下させる樹脂テープ、銀メッキ、酢酸処理な
どの表面処理を施すと共に、ステージ部２の裏面の封止
樹脂に凹部６を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型の半導体装
置およびその製造方法に係わり、実装時等に生じる封止
樹脂のクラックを防止することができる半導体装置に関
する。
置およびその製造方法に係わり、実装時等に生じる封止
樹脂のクラックを防止することができる半導体装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型の半導体装置にあっては、封
止樹脂の吸湿性等に起因して樹脂パッケージ内に水分が
溜り、この水分がはんだ付け等の際の加熱によって膨張
し、封止樹脂にクラックを生じさせるという問題が従来
指摘されている。樹脂パッケージ内に溜った水分はリー
ドフレームと封止樹脂との界面に存在することが多く、
特にチップを搭載するステージ部の裏面に溜った水分が
クラック発生に悪影響を及ぼすことが判明している。
止樹脂の吸湿性等に起因して樹脂パッケージ内に水分が
溜り、この水分がはんだ付け等の際の加熱によって膨張
し、封止樹脂にクラックを生じさせるという問題が従来
指摘されている。樹脂パッケージ内に溜った水分はリー
ドフレームと封止樹脂との界面に存在することが多く、
特にチップを搭載するステージ部の裏面に溜った水分が
クラック発生に悪影響を及ぼすことが判明している。
【０００３】このような樹脂パッケージ内に溜った水分
による悪影響を除去するための従来の方法としては、リ
ードフレームに、封止樹脂との間の密着性を向上させる
処理を施して水分を内部に進入させないようにすると共
にリードフレームと封止樹脂間で剥離が生じ難くする方
法が知られている。また、ステージサポートバーを介し
てステージ部に水分が侵入することを防止するために、
ステージサポートバーを直線状から屈曲した形状に変え
たり、あるいはステージサポートバーを細くする方法が
知られている。しかしながら、いずれの方法も、樹脂パ
ッケージ内に溜る水分を皆無にするには至らなかった。
そこで、ステージ部の裏面に溜った水分が、半導体装置
を基板等にはんだ付けする際の熱影響によって膨張した
場合、ステージサポートバーと封止樹脂との界面から積
極的に外部に抜けるように作用させるために、ステージ
サポートバーと封止樹脂間の密着性を低下させておく方
法が提案されている（例えば、特開平２−２９２８４９
号公報参照）。
による悪影響を除去するための従来の方法としては、リ
ードフレームに、封止樹脂との間の密着性を向上させる
処理を施して水分を内部に進入させないようにすると共
にリードフレームと封止樹脂間で剥離が生じ難くする方
法が知られている。また、ステージサポートバーを介し
てステージ部に水分が侵入することを防止するために、
ステージサポートバーを直線状から屈曲した形状に変え
たり、あるいはステージサポートバーを細くする方法が
知られている。しかしながら、いずれの方法も、樹脂パ
ッケージ内に溜る水分を皆無にするには至らなかった。
そこで、ステージ部の裏面に溜った水分が、半導体装置
を基板等にはんだ付けする際の熱影響によって膨張した
場合、ステージサポートバーと封止樹脂との界面から積
極的に外部に抜けるように作用させるために、ステージ
サポートバーと封止樹脂間の密着性を低下させておく方
法が提案されている（例えば、特開平２−２９２８４９
号公報参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、最近の
半導体チップは益々大型化しており、これに対してパッ
ケージサイズは極力小型かつ薄型であることが要求され
ているため、半導体装置内でステージ部の占める面積が
大きくなればなるほどステージ部の中央付近の裏面に溜
った水分は十分に外部に抜けず、パッケージにクラック
が発生する虞れがある。特に、膨張時のステージ部の裏
面に作用する最大曲げ応力は、チップ長変化率（ステー
ジ部寸法）の２乗に比例し、ステージ部裏面のモールド
厚さの変化率の２乗に反比例することが知られている。
したがって、半導体チップを大型化するためにステージ
部面積を大きくする一方で、パッケージサイズを薄型化
するためにモールド厚さを薄くすれば、ステージ部の裏
面に作用する最大曲げ応力は益々増加することになる。
本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みてなされ
たものであり、樹脂封止型の半導体装置においてパッケ
ージのクラック発生を防止することを目的とする。
半導体チップは益々大型化しており、これに対してパッ
ケージサイズは極力小型かつ薄型であることが要求され
ているため、半導体装置内でステージ部の占める面積が
大きくなればなるほどステージ部の中央付近の裏面に溜
った水分は十分に外部に抜けず、パッケージにクラック
が発生する虞れがある。特に、膨張時のステージ部の裏
面に作用する最大曲げ応力は、チップ長変化率（ステー
ジ部寸法）の２乗に比例し、ステージ部裏面のモールド
厚さの変化率の２乗に反比例することが知られている。
したがって、半導体チップを大型化するためにステージ
部面積を大きくする一方で、パッケージサイズを薄型化
するためにモールド厚さを薄くすれば、ステージ部の裏
面に作用する最大曲げ応力は益々増加することになる。
本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みてなされ
たものであり、樹脂封止型の半導体装置においてパッケ
ージのクラック発生を防止することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明では、少なくとも一対のステージサポートバー
における半導体チップ搭載側とは反対側の表面と、これ
ら一対のステージサポートバーを結ぶ線上のステージ部
表面とに、封止樹脂とステージサポートバーあるいはス
テージ部との密着性を低下させる表面処理を施すと共
に、上記一対のステージサポートバーを結ぶ線上のステ
ージ部の所定位置を外部に露出させるように、封止樹脂
層に凹部が形成してある。
の本発明では、少なくとも一対のステージサポートバー
における半導体チップ搭載側とは反対側の表面と、これ
ら一対のステージサポートバーを結ぶ線上のステージ部
表面とに、封止樹脂とステージサポートバーあるいはス
テージ部との密着性を低下させる表面処理を施すと共
に、上記一対のステージサポートバーを結ぶ線上のステ
ージ部の所定位置を外部に露出させるように、封止樹脂
層に凹部が形成してある。
【０００６】ここで、一対のステージサポートバーを結
ぶ直線のステージ部表面に施した表面処理の幅は、前記
ステージサポートバーの幅以上とすることが好ましい。
また、半導体チップ搭載側のステージ部およびステージ
サポートバーの表面に、封止樹脂とステージ部あるいは
ステージサポートバーとの密着性を高める表面処理を施
すことが好ましい。さらに、本発明の半導体装置は、少
なくとも一対のステージサポートバーにおける半導体チ
ップ搭載側とは反対側の表面と、これら一対のステージ
サポートバーを結ぶ線上のステージ部表面とに、封止樹
脂とステージサポートバーあるいはステージ部との密着
性を低下させる表面処理を施す工程と、モールド成形に
用いるキャビティを形成する金型に、上記ステージ部に
おける半導体チップ搭載側とは反対側の表面に接する凸
部を形成し、この凸部の先端面から前記ステージ部を真
空吸引しながらモールド成形する工程とを有する半導体
装置の製造方法により製造することが好ましい。
ぶ直線のステージ部表面に施した表面処理の幅は、前記
ステージサポートバーの幅以上とすることが好ましい。
また、半導体チップ搭載側のステージ部およびステージ
サポートバーの表面に、封止樹脂とステージ部あるいは
ステージサポートバーとの密着性を高める表面処理を施
すことが好ましい。さらに、本発明の半導体装置は、少
なくとも一対のステージサポートバーにおける半導体チ
ップ搭載側とは反対側の表面と、これら一対のステージ
サポートバーを結ぶ線上のステージ部表面とに、封止樹
脂とステージサポートバーあるいはステージ部との密着
性を低下させる表面処理を施す工程と、モールド成形に
用いるキャビティを形成する金型に、上記ステージ部に
おける半導体チップ搭載側とは反対側の表面に接する凸
部を形成し、この凸部の先端面から前記ステージ部を真
空吸引しながらモールド成形する工程とを有する半導体
装置の製造方法により製造することが好ましい。
【０００７】
【作用】このように構成した本発明にあっては、ステー
ジ部の裏面に溜った水分が、半導体装置を基板などには
んだ付けする際の加熱等によって膨張すると、ステージ
部中央付近の水分は封止樹脂層に形成された凹部から外
部に排出される。一方、ステージ部の周辺の水分は、ス
テージ部における表面処理が施された部分と封止樹脂と
の界面から、ステージサポートバーと封止樹脂との界面
を通過して外部に排出することになる。すなわち、ステ
ージ部の中央には水分を直接排出するための凹部が形成
してあり、しかもステージ部の周辺については、ステー
ジ部の一部と封止樹脂、およびステージサポートバーと
封止樹脂との間の密着性を低下させ、水分を抜け易くす
る通路を積極的に設けているため、ステージ部の表面積
が大きく、かつ薄型のパッケージであっても、ステージ
部の裏面に溜った水分は、この凹部および排出通路を介
して外部に抜けることになる。
ジ部の裏面に溜った水分が、半導体装置を基板などには
んだ付けする際の加熱等によって膨張すると、ステージ
部中央付近の水分は封止樹脂層に形成された凹部から外
部に排出される。一方、ステージ部の周辺の水分は、ス
テージ部における表面処理が施された部分と封止樹脂と
の界面から、ステージサポートバーと封止樹脂との界面
を通過して外部に排出することになる。すなわち、ステ
ージ部の中央には水分を直接排出するための凹部が形成
してあり、しかもステージ部の周辺については、ステー
ジ部の一部と封止樹脂、およびステージサポートバーと
封止樹脂との間の密着性を低下させ、水分を抜け易くす
る通路を積極的に設けているため、ステージ部の表面積
が大きく、かつ薄型のパッケージであっても、ステージ
部の裏面に溜った水分は、この凹部および排出通路を介
して外部に抜けることになる。
【０００８】このとき、一対のステージサポートバーを
結ぶ直線のステージ部表面に施した表面処理の幅をステ
ージサポートバーの幅以上とすれば、毛細管現象等の理
由によってステージ部に溜った水分はステージサポート
バー方向に吸引され、水分の外部への排出効果がより高
まることになる。また、半導体チップ搭載側のステージ
部およびステージサポートバーの表面に、封止樹脂とス
テージ部あるいはステージサポートバーとの密着性を高
める表面処理を施しておけば、半導体チップ搭載側の封
止樹脂とステージ部あるいはステージサポートバーとの
密着性が高まることから、封止樹脂が吸湿した水分はス
テージ部の裏面側のみに溜ることになり、これによって
半導体装置全体の水分を外部に排出することができる。
結ぶ直線のステージ部表面に施した表面処理の幅をステ
ージサポートバーの幅以上とすれば、毛細管現象等の理
由によってステージ部に溜った水分はステージサポート
バー方向に吸引され、水分の外部への排出効果がより高
まることになる。また、半導体チップ搭載側のステージ
部およびステージサポートバーの表面に、封止樹脂とス
テージ部あるいはステージサポートバーとの密着性を高
める表面処理を施しておけば、半導体チップ搭載側の封
止樹脂とステージ部あるいはステージサポートバーとの
密着性が高まることから、封止樹脂が吸湿した水分はス
テージ部の裏面側のみに溜ることになり、これによって
半導体装置全体の水分を外部に排出することができる。
【０００９】このような本発明に係る半導体装置を製造
するにあたり、モールド成形のキャビティを形成する金
型にステージ部の半導体チップ搭載側とは反対側の表面
中央に接する凸部を形成し、この凸部の先端面からステ
ージ部を真空吸引しながらモールド成形すれば、封止樹
脂層への凹部の形成と同時に、ステージ部の位置決めを
精度良く行うことができる。しかも、この部分に樹脂バ
リなどが生じ難くなることから都合がよい。
するにあたり、モールド成形のキャビティを形成する金
型にステージ部の半導体チップ搭載側とは反対側の表面
中央に接する凸部を形成し、この凸部の先端面からステ
ージ部を真空吸引しながらモールド成形すれば、封止樹
脂層への凹部の形成と同時に、ステージ部の位置決めを
精度良く行うことができる。しかも、この部分に樹脂バ
リなどが生じ難くなることから都合がよい。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図１は本発明の一実施例に係るリードフレーム
を示す平面図、図２は同実施例に係る半導体装置の縦断
面図であって、図１のＡ−Ａ線に相当する断面図、図３
は本発明の他の実施例を示すステージ部近傍の拡大平面
図、図４は図３のＢ−Ｂ線に沿う断面図であり、何れも
リードフレームに対してステージ部を２本のステージサ
ポートバーにより保持するタイプの半導体装置である。
また、図７は本発明の半導体装置を製造する際のモール
ド工程を示す断面図である。
明する。図１は本発明の一実施例に係るリードフレーム
を示す平面図、図２は同実施例に係る半導体装置の縦断
面図であって、図１のＡ−Ａ線に相当する断面図、図３
は本発明の他の実施例を示すステージ部近傍の拡大平面
図、図４は図３のＢ−Ｂ線に沿う断面図であり、何れも
リードフレームに対してステージ部を２本のステージサ
ポートバーにより保持するタイプの半導体装置である。
また、図７は本発明の半導体装置を製造する際のモール
ド工程を示す断面図である。
【００１１】図１に示すように、本実施例に係るリード
フレーム１にあっては、半導体チップを搭載する（ダイ
ボンディング）ステージ部２がリードフレーム１の両側
に位置するレール部３に２本のステージサポートバー４
を介して保持されている。また、このステージ部２の周
囲には、当該ステージ部２にダイボンディングされた半
導体チップとワイヤボンディングされる複数のインナリ
ード５が設けられており、このワイヤボンディングの後
に樹脂封止（パッケージング）され、ついでリードフレ
ーム１の周囲を切断した後にインナーリード５が折り曲
げられる。
フレーム１にあっては、半導体チップを搭載する（ダイ
ボンディング）ステージ部２がリードフレーム１の両側
に位置するレール部３に２本のステージサポートバー４
を介して保持されている。また、このステージ部２の周
囲には、当該ステージ部２にダイボンディングされた半
導体チップとワイヤボンディングされる複数のインナリ
ード５が設けられており、このワイヤボンディングの後
に樹脂封止（パッケージング）され、ついでリードフレ
ーム１の周囲を切断した後にインナーリード５が折り曲
げられる。
【００１２】本実施例においては、図１に示すように、
リードフレーム１のステージ部２の半導体チップ搭載側
とは反対側のステージサポートバー４の表面と、これら
一対のステージサポートバー４，４を結ぶ直線のステー
ジ部２の表面とに、封止樹脂とステージサポートバー４
あるいはステージ部２との密着性を低下させる表面処理
を施している。この表面処理としては、封止樹脂を構成
する樹脂との密着性が低い樹脂により構成された樹脂テ
ープを貼着したり、あるいは、銀メッキを施すことが好
ましく、銀メッキを施す場合にはメッキ膜厚を３μｍ以
上とすることが好ましい。なお、本発明においては、封
止樹脂とステージサポートバー４あるいはステージ部２
との密着性を低下させる方法は特に限定されるものでは
なく、ステージ部２およびステージサポートバー４に酢
酸処理などの光沢研磨を施してこれらの表面を化学的に
平滑にする方法なども適用することができる。また、ス
テージ部２とステージサポートバー４との表面処理を、
必ずしも同一の表面処理方法で行う必要はない。
リードフレーム１のステージ部２の半導体チップ搭載側
とは反対側のステージサポートバー４の表面と、これら
一対のステージサポートバー４，４を結ぶ直線のステー
ジ部２の表面とに、封止樹脂とステージサポートバー４
あるいはステージ部２との密着性を低下させる表面処理
を施している。この表面処理としては、封止樹脂を構成
する樹脂との密着性が低い樹脂により構成された樹脂テ
ープを貼着したり、あるいは、銀メッキを施すことが好
ましく、銀メッキを施す場合にはメッキ膜厚を３μｍ以
上とすることが好ましい。なお、本発明においては、封
止樹脂とステージサポートバー４あるいはステージ部２
との密着性を低下させる方法は特に限定されるものでは
なく、ステージ部２およびステージサポートバー４に酢
酸処理などの光沢研磨を施してこれらの表面を化学的に
平滑にする方法なども適用することができる。また、ス
テージ部２とステージサポートバー４との表面処理を、
必ずしも同一の表面処理方法で行う必要はない。
【００１３】特に本実施例においては、図１に示すよう
に、２本のステージサポートバー４４を結ぶ直線のステ
ージ部２の表面に施した表面処理の幅ａをステージサポ
ートバーの幅ｂ以上としている。これは、ステージ部２
に溜った水分を毛細管現象によってステージサポートバ
ー４方向に吸引し、水分の外部への排出効果をより高め
ることを企図したものである。なお、本発明は、図１に
示す実施例にのみ限定されるものではなく、２本のステ
ージサポートバー４，４を結ぶ直線のステージ部２の表
面に施した表面処理の幅ａをステージサポートバーの幅
ｂと等しく設定することもできる。
に、２本のステージサポートバー４４を結ぶ直線のステ
ージ部２の表面に施した表面処理の幅ａをステージサポ
ートバーの幅ｂ以上としている。これは、ステージ部２
に溜った水分を毛細管現象によってステージサポートバ
ー４方向に吸引し、水分の外部への排出効果をより高め
ることを企図したものである。なお、本発明は、図１に
示す実施例にのみ限定されるものではなく、２本のステ
ージサポートバー４，４を結ぶ直線のステージ部２の表
面に施した表面処理の幅ａをステージサポートバーの幅
ｂと等しく設定することもできる。
【００１４】一方、本実施例に係るリードフレーム１の
半導体チップ搭載側のステージ部２およびステージサポ
ートバー４の表面に、封止樹脂とステージ部２あるいは
ステージサポートバー４との密着性を高めるために、ブ
ラスト処理などの表面処理を施している。これは、半導
体チップ搭載側の封止樹脂とステージ部２あるいはステ
ージサポートバー４との密着性を高めて、封止樹脂が吸
湿した水分を全てステージ部２の裏面側のみに溜めるこ
とにより半導体装置全体の水分を外部に排出するためで
ある。なお、この表面処理はブラスト処理にのみ限定さ
れるものではなく、銀メッキを廃止する方法（銀メッキ
レス）を採用しても良い。また、本実施例の半導体装置
にあっては、図１および図２に示すように、２本のステ
ージサポートバー４，４を結ぶ直線のステージ部２の中
央に相当する封止樹脂層７に凹部６を形成している。こ
の凹部６は、半導体装置をモールド成形した場合に半導
体チップ８およびリードフレーム１のステージ部２を包
含する封止樹脂層７にステージ部２の裏面が露呈するよ
うに形成するもので、その形状は図１に示すような円状
であっても、また図３および図４に示すような矩形状で
あっても良いが、凹部６の内径は２本のステージサポー
トバー４，４を結ぶ直線の幅ａ以上に構成することが好
ましい。
半導体チップ搭載側のステージ部２およびステージサポ
ートバー４の表面に、封止樹脂とステージ部２あるいは
ステージサポートバー４との密着性を高めるために、ブ
ラスト処理などの表面処理を施している。これは、半導
体チップ搭載側の封止樹脂とステージ部２あるいはステ
ージサポートバー４との密着性を高めて、封止樹脂が吸
湿した水分を全てステージ部２の裏面側のみに溜めるこ
とにより半導体装置全体の水分を外部に排出するためで
ある。なお、この表面処理はブラスト処理にのみ限定さ
れるものではなく、銀メッキを廃止する方法（銀メッキ
レス）を採用しても良い。また、本実施例の半導体装置
にあっては、図１および図２に示すように、２本のステ
ージサポートバー４，４を結ぶ直線のステージ部２の中
央に相当する封止樹脂層７に凹部６を形成している。こ
の凹部６は、半導体装置をモールド成形した場合に半導
体チップ８およびリードフレーム１のステージ部２を包
含する封止樹脂層７にステージ部２の裏面が露呈するよ
うに形成するもので、その形状は図１に示すような円状
であっても、また図３および図４に示すような矩形状で
あっても良いが、凹部６の内径は２本のステージサポー
トバー４，４を結ぶ直線の幅ａ以上に構成することが好
ましい。
【００１５】このように構成した本実施例に係る半導体
装置あっては、ステージ部２の裏面に溜った水分が、半
導体装置を基板などにはんだ付けする際の加熱等によっ
て膨張すると、ステージ部中央付近の水分はステージ部
２の中央に相当する封止樹脂層７に形成された凹部６か
ら外部に排出され、一方、ステージ部２の周辺の水分
は、ステージ部２の表面処理が施された部分と封止樹脂
との界面から、ステージサポートバー４と封止樹脂との
界面を通過して外部に排出することになる。すなわち、
ステージ部２の中央には水分を直接排出するための凹部
６が形成してあり、しかもステージ部２の周辺について
は、ステージ部２の一部と封止樹脂、およびステージサ
ポートバー４と封止樹脂との間の密着性を低下させ、水
分を抜け易くする通路を積極的に設けているため、ステ
ージ部２の表面積が大きく、かつ薄型のパッケージであ
っても、ステージ部２の裏面に溜った水分は、この凹部
６および排出通路を介して外部に抜けることになる。
装置あっては、ステージ部２の裏面に溜った水分が、半
導体装置を基板などにはんだ付けする際の加熱等によっ
て膨張すると、ステージ部中央付近の水分はステージ部
２の中央に相当する封止樹脂層７に形成された凹部６か
ら外部に排出され、一方、ステージ部２の周辺の水分
は、ステージ部２の表面処理が施された部分と封止樹脂
との界面から、ステージサポートバー４と封止樹脂との
界面を通過して外部に排出することになる。すなわち、
ステージ部２の中央には水分を直接排出するための凹部
６が形成してあり、しかもステージ部２の周辺について
は、ステージ部２の一部と封止樹脂、およびステージサ
ポートバー４と封止樹脂との間の密着性を低下させ、水
分を抜け易くする通路を積極的に設けているため、ステ
ージ部２の表面積が大きく、かつ薄型のパッケージであ
っても、ステージ部２の裏面に溜った水分は、この凹部
６および排出通路を介して外部に抜けることになる。
【００１６】このとき、一対のステージサポートバー
４，４を結ぶ直線のステージ部２の表面に施した表面処
理の幅ａをステージサポートバーの幅ｂ以上としている
ため、毛細管現象によってステージ部２に溜った水分は
ステージサポートバー４の方向に吸引され、水分の外部
への排出効果がより高まることになる。また、本実施例
にあっては半導体チップ搭載側のステージ部２およびス
テージサポートバー４の表面に、封止樹脂とステージ部
２あるいはステージサポートバー４との密着性を高める
表面処理を施しているので、半導体チップ搭載側の封止
樹脂とステージ部２あるいはステージサポートバー４と
の密着性が高まり、これによって封止樹脂が吸湿した水
分はステージ部２の裏面側のみに溜ることになり、した
がって半導体装置全体の水分を外部に排出することがで
きる。
４，４を結ぶ直線のステージ部２の表面に施した表面処
理の幅ａをステージサポートバーの幅ｂ以上としている
ため、毛細管現象によってステージ部２に溜った水分は
ステージサポートバー４の方向に吸引され、水分の外部
への排出効果がより高まることになる。また、本実施例
にあっては半導体チップ搭載側のステージ部２およびス
テージサポートバー４の表面に、封止樹脂とステージ部
２あるいはステージサポートバー４との密着性を高める
表面処理を施しているので、半導体チップ搭載側の封止
樹脂とステージ部２あるいはステージサポートバー４と
の密着性が高まり、これによって封止樹脂が吸湿した水
分はステージ部２の裏面側のみに溜ることになり、した
がって半導体装置全体の水分を外部に排出することがで
きる。
【００１７】一方、かかる半導体装置をモールド成形す
る際は、図７に示すように、リードフレーム１のステー
ジ部２の片面に半導体チップ８を搭載し（ダイボンディ
ング）、この半導体チップ８とインナリード５とをワイ
ヤボンディングした後に、これをモールド成形のキャビ
ティを形成する金型９a,９b の所定位置に設置する。な
お、ステージサポートバー４、４の表面及びステージ部
２の表面の一部には、密着性低下のための表面処理が施
されている。金型の下型９b には封止樹脂層７に形成す
べき凹部６に相当する凸部１０が形成されており、さら
にこの凸部１０の先端面からステージ部２を真空吸引す
るための吸引孔１１が穿設されている。そして、ワイヤ
ボンディングを終了したリードフレーム１を金型内に設
置すると、真空吸引装置（不図示）によってステージ部
２を吸着しながら、注入口１２から溶融樹脂を射出して
モールド成形を行う。このような製造方法によれば、封
止樹脂層７への凹部６の形成と同時に、ステージ部２の
位置決めを精度良く行うことができる。
る際は、図７に示すように、リードフレーム１のステー
ジ部２の片面に半導体チップ８を搭載し（ダイボンディ
ング）、この半導体チップ８とインナリード５とをワイ
ヤボンディングした後に、これをモールド成形のキャビ
ティを形成する金型９a,９b の所定位置に設置する。な
お、ステージサポートバー４、４の表面及びステージ部
２の表面の一部には、密着性低下のための表面処理が施
されている。金型の下型９b には封止樹脂層７に形成す
べき凹部６に相当する凸部１０が形成されており、さら
にこの凸部１０の先端面からステージ部２を真空吸引す
るための吸引孔１１が穿設されている。そして、ワイヤ
ボンディングを終了したリードフレーム１を金型内に設
置すると、真空吸引装置（不図示）によってステージ部
２を吸着しながら、注入口１２から溶融樹脂を射出して
モールド成形を行う。このような製造方法によれば、封
止樹脂層７への凹部６の形成と同時に、ステージ部２の
位置決めを精度良く行うことができる。
【００１８】次に、本発明の他の実施例として、ステー
ジ部を４本のステージサポートバー４により保持したリ
ードフレームについて説明する。図５は本発明の他の実
施例に係るリードフレームを示す平面図、図６は本発明
のさらに他の実施例を示すステージ部近傍の拡大平面図
である。本実施例に係るリードフレーム１にあっては、
半導体チップを搭載する（ダイボンディング）ステージ
部２がリードフレーム１の両側に位置するレール部３，
３に４本のステージサポートバー４を介して保持されて
いる。また、このステージ部２の周囲には、当該ステー
ジ部２にダイボンディングされた半導体チップとワイヤ
ボンディングされる複数のインナリード５が設けられて
おり、このワイヤボンディングの後に樹脂封止（パッケ
ージング）され、ついでリードフレーム１の周囲を切断
した後にインナーリード５が折り曲げられる。なお、こ
の半導体装置は、インナーリード５が半導体チップの４
辺全域に位置するタイプのものである。
ジ部を４本のステージサポートバー４により保持したリ
ードフレームについて説明する。図５は本発明の他の実
施例に係るリードフレームを示す平面図、図６は本発明
のさらに他の実施例を示すステージ部近傍の拡大平面図
である。本実施例に係るリードフレーム１にあっては、
半導体チップを搭載する（ダイボンディング）ステージ
部２がリードフレーム１の両側に位置するレール部３，
３に４本のステージサポートバー４を介して保持されて
いる。また、このステージ部２の周囲には、当該ステー
ジ部２にダイボンディングされた半導体チップとワイヤ
ボンディングされる複数のインナリード５が設けられて
おり、このワイヤボンディングの後に樹脂封止（パッケ
ージング）され、ついでリードフレーム１の周囲を切断
した後にインナーリード５が折り曲げられる。なお、こ
の半導体装置は、インナーリード５が半導体チップの４
辺全域に位置するタイプのものである。
【００１９】本実施例においては、図５に示すように、
リードフレーム１のステージ部２の半導体チップ搭載側
とは反対側のステージサポートバー４の表面と、これら
二対のステージサポートバー４を結ぶ直線のステージ部
２の表面とに、封止樹脂とステージサポートバー４ある
いはステージ部２との密着性を低下させる表面処理を施
している。この表面処理としては、上述した樹脂テー
プ、銀メッキ、酢酸処理などを適用することができる。
また、ステージ部２とステージサポートバー４との表面
処理を統一しなくとも良い。特に本実施例においては、
図５に示すように、二対のステージサポートバー４を結
ぶ２本の直線のステージ部２の表面に施した表面処理の
幅ａ，ｃをそれぞれ対応するステージサポートバーの幅
ｂ，ｄ以上としている。これは、ステージ部２に溜った
水分を毛細管現象等の理由によってステージサポートバ
ー４の方向に吸引し、水分の外部への排出効果をより高
めることを企図したものである。なお、本発明は、図５
に示す実施例にのみ限定されるものではなく、二対のス
テージサポートバー４を結ぶ２本の直線のステージ部２
の表面に施した表面処理の幅ａ，ｃをステージサポート
バーの幅ｂ，ｄと等しく設定することもできる。
リードフレーム１のステージ部２の半導体チップ搭載側
とは反対側のステージサポートバー４の表面と、これら
二対のステージサポートバー４を結ぶ直線のステージ部
２の表面とに、封止樹脂とステージサポートバー４ある
いはステージ部２との密着性を低下させる表面処理を施
している。この表面処理としては、上述した樹脂テー
プ、銀メッキ、酢酸処理などを適用することができる。
また、ステージ部２とステージサポートバー４との表面
処理を統一しなくとも良い。特に本実施例においては、
図５に示すように、二対のステージサポートバー４を結
ぶ２本の直線のステージ部２の表面に施した表面処理の
幅ａ，ｃをそれぞれ対応するステージサポートバーの幅
ｂ，ｄ以上としている。これは、ステージ部２に溜った
水分を毛細管現象等の理由によってステージサポートバ
ー４の方向に吸引し、水分の外部への排出効果をより高
めることを企図したものである。なお、本発明は、図５
に示す実施例にのみ限定されるものではなく、二対のス
テージサポートバー４を結ぶ２本の直線のステージ部２
の表面に施した表面処理の幅ａ，ｃをステージサポート
バーの幅ｂ，ｄと等しく設定することもできる。
【００２０】また、本実施例の半導体装置にあっては、
図５および図２に示すように、４本のステージサポート
バー４を結ぶ直線のステージ部２の中央に相当する封止
樹脂層７に凹部６を形成している。この凹部６は、半導
体装置をモールド成形した場合に半導体チップ８および
リードフレーム１のステージ部２を包含する封止樹脂層
７にステージ部２の裏面が露呈するように形成するもの
で、その形状は図５に示すような円状であっても、また
図６および図４に示すような十字状であっても良いが、
凹部６の内径は２本のステージサポートバー４，４を結
ぶ直線の幅ａ以上に構成することが好ましい。
図５および図２に示すように、４本のステージサポート
バー４を結ぶ直線のステージ部２の中央に相当する封止
樹脂層７に凹部６を形成している。この凹部６は、半導
体装置をモールド成形した場合に半導体チップ８および
リードフレーム１のステージ部２を包含する封止樹脂層
７にステージ部２の裏面が露呈するように形成するもの
で、その形状は図５に示すような円状であっても、また
図６および図４に示すような十字状であっても良いが、
凹部６の内径は２本のステージサポートバー４，４を結
ぶ直線の幅ａ以上に構成することが好ましい。
【００２１】このように構成した本実施例にあっても、
ステージ部２の裏面中央に溜った水分を直接凹部６から
外部に排出する一方で、ステージ部２の周辺に溜った水
分をステージ部２の表面処理が施された部分と封止樹脂
との界面から、ステージサポートバー４と封止樹脂との
界面を通過して外部に排出することができる。なお、本
発明は上述した実施例のみに限定されるものではなく、
本発明の要旨を越えない限りにおいて種々に改変するこ
とができる。
ステージ部２の裏面中央に溜った水分を直接凹部６から
外部に排出する一方で、ステージ部２の周辺に溜った水
分をステージ部２の表面処理が施された部分と封止樹脂
との界面から、ステージサポートバー４と封止樹脂との
界面を通過して外部に排出することができる。なお、本
発明は上述した実施例のみに限定されるものではなく、
本発明の要旨を越えない限りにおいて種々に改変するこ
とができる。
【００２２】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、ステ
ージ部の半導体チップ搭載側とは反対側のステージサポ
ートバーの表面と、これら一対のステージサポートバー
を結ぶ直線のステージ部表面とに、封止樹脂とステージ
サポートバーあるいはステージ部との密着性を低下させ
る表面処理を施すと共に、前記一対のステージサポート
バーを結ぶ直線のステージ部のほぼ中央に相当する封止
樹脂層に凹部を形成したため、ステージ部の裏面に溜っ
た水分を効率良く外部に排出することが可能となり、実
装時の熱影響によりステージ部裏面と封止樹脂との間に
生じるパッケージのクラックを確実に防止することがで
きる。また、一対のステージサポートバーを結ぶ直線の
ステージ部表面に施した表面処理の幅をステージサポー
トバーの幅以上とすれば、毛細管現象等の理由によって
水分の外部への排出効果がより高まることになる。
ージ部の半導体チップ搭載側とは反対側のステージサポ
ートバーの表面と、これら一対のステージサポートバー
を結ぶ直線のステージ部表面とに、封止樹脂とステージ
サポートバーあるいはステージ部との密着性を低下させ
る表面処理を施すと共に、前記一対のステージサポート
バーを結ぶ直線のステージ部のほぼ中央に相当する封止
樹脂層に凹部を形成したため、ステージ部の裏面に溜っ
た水分を効率良く外部に排出することが可能となり、実
装時の熱影響によりステージ部裏面と封止樹脂との間に
生じるパッケージのクラックを確実に防止することがで
きる。また、一対のステージサポートバーを結ぶ直線の
ステージ部表面に施した表面処理の幅をステージサポー
トバーの幅以上とすれば、毛細管現象等の理由によって
水分の外部への排出効果がより高まることになる。
【００２３】さらに、半導体チップ搭載側のステージ部
およびステージサポートバーの表面に、封止樹脂とステ
ージ部あるいはステージサポートバーとの密着性を高め
る表面処理を施しておけば、封止樹脂が吸湿した水分は
ステージ部の裏面側のみに溜ることになり、これによっ
て半導体装置全体の水分を外部に排出することができ
る。また、このような本発明に係る半導体装置を製造す
るにあたり、モールド成形のキャビティを形成する金型
にステージ部の半導体チップ搭載側とは反対側の表面中
央に接する凸部を形成し、この凸部の先端面からステー
ジ部を真空吸引しながらモールド成形すれば、封止樹脂
層への凹部の形成と同時に、ステージ部の位置決めを精
度良く行うことができる。
およびステージサポートバーの表面に、封止樹脂とステ
ージ部あるいはステージサポートバーとの密着性を高め
る表面処理を施しておけば、封止樹脂が吸湿した水分は
ステージ部の裏面側のみに溜ることになり、これによっ
て半導体装置全体の水分を外部に排出することができ
る。また、このような本発明に係る半導体装置を製造す
るにあたり、モールド成形のキャビティを形成する金型
にステージ部の半導体チップ搭載側とは反対側の表面中
央に接する凸部を形成し、この凸部の先端面からステー
ジ部を真空吸引しながらモールド成形すれば、封止樹脂
層への凹部の形成と同時に、ステージ部の位置決めを精
度良く行うことができる。
【図１】本発明の一実施例に係るリードフレームを示す
平面図である。
平面図である。
【図２】同実施例に係る半導体装置の縦断面図であっ
て、図１のＡ−Ａ線に相当する断面図である。
て、図１のＡ−Ａ線に相当する断面図である。
【図３】本発明の他の実施例を示すステージ部近傍の拡
大平面図である。
大平面図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図５】本発明の他の実施例に係るリードフレームを示
す平面図である。
す平面図である。
【図６】本発明のさらに他の実施例を示すステージ部近
傍の拡大平面図である。
傍の拡大平面図である。
【図７】本発明の半導体装置を製造する際のモールド工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
１…リードフレーム ２…ステージ部
３…レール部 ４…ステージサ
ポートバー ５…インナーリード ６…凹部 １０…凸部
ポートバー ５…インナーリード ６…凹部 １０…凸部
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくとも一対のステージサポートバー
を介して保持されたステージ部の表面に半導体チップを
搭載し、この半導体チップの周囲をモールド成形してな
る樹脂封止型の半導体装置において、上記ステージサポ
ートバーにおける半導体チップ搭載側とは反対側の表面
と、これら一対のステージサポートバーを結ぶ線上のス
テージ部表面とに、封止樹脂とステージサポートバーあ
るいはステージ部との密着性を低下させる表面処理を施
すと共に、上記一対のステージサポートバーを結ぶ線上
のステージ部の所定位置を外部に露出させるように、封
止樹脂層に凹部が形成してあることを特徴とする半導体
装置。 - 【請求項２】 少なくとも一対のステージサポートバー
を介して保持されたステージ部の表面に半導体チップを
搭載し、この半導体チップの周囲をモールド成形してな
る樹脂封止型の半導体装置の製造方法において、 上記ステージサポートバーにおける半導体チップ搭載側
とは反対側の表面と、これら一対のステージサポートバ
ーを結ぶ線上のステージ部表面とに、封止樹脂とステー
ジサポートバーあるいはステージ部との密着性を低下さ
せる表面処理を施す工程と、 上記モールド成形に用いるキャビティを形成する金型
に、上記ステージ部における半導体チップ搭載側とは反
対側の表面に接する凸部を形成し、この凸部の先端面か
ら前記ステージ部を真空吸引しながらモールド成形する
工程とを有する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3205412A JPH0529519A (ja) | 1991-07-22 | 1991-07-22 | 半導体装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3205412A JPH0529519A (ja) | 1991-07-22 | 1991-07-22 | 半導体装置とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529519A true JPH0529519A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16506421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3205412A Pending JPH0529519A (ja) | 1991-07-22 | 1991-07-22 | 半導体装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0529519A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07169824A (ja) * | 1993-12-13 | 1995-07-04 | Anelva Corp | 基板加熱・冷却機構 |
| CN111376437A (zh) * | 2020-03-24 | 2020-07-07 | 环维电子(上海)有限公司 | 一种双面塑封模具以及一次双面塑封方法 |
| CN111391221A (zh) * | 2020-03-24 | 2020-07-10 | 环维电子(上海)有限公司 | 一种基于一次双面塑封技术的塑封模具、塑封方法及其清模方法 |
-
1991
- 1991-07-22 JP JP3205412A patent/JPH0529519A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07169824A (ja) * | 1993-12-13 | 1995-07-04 | Anelva Corp | 基板加熱・冷却機構 |
| CN111376437A (zh) * | 2020-03-24 | 2020-07-07 | 环维电子(上海)有限公司 | 一种双面塑封模具以及一次双面塑封方法 |
| CN111391221A (zh) * | 2020-03-24 | 2020-07-10 | 环维电子(上海)有限公司 | 一种基于一次双面塑封技术的塑封模具、塑封方法及其清模方法 |
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