JPH10223700A - 樹脂封止半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
樹脂封止半導体装置及びその製造方法Info
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 配線の高さを低くするとともに、モールド工
程時のワイヤ流れ及び未充填をなくすことができ、信頼
性の高い樹脂封止半導体装置及びその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 配線パターン３３が形成されている基板
３１上に半導体チップ３２をダイスボンドし、半導体チ
ップ３２の周辺部のみに液状樹脂３５を塗布し、加熱硬
化する。次に、その硬化した液状樹脂３５の上に、ディ
スペンサ等で導電ペースト３４のラインを引き、半導体
チップ３２のパッドと配線パターン３３を接続する。最
後に、液状樹脂３５´で全体を封止する。
程時のワイヤ流れ及び未充填をなくすことができ、信頼
性の高い樹脂封止半導体装置及びその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 配線パターン３３が形成されている基板
３１上に半導体チップ３２をダイスボンドし、半導体チ
ップ３２の周辺部のみに液状樹脂３５を塗布し、加熱硬
化する。次に、その硬化した液状樹脂３５の上に、ディ
スペンサ等で導電ペースト３４のラインを引き、半導体
チップ３２のパッドと配線パターン３３を接続する。最
後に、液状樹脂３５´で全体を封止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止半導体装
置及びその製造方法に関するものである。
置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の装置としては、以下に示
すようなものがあった。図９はかかる従来の樹脂封止半
導体装置（その１）の断面図である。この図に示すよう
に、基板１上に半導体チップ２が搭載され、配線パター
ン３と半導体チップ２のパッドとの間をＡｕワイヤ４で
接続し、外部環境から保護するために、液状樹脂５で封
止するようにしていた。
すようなものがあった。図９はかかる従来の樹脂封止半
導体装置（その１）の断面図である。この図に示すよう
に、基板１上に半導体チップ２が搭載され、配線パター
ン３と半導体チップ２のパッドとの間をＡｕワイヤ４で
接続し、外部環境から保護するために、液状樹脂５で封
止するようにしていた。
【０００３】図１０は従来の樹脂封止半導体装置（その
２）の断面図である。この図に示すように、ダイパッド
１１上には半導体チップ１２が搭載され、インナーリー
ド１３と半導体チップ１２のパッドとの間をＡｕワイヤ
１４で接続し、外部環境から保護するために、モールド
樹脂１５で封止するようにしていた。図１１は従来の樹
脂封止半導体装置（その３）の断面図である。
２）の断面図である。この図に示すように、ダイパッド
１１上には半導体チップ１２が搭載され、インナーリー
ド１３と半導体チップ１２のパッドとの間をＡｕワイヤ
１４で接続し、外部環境から保護するために、モールド
樹脂１５で封止するようにしていた。図１１は従来の樹
脂封止半導体装置（その３）の断面図である。
【０００４】この図に示すように、インナーリード２１
の下方にＬＯＣ（リード・オン・チップ）テープ２２を
介して、半導体チップ２３を搭載し、インナーリード２
１と半導体チップ２３のパッドとの間をＡｕワイヤ２４
で接続し、外部環境から保護するために、モールド樹脂
２５で封止するようにしていた。
の下方にＬＯＣ（リード・オン・チップ）テープ２２を
介して、半導体チップ２３を搭載し、インナーリード２
１と半導体チップ２３のパッドとの間をＡｕワイヤ２４
で接続し、外部環境から保護するために、モールド樹脂
２５で封止するようにしていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の樹脂封止半導体装置では、それぞれ下記のよう
な問題点があった。 （１）図９に示す樹脂封止半導体装置では、ワイヤの下
に液状樹脂が回り込み難く、未充填ができ易いため、信
頼性に劣る。
た従来の樹脂封止半導体装置では、それぞれ下記のよう
な問題点があった。 （１）図９に示す樹脂封止半導体装置では、ワイヤの下
に液状樹脂が回り込み難く、未充填ができ易いため、信
頼性に劣る。
【０００６】（２）図１０に示す樹脂封止半導体装置で
は、モールド工程時にワイヤ流れが発生し、隣接ワイヤ
が接触したり、ワイヤが切れたり、といった不具合が発
生し易い。また、ワイヤ高さを確保するため、薄型化に
限界がある。 （３）図１１に示す樹脂封止半導体装置では、ワイヤボ
ンド時に、ＬＯＣテープを介して半導体チップに力が加
わるため、ダメージを与え易い。また、ワイヤ高さを確
保するため、薄型化に限界がある。
は、モールド工程時にワイヤ流れが発生し、隣接ワイヤ
が接触したり、ワイヤが切れたり、といった不具合が発
生し易い。また、ワイヤ高さを確保するため、薄型化に
限界がある。 （３）図１１に示す樹脂封止半導体装置では、ワイヤボ
ンド時に、ＬＯＣテープを介して半導体チップに力が加
わるため、ダメージを与え易い。また、ワイヤ高さを確
保するため、薄型化に限界がある。
【０００７】本発明は、上記問題点を除去し、配線の高
さを低くするとともに、モールド工程時のワイヤ流れ及
び未充填をなくすことができ、信頼性の高い樹脂封止半
導体装置及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
さを低くするとともに、モールド工程時のワイヤ流れ及
び未充填をなくすことができ、信頼性の高い樹脂封止半
導体装置及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕樹脂封止半導体装置において、半導体チップと配
線パターン間に跨がるように形成される液状樹脂と、こ
の液状樹脂上に形成され、前記半導体チップと配線パタ
ーンとを接続する導電ペーストとを設けるようにしたも
のである。
成するために、 〔１〕樹脂封止半導体装置において、半導体チップと配
線パターン間に跨がるように形成される液状樹脂と、こ
の液状樹脂上に形成され、前記半導体チップと配線パタ
ーンとを接続する導電ペーストとを設けるようにしたも
のである。
【０００９】〔２〕樹脂封止半導体装置において、配線
パターンが形成される基板上に搭載される半導体チップ
と、この半導体チップと前記配線パターン間に跨がるよ
うに形成される液状樹脂と、この液状樹脂上に形成さ
れ、前記半導体チップと配線パターンとを接続する導電
ペーストとを設けるようにしたものである。 〔３〕樹脂封止半導体装置において、ダイパッド上に搭
載される半導体チップと、この半導体チップ及びダイパ
ッドとインナーリードに跨がるように形成される液状樹
脂と、この液状樹脂上に形成され、前記半導体チップと
前記インナーリードとを接続する導電ペーストと、全体
を封止するモールド樹脂とを設けるようにしたものであ
る。
パターンが形成される基板上に搭載される半導体チップ
と、この半導体チップと前記配線パターン間に跨がるよ
うに形成される液状樹脂と、この液状樹脂上に形成さ
れ、前記半導体チップと配線パターンとを接続する導電
ペーストとを設けるようにしたものである。 〔３〕樹脂封止半導体装置において、ダイパッド上に搭
載される半導体チップと、この半導体チップ及びダイパ
ッドとインナーリードに跨がるように形成される液状樹
脂と、この液状樹脂上に形成され、前記半導体チップと
前記インナーリードとを接続する導電ペーストと、全体
を封止するモールド樹脂とを設けるようにしたものであ
る。
【００１０】〔４〕樹脂封止半導体装置において、イン
ナーリードの先端部の下部に絶縁部材を介して搭載され
る半導体チップと、この半導体チップと前記インナーリ
ードの先端とを接続する導電ペーストとを設けるように
したものである。 〔５〕樹脂封止半導体装置の製造方法において、配線パ
ターンが形成されている基板上に半導体チップをダイス
ボンドする工程と、前記半導体チップの周辺部のみに液
状樹脂を塗布し、加熱硬化する工程と、この硬化した液
状樹脂の上に、導電ペーストのラインを引き、前記半導
体チップのパッドと前記配線パターンを接続する工程
と、液状樹脂で全体を封止する工程とを施すようにした
ものである。
ナーリードの先端部の下部に絶縁部材を介して搭載され
る半導体チップと、この半導体チップと前記インナーリ
ードの先端とを接続する導電ペーストとを設けるように
したものである。 〔５〕樹脂封止半導体装置の製造方法において、配線パ
ターンが形成されている基板上に半導体チップをダイス
ボンドする工程と、前記半導体チップの周辺部のみに液
状樹脂を塗布し、加熱硬化する工程と、この硬化した液
状樹脂の上に、導電ペーストのラインを引き、前記半導
体チップのパッドと前記配線パターンを接続する工程
と、液状樹脂で全体を封止する工程とを施すようにした
ものである。
【００１１】〔６〕樹脂封止半導体装置の製造方法にお
いて、ダイパッド上に半導体チップをダイスボンドする
工程と、前記半導体チップ及びダイパッド周辺部とイン
ナーリードに跨がるように液状樹脂を塗布し、加熱硬化
する工程と、前記硬化した液状樹脂の上に、導電ペース
トのラインを引き、前記半導体チップと前記インナーリ
ードを接続する工程と、モールド樹脂で全体を封止する
工程とを施すようにしたものである。
いて、ダイパッド上に半導体チップをダイスボンドする
工程と、前記半導体チップ及びダイパッド周辺部とイン
ナーリードに跨がるように液状樹脂を塗布し、加熱硬化
する工程と、前記硬化した液状樹脂の上に、導電ペース
トのラインを引き、前記半導体チップと前記インナーリ
ードを接続する工程と、モールド樹脂で全体を封止する
工程とを施すようにしたものである。
【００１２】〔７〕樹脂封止半導体装置の製造方法にお
いて、半導体チップの周辺部とインナーリードに跨がる
ように液状樹脂を塗布し、加熱硬化する工程と、この硬
化した液状樹脂の上に、導電ペーストのラインを引き、
半導体チップとインナーリードを接続する工程と、モー
ルド樹脂で全体を封止する工程とを施すようにしたもの
である。
いて、半導体チップの周辺部とインナーリードに跨がる
ように液状樹脂を塗布し、加熱硬化する工程と、この硬
化した液状樹脂の上に、導電ペーストのラインを引き、
半導体チップとインナーリードを接続する工程と、モー
ルド樹脂で全体を封止する工程とを施すようにしたもの
である。
【００１３】〔８〕樹脂封止半導体装置の製造方法にお
いて、インナーリードの先端部の下部に絶縁部材を介し
て半導体チップを搭載する工程と、この半導体チップと
前記インナーリードの先端とを導電ペーストで接続する
工程と、モールド樹脂で全体を封止する工程とを施すよ
うにしたものである。
いて、インナーリードの先端部の下部に絶縁部材を介し
て半導体チップを搭載する工程と、この半導体チップと
前記インナーリードの先端とを導電ペーストで接続する
工程と、モールド樹脂で全体を封止する工程とを施すよ
うにしたものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。まず、本発明の第１
実施例について説明する。図１は本発明の第１実施例を
示す樹脂封止半導体装置の断面図、図２はその樹脂封止
半導体装置の製造工程断面図である。
て図面を参照して詳細に説明する。まず、本発明の第１
実施例について説明する。図１は本発明の第１実施例を
示す樹脂封止半導体装置の断面図、図２はその樹脂封止
半導体装置の製造工程断面図である。
【００１５】図１に示すように、この実施例の樹脂封止
半導体装置は、基板３１上にダイスボンドされた半導体
チップ３２は基板３１上の配線パターン３３と導電ペー
スト３４により接続されている。さらに、外部環境から
保護するために液状樹脂３５，３５´で封止されてい
る。以下、その製造方法を図２を参照しながら説明す
る。
半導体装置は、基板３１上にダイスボンドされた半導体
チップ３２は基板３１上の配線パターン３３と導電ペー
スト３４により接続されている。さらに、外部環境から
保護するために液状樹脂３５，３５´で封止されてい
る。以下、その製造方法を図２を参照しながら説明す
る。
【００１６】（１）まず、図２（Ａ）に示すように、配
線パターン３３が形成されている基板３１上に半導体チ
ップ３２をダイスボンドする。 （２）次に、図２（Ｂ）に示すように、半導体チップ３
２の周辺部のみに液状樹脂３５を塗布し、加熱硬化す
る。 （３）次に、図２（Ｃ）に示すように、その硬化した液
状樹脂３５の上に、ディスペンサ等で導電ペースト３４
のラインを引き、半導体チップ３２のパッドと配線パタ
ーン３３を接続する。
線パターン３３が形成されている基板３１上に半導体チ
ップ３２をダイスボンドする。 （２）次に、図２（Ｂ）に示すように、半導体チップ３
２の周辺部のみに液状樹脂３５を塗布し、加熱硬化す
る。 （３）次に、図２（Ｃ）に示すように、その硬化した液
状樹脂３５の上に、ディスペンサ等で導電ペースト３４
のラインを引き、半導体チップ３２のパッドと配線パタ
ーン３３を接続する。
【００１７】（４）最後に、図２（Ｄ）に示すように、
液状樹脂３５´で全体を封止する。このように、基板３
１上の半導体チップ３２と配線パターン３３を、導電ペ
ースト３４により電気的に接続する。 以上のように、本発明の第１実施例によれば、液状樹脂
３５の上にディスペンサ等で導電ペースト３４のライン
を引き、半導体チップ３２と配線パターン３３を接続す
るようにしたものである。したがって、先に液状樹脂３
５を半導体チップ３２の周辺部に塗布し、加熱硬化する
ことにより、未充填をなくすことができ、信頼性の高い
樹脂封止半導体装置を得ることができる。
液状樹脂３５´で全体を封止する。このように、基板３
１上の半導体チップ３２と配線パターン３３を、導電ペ
ースト３４により電気的に接続する。 以上のように、本発明の第１実施例によれば、液状樹脂
３５の上にディスペンサ等で導電ペースト３４のライン
を引き、半導体チップ３２と配線パターン３３を接続す
るようにしたものである。したがって、先に液状樹脂３
５を半導体チップ３２の周辺部に塗布し、加熱硬化する
ことにより、未充填をなくすことができ、信頼性の高い
樹脂封止半導体装置を得ることができる。
【００１８】また、先に半導体チップ３２周辺に塗布す
る液状樹脂３５として、後で全体を封止する液状樹脂３
５′とは異なる、応力緩和効果のあるものを用いれば、
加熱時の応力の集中し易い半導体チップ端部の応力を緩
和し、クラックの発生を防ぐこともできる。次に、本発
明の第２実施例について説明する。
る液状樹脂３５として、後で全体を封止する液状樹脂３
５′とは異なる、応力緩和効果のあるものを用いれば、
加熱時の応力の集中し易い半導体チップ端部の応力を緩
和し、クラックの発生を防ぐこともできる。次に、本発
明の第２実施例について説明する。
【００１９】図３は本発明の第２実施例を示す樹脂封止
半導体装置の断面図、図４はその樹脂封止半導体装置の
製造工程断面図である。図３に示すように、この実施例
の樹脂封止半導体装置は、半導体チップ４３及びダイパ
ッド４２周辺部とインナーリード４１部に跨がるように
液状樹脂４４が塗布されており、半導体チップ４３はイ
ンナーリード４１と導電ペースト４５により接続されて
いる。さらに、外部環境から保護するために全体をモー
ルド樹脂４６により封止されている。
半導体装置の断面図、図４はその樹脂封止半導体装置の
製造工程断面図である。図３に示すように、この実施例
の樹脂封止半導体装置は、半導体チップ４３及びダイパ
ッド４２周辺部とインナーリード４１部に跨がるように
液状樹脂４４が塗布されており、半導体チップ４３はイ
ンナーリード４１と導電ペースト４５により接続されて
いる。さらに、外部環境から保護するために全体をモー
ルド樹脂４６により封止されている。
【００２０】以下、その製造方法を図４を参照しながら
説明する。 （１）まず、図４（Ａ）に示すように、ダイパッド４２
上に半導体チップ４３をダイスボンドする。 （２）次に、図４（Ｂ）に示すように、半導体チップ４
３及びダイパッド４２周辺部とインナーリード４１にま
たがるように、液状樹脂４４を塗布し、加熱硬化する。
説明する。 （１）まず、図４（Ａ）に示すように、ダイパッド４２
上に半導体チップ４３をダイスボンドする。 （２）次に、図４（Ｂ）に示すように、半導体チップ４
３及びダイパッド４２周辺部とインナーリード４１にま
たがるように、液状樹脂４４を塗布し、加熱硬化する。
【００２１】（３）次に、図４（Ｃ）に示すように、硬
化した液状樹脂４４の上に、ディスペンサ等で導電ペー
スト４５のラインを引き、半導体チップ４３とインナー
リード４１を接続する。 （４）最後に、図４（Ｄ）に示すように、外部環境から
保護するためにモールド樹脂４６で全体を封止する。
化した液状樹脂４４の上に、ディスペンサ等で導電ペー
スト４５のラインを引き、半導体チップ４３とインナー
リード４１を接続する。 （４）最後に、図４（Ｄ）に示すように、外部環境から
保護するためにモールド樹脂４６で全体を封止する。
【００２２】このように、ダイパッド４２上の半導体チ
ップ４３とインナーリード４１は、加熱硬化済みの液状
樹脂４４上に引かれた導電ペースト４５のラインによ
り、電気的に接続されている。以上のように、本発明の
第２実施例によれば、半導体チップ４３及びダイパッド
４２周辺部とインナーリード４１部に跨がるように液状
樹脂４４を塗布し、加熱した後で、導電ペースト４５で
半導体チップ４３とインナーリード４１を接続するよう
にしたので、モールド工程時のワイヤ流れを無くすこと
ができ、不具合のない樹脂封止半導体装置を得ることが
できる。
ップ４３とインナーリード４１は、加熱硬化済みの液状
樹脂４４上に引かれた導電ペースト４５のラインによ
り、電気的に接続されている。以上のように、本発明の
第２実施例によれば、半導体チップ４３及びダイパッド
４２周辺部とインナーリード４１部に跨がるように液状
樹脂４４を塗布し、加熱した後で、導電ペースト４５で
半導体チップ４３とインナーリード４１を接続するよう
にしたので、モールド工程時のワイヤ流れを無くすこと
ができ、不具合のない樹脂封止半導体装置を得ることが
できる。
【００２３】また、ワイヤのように高さを確保する必要
がないため、薄型化が可能となる。さらに、液状樹脂４
４に応力緩和効果のあるものを用いれば、加熱時のクラ
ックを防ぐことも可能である。次に、本発明の第３実施
例について説明する。図５は本発明の第３実施例を示す
樹脂封止半導体装置の断面図、図６はその樹脂封止半導
体装置の製造工程断面図である。
がないため、薄型化が可能となる。さらに、液状樹脂４
４に応力緩和効果のあるものを用いれば、加熱時のクラ
ックを防ぐことも可能である。次に、本発明の第３実施
例について説明する。図５は本発明の第３実施例を示す
樹脂封止半導体装置の断面図、図６はその樹脂封止半導
体装置の製造工程断面図である。
【００２４】図５に示すように、この実施例の樹脂封止
半導体装置は、第２実施例におけるダイパッド４２をな
くし、半導体チップ４３周辺部とインナーリード４１部
に跨がるように液状樹脂４４が塗布されており、半導体
チップ４３は導電ペースト４５によりインナーリード４
１に接続されている。さらに、外部環境から保護するた
めに全体をモールド樹脂４６により封止されている。
半導体装置は、第２実施例におけるダイパッド４２をな
くし、半導体チップ４３周辺部とインナーリード４１部
に跨がるように液状樹脂４４が塗布されており、半導体
チップ４３は導電ペースト４５によりインナーリード４
１に接続されている。さらに、外部環境から保護するた
めに全体をモールド樹脂４６により封止されている。
【００２５】以下、その製造方法を図６を参照しながら
説明する。 （１）まず、図６（Ａ）に示すように、半導体チップ４
３とインナーリード４１を位置決めした状態におく。 （２）次いで、図６（Ｂ）に示すように、半導体チップ
４３周辺部とインナーリード４１に跨がるように液状樹
脂４４を塗布し、加熱硬化する。
説明する。 （１）まず、図６（Ａ）に示すように、半導体チップ４
３とインナーリード４１を位置決めした状態におく。 （２）次いで、図６（Ｂ）に示すように、半導体チップ
４３周辺部とインナーリード４１に跨がるように液状樹
脂４４を塗布し、加熱硬化する。
【００２６】（３）次に、図６（Ｃ）に示すように、硬
化した液状樹脂４４の上に、ディスペンサ等で導電ペー
スト４５のラインを引き、半導体チップ４３とインナー
リード４１を接続する。 （４）最後に、図６（Ｄ）に示すように、外部環境から
保護するためにモールド樹脂４６で全体を封止する。
化した液状樹脂４４の上に、ディスペンサ等で導電ペー
スト４５のラインを引き、半導体チップ４３とインナー
リード４１を接続する。 （４）最後に、図６（Ｄ）に示すように、外部環境から
保護するためにモールド樹脂４６で全体を封止する。
【００２７】このように、液状樹脂４４により半導体チ
ップ４３を支えることができるので、ダイパッド４２の
無い構造の樹脂封止半導体装置を得ることができる。次
に、本発明の第４実施例について説明する。図７は本発
明の第４実施例を示す樹脂封止半導体装置の断面図、図
８はその樹脂封止半導体装置の製造工程断面図である。
ップ４３を支えることができるので、ダイパッド４２の
無い構造の樹脂封止半導体装置を得ることができる。次
に、本発明の第４実施例について説明する。図７は本発
明の第４実施例を示す樹脂封止半導体装置の断面図、図
８はその樹脂封止半導体装置の製造工程断面図である。
【００２８】この実施例では、インナーリード５１の下
方に、ＬＯＣ（リード・オン・チップ）テープ５２を介
して、半導体チップ５３を搭載し、インナーリード５１
と半導体チップ５３のパッドとの間をディスペンサ等
で、導電ペースト５４のラインを引く。さらに、外部環
境から保護するためにモールド樹脂５５で全体を封止す
る。
方に、ＬＯＣ（リード・オン・チップ）テープ５２を介
して、半導体チップ５３を搭載し、インナーリード５１
と半導体チップ５３のパッドとの間をディスペンサ等
で、導電ペースト５４のラインを引く。さらに、外部環
境から保護するためにモールド樹脂５５で全体を封止す
る。
【００２９】このように、この実施例によれば、従来の
ように、ワイヤボンドをする代わりに、半導体チップ５
３とインナーリード５１の間は導電ペースト５４によ
り、電気的に接続される。以下、その製造方法を図８を
参照しながら説明する。 （１）まず、図８（Ａ）に示すように、インナーリード
５１の先端部の下部にＬＯＣテープ５２を用いて半導体
チップ５３を搭載する。
ように、ワイヤボンドをする代わりに、半導体チップ５
３とインナーリード５１の間は導電ペースト５４によ
り、電気的に接続される。以下、その製造方法を図８を
参照しながら説明する。 （１）まず、図８（Ａ）に示すように、インナーリード
５１の先端部の下部にＬＯＣテープ５２を用いて半導体
チップ５３を搭載する。
【００３０】（２）次に、図８（Ｂ）に示すように、半
導体チップ５３と前記インナーリード５１の先端とを導
電ペースト５４で接続する。 （３）次に、図８（Ｃ）に示すように、モールド樹脂５
５で全体を封止する。 以上のように、本発明の第４実施例によれば、ディスペ
ンサ等で半導体チップ５３とインナーリード５１の先端
との間に導電ペースト５４のラインを引くようにしたの
で、構造をより簡単にし、小型化することができるとと
もに、樹脂封止時の圧力による半導体チップのダメージ
を避けることができ、不具合のない樹脂封止半導体装置
を得ることができる。
導体チップ５３と前記インナーリード５１の先端とを導
電ペースト５４で接続する。 （３）次に、図８（Ｃ）に示すように、モールド樹脂５
５で全体を封止する。 以上のように、本発明の第４実施例によれば、ディスペ
ンサ等で半導体チップ５３とインナーリード５１の先端
との間に導電ペースト５４のラインを引くようにしたの
で、構造をより簡単にし、小型化することができるとと
もに、樹脂封止時の圧力による半導体チップのダメージ
を避けることができ、不具合のない樹脂封止半導体装置
を得ることができる。
【００３１】また、ワイヤと異なり、高さを確保する必
要がないため、より一層の薄型化が可能となる。なお、
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明
の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本
発明の範囲から排除するものではない。
要がないため、より一層の薄型化が可能となる。なお、
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明
の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本
発明の範囲から排除するものではない。
【００３２】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、次のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、液状樹脂の上にデ
ィスペンサ等で導電ペーストのラインを引き、半導体チ
ップと配線パターンを接続するようにしたので、配線の
高さを低くすることができるとともに、モールド工程時
のワイヤ流れ及び未充填をなくすことができ、信頼性の
高い樹脂封止半導体装置を提供することができる。
よれば、次のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、液状樹脂の上にデ
ィスペンサ等で導電ペーストのラインを引き、半導体チ
ップと配線パターンを接続するようにしたので、配線の
高さを低くすることができるとともに、モールド工程時
のワイヤ流れ及び未充填をなくすことができ、信頼性の
高い樹脂封止半導体装置を提供することができる。
【００３３】（２）請求項２又は５記載の発明によれ
ば、液状樹脂の上にディスペンサ等で導電ペーストのラ
インを引き、半導体チップと配線パターンを接続し、先
に液状樹脂を半導体チップの周辺部に塗布し、加熱硬化
することにより、配線の高さを低くすることができると
ともに、モールド工程時のワイヤ流れ及び未充填をなく
すことができる。
ば、液状樹脂の上にディスペンサ等で導電ペーストのラ
インを引き、半導体チップと配線パターンを接続し、先
に液状樹脂を半導体チップの周辺部に塗布し、加熱硬化
することにより、配線の高さを低くすることができると
ともに、モールド工程時のワイヤ流れ及び未充填をなく
すことができる。
【００３４】また、先に半導体チップ周辺に塗布する液
状樹脂として、後で全体を封止する液状樹脂とは異な
る、応力緩和効果のあるものを用いれば、熱時の応力の
集中し易い半導体チップ端部の応力を緩和し、クラック
の発生を防ぐこともできる。 （３）請求項３又は６記載の発明によれば、半導体チッ
プ及びダイパッド周辺部とインナーリード部に跨がるよ
うに液状樹脂を塗布し、加熱した後で、導電ペーストで
半導体チップとインナーリードを接続するようにしたの
で、モールド工程時のワイヤ流れを無くすことができ、
不具合のない樹脂封止半導体を得ることができる。
状樹脂として、後で全体を封止する液状樹脂とは異な
る、応力緩和効果のあるものを用いれば、熱時の応力の
集中し易い半導体チップ端部の応力を緩和し、クラック
の発生を防ぐこともできる。 （３）請求項３又は６記載の発明によれば、半導体チッ
プ及びダイパッド周辺部とインナーリード部に跨がるよ
うに液状樹脂を塗布し、加熱した後で、導電ペーストで
半導体チップとインナーリードを接続するようにしたの
で、モールド工程時のワイヤ流れを無くすことができ、
不具合のない樹脂封止半導体を得ることができる。
【００３５】また、ワイヤのように高さを確保する必要
がないため、薄型化が可能となる。さらに、液状樹脂に
応力緩和効果のあるものを用いれば、熱時のクラックを
防ぐことも可能である。 （４）請求項４又は８記載の発明によれば、ディスペン
サ等で半導体チップとインナーリードの先端と間に導電
ペーストのラインを引くようにしたので、構造をより簡
単にし、小型化することができるとともに、樹脂封止時
の圧力による半導体チップのダメージを避けることがで
き、不具合のない樹脂封止半導体装置を得ることができ
る。
がないため、薄型化が可能となる。さらに、液状樹脂に
応力緩和効果のあるものを用いれば、熱時のクラックを
防ぐことも可能である。 （４）請求項４又は８記載の発明によれば、ディスペン
サ等で半導体チップとインナーリードの先端と間に導電
ペーストのラインを引くようにしたので、構造をより簡
単にし、小型化することができるとともに、樹脂封止時
の圧力による半導体チップのダメージを避けることがで
き、不具合のない樹脂封止半導体装置を得ることができ
る。
【００３６】また、ワイヤと異なり、高さを確保する必
要がないため、より一層の薄型化が可能となる。 （５）請求項７記載の発明によれば、ダイパッドをなく
すことができ、構造が簡単で、しかもより一層の薄型化
が可能となる。
要がないため、より一層の薄型化が可能となる。 （５）請求項７記載の発明によれば、ダイパッドをなく
すことができ、構造が簡単で、しかもより一層の薄型化
が可能となる。
【図１】本発明の第１実施例を示す樹脂封止半導体装置
の断面図である。
の断面図である。
【図２】本発明の第１実施例を示す樹脂封止半導体装置
の製造工程断面図である。
の製造工程断面図である。
【図３】本発明の第２実施例を示す樹脂封止半導体装置
の断面図である。
の断面図である。
【図４】本発明の第２実施例を示す樹脂封止半導体装置
の製造工程断面図である。
の製造工程断面図である。
【図５】本発明の第３実施例を示す樹脂封止半導体装置
の断面図である。
の断面図である。
【図６】本発明の第３実施例を示す樹脂封止半導体装置
の製造工程断面図である。
の製造工程断面図である。
【図７】本発明の第４実施例を示す樹脂封止半導体装置
の断面図である。
の断面図である。
【図８】本発明の第４実施例を示す樹脂封止半導体装置
の製造工程断面図である。
の製造工程断面図である。
【図９】従来の樹脂封止半導体装置（その１）の断面図
である。
である。
【図１０】従来の樹脂封止半導体装置（その２）の断面
図である。
図である。
【図１１】従来の樹脂封止半導体装置（その３）の断面
図である。
図である。
３１ 基板 ３２，４３，５３ 半導体チップ ３３ 配線パターン ３４，４５，５４ 導電ペースト ３５，３５´ ，４４ 液状樹脂 ４１，５１ インナーリード ４２ ダイパッド ４６，５５ モールド樹脂 ５２ ＬＯＣ（リード・オン・チップ）テープ
Claims (8)
- 【請求項１】 樹脂封止半導体装置において、（ａ）半
導体チップと配線パターン間に跨がるように形成される
液状樹脂と、（ｂ）該液状樹脂上に形成され、前記半導
体チップと配線パターンとを接続する導電ペーストとを
具備することを特徴とする樹脂封止半導体装置。 - 【請求項２】 樹脂封止半導体装置において、（ａ）配
線パターンが形成される基板上に搭載される半導体チッ
プと、（ｂ）該半導体チップと前記配線パターン間に跨
がるように形成される液状樹脂と、（ｃ）該液状樹脂上
に形成され、前記半導体チップと配線パターンとを接続
する導電ペーストとを具備することを特徴とする樹脂封
止半導体装置。 - 【請求項３】 樹脂封止半導体装置において、（ａ）ダ
イパッド上に搭載される半導体チップと、（ｂ）該半導
体チップ及びダイパッドとインナーリードに跨がるよう
に形成される液状樹脂と、（ｃ）該液状樹脂上に形成さ
れ、前記半導体チップと前記インナーリードとを接続す
る導電ペーストと、（ｄ）全体を封止するモールド樹脂
とを具備することを特徴とする樹脂封止半導体装置。 - 【請求項４】 樹脂封止半導体装置において、（ａ）イ
ンナーリードの先端部の下部に絶縁部材を介して搭載さ
れる半導体チップと、（ｂ）該半導体チップと前記イン
ナーリードの先端とを接続する導電ペーストとを具備す
ることを特徴とする樹脂封止半導体装置。 - 【請求項５】 樹脂封止半導体装置の製造方法におい
て、（ａ）配線パターンが形成されている基板上に半導
体チップをダイスボンドする工程と、（ｂ）前記半導体
チップの周辺部のみに液状樹脂を塗布し、加熱硬化する
工程と、（ｃ）該硬化した液状樹脂の上に、導電ペース
トのラインを引き、前記半導体チップのパッドと前記配
線パターンを接続する工程と、（ｄ）液状樹脂で全体を
封止する工程とを施すことを特徴とする樹脂封止半導体
装置の製造方法。 - 【請求項６】 樹脂封止半導体装置の製造方法におい
て、（ａ）ダイパッド上に半導体チップをダイスボンド
する工程と、（ｂ）前記半導体チップ及びダイパッド周
辺部とインナーリードに跨がるように液状樹脂を塗布
し、加熱硬化する工程と、（ｃ）前記硬化した液状樹脂
の上に、導電ペーストのラインを引き、前記半導体チッ
プと前記インナーリードを接続する工程と、（ｄ）モー
ルド樹脂で全体を封止する工程とを施すことを特徴とす
る樹脂封止半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 樹脂封止半導体装置の製造方法におい
て、（ａ）半導体チップの周辺部とインナーリードに跨
がるように、液状樹脂を塗布し、加熱硬化する工程と、
（ｂ）該硬化した液状樹脂の上に、導電ペーストのライ
ンを引き、半導体チップとインナーリードを接続する工
程と、（ｄ）モールド樹脂で全体を封止する工程とを施
すことを特徴とする樹脂封止半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 樹脂封止半導体装置の製造方法におい
て、（ａ）インナーリードの先端部の下部に絶縁部材を
介して半導体チップを搭載する工程と、（ｂ）該半導体
チップと前記インナーリードの先端とを導電ペーストで
接続する工程と、（ｃ）モールド樹脂で全体を封止する
工程とを施すことを特徴とする樹脂封止半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9026284A JPH10223700A (ja) | 1997-02-10 | 1997-02-10 | 樹脂封止半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9026284A JPH10223700A (ja) | 1997-02-10 | 1997-02-10 | 樹脂封止半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10223700A true JPH10223700A (ja) | 1998-08-21 |
Family
ID=12189003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9026284A Withdrawn JPH10223700A (ja) | 1997-02-10 | 1997-02-10 | 樹脂封止半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10223700A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007510301A (ja) * | 2003-10-29 | 2007-04-19 | コンダクティブ・インクジェット・テクノロジー・リミテッド | 部品の電気的接続 |
| US7230341B2 (en) | 2003-03-13 | 2007-06-12 | Seiko Epson Corporation | Electronic device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument |
| KR100829593B1 (ko) | 2007-04-30 | 2008-05-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 이의 제조 방법 |
| JP2015012165A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | 富士機械製造株式会社 | 回路機器製造方法および、成形用の型 |
-
1997
- 1997-02-10 JP JP9026284A patent/JPH10223700A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7230341B2 (en) | 2003-03-13 | 2007-06-12 | Seiko Epson Corporation | Electronic device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument |
| US7564142B2 (en) | 2003-03-13 | 2009-07-21 | Seiko Epson Corporation | Electronic device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument |
| JP2007510301A (ja) * | 2003-10-29 | 2007-04-19 | コンダクティブ・インクジェット・テクノロジー・リミテッド | 部品の電気的接続 |
| KR100829593B1 (ko) | 2007-04-30 | 2008-05-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 이의 제조 방법 |
| JP2015012165A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | 富士機械製造株式会社 | 回路機器製造方法および、成形用の型 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040511 |