JPH0529659A - 側面発光型ｌｅｄランプとその製造方法 - Google Patents

側面発光型ｌｅｄランプとその製造方法

Info

Publication number
JPH0529659A
JPH0529659A JP3182659A JP18265991A JPH0529659A JP H0529659 A JPH0529659 A JP H0529659A JP 3182659 A JP3182659 A JP 3182659A JP 18265991 A JP18265991 A JP 18265991A JP H0529659 A JPH0529659 A JP H0529659A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
led lamp
block
metal films
light emitting
view
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3182659A
Other languages
English (en)
Inventor
Atsushi Okazaki
淳 岡崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP3182659A priority Critical patent/JPH0529659A/ja
Publication of JPH0529659A publication Critical patent/JPH0529659A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/0198—Manufacture or treatment batch processes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/8506—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H10H20/853—Encapsulations characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】 ほぼ直方体状の絶縁体ブロックと、ブロック
の上面から側面にわたって並列に形成された二つの金属
膜と、ブロックの上面に搭載されブロックの上面に二つ
の金属膜間に接続される発光ダイオードチップを備えた
側面発光型ＬＥＤランプである。 【効果】 小型で高密度に表面実装が可能な側面発光型
ＬＥＤランプが提供される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、主に基板に実装して
使用され側面からの発光が可能なＬＥＤランプに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の側面発光型ＬＥＤランプ
においては、図１９に示すようにＬＥＤランプＬのリー
ドフレームＦを直角に曲げたものや、図２０に示すよう
に図１９に示すＬＥＤランプＬに更に樹脂成形物Ｓを付
加したものが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このようなＬＥＤランプはリードフレームを基板の孔に
挿入するタイプであり、表面実装リフロー半田付け用と
しては使用できない。また、図２０に示すもので表面実
装を可能とした形態のものも知られているが、ＬＥＤラ
ンプＬを樹脂成形物Ｓで覆うような構造となっているた
め全体の寸法が大きく高密度実装ができないという問題
点がある。
【０００４】この発明はこのような事情を考慮してなさ
れたもので、基板に対してリフロー半田付けによる表面
実装が可能で、しかも、高密度実装を行うことができる
側面発光型ＬＥＤランプを提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴とするとこ
ろは、ほぼ直方体状の絶縁体ブロックと、ブロックの上
面から側面にわたって並列に形成された二つの金属膜
と、ブロックの上面に搭載されブロックの上面の二つの
金属膜間に接続される発光ダイオードチップを備えた側
面発光型ＬＥＤランプを提供するものである。
【０００６】また、この発明の側面発光型ＬＥＤランプ
は、絶縁基板に貫通孔を穿設する工程と、基板表面から
貫通孔内壁にわたって並列に二つの金属膜を形成する工
程と、基板表面に発光ダイオードチップを搭載して二つ
の金属膜間に発光ダイオードチップを接続する工程と、
貫通孔を通り二つの金属膜を横切る平面で絶縁基板を切
断する工程からなる方法によって製造することができ
る。
【０００７】
【作用】ブロック側面の二つの金属膜を、実装用の基板
の電極面にそれぞれ半田付けすれば表面実装することが
でき、しかも、ブロック上面に搭載された発光ダイオー
ドチップは実装用基板に対して側面発光することにな
る。
【０００８】
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいてこの発明
を詳述する。これによってこの発明が限定されるもので
はない。
【０００９】まず、この発明の側面発光型ＬＥＤランプ
の製造方法について説明する。まず、図１に示すよう
に、金属メッキが可能な樹脂基板１に貫通孔（スルーホ
ール）２および凹面部３を形成する。なお、図２は図１
のＡ−Ａ矢視断面図、図３は図１のＢ−Ｂ矢視断面図で
ある。
【００１０】次に、図４の斜線部に示すように、基板１
の表面から貫通孔（スルーホール）２の内壁にわたる金
属膜パターン４を並列に形成する。なお、図５は図４の
Ｘ−Ｘ矢視断面図、図６は図４のＹ−Ｙ矢視断面図であ
る。
【００１１】次に、図７に示すように、基板１の凹面部
３の中央部の金属膜パターン４に発光ダイオードチップ
５を接合して、発光ダイオードチップ５の一方の電極を
金属膜パターン４に接続するとともに発光ダイオードチ
ップ５の他方の電極をＡｕ線６を用いて隣接する金属膜
パターン４に接続する。
【００１２】次に、発光ダイオードチップ５を備えた凹
面部３を透明な樹脂によって封止する。
【００１３】次に、図８に示すように、基板１をライン
７、８、及び９に沿って切断する。この切断工程によっ
て、図９に示す側面発光型ＬＥＤランプ１０が完成す
る。なお、図１０は図９に示す側面発光型ＬＥＤランプ
１０の側面図、図１１は同じく底面図であり、１１は前
述の工程において凹面部３を封止した透明樹脂であり、
ＬＥＤランプのレンズとして作用するものである。
【００１４】図１２はこのようにして製造された側面発
光型ＬＥＤランプ１０を実装用基板１４の上に実装した
状況を示す斜視図であり、実装用基板１４の上に設けら
れた電極１２及び１３のそれぞれに対して貫通孔２の内
壁面に形成された金属膜４が対向するので、その対向部
を互いに半田付けすることによって、側面発光型ＬＥＤ
ランプが確実に表面実装される。
【００１５】図１３〜図１５は、この実施例によって得
られる側面発光型ＬＥＤランプの変形例を示す正面図、
側面図及び底面図であり、凹面部３を封止する樹脂１１
が凸レンズのような形状に形成されている。
【００１６】更に図１６〜図１８はこの実施例によって
得られる側面発光型ＬＥＤランプの他の変形例の正面
図、側面図、及び底面図であり、凹面部３を封止する樹
脂１１の形状がいわゆるインナーレンズタイプに形成さ
れたものである。
【００１７】このように、凹面部３を封止する樹脂１１
の形状を種々に変化させることにより配光特性の多様化
を図ることができる。
【００１８】なお、上記実施例においては、それぞれ単
独型の側面発光型ＬＥＤランプの製造方法について説明
したが、図８に示す基板１の切断工程において、ライン
７の切断作業を部分的に省略することにより、横方向に
連なった多連型の側面発光型ＬＥＤランプが得られる。
【００１９】
【発明の効果】この発明によれば、小型で高密度に表面
実装が可能な側面発光型ＬＥＤランプが提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の製造方法に摘用される絶縁基板の正
面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ矢視断面図である。
【図４】この発明の製造方法における金属膜形成位置を
説明する上面図である。
【図５】図４のＸ−Ｘ矢視断面図である。
【図６】図４のＹ−Ｙ矢視断面図である。
【図７】この発明の製造方法における発光ダイオードチ
ップの搭載位置を説明する上面図である。
【図８】この発明の製造方法における基板切断方法を示
す説明図である。
【図９】この発明の製造方法によって製造された側面発
光型ＬＥＤランプの正面図である。
【図１０】図９の側面図である。
【図１１】図９の底面図である。
【図１２】この発明による側面発光型ＬＥＤランプを表
面実装した状況を示す斜視図である。
【図１３】この発明によって得られる側面発光型ＬＥＤ
ランプの変形例の正面図である。
【図１４】図１３の側面図である。
【図１５】図１３の底面図である。
【図１６】この発明によって得られる側面発光型ＬＥＤ
ランプの他の変形例の正面図である。
【図１７】図１６の側面図である。
【図１８】図１６の底面図である。
【図１９】従来例を示す斜視図である。
【図２０】他の従来例を示す斜視図である。
【符号の説明】
１ 絶縁基板 ２ 貫通孔 ３ 凹面部 ４ 金属膜パターン ５ 発光ダイオードチップ ６ Ａｕ線 １０ 側面発光型ＬＥＤランプ １１ 透明樹脂

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ほぼ直方体状の絶縁体ブロックと、ブロ
    ックの上面から側面にわたって並列に形成された二つの
    金属膜と、ブロックの上面に搭載されブロックの上面の
    二つの金属膜間に接続される発光ダイオードチップを備
    えた側面発光型ＬＥＤランプ。
  2. 【請求項２】 絶縁基板に貫通孔を穿設する工程と、基
    板表面から貫通孔内壁にわたって並列に二つの金属膜を
    形成する工程と、基板表面に発光ダイオードチップを搭
    載させて二つの金属膜間に発光ダイオードチップを接続
    する工程と、貫通孔を通り二つの金属膜を横切る平面で
    絶縁基板を切断する工程を備えてなる側面発光型ＬＥＤ
    ランプの製造方法。
JP3182659A 1991-07-23 1991-07-23 側面発光型ｌｅｄランプとその製造方法 Pending JPH0529659A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3182659A JPH0529659A (ja) 1991-07-23 1991-07-23 側面発光型ｌｅｄランプとその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3182659A JPH0529659A (ja) 1991-07-23 1991-07-23 側面発光型ｌｅｄランプとその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0529659A true JPH0529659A (ja) 1993-02-05

Family

ID=16122192

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3182659A Pending JPH0529659A (ja) 1991-07-23 1991-07-23 側面発光型ｌｅｄランプとその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0529659A (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10150138A (ja) * 1996-11-15 1998-06-02 Citizen Electron Co Ltd 下面電極付き側面使用電子部品
JP2003234507A (ja) * 2002-02-07 2003-08-22 Koha Co Ltd 側面発光型ｌｅｄランプ
US6803037B2 (en) 1997-06-11 2004-10-12 Fidia Advanced Biopolymers S.R.L. Hyaluronic acid derivative based cell culture and biodegradable three-dimensional matrix
JP2005277380A (ja) * 2004-02-23 2005-10-06 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄ及びその製造方法
EP1189291A3 (en) * 2000-09-13 2006-03-22 Citizen Electronics Co., Ltd. Chip type light emitting diode and method of manufacture thereof
JP2008147605A (ja) * 2006-11-14 2008-06-26 Harison Toshiba Lighting Corp 発光装置及びその製造方法並びに実装基板
JP2009032746A (ja) * 2007-07-24 2009-02-12 Harison Toshiba Lighting Corp 発光装置及び発光ユニット
WO2010034277A1 (de) * 2008-09-29 2010-04-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Led-modul und herstellungsverfahren
JP2013171912A (ja) * 2012-02-20 2013-09-02 Stanley Electric Co Ltd 発光装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01283883A (ja) * 1988-05-10 1989-11-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光ダイオードおよびその電極の形成方法
JPH0258356B2 (ja) * 1986-03-10 1990-12-07 Kogyo Gijutsu Incho

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0258356B2 (ja) * 1986-03-10 1990-12-07 Kogyo Gijutsu Incho
JPH01283883A (ja) * 1988-05-10 1989-11-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光ダイオードおよびその電極の形成方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10150138A (ja) * 1996-11-15 1998-06-02 Citizen Electron Co Ltd 下面電極付き側面使用電子部品
US6803037B2 (en) 1997-06-11 2004-10-12 Fidia Advanced Biopolymers S.R.L. Hyaluronic acid derivative based cell culture and biodegradable three-dimensional matrix
EP1189291A3 (en) * 2000-09-13 2006-03-22 Citizen Electronics Co., Ltd. Chip type light emitting diode and method of manufacture thereof
JP2003234507A (ja) * 2002-02-07 2003-08-22 Koha Co Ltd 側面発光型ｌｅｄランプ
JP2005277380A (ja) * 2004-02-23 2005-10-06 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄ及びその製造方法
JP2008147605A (ja) * 2006-11-14 2008-06-26 Harison Toshiba Lighting Corp 発光装置及びその製造方法並びに実装基板
JP2009032746A (ja) * 2007-07-24 2009-02-12 Harison Toshiba Lighting Corp 発光装置及び発光ユニット
WO2010034277A1 (de) * 2008-09-29 2010-04-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Led-modul und herstellungsverfahren
US20110227103A1 (en) * 2008-09-29 2011-09-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Led module and production method
JP2012504318A (ja) * 2008-09-29 2012-02-16 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Ｌｅｄモジュールおよびその製造方法
JP2013171912A (ja) * 2012-02-20 2013-09-02 Stanley Electric Co Ltd 発光装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5942770A (en) Light-emitting diode chip component and a light-emitting device
US6093940A (en) Light-emitting diode chip component and a light-emitting device
US9455384B2 (en) Semiconductor light-emitting device
US20020066905A1 (en) Wing-shaped surface mount package for light emitting diodes
US9461207B2 (en) Light emitting device, and package array for light emitting device
EP1087447A1 (en) Light-emitting semiconductor chip
US9159893B2 (en) Light emitting device including lead having terminal part and exposed part, and method for manufacturing the same
JPH11163419A (ja) 発光装置
JPH07202271A (ja) 発光ダイオード及びその製造方法
JP2004335740A (ja) 発光ダイオード及びそのパッケージ構造
JP2001326390A (ja) 裏面発光チップ型発光素子およびそれに用いる絶縁性基板
JP2007036133A (ja) 表面実装型半導体装置
WO2001013437A1 (en) Chip semiconductor light-emitting device
US7154155B2 (en) Wing-shaped surface mount package for light emitting diodes
JP2003110145A (ja) 発光ダイオード用の翼形表面実装パッケージ
JPH0529659A (ja) 側面発光型ｌｅｄランプとその製造方法
JPH10150138A (ja) 下面電極付き側面使用電子部品
JP2001352105A (ja) 表面実装型発光素子
JP3139613B2 (ja) 表面実装型半導体発光装置及びその製造方法
JP2994800B2 (ja) 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JP3302203B2 (ja) 発光ダイオード
JP3331720B2 (ja) 発光ダイオード
JP2000031545A (ja) 半導体発光素子及びその製造方法
JP2921451B2 (ja) 半導体発光モジュール
JP2001352102A (ja) 光半導体装置