JPH0529714A - 量子細線または量子箱 - Google Patents
量子細線または量子箱Info
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- JPH0529714A JPH0529714A JP18457191A JP18457191A JPH0529714A JP H0529714 A JPH0529714 A JP H0529714A JP 18457191 A JP18457191 A JP 18457191A JP 18457191 A JP18457191 A JP 18457191A JP H0529714 A JPH0529714 A JP H0529714A
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/341—Structures having reduced dimensionality, e.g. quantum wires
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 完全に二次元的または三次元的に量子化され
た量子細線または量子箱を提供することを目的とする。 【構成】 超格子層９を有する半導体装置において、超
格子層９の上部に、この超格子層９までの距離が異なる
凹凸１４を少なくとも１つ有するAlGaAs層６を設け、凹
凸１４を覆った状態にＳｉＯ2 膜１０を形成する。この
膜１０の内部にAlGaAs層６のGa原子が拡散し、AlGaAs層
６に空孔１１を形成する。加熱することによって、空孔
１１が超格子層９側に拡散するが、凹凸１４の超格子層
９までの距離が異なることにより、超格子層９の一部が
混晶化され、量子細線または量子箱が製造される。
た量子細線または量子箱を提供することを目的とする。 【構成】 超格子層９を有する半導体装置において、超
格子層９の上部に、この超格子層９までの距離が異なる
凹凸１４を少なくとも１つ有するAlGaAs層６を設け、凹
凸１４を覆った状態にＳｉＯ2 膜１０を形成する。この
膜１０の内部にAlGaAs層６のGa原子が拡散し、AlGaAs層
６に空孔１１を形成する。加熱することによって、空孔
１１が超格子層９側に拡散するが、凹凸１４の超格子層
９までの距離が異なることにより、超格子層９の一部が
混晶化され、量子細線または量子箱が製造される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、量子細線または量子箱
の製造方法に関する。なお、量子細線または量子箱と
は、超格子（伝導電子の量子力学的波長λと同程度のレ
ベルに区切ったもの）の次元を二次元または三次元に拡
大したものである。
の製造方法に関する。なお、量子細線または量子箱と
は、超格子（伝導電子の量子力学的波長λと同程度のレ
ベルに区切ったもの）の次元を二次元または三次元に拡
大したものである。
【０００２】
【従来の技術】上記のような量子細線または量子箱は、
例えば量子井戸レーザーの活性層として使用されること
があり、これら量子細線または量子箱の使用により、レ
ーザー発振に要するしきい値電流の温度に対する安定性
が向上する。従来、このような量子細線の製造方法とし
ては、例えば図５に示すようなものがある。この製造方
法では、まず同図（ａ）に示すように、GaAs基板３上に
AlGaAs量子薄層２とGaAs量子薄層１とを交互に成長させ
ることによって、超格子構造を形成する。次に、同図
（ｂ）に示すように、この超格子構造の上面にフォトレ
ジスト４を塗布して、所定の幅にパターニングを行う。
その後に、同図（ｃ）に示すように、この超格子構造に
対してウエットエッチングを行い、このエッチングの際
のサイドエッチングを考慮して、超格子構造の幅を量子
効果がでる程度のサイズに制御する。このとき、エッチ
ング液としては、硫酸と過酸化水素と水との混合液を使
用する。最後に、同図（ｄ）に示すように、フォトレジ
スト４を除去してから、超格子構造を覆うようにAlGaAs
の保護層５を埋め込み成長させる。即ち、この製造方法
では、量子薄層自体をエッチングすることによって量子
細線を形成していた。
例えば量子井戸レーザーの活性層として使用されること
があり、これら量子細線または量子箱の使用により、レ
ーザー発振に要するしきい値電流の温度に対する安定性
が向上する。従来、このような量子細線の製造方法とし
ては、例えば図５に示すようなものがある。この製造方
法では、まず同図（ａ）に示すように、GaAs基板３上に
AlGaAs量子薄層２とGaAs量子薄層１とを交互に成長させ
ることによって、超格子構造を形成する。次に、同図
（ｂ）に示すように、この超格子構造の上面にフォトレ
ジスト４を塗布して、所定の幅にパターニングを行う。
その後に、同図（ｃ）に示すように、この超格子構造に
対してウエットエッチングを行い、このエッチングの際
のサイドエッチングを考慮して、超格子構造の幅を量子
効果がでる程度のサイズに制御する。このとき、エッチ
ング液としては、硫酸と過酸化水素と水との混合液を使
用する。最後に、同図（ｄ）に示すように、フォトレジ
スト４を除去してから、超格子構造を覆うようにAlGaAs
の保護層５を埋め込み成長させる。即ち、この製造方法
では、量子薄層自体をエッチングすることによって量子
細線を形成していた。
【０００３】また、図６に示すような方法によって量子
細線を製造することもある。即ち、同図（ａ）に示すよ
うに、GaAs基板３上にAlGaAs障壁層６でGaAs量子薄層１
を挟んだウエハーを形成する。次に、同図（ｂ）に示す
ように、集束Gaイオンビーム７で最上部のAlGaAs障壁層
６の表面を走査しながら、Ga原子を注入する。そして、
このウエハーをアニールし、同図（ｃ）に示すように、
Gaイオン注入領域８を形成する。このように、Gaイオン
注入領域８によってGaAs量子薄層１を部分的に混晶化さ
せ、量子細線を形成する。
細線を製造することもある。即ち、同図（ａ）に示すよ
うに、GaAs基板３上にAlGaAs障壁層６でGaAs量子薄層１
を挟んだウエハーを形成する。次に、同図（ｂ）に示す
ように、集束Gaイオンビーム７で最上部のAlGaAs障壁層
６の表面を走査しながら、Ga原子を注入する。そして、
このウエハーをアニールし、同図（ｃ）に示すように、
Gaイオン注入領域８を形成する。このように、Gaイオン
注入領域８によってGaAs量子薄層１を部分的に混晶化さ
せ、量子細線を形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図５に示す製造方法で
は、超格子構造自体をエッチングしなければならず、こ
のエッチングの際に超格子層が大気中にさらされるため
に、表面準位の影響を受け、完全に二次元的に量子化さ
れないという問題があった。即ち、膜厚方向（図５にお
ける上下方向）には量子効果が現れるが、二次元的に
（図５における上下及び左右方向に）量子効果が確認さ
れないという問題点があった。また、AlGaAsの保護層５
を埋め込み成長させているので、この埋め込み成長させ
る際の成長温度の問題で、膜厚方向の量子井戸構造がデ
ィスオーダされ、所望の量子効果が得られないことがあ
るという問題点があった。
は、超格子構造自体をエッチングしなければならず、こ
のエッチングの際に超格子層が大気中にさらされるため
に、表面準位の影響を受け、完全に二次元的に量子化さ
れないという問題があった。即ち、膜厚方向（図５にお
ける上下方向）には量子効果が現れるが、二次元的に
（図５における上下及び左右方向に）量子効果が確認さ
れないという問題点があった。また、AlGaAsの保護層５
を埋め込み成長させているので、この埋め込み成長させ
る際の成長温度の問題で、膜厚方向の量子井戸構造がデ
ィスオーダされ、所望の量子効果が得られないことがあ
るという問題点があった。
【０００５】また、図６に示す製造方法では、イオン注
入を行った際に、結晶欠陥が生じる。この結晶欠陥を元
の結晶状態に回復させるために、加熱を行うが、この際
に注入したGa原子の拡散が生じる。これが微細部には大
きな問題となる。
入を行った際に、結晶欠陥が生じる。この結晶欠陥を元
の結晶状態に回復させるために、加熱を行うが、この際
に注入したGa原子の拡散が生じる。これが微細部には大
きな問題となる。
【０００６】本発明は、上記の問題点を解決した量子細
線または量子箱の製造方法を提供することを目的とす
る。
線または量子箱の製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、量子薄層を有する半導体装置におい
て、この量子薄層の上部に、この量子薄層までの距離が
異なる凹凸を少なくとも１つ有する半導体層を設け、こ
の半導体層を構成する原子が拡散する膜、例えばＳｉＯ
2 を上記凹凸を覆った状態に形成する。この半導体層と
しては、例えばAlGaAs層を用いる事ができる。また、上
記凹凸は様々な形状、幅及び深さを有するものとするこ
とができ、例えば、そのうちの１つを用いる。最後に、
このような半導体層及び膜を有する上記半導体装置を加
熱する。
めに、本発明は、量子薄層を有する半導体装置におい
て、この量子薄層の上部に、この量子薄層までの距離が
異なる凹凸を少なくとも１つ有する半導体層を設け、こ
の半導体層を構成する原子が拡散する膜、例えばＳｉＯ
2 を上記凹凸を覆った状態に形成する。この半導体層と
しては、例えばAlGaAs層を用いる事ができる。また、上
記凹凸は様々な形状、幅及び深さを有するものとするこ
とができ、例えば、そのうちの１つを用いる。最後に、
このような半導体層及び膜を有する上記半導体装置を加
熱する。
【０００８】
【作用】本発明による量子細線または量子箱の製造方法
によれば、上記膜を半導体層に設けたことにより、半導
体層を構成する原子が上記膜に拡散し、半導体層には空
孔が生じる。この空孔は、半導体装置を加熱した際に、
量子薄層側へ拡散する。このとき、半導体層には凹凸が
設けられているので、量子薄層までの距離が長い部分と
短い部分とがある。量子薄層までの距離が短い半導体層
の部分の空孔は、加熱によって、量子薄層まで到達し、
その到達部分を混晶化する。一方、量子薄層までの距離
が長い半導体層の部分の空孔は、加熱されても、量子薄
層まで殆ど到達せず、量子薄層を混晶化しない。従っ
て、量子薄層には、混晶化部分が間隔をおいて形成さ
れ、この混晶化部分が量子薄層を区切ることによって量
子細線または量子箱が形成される。
によれば、上記膜を半導体層に設けたことにより、半導
体層を構成する原子が上記膜に拡散し、半導体層には空
孔が生じる。この空孔は、半導体装置を加熱した際に、
量子薄層側へ拡散する。このとき、半導体層には凹凸が
設けられているので、量子薄層までの距離が長い部分と
短い部分とがある。量子薄層までの距離が短い半導体層
の部分の空孔は、加熱によって、量子薄層まで到達し、
その到達部分を混晶化する。一方、量子薄層までの距離
が長い半導体層の部分の空孔は、加熱されても、量子薄
層まで殆ど到達せず、量子薄層を混晶化しない。従っ
て、量子薄層には、混晶化部分が間隔をおいて形成さ
れ、この混晶化部分が量子薄層を区切ることによって量
子細線または量子箱が形成される。
【０００９】
【実施例】この実施例では、まず図１（ａ）に示すよう
に、GaAs基板３上に量子薄層、例えばGaAs/AlGaAs 超格
子層９を成長させる。この超格子層９は、公知のように
GaAs層とAlGaAs層とを同図における上下方向に交互に成
長させたもので、伝導電子の量子力学的波長λと超格子
の各層厚を同程度のレベルとしてある。この実施例で
は、各層厚は例えば１００Å程度とされている。この超
格子層９の上面に、半導体層として、例えばAlGaAs障壁
層６を成長させている。
に、GaAs基板３上に量子薄層、例えばGaAs/AlGaAs 超格
子層９を成長させる。この超格子層９は、公知のように
GaAs層とAlGaAs層とを同図における上下方向に交互に成
長させたもので、伝導電子の量子力学的波長λと超格子
の各層厚を同程度のレベルとしてある。この実施例で
は、各層厚は例えば１００Å程度とされている。この超
格子層９の上面に、半導体層として、例えばAlGaAs障壁
層６を成長させている。
【００１０】次に、AlGaAs障壁層６上にフォトレジスト
４を塗布し、パターニングを行い、このパターニングを
行ったフォトレジスト４をマスクとして、AlGaAs障壁層
６をエッチングする。その結果、同図（ｂ）に示すよう
に多数の凹部１４ａと凸部１４ｂとからなる凹凸１４が
形成される。なお、量子細線を製造する場合には、凹凸
１４は図２に示すように、一方向にのみ形成し、量子箱
を形成する場合には、図３に示すように一方向のみでな
く、これと直角な方向にも形成する。なお、凹部１４ａ
のGaAs/AlGaAS 超格子層９までの深さｄ、凹部１４ａの
幅ｗ、凸部１４ｂのGaAs/AlGaAS 超格子層９までの深さ
Ｄ、凸部１４ｂの幅Ｗは、製造しようとする量子細線、
量子箱によって異なるが、例えば順に５０００Å、１μ
ｍ、１μｍ、１μｍである。
４を塗布し、パターニングを行い、このパターニングを
行ったフォトレジスト４をマスクとして、AlGaAs障壁層
６をエッチングする。その結果、同図（ｂ）に示すよう
に多数の凹部１４ａと凸部１４ｂとからなる凹凸１４が
形成される。なお、量子細線を製造する場合には、凹凸
１４は図２に示すように、一方向にのみ形成し、量子箱
を形成する場合には、図３に示すように一方向のみでな
く、これと直角な方向にも形成する。なお、凹部１４ａ
のGaAs/AlGaAS 超格子層９までの深さｄ、凹部１４ａの
幅ｗ、凸部１４ｂのGaAs/AlGaAS 超格子層９までの深さ
Ｄ、凸部１４ｂの幅Ｗは、製造しようとする量子細線、
量子箱によって異なるが、例えば順に５０００Å、１μ
ｍ、１μｍ、１μｍである。
【００１１】フォトレジスト４を除去した後、同図
（ｃ）に示すように凹凸１４上に膜、例えばＳｉＯ2 膜
１０を形成する。一般にＳｉＯ2 膜は、AlGaAs層に接触
させた場合、AlGaAs層のGa原子を吸い取る性質がある。
従って、ＳｉＯ2 膜１０をAlGaAs障壁層６の凹凸１４上
に形成すると、AlGaAs障壁層６中のGa原子がＳｉＯ2 膜
１０中に拡散する。その結果、AlGaAs障壁層６中には、
同図（ｄ）に示すようにGa原子の空孔（Vacancy ）１１
が発生する。
（ｃ）に示すように凹凸１４上に膜、例えばＳｉＯ2 膜
１０を形成する。一般にＳｉＯ2 膜は、AlGaAs層に接触
させた場合、AlGaAs層のGa原子を吸い取る性質がある。
従って、ＳｉＯ2 膜１０をAlGaAs障壁層６の凹凸１４上
に形成すると、AlGaAs障壁層６中のGa原子がＳｉＯ2 膜
１０中に拡散する。その結果、AlGaAs障壁層６中には、
同図（ｄ）に示すようにGa原子の空孔（Vacancy ）１１
が発生する。
【００１２】最後に、例えばラピッド・サーマル・アニ
ール法によって、例えば摂氏９００度乃至１０００度
で、望ましくは９５０度で、１５秒ほど、GaAs基板３、
GaAs/AlGaAS 超格子層９、AlGaAs障壁層６、ＳｉＯ2 膜
１０を加熱する。これによって、AlGaAs障壁層６中のGa
原子の空孔１１が、同図(d) に示すように、GaAs/AlGaA
S 超格子層９側に拡散する。この際、凹部１４ａからAl
GaAs障壁層６までの距離ｄは、凸部１４ｂからAlGaAs障
壁層６までの距離Ｄよりも短いので、凹部１４ａに対応
するAlGaAs障壁層６の部分には空孔１１が到達するが、
凸部１４ｂに対応するAlGaAs障壁層６の部分には空孔１
１が殆ど到達しない。即ち、一定の周期で空孔１１が到
達する部分と到達しない部分が形成される。そして、空
孔１１が到達したGaAs/AlGaAS 超格子層９の部分が混晶
化部分１２となる。ここで、混晶化とは、超格子層９を
構成しているGaAsのGaと、AlGaASのAl、Gaとが相互拡散
することによって、平均的な組成のAlGaASとなることで
あり、この混晶化をGaの空孔１１が促進している。この
ようにして、超格子層９に混晶化部分１２が一定間隔を
おいて形成されるので、超格子層９には、凸部１４ｂの
幅Ｗに対応した幅（この幅Ｗは無論、伝導電子の量子力
学的波長（ドブロイ波長）以下である。）を持つ量子細
線または量子箱が形成される。
ール法によって、例えば摂氏９００度乃至１０００度
で、望ましくは９５０度で、１５秒ほど、GaAs基板３、
GaAs/AlGaAS 超格子層９、AlGaAs障壁層６、ＳｉＯ2 膜
１０を加熱する。これによって、AlGaAs障壁層６中のGa
原子の空孔１１が、同図(d) に示すように、GaAs/AlGaA
S 超格子層９側に拡散する。この際、凹部１４ａからAl
GaAs障壁層６までの距離ｄは、凸部１４ｂからAlGaAs障
壁層６までの距離Ｄよりも短いので、凹部１４ａに対応
するAlGaAs障壁層６の部分には空孔１１が到達するが、
凸部１４ｂに対応するAlGaAs障壁層６の部分には空孔１
１が殆ど到達しない。即ち、一定の周期で空孔１１が到
達する部分と到達しない部分が形成される。そして、空
孔１１が到達したGaAs/AlGaAS 超格子層９の部分が混晶
化部分１２となる。ここで、混晶化とは、超格子層９を
構成しているGaAsのGaと、AlGaASのAl、Gaとが相互拡散
することによって、平均的な組成のAlGaASとなることで
あり、この混晶化をGaの空孔１１が促進している。この
ようにして、超格子層９に混晶化部分１２が一定間隔を
おいて形成されるので、超格子層９には、凸部１４ｂの
幅Ｗに対応した幅（この幅Ｗは無論、伝導電子の量子力
学的波長（ドブロイ波長）以下である。）を持つ量子細
線または量子箱が形成される。
【００１３】このようにして製造された量子細線または
量子箱は、量子井戸レーザーの活性層として使用される
が、これら量子細線または量子箱の領域を１つ１つ分離
することで、数十μｍサイズのマイクロレーザーとして
使用したり、数個を１チップ内に組み込むことで、アレ
イレーザーとして使用することができる。
量子箱は、量子井戸レーザーの活性層として使用される
が、これら量子細線または量子箱の領域を１つ１つ分離
することで、数十μｍサイズのマイクロレーザーとして
使用したり、数個を１チップ内に組み込むことで、アレ
イレーザーとして使用することができる。
【００１４】なお、図４（ａ）及び（ｂ）に示すよう
に、凹部１４ａの深さｄ、凸部１４ｂの深さＤを変更す
ることによって混晶化の度合いを変えることができるの
で、波長の異なるアレイレーザーを製造することがで
き、また同図（ｃ）に示すように、凹部１４ａ及び凸部
１４ｂの幅Ｗ、ｗを調整することによって、または同図
（ｄ）に示すように凹部１４ａ、凸部１４ｂの形状を上
記の実施例とは異なるものとすることによって、混晶部
１２の形状やサイズを調整することができる。また、上
記の実施例では、超格子層９には、AlGaAs系の材料を使
用したが、他の材料、例えばInGaAs系の材料を使用し、
GaAS/InGaAs の超格子層９を形成してもよい。
に、凹部１４ａの深さｄ、凸部１４ｂの深さＤを変更す
ることによって混晶化の度合いを変えることができるの
で、波長の異なるアレイレーザーを製造することがで
き、また同図（ｃ）に示すように、凹部１４ａ及び凸部
１４ｂの幅Ｗ、ｗを調整することによって、または同図
（ｄ）に示すように凹部１４ａ、凸部１４ｂの形状を上
記の実施例とは異なるものとすることによって、混晶部
１２の形状やサイズを調整することができる。また、上
記の実施例では、超格子層９には、AlGaAs系の材料を使
用したが、他の材料、例えばInGaAs系の材料を使用し、
GaAS/InGaAs の超格子層９を形成してもよい。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、半導体
層、例えばAlGaAs層に少なくとも１つの凹凸を設けるこ
とによって、量子薄層までの距離がそれぞれ異なる部分
を半導体層に形成し、さらに、この半導体層の凹凸を覆
うように膜を形成し（この膜は、半導体層を構成する原
子、例えばGa原子が、この膜の内部に拡散するものであ
り、半導体層に空孔を形成する。）、加熱することによ
って、空孔を量子薄層側に拡散させ、凹凸の量子薄層ま
での距離が異なることを利用して、部分的に量子薄層を
混晶化し、量子薄層をドブロイ波長程度に区切って、量
子細線または量子箱を製造しているので、量子薄層自体
をエッチングしたり、埋め込み成長を行ったり、イオン
注入及びそれによる結晶欠陥回復用の加熱を行ったりす
る必要がない。従って、完全に二次元的または三次元的
に量子化された量子細線または量子箱を得ることができ
る。さらに、形成する凹凸の形状、幅、深さを任意に設
定することによって、様々な用途に応じた混晶化部の形
状や、大きさ、混晶化の程度を任意に設定することがで
きる。
層、例えばAlGaAs層に少なくとも１つの凹凸を設けるこ
とによって、量子薄層までの距離がそれぞれ異なる部分
を半導体層に形成し、さらに、この半導体層の凹凸を覆
うように膜を形成し（この膜は、半導体層を構成する原
子、例えばGa原子が、この膜の内部に拡散するものであ
り、半導体層に空孔を形成する。）、加熱することによ
って、空孔を量子薄層側に拡散させ、凹凸の量子薄層ま
での距離が異なることを利用して、部分的に量子薄層を
混晶化し、量子薄層をドブロイ波長程度に区切って、量
子細線または量子箱を製造しているので、量子薄層自体
をエッチングしたり、埋め込み成長を行ったり、イオン
注入及びそれによる結晶欠陥回復用の加熱を行ったりす
る必要がない。従って、完全に二次元的または三次元的
に量子化された量子細線または量子箱を得ることができ
る。さらに、形成する凹凸の形状、幅、深さを任意に設
定することによって、様々な用途に応じた混晶化部の形
状や、大きさ、混晶化の程度を任意に設定することがで
きる。
【図１】本発明による量子細線または量子箱の製造方法
の１実施例を示す図である。
の１実施例を示す図である。
【図２】同実施例において量子細線を製造する場合の凹
凸を示す斜視図である。
凸を示す斜視図である。
【図３】同実施例において量子箱を製造する場合の凹凸
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図４】同実施例において使用する凹凸の様々な変形例
を示す図である。
を示す図である。
【図５】従来の量子細線または量子箱の製造方法の一例
を示す図である。
を示す図である。
【図６】従来の量子細線または量子箱の製造方法の他の
例を示す図である。
例を示す図である。
３ GaAs基板
６ AlGaAs障壁層（半導体層）
９ GaAs/AlGaAs 超格子層（量子薄層）
１０ ＳｉＯ2 膜
１２ 混晶化部
１４ 凹凸
Claims (3)
- 【請求項１】 量子薄層を有する半導体装置において、
上記量子薄層の上部に、この量子薄層までの距離が異な
る凹凸を少なくとも１つ有する半導体層を設ける過程
と、上記半導体層を構成する原子が拡散する膜を上記凹
凸を覆った状態に形成する過程と、上記量子薄層、上記
半導体層及び上記膜を有する上記半導体装置を加熱する
過程とを、具備する量子細線または量子箱。 - 【請求項２】 上記半導体層がAlGaAs層であり、上記膜
が二酸化シリコンの膜であることを特徴とする請求項１
記載の量子細線または量子箱。 - 【請求項３】 上記凹凸が様々な形状、幅及び深さを有
するもののうちから選択された１つであることを特徴と
する請求項１または２記載の量子細線または量子箱。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18457191A JPH0529714A (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | 量子細線または量子箱 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18457191A JPH0529714A (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | 量子細線または量子箱 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529714A true JPH0529714A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16155539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18457191A Pending JPH0529714A (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | 量子細線または量子箱 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0529714A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07202349A (ja) * | 1993-12-14 | 1995-08-04 | Korea Electron Telecommun | Ｍｂｅ材結晶成長の分子線回折を利用した量子細線レーザーダイオードの製造方法 |
| JP2012222354A (ja) * | 2011-04-05 | 2012-11-12 | Imec | 半導体デバイスおよび方法 |
-
1991
- 1991-07-24 JP JP18457191A patent/JPH0529714A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07202349A (ja) * | 1993-12-14 | 1995-08-04 | Korea Electron Telecommun | Ｍｂｅ材結晶成長の分子線回折を利用した量子細線レーザーダイオードの製造方法 |
| JP2012222354A (ja) * | 2011-04-05 | 2012-11-12 | Imec | 半導体デバイスおよび方法 |
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