JPH052985B2 - - Google Patents
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- JPH052985B2 JPH052985B2 JP57131124A JP13112482A JPH052985B2 JP H052985 B2 JPH052985 B2 JP H052985B2 JP 57131124 A JP57131124 A JP 57131124A JP 13112482 A JP13112482 A JP 13112482A JP H052985 B2 JPH052985 B2 JP H052985B2
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- sih
- layer
- oxygen
- gas
- photoreceptor
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、電子写真感光体に関し、更に詳しく
は、良好な暗抵抗を有し、光感度特性が優れた電
子写真感光体に関する。
は、良好な暗抵抗を有し、光感度特性が優れた電
子写真感光体に関する。
従来、電子写真感光体に使用される感光材料と
しては、例えば、アモルフアスセレン（ａ−
Se）、硫化カドミウム（CdS）或いはセレン−テ
ルル（Se−Te）等の無機材料や、ポリ−Ｎ−ビ
ニルカルバゾール（PVCz）、トリニトロフルオ
レノン（TNF）等の有機材料が知られている。
しかしながら、これらの感光材料を使用するには
種々の問題点が残されている。即ち、上記した感
光材料の中で、無機材料は極めて毒性が強いた
め、その製造に際しては人体に対する安全対策上
の特別な配慮を要するという問題点を有してい
る。又、無機材料を用いて製造された電子写真感
光体は、熱安定性が極めて悪く、更に、感光体の
機械的強度が弱いという問題点を有しているた
め、システムの特性をある程度犠牲にして使用さ
れているのが実状である。又、上記したPVCzや
TNF等の有機材料においては、有機材料である
ために熱安定性や耐摩耗性が不良であり、従つて
製品寿命が短いという問題点を有している。
しては、例えば、アモルフアスセレン（ａ−
Se）、硫化カドミウム（CdS）或いはセレン−テ
ルル（Se−Te）等の無機材料や、ポリ−Ｎ−ビ
ニルカルバゾール（PVCz）、トリニトロフルオ
レノン（TNF）等の有機材料が知られている。
しかしながら、これらの感光材料を使用するには
種々の問題点が残されている。即ち、上記した感
光材料の中で、無機材料は極めて毒性が強いた
め、その製造に際しては人体に対する安全対策上
の特別な配慮を要するという問題点を有してい
る。又、無機材料を用いて製造された電子写真感
光体は、熱安定性が極めて悪く、更に、感光体の
機械的強度が弱いという問題点を有しているた
め、システムの特性をある程度犠牲にして使用さ
れているのが実状である。又、上記したPVCzや
TNF等の有機材料においては、有機材料である
ために熱安定性や耐摩耗性が不良であり、従つて
製品寿命が短いという問題点を有している。
一方において、近年、高周波グロー放電分解法
により成膜されるアモルフアス水素化シリコン
（以下、ａ−SiHと称す。）が、電子写真感光体の
感光材料として注目を集めている。このａ−SiH
は、上記した従来の感光材料と比較して還境汚染
性、耐熱性、耐摩耗性及び光感度特性等の点にお
いて優れた性能を有している。
により成膜されるアモルフアス水素化シリコン
（以下、ａ−SiHと称す。）が、電子写真感光体の
感光材料として注目を集めている。このａ−SiH
は、上記した従来の感光材料と比較して還境汚染
性、耐熱性、耐摩耗性及び光感度特性等の点にお
いて優れた性能を有している。
しかしながら、このａ−SiHを使用した電子写
真感光体は、通常のグロー放電分解法を用いて製
造した場合には、その暗抵抗が最大でも1010Ωcm
以上の値を得られず、又、コロナ帯電した場合に
も所定の表面電位が得られないという問題点を有
している。従つて、このａ−SiHを使用した電子
写真感光体は、未だ実用化されるには到つていな
い。
真感光体は、通常のグロー放電分解法を用いて製
造した場合には、その暗抵抗が最大でも1010Ωcm
以上の値を得られず、又、コロナ帯電した場合に
も所定の表面電位が得られないという問題点を有
している。従つて、このａ−SiHを使用した電子
写真感光体は、未だ実用化されるには到つていな
い。
このａ−SiH感光体の暗抵抗を1011Ωcm程度に
向上させるために、ａ−SiHに対してホウ素(B)を
20〜200ppm程度、或いは酸素(O)等を0.1〜30アト
ミツク％程度添加することが、例えば、特開昭54
−86341号公報、特開昭54−145539号公報等に開
示されている。
向上させるために、ａ−SiHに対してホウ素(B)を
20〜200ppm程度、或いは酸素(O)等を0.1〜30アト
ミツク％程度添加することが、例えば、特開昭54
−86341号公報、特開昭54−145539号公報等に開
示されている。
しかし、ホウ素添加によるａ−SiHの暗抵抗の
向上は極くわずかであり、大幅な改善にはならな
い。一方、ａ−SiHに酸素を添加したものは、暗
抵抗は向上するものの、感光体の酸素含有量が多
くなると光感度特性が低下するという問題点を有
している。又、酸素を含有するａ−SiH感光体の
光学吸収端（EgOpt）は、ａ−SiH感光体のそれ
と比較して極端に大きいために、長波長感光体と
しての機能が損われるという問題点を有してい
る。
向上は極くわずかであり、大幅な改善にはならな
い。一方、ａ−SiHに酸素を添加したものは、暗
抵抗は向上するものの、感光体の酸素含有量が多
くなると光感度特性が低下するという問題点を有
している。又、酸素を含有するａ−SiH感光体の
光学吸収端（EgOpt）は、ａ−SiH感光体のそれ
と比較して極端に大きいために、長波長感光体と
しての機能が損われるという問題点を有してい
る。
更に、特開昭56−156834号公報には、電子写真
感光体に要求される約1013Ωcm以上の暗抵抗を得
るためには、ａ−SiHに酸素をドーピングすれば
効果的であることが開示されている。その中で、
ａ−SiHに対する酸素のドーピング量は約10-5乃
至５×10-2アトミツク％の範囲が最適であると記
載されている。しかし、上記酸素ドープａ−SiH
感光体は、良好な暗抵抗を与えるものの、その製
造に際して堆積速度が遅いために工業的な生産に
は適していないという問題点を有している。また
特開昭57−115554号公報にはａ−Si層中に酸素濃
度分布を形成する技術が記載されているが、長波
長域の光感度特性の問題は解消されてはいない。
感光体に要求される約1013Ωcm以上の暗抵抗を得
るためには、ａ−SiHに酸素をドーピングすれば
効果的であることが開示されている。その中で、
ａ−SiHに対する酸素のドーピング量は約10-5乃
至５×10-2アトミツク％の範囲が最適であると記
載されている。しかし、上記酸素ドープａ−SiH
感光体は、良好な暗抵抗を与えるものの、その製
造に際して堆積速度が遅いために工業的な生産に
は適していないという問題点を有している。また
特開昭57−115554号公報にはａ−Si層中に酸素濃
度分布を形成する技術が記載されているが、長波
長域の光感度特性の問題は解消されてはいない。
本発明の目的は、上記した問題点を解消し、表
面電位が得られる程度にまで高い暗抵抗を有し、
且つ、光感度特性、特に長波長感光特性が優れた
電子写真感光体を提供することにある。
面電位が得られる程度にまで高い暗抵抗を有し、
且つ、光感度特性、特に長波長感光特性が優れた
電子写真感光体を提供することにある。
本発明の電子写真感光体は、導電性支持基体
と、該基体上に設けられた、酸素を0.1〜40アト
ミツク％含有するアモルフアス水素化シリコン層
から成る電荷輸送層及びアモルフアス水素化シリ
コン層から成る電荷発生層によりる構成されるこ
とを特徴とするものである。
と、該基体上に設けられた、酸素を0.1〜40アト
ミツク％含有するアモルフアス水素化シリコン層
から成る電荷輸送層及びアモルフアス水素化シリ
コン層から成る電荷発生層によりる構成されるこ
とを特徴とするものである。
以下において、本発明を更に詳しく説明する。
本発明に係るアモルフアス水素化シリコン層
と、酸素ドープアモルフアス水素化シリコン層
（以下、ａ−SiH：Ｏ層と称す。）とが積層された
電子写真感光体表面の断面図を図面に示す。
と、酸素ドープアモルフアス水素化シリコン層
（以下、ａ−SiH：Ｏ層と称す。）とが積層された
電子写真感光体表面の断面図を図面に示す。
図面において、導電性支持基体１上には、酸素
ドープアモルフアス水素化シリコン層２及びアモ
ルフアス水素化シリコン層３が積層されている。
ドープアモルフアス水素化シリコン層２及びアモ
ルフアス水素化シリコン層３が積層されている。
本発明において支持基体上に形成されるａ−
SiH：Ｏ層は、電荷輸送層として機能する。該層
は、ａ−SiHに対する酸素のドーピング量を増加
したことにより、堆積速度が著しく速く、コロナ
電荷の保持特性が優れたものとなる。即ち、ａ−
SiHと共に酸素が支持基体上に堆積するため、堆
積速度は2.0乃至6.0μ／Ｈ程度にまで高速化し、
暗抵抗も帯電に必要とされる1013乃至1014Ωcm程
度の値を有するａ−SiH：Ｏ層が得られるもので
ある。かかるａ−SiH：Ｏ層の膜厚は5μ乃至
1100μであることが好ましく、更に好ましくは
10μ乃至30μである。又、酸素のドーピング量は、
0.1〜40アトミツク％であることが必要であり、
好ましくは1.0〜20アトミツク％である。酸素の
ドーピング量が0.1アトミツク％未満であると、
成膜したａ−SiH：Ｏ層の暗抵抗が1010Ωcm以下
であり、一方、40アトミツク％を超えると、電荷
輸送特性が極端に低下する。
SiH：Ｏ層は、電荷輸送層として機能する。該層
は、ａ−SiHに対する酸素のドーピング量を増加
したことにより、堆積速度が著しく速く、コロナ
電荷の保持特性が優れたものとなる。即ち、ａ−
SiHと共に酸素が支持基体上に堆積するため、堆
積速度は2.0乃至6.0μ／Ｈ程度にまで高速化し、
暗抵抗も帯電に必要とされる1013乃至1014Ωcm程
度の値を有するａ−SiH：Ｏ層が得られるもので
ある。かかるａ−SiH：Ｏ層の膜厚は5μ乃至
1100μであることが好ましく、更に好ましくは
10μ乃至30μである。又、酸素のドーピング量は、
0.1〜40アトミツク％であることが必要であり、
好ましくは1.0〜20アトミツク％である。酸素の
ドーピング量が0.1アトミツク％未満であると、
成膜したａ−SiH：Ｏ層の暗抵抗が1010Ωcm以下
であり、一方、40アトミツク％を超えると、電荷
輸送特性が極端に低下する。
上記ａ−SiH：Ｏ層上に積層されるａ−SiH層
３は、電荷発生層として機能する。該層はａ−
SiH：Ｏ層による長波長域の光感度の低下を補填
し、電子写真感光体の光感度特性を高める。
３は、電荷発生層として機能する。該層はａ−
SiH：Ｏ層による長波長域の光感度の低下を補填
し、電子写真感光体の光感度特性を高める。
かかるａ−SiH層の膜厚は0.1μ乃至10μである
ことが好ましく、更に好ましくは1μ乃至5μであ
る。
ことが好ましく、更に好ましくは1μ乃至5μであ
る。
本発明において使用される導電性支持基体は、
特に限定されないが、例えば、ガラにステンレ
ス、アルミニウム或いはITO（Indium Tin
oxide）膜等を被覆したもの等が使用可能であ
り、その形状は、フイルム、シート、ドラム、ベ
ルト等のいずれであつてよい。
特に限定されないが、例えば、ガラにステンレ
ス、アルミニウム或いはITO（Indium Tin
oxide）膜等を被覆したもの等が使用可能であ
り、その形状は、フイルム、シート、ドラム、ベ
ルト等のいずれであつてよい。
本発明の電子写真感光体は、例えば、次のよう
にして製造することが可能である。
にして製造することが可能である。
即ち、ａ−SiH層及びａ−SiH：Ｏ層は、それ
ぞれ、通常の高周波グロー放電分解法により、シ
ランガス（SiH4）を分解して、或いは更に酸素
を添加したSiH4ガスを分解して、導電性支持基
体上に堆積せしめ、成膜される。この時の基体温
度は50℃乃至300℃であることが好ましく、更に
好ましくは100℃乃至250℃である。又、高周波電
源としては、1MHz乃至50MHzのラジオ波を使用
することが好ましく、特に13.56MHzのものが好
まい。そして、出力密度は10W乃至1KWを電極
間に印加してガス分解することが好ましい。
ぞれ、通常の高周波グロー放電分解法により、シ
ランガス（SiH4）を分解して、或いは更に酸素
を添加したSiH4ガスを分解して、導電性支持基
体上に堆積せしめ、成膜される。この時の基体温
度は50℃乃至300℃であることが好ましく、更に
好ましくは100℃乃至250℃である。又、高周波電
源としては、1MHz乃至50MHzのラジオ波を使用
することが好ましく、特に13.56MHzのものが好
まい。そして、出力密度は10W乃至1KWを電極
間に印加してガス分解することが好ましい。
ａ−SiH：Ｏ層を形成する場合に使用される原
料ガスとしては、例えば、酸素ガスを含有せしめ
たシランガス（SiH4）、ジシランガス（Si2H6）
等が挙げられるが、酸素ガスを含有せしめたシラ
ンガスを使用することが好ましい。シランガス中
の酸素ガスの含有量は、ａ−SiH：Ｏ層に0.1〜
40アトミツク％の酸素がドーピングされるように
適宜設定されるが、0.5〜12.0体積％であること
が好ましく、更に好ましくは1.0〜5.0体積％であ
る。
料ガスとしては、例えば、酸素ガスを含有せしめ
たシランガス（SiH4）、ジシランガス（Si2H6）
等が挙げられるが、酸素ガスを含有せしめたシラ
ンガスを使用することが好ましい。シランガス中
の酸素ガスの含有量は、ａ−SiH：Ｏ層に0.1〜
40アトミツク％の酸素がドーピングされるように
適宜設定されるが、0.5〜12.0体積％であること
が好ましく、更に好ましくは1.0〜5.0体積％であ
る。
ａ−SiH層を形成する場合には、上記ａ−
SiH：Ｏ層の形成において、酸素ガスの供給を停
止するのみでよく、ａ−SiH：Ｏ層の形成に連続
してａ−SiH層の積層が可能である。
SiH：Ｏ層の形成において、酸素ガスの供給を停
止するのみでよく、ａ−SiH：Ｏ層の形成に連続
してａ−SiH層の積層が可能である。
グロー放電分解法により成膜されるａ−SiH膜
は、前述した通り、その暗抵抗が最大でも1010Ω
cmに進まず、一般に、約1013Ωcm以上の暗抵抗が
必要とされる電子写真感光体に適用するために
は、10-5〜５×10-2アトミツク％程度酸素をドー
ピングすればよいことが知られている。本発明者
らは、ａ−SiHへの酸素のドーピング量を更に増
加して、0.1〜40アトミツク％とした場合に、堆
積速度が速く、優れたコロナ電荷の保持特性を有
するａ−SiH：Ｏ層が得られることを見出した。
しかし、上記ａ−SiH：Ｏ層は、酸素の含有量が
極めて多いために、Si−Ｏ結合が増加することに
なる。その結果、ａ−SiH：Ｏ層の光学吸収端は
ａ−SiH層のそれよりも短波長にシフトし、長波
長域における光感度が低下することになる。この
ような欠点を解消するために、本発明において
は、堆積速度が速く電荷保持性が優れたａ−
SiH：Ｏ層を電荷輸送層として使用すると共に、
優れた光感度特性を有するａ−SiH層を電荷発生
層として積層せしめたものである。
は、前述した通り、その暗抵抗が最大でも1010Ω
cmに進まず、一般に、約1013Ωcm以上の暗抵抗が
必要とされる電子写真感光体に適用するために
は、10-5〜５×10-2アトミツク％程度酸素をドー
ピングすればよいことが知られている。本発明者
らは、ａ−SiHへの酸素のドーピング量を更に増
加して、0.1〜40アトミツク％とした場合に、堆
積速度が速く、優れたコロナ電荷の保持特性を有
するａ−SiH：Ｏ層が得られることを見出した。
しかし、上記ａ−SiH：Ｏ層は、酸素の含有量が
極めて多いために、Si−Ｏ結合が増加することに
なる。その結果、ａ−SiH：Ｏ層の光学吸収端は
ａ−SiH層のそれよりも短波長にシフトし、長波
長域における光感度が低下することになる。この
ような欠点を解消するために、本発明において
は、堆積速度が速く電荷保持性が優れたａ−
SiH：Ｏ層を電荷輸送層として使用すると共に、
優れた光感度特性を有するａ−SiH層を電荷発生
層として積層せしめたものである。
本発明の構成から成る電子写真感光体は、ａ−
SiH：Ｏ層を電荷輸送層として使用することによ
り、良好な暗抵抗を有するものであり、又、ａ−
SiH層を電荷発生層として積層せしめることによ
り、優れた光感度特性を有するものである。
SiH：Ｏ層を電荷輸送層として使用することによ
り、良好な暗抵抗を有するものであり、又、ａ−
SiH層を電荷発生層として積層せしめることによ
り、優れた光感度特性を有するものである。
更に、その製造に際しては、ａ−SiH：Ｏ層中
における酸素のドーピング量が多いために、堆積
速度が2.0乃至6.0μ／Ｈ程度と著しく増加し、速
やかな製造が可能となる。
における酸素のドーピング量が多いために、堆積
速度が2.0乃至6.0μ／Ｈ程度と著しく増加し、速
やかな製造が可能となる。
実施例 １
平行平板方式の高周波グロー放電装置の一方の
電極に、ITO膜が被覆されているコーニング7059
（ダウコーニング(株)製）ガラス基板を設置した。
電極に、ITO膜が被覆されているコーニング7059
（ダウコーニング(株)製）ガラス基板を設置した。
装置内を一旦、１×10-6Torrまで排気した後、
シラン（SiH4）ガス及び酸素（O2）ガスを導入
して、ガス圧を８×10-2Torrに調整した。混合
ガス中の酸素ガス含有量は、6.0体積％となるよ
うに流量計を用いて調整した。
シラン（SiH4）ガス及び酸素（O2）ガスを導入
して、ガス圧を８×10-2Torrに調整した。混合
ガス中の酸素ガス含有量は、6.0体積％となるよ
うに流量計を用いて調整した。
ガラス基板温度を250℃に加熱設定した後、平
行平板電極間に13.56MHzの高周波を印加するこ
とによりグロー放電を惹き起こし、SiH4及びO2
ガスを分解して基板上に酸素を含有するアモルフ
アス水素化シリコン層を形成した。この時の堆積
速度は５Å／secであり、約10μ厚の電荷輸送層と
してのａ−SiH：Ｏ層を得た。
行平板電極間に13.56MHzの高周波を印加するこ
とによりグロー放電を惹き起こし、SiH4及びO2
ガスを分解して基板上に酸素を含有するアモルフ
アス水素化シリコン層を形成した。この時の堆積
速度は５Å／secであり、約10μ厚の電荷輸送層と
してのａ−SiH：Ｏ層を得た。
次いで、酸素ガスの供給を停止し、シランガス
のみを供給して放電を続け、ａ−SiH：Ｏ層上に
酸素を含有しないアモルフアス水素化シリコン層
を積層した。この時の堆積速度は１Å／secであ
り、約2μ厚の電荷発生層としてのａ−SiH層を積
層し、電子写真感光体を得た。
のみを供給して放電を続け、ａ−SiH：Ｏ層上に
酸素を含有しないアモルフアス水素化シリコン層
を積層した。この時の堆積速度は１Å／secであ
り、約2μ厚の電荷発生層としてのａ−SiH層を積
層し、電子写真感光体を得た。
この感光体について、マイナス6KVでコロナ
帯電させたところ、550Vの表面電位が観測され
た。次いで、15lux・secの像露光を行なつて静電
潜像を形成した後、磁気ブラシ現像法を用いてプ
ラストナーで現像し、普通紙に転写したところ、
コントラストが良好で鮮明な画像が得られた。
帯電させたところ、550Vの表面電位が観測され
た。次いで、15lux・secの像露光を行なつて静電
潜像を形成した後、磁気ブラシ現像法を用いてプ
ラストナーで現像し、普通紙に転写したところ、
コントラストが良好で鮮明な画像が得られた。
実施例 ２
実施例１で使用したものと同一の装置を使用
し、一方の電極にアルミニウム基板（100mm×100
mm×１mm）を設置し、基体温度を200℃に維持し
た。
し、一方の電極にアルミニウム基板（100mm×100
mm×１mm）を設置し、基体温度を200℃に維持し
た。
この装置内に、酸素ガス含有量を4.0体積％に
調整したシラン／酸素の混合ガスを導入し、ガス
圧を0.1Torrに固定した。ガス流量を50SCCMと
し、平行平板電極間な13.56MHzの高周波を100W
印加してグロー放電せしめた。この時の堆積速度
は４Å／secであり、約12μ厚の酸素を含有するア
モルフアス水素化シリコン層が形成された。
調整したシラン／酸素の混合ガスを導入し、ガス
圧を0.1Torrに固定した。ガス流量を50SCCMと
し、平行平板電極間な13.56MHzの高周波を100W
印加してグロー放電せしめた。この時の堆積速度
は４Å／secであり、約12μ厚の酸素を含有するア
モルフアス水素化シリコン層が形成された。
次いで、酸素ガスの供給を停止し、シランガス
のみを供給してグロー放電を続けた。この時、ア
ルミニウム基板温度を250℃に上昇させ、シラン
ガス圧を0.05Torrに変えた。この時の堆積速度
は1.2Å／secであり、約3μ厚の酸素を含有しない
アモルフアス水素化シリコン層を積層して電子写
真感光体を得た。
のみを供給してグロー放電を続けた。この時、ア
ルミニウム基板温度を250℃に上昇させ、シラン
ガス圧を0.05Torrに変えた。この時の堆積速度
は1.2Å／secであり、約3μ厚の酸素を含有しない
アモルフアス水素化シリコン層を積層して電子写
真感光体を得た。
この感光体について、プラス7KVでコロナ帯
電させたところ、表面電位は700Vであつた。次
いで、20luxのハロゲンランプ光を照射して、該
感光体の半減露光量を測定したところ、0.5lux・
secの高い光感度が得られ、実用性の高い電子写
真感光体であることが確認された。
電させたところ、表面電位は700Vであつた。次
いで、20luxのハロゲンランプ光を照射して、該
感光体の半減露光量を測定したところ、0.5lux・
secの高い光感度が得られ、実用性の高い電子写
真感光体であることが確認された。
図面は、本発明に係る電子写真感光体の断面図
である。 １……導電性支持基体、２……酸素ドープアモ
ルフアス水素化シリコン層、３……アモルフアス
水素化シリコン層。
である。 １……導電性支持基体、２……酸素ドープアモ
ルフアス水素化シリコン層、３……アモルフアス
水素化シリコン層。
Claims (1)
- １ 導電性支持基体と、該基体上に設けられた、
酸素を0.1〜40アトミツク％含有するアモルフア
ス水素化シリコン層から成る電荷輸送層と、この
電荷輸送層上に設けられたアモルフアス水素化シ
リコン層から成る0.1μ乃10μ厚の電荷発生層とを
有することを特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13112482A JPS5922052A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13112482A JPS5922052A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5922052A JPS5922052A (ja) | 1984-02-04 |
| JPH052985B2 true JPH052985B2 (ja) | 1993-01-13 |
Family
ID=15050543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13112482A Granted JPS5922052A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5922052A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4613556A (en) * | 1984-10-18 | 1986-09-23 | Xerox Corporation | Heterogeneous electrophotographic imaging members of amorphous silicon and silicon oxide |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57115554A (en) * | 1981-01-08 | 1982-07-19 | Canon Inc | Photoconductive material |
-
1982
- 1982-07-29 JP JP13112482A patent/JPS5922052A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5922052A (ja) | 1984-02-04 |
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