JPS5922052A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPS5922052A JPS5922052A JP13112482A JP13112482A JPS5922052A JP S5922052 A JPS5922052 A JP S5922052A JP 13112482 A JP13112482 A JP 13112482A JP 13112482 A JP13112482 A JP 13112482A JP S5922052 A JPS5922052 A JP S5922052A
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- Japan
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- layer
- oxygen
- gas
- amorphous silicon
- silicon hydride
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
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- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、電子写真感光体に関し、更に詳しくは、良好
な暗抵抗を有し、光感度特性が優れた電子写真感光体に
関する。
な暗抵抗を有し、光感度特性が優れた電子写真感光体に
関する。
従来、電子写真感光体に使用される感光材料としては、
例えば、アモルファスセレン（ａ−８ｅ）、硫化カドミ
ウム（ＣｄＳ）或いはセレン−テルル（Ｓｅ−Ｔｅ ）
等の無機材料や、ポＩＪ −Ｎ−ビニルカルバゾール
（ＰＶＣｚ）、トリニトロフルオレノン（ＴＮＦ）等の
有機材料が知られている。しかしながら、これらの感光
材料を使用するにハ種々の問題点が残されている。即ち
、上記した感光材料の中で、無機材料は極めて毒性が強
いため、その製造に際しては人体に対する安全対策上の
特別な配ｌφ：ｆｃ’決するという問題点を有している
。又、無機材料を用いて、ｉｔ’４造された電子写真感
光体は、熱安定性７５ｈ・飢って悪く、四に、感光体の
機械的強度が弱いという問題点を有しているため、シス
戸ムの・特性をある程度犠牲にして使用されているのが
実状である。
例えば、アモルファスセレン（ａ−８ｅ）、硫化カドミ
ウム（ＣｄＳ）或いはセレン−テルル（Ｓｅ−Ｔｅ ）
等の無機材料や、ポＩＪ −Ｎ−ビニルカルバゾール
（ＰＶＣｚ）、トリニトロフルオレノン（ＴＮＦ）等の
有機材料が知られている。しかしながら、これらの感光
材料を使用するにハ種々の問題点が残されている。即ち
、上記した感光材料の中で、無機材料は極めて毒性が強
いため、その製造に際しては人体に対する安全対策上の
特別な配ｌφ：ｆｃ’決するという問題点を有している
。又、無機材料を用いて、ｉｔ’４造された電子写真感
光体は、熱安定性７５ｈ・飢って悪く、四に、感光体の
機械的強度が弱いという問題点を有しているため、シス
戸ムの・特性をある程度犠牲にして使用されているのが
実状である。
又、上記したＰＶＣｚやＴＮＦ等の有機材料においては
、有機材料であるために熱安定性や耐摩耗性が不曳であ
り、従って製品寿命が４Ｈｊいという間、′」点を有し
ている。
、有機材料であるために熱安定性や耐摩耗性が不曳であ
り、従って製品寿命が４Ｈｊいという間、′」点を有し
ている。
一方に卦いて、近年、高周波グロー改定分解法により成
膜されるアモルファス水素化ノリコン（以下、ａ −Ｓ
ｉＨと称す。）７が、電子写真感光体の感光材料として
注目を集めている。このａ−８ｉＨは、上記した従来の
感光材料と比較して還境汚染性、耐熱性、耐摩耗性及び
光感間特性等の点（・（お・いて優れた性能を有してい
る。
膜されるアモルファス水素化ノリコン（以下、ａ −Ｓ
ｉＨと称す。）７が、電子写真感光体の感光材料として
注目を集めている。このａ−８ｉＨは、上記した従来の
感光材料と比較して還境汚染性、耐熱性、耐摩耗性及び
光感間特性等の点（・（お・いて優れた性能を有してい
る。
しかしなから、このａ−８ｔ）Ｉを使用した電子写真感
光体ｆ、−１２、＋ｌｉｊ常のグロー・ｊ：ｚ ｔ４分
解法を用いて′ｉｌ＋！潰した１４合には、その暗抵抗
が最大Ｃも１０Ｉ０Ω鑵以上の値を得られず、又、コロ
ナ帯電した用台にも所定の表面・電位が得られないとい
う間り１点を有している。ｆｌｌＥって、このａ−８Ｉ
Ｈを使用した電子写真１叱光体は、未だ実用化されるに
ｉｔ螢１］っていない。
光体ｆ、−１２、＋ｌｉｊ常のグロー・ｊ：ｚ ｔ４分
解法を用いて′ｉｌ＋！潰した１４合には、その暗抵抗
が最大Ｃも１０Ｉ０Ω鑵以上の値を得られず、又、コロ
ナ帯電した用台にも所定の表面・電位が得られないとい
う間り１点を有している。ｆｌｌＥって、このａ−８Ｉ
Ｈを使用した電子写真１叱光体は、未だ実用化されるに
ｉｔ螢１］っていない。
このａ−８ＩＨ感光体の暗抵抗を１０１１Ω１程度に向
上させるために、ａ−８ｉＨにＸ・１してホウ素（Ｈ）
全２０〜２０′″Ｏｐｐｍ程１＞ 、或いは酸素（０）
等を０．１〜３０アトミック係程庶流加することが、例
えば、特開昭５４−８６３４１号公報、特開昭５４−１
４５５３９号公報十に開示されている。
上させるために、ａ−８ｉＨにＸ・１してホウ素（Ｈ）
全２０〜２０′″Ｏｐｐｍ程１＞ 、或いは酸素（０）
等を０．１〜３０アトミック係程庶流加することが、例
えば、特開昭５４−８６３４１号公報、特開昭５４−１
４５５３９号公報十に開示されている。
し゛・フシし、ホウ素添加によるａ−８ＩＨの暗抵抗の
向−ヒは極くわずかであり、大幅な改善にはならない。
向−ヒは極くわずかであり、大幅な改善にはならない。
−力、Ｂ−８ｉＩ（に酸素を添加したものは、暗抵抗は
向上するものの、感光体の酸素含有曖が多くなると光；
音度特性が低下するという問題点を・）イしていｌ）。
向上するものの、感光体の酸素含有曖が多くなると光；
音度特性が低下するという問題点を・）イしていｌ）。
又、酸素を含有するａ−８ｉＨ感光体の光学吸収端（Ｅ
ｇ Ｏｐ ｔ ）け、ａ−８ｉＨ感光体のそれと比較し
て極端に犬へいだめに、長波長感光体としての機能が損
われるという問題点を有している。
ｇ Ｏｐ ｔ ）け、ａ−８ｉＨ感光体のそれと比較し
て極端に犬へいだめに、長波長感光体としての機能が損
われるという問題点を有している。
更に、特開昭５６−１５６８３４号公報には、電子写真
感光体に要求される約１０１３Ωα以上の１１１１抵抗
を得るだめには、ａ−ＳｉＨに酸示をドーピングすれば
効果的であることが開小されている。その中で、ａ−８
ｉＨに対する酸素〔７）ドーピングｌｉｊは約１０−′
乃至５ Ｘ Ｉ Ｆ２アトミック飴の範囲が２・、・適
であると記載されている。しかし、上記酸木ドーフ’
ａ−８ｉｊｌ感光体は、良好々暗抵抗を力えるも 〕の
、その製造に際して堆積速度がＪ′Ｙ、ｊいために工業
的な生産には適していないという間’、１１（’点を有
している。
感光体に要求される約１０１３Ωα以上の１１１１抵抗
を得るだめには、ａ−ＳｉＨに酸示をドーピングすれば
効果的であることが開小されている。その中で、ａ−８
ｉＨに対する酸素〔７）ドーピングｌｉｊは約１０−′
乃至５ Ｘ Ｉ Ｆ２アトミック飴の範囲が２・、・適
であると記載されている。しかし、上記酸木ドーフ’
ａ−８ｉｊｌ感光体は、良好々暗抵抗を力えるも 〕の
、その製造に際して堆積速度がＪ′Ｙ、ｊいために工業
的な生産には適していないという間’、１１（’点を有
している。
本へへ明の目的は、上記した問題点を解消し、 ｓ面電
位が得られる程度にまで篩い暗抵抗を有し、且つ、光感
度特性、特に（（彼畏ｉｊＱ光！ｒケ性が１・とれた電
子写真感光体を提供することにある。
位が得られる程度にまで篩い暗抵抗を有し、且つ、光感
度特性、特に（（彼畏ｉｊＱ光！ｒケ性が１・とれた電
子写真感光体を提供することにある。
本発明の電子写真感光体は、尋７Ｍ性支持基体と、該基
体上に設けられた、酸素を０．１〜４０アトミツクチ含
有するアモルファス水素化シリコン層から成る電荷輸送
層及びアモルファス水素化シリコン）１すから成る電荷
発生層により＋Ｈ（４成されることを特徴とするもので
ろる。
体上に設けられた、酸素を０．１〜４０アトミツクチ含
有するアモルファス水素化シリコン層から成る電荷輸送
層及びアモルファス水素化シリコン）１すから成る電荷
発生層により＋Ｈ（４成されることを特徴とするもので
ろる。
以下において、本発明を更に詳しく説明する。
本発明に係るアモルファス水素化シリコン層と、酸素ド
ープアモルファス水素化シリコン層（以下、ａ−８ｉＴ
Ｉ ： ０層と称す。）とが積層されたべ子写真感光体
表面の断面図を図面に示す。
ープアモルファス水素化シリコン層（以下、ａ−８ｉＴ
Ｉ ： ０層と称す。）とが積層されたべ子写真感光体
表面の断面図を図面に示す。
図面において、導電性支持基体１」二に（ｒよ、酸、代
ドープアモルファス水素化シリコン層２及びアモルファ
ス水素化シリコン層３が積層されている。
ドープアモルファス水素化シリコン層２及びアモルファ
ス水素化シリコン層３が積層されている。
本発明に号、・いて支持基体上に形成されるａ−８ｉ）
（：０層は、電荷輸送層として機能する。該Ｊ・’Ａは
、ａ−８ｉ１丁に対する！１シ素のドーピング駄を増加
したことにより、堆積速度が著しく速く、コロナ電荷の
保持特開が優１％たものとなる。即ち、ａ−８ｉＨと１
１ミに酸素が支持基体上に堆積するため、堆積速度は２
．０乃至６゜Ｏμ／Ｉ（程度にまで高速化し、暗抵抗も
帯電に必要とされる１ ０”ｌ’ｒ至１０１４０鍜程度
の値を有するａ−８ｔｌ（： ０ 治がイｊｌられるも
のである。かかるａ−８ｉＨ： ０層の膜厚ば５μ乃至
１−００μであることが好ましく、１ぎに好−ましくは
１０μ乃孕Ｉμである。又、酸素のドーピング）虹は、
０．１〜４１１アトミツク係であることが必′／′）：
であり、好−ましくけ１．０〜２０アトミツク係である
。酸素のドーピング量が０．１アトミツクチ未肖である
と、成１霞したａ−８ｉＨ： ０層の暗抵抗が１０′０
．０ｃｍ以下であり、一方、４０アトミック％を、ｔ＜
４えると、ｆ扛荷輸送時性が極端に低下する。
（：０層は、電荷輸送層として機能する。該Ｊ・’Ａは
、ａ−８ｉ１丁に対する！１シ素のドーピング駄を増加
したことにより、堆積速度が著しく速く、コロナ電荷の
保持特開が優１％たものとなる。即ち、ａ−８ｉＨと１
１ミに酸素が支持基体上に堆積するため、堆積速度は２
．０乃至６゜Ｏμ／Ｉ（程度にまで高速化し、暗抵抗も
帯電に必要とされる１ ０”ｌ’ｒ至１０１４０鍜程度
の値を有するａ−８ｔｌ（： ０ 治がイｊｌられるも
のである。かかるａ−８ｉＨ： ０層の膜厚ば５μ乃至
１−００μであることが好ましく、１ぎに好−ましくは
１０μ乃孕Ｉμである。又、酸素のドーピング）虹は、
０．１〜４１１アトミツク係であることが必′／′）：
であり、好−ましくけ１．０〜２０アトミツク係である
。酸素のドーピング量が０．１アトミツクチ未肖である
と、成１霞したａ−８ｉＨ： ０層の暗抵抗が１０′０
．０ｃｍ以下であり、一方、４０アトミック％を、ｔ＜
４えると、ｆ扛荷輸送時性が極端に低下する。
上記ａ−８ＩＨ： ０層上に積層されるａ−８ｉ［（Ｊ
ｌｉ ３は、電荷発生層として機ｈｉ主する。該層はａ
−８ｉＨ： ０層による長波長域の光感度の低下を補填
し、Ｅ１℃子僅真感光体の光感度特性をＩ・もめる。
ｌｉ ３は、電荷発生層として機ｈｉ主する。該層はａ
−８ｉＨ： ０層による長波長域の光感度の低下を補填
し、Ｅ１℃子僅真感光体の光感度特性をＩ・もめる。
かかるａ−８ｉＨ層の膜厚は０．１μ乃至１０μである
ことが好１しく、更に好ましくは１μ乃至５μである。
ことが好１しく、更に好ましくは１μ乃至５μである。
本発明において使用される導電性支持基体ｉｔ、特に限
定されないが、例えば、ガ゛ラスにステンレス、アルミ
ニウム或いはＩ Ｔ Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎｏｘｉ
ｄθ）膜等を被覆したもの等が使用可能であり、その形
状ハ、フィルム、シート、ドラム、Ｒルト等のいずれで
あってよい。
定されないが、例えば、ガ゛ラスにステンレス、アルミ
ニウム或いはＩ Ｔ Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎｏｘｉ
ｄθ）膜等を被覆したもの等が使用可能であり、その形
状ハ、フィルム、シート、ドラム、Ｒルト等のいずれで
あってよい。
本発明の電子写真感光体は、例えば、次のようにして製
造することが可能である。
造することが可能である。
即ち、ａ−８ｉＨ層及びａ−８ｉＨＳ ０層は、をれぞ
れ、化常の高周波グロー放電分解法により、シランガス
（ＳｉＨ４）を分解して、或いは更に酸素を添＋ＪＦｌ
ｌ〜た５ｌｉｋガスを分解して、導電性支持基体上に
堆積ぜ（７め、＋４’（膜さｆＬる。この時の基体温度
は５０°Ｃ乃至３００ ｃであることが好ましく、咀に
好ましくｔｒＦ： １００°Ｃ乃ｉｊ ２５０ ”Ｃで
ある。又、高１波電源としては、Ｉ ＭＨｚ乃至５０
ＭＨｚ のラジオ波を使用「ることが好１しく、特に
１３．５６ ＭＨｚのものか好−ましい。そして、出力
密度はＩＯＷ乃至ＩＫＷを’＋ｔ ４ｉｔ１間に印加し
てガス分解することが好ましい。
れ、化常の高周波グロー放電分解法により、シランガス
（ＳｉＨ４）を分解して、或いは更に酸素を添＋ＪＦｌ
ｌ〜た５ｌｉｋガスを分解して、導電性支持基体上に
堆積ぜ（７め、＋４’（膜さｆＬる。この時の基体温度
は５０°Ｃ乃至３００ ｃであることが好ましく、咀に
好ましくｔｒＦ： １００°Ｃ乃ｉｊ ２５０ ”Ｃで
ある。又、高１波電源としては、Ｉ ＭＨｚ乃至５０
ＭＨｚ のラジオ波を使用「ることが好１しく、特に
１３．５６ ＭＨｚのものか好−ましい。そして、出力
密度はＩＯＷ乃至ＩＫＷを’＋ｔ ４ｉｔ１間に印加し
てガス分解することが好ましい。
ａ−８ｉＨ： ０層を形成する場合に使用される原料ガ
スとしては、ｊｙｌｌえば、酸素ガスを含有せしめたシ
ランガス（Ｓｉ＆）、ソシランガス（Ｓｉｄ（ａ ）等
が挙げられるが、酸素ガスを含有せしめたシランガスを
使用することが好ましい。シランガス中の酸素ガスの含
有脚は、ａ−８ｉｔ（： ０層に０．１〜４０アトミッ
ク係の酸素がドー ピングされるように適宜設定される
が、０．５〜１２．０休情係であることが好ましく、更
に好ましくは１．０〜５．０休情係である。
スとしては、ｊｙｌｌえば、酸素ガスを含有せしめたシ
ランガス（Ｓｉ＆）、ソシランガス（Ｓｉｄ（ａ ）等
が挙げられるが、酸素ガスを含有せしめたシランガスを
使用することが好ましい。シランガス中の酸素ガスの含
有脚は、ａ−８ｉｔ（： ０層に０．１〜４０アトミッ
ク係の酸素がドー ピングされるように適宜設定される
が、０．５〜１２．０休情係であることが好ましく、更
に好ましくは１．０〜５．０休情係である。
ａ−ｓｔ、ｒＩ層を形成する場合には、−に記ａ−８Ｉ
Ｈ： ０層の形成において、Ｃ：ｙ素ガスの供給を停止
するのみでよく、ａ−８ｉＨ： Ｏ層の１ト成に体重し
てａ −Ｓ ｉＩＩ層の積層が可能である。
Ｈ： ０層の形成において、Ｃ：ｙ素ガスの供給を停止
するのみでよく、ａ−８ｉＨ： Ｏ層の１ト成に体重し
てａ −Ｓ ｉＩＩ層の積層が可能である。
グロー、放′イ分解法により１４１ｊ脱されるａ−８ｉ
ＨＵ’？は、前述した直り、その暗抵抗が＋＋、ｊ大で
も１０”Ω鋼に満たず、一般に、約１０１ｓΩ鑞腰上の
暗抵抗が必゛夕とされる電子写真感光体に適用するため
には、１０−’〜５ Ｘ １０−２アトミック％程度酸
素をドーピングすればよいことが知られている。本発明
者−らは、ａ−８ｉＨへの１１９素のドーピング骨を更
に増加して、０．１〜４０アトミツク係とした場合に、
堆４、々速度が速く、優れたコロナ電荷の１層時特性を
何するａ−８ｉＨ： ０層が得られることを見出した７
・しかし、上記ａ−８＋Ｈ： ０層は、酸素のバ有縫が
極めて多いために、８１−０結合が増加することになる
。
ＨＵ’？は、前述した直り、その暗抵抗が＋＋、ｊ大で
も１０”Ω鋼に満たず、一般に、約１０１ｓΩ鑞腰上の
暗抵抗が必゛夕とされる電子写真感光体に適用するため
には、１０−’〜５ Ｘ １０−２アトミック％程度酸
素をドーピングすればよいことが知られている。本発明
者−らは、ａ−８ｉＨへの１１９素のドーピング骨を更
に増加して、０．１〜４０アトミツク係とした場合に、
堆４、々速度が速く、優れたコロナ電荷の１層時特性を
何するａ−８ｉＨ： ０層が得られることを見出した７
・しかし、上記ａ−８＋Ｈ： ０層は、酸素のバ有縫が
極めて多いために、８１−０結合が増加することになる
。
その結果、ａ−８ｉＩＩ ： ０層の光学吸収端はａ−
８ｉＨ層のそれよりも知波長にシフトし、長波長域にあ
−ける光感度が１１（下することになる。このような欠
点を解消するために、本発明においては、堆積速度が速
く電荷保持性が優れたａ−８ｉＨ： ０層を１−ｉｔ荷
輸送層として使用すると共に、優れた光感度特性を有す
るａ−８ｉＨ層を電荷発生層として積層せしめたもので
ある。
８ｉＨ層のそれよりも知波長にシフトし、長波長域にあ
−ける光感度が１１（下することになる。このような欠
点を解消するために、本発明においては、堆積速度が速
く電荷保持性が優れたａ−８ｉＨ： ０層を１−ｉｔ荷
輸送層として使用すると共に、優れた光感度特性を有す
るａ−８ｉＨ層を電荷発生層として積層せしめたもので
ある。
本発明の構成から成る電子写真感光体は、ａ−８ｉＨ：
Ｏｊ−を重性輸送層として使用することにより、良好な
暗抵抗を有するものであり、又、ａ−８ｉＨ層を電荷発
生層として積層せしめることにより、優れた光感度特性
を有するものである。
Ｏｊ−を重性輸送層として使用することにより、良好な
暗抵抗を有するものであり、又、ａ−８ｉＨ層を電荷発
生層として積層せしめることにより、優れた光感度特性
を有するものである。
更に、その製造（で際しては、ａ−８ｉＨ： ０層中に
お・ける１９素のドーピング量が多いために、堆積速度
が２０乃至６．０μ／Ｈ程度と著しく増加し、速やかな
製造が”ｒ ｆｉｔ：となる。
お・ける１９素のドーピング量が多いために、堆積速度
が２０乃至６．０μ／Ｈ程度と著しく増加し、速やかな
製造が”ｒ ｆｉｔ：となる。
実施例１
平行平板方式の高周波グロー１夕・：主装置〜の一方の
′電極に、ＩＴＯ膜が？ｊシ覆されているコーニング７
Ｑ５９（ダウコーニング慴）製）ガラス基板を段着した
。
′電極に、ＩＴＯ膜が？ｊシ覆されているコーニング７
Ｑ５９（ダウコーニング慴）製）ガラス基板を段着した
。
装置内を一旦、Ｉ Ｘ １０−６’ｌ’ｏｒｒｔで排気
した凌、シラン（ＳＩＴ−Ｌ）ガス及び酸素（０７）ガ
スを樽入して、ガス圧を８ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒに調
゛）″とした。混合ガス中の酸素ガス含有附は、６．０
体積φとなるように浦。
した凌、シラン（ＳＩＴ−Ｌ）ガス及び酸素（０７）ガ
スを樽入して、ガス圧を８ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒに調
゛）″とした。混合ガス中の酸素ガス含有附は、６．０
体積φとなるように浦。
腿、計を用いて調整した。
ガラス基板温度を２５０ ’Ｃに加熱段゛・ぜした１な
、平行平板電極間に１．３．５６ ＭＩＴｙ、の高周波
を印ｊＪＩＩすることによりグロー放電を惹き起こし、
５ｔ）Ｌ及？′ｊ：０、ガスを分角′ｒして基板上に酸
素を含有するアモルファス水素化シリコン層を形成した
。この時の堆積速度は５＾／ ｓｅｃであり、約１０μ
厚の′１４元荷ψ：、）送層としでのａ−８ｉＨ： ０
層を〒１１だ。
、平行平板電極間に１．３．５６ ＭＩＴｙ、の高周波
を印ｊＪＩＩすることによりグロー放電を惹き起こし、
５ｔ）Ｌ及？′ｊ：０、ガスを分角′ｒして基板上に酸
素を含有するアモルファス水素化シリコン層を形成した
。この時の堆積速度は５＾／ ｓｅｃであり、約１０μ
厚の′１４元荷ψ：、）送層としでのａ−８ｉＨ： ０
層を〒１１だ。
次いで、Ｉ”セ素ガスの供給を停止１−シ、シランガス
のみを供給して放電を続け、ａ−８ｉＨ： ０ ！、Ｑ
上（・ζ１賀素を含有しないアモルファス水素化シリコ
ン層を（、゛を層した。この時の堆ｒ＊４ｙはＩＡ／ｓ
ｅｅであり、約２μ厚の電荷発生層としてのａ−Ｆｉｉ
ｌ［層を積層し、電子写真感光体を得た。
のみを供給して放電を続け、ａ−８ｉＨ： ０ ！、Ｑ
上（・ζ１賀素を含有しないアモルファス水素化シリコ
ン層を（、゛を層した。この時の堆ｒ＊４ｙはＩＡ／ｓ
ｅｅであり、約２μ厚の電荷発生層としてのａ−Ｆｉｉ
ｌ［層を積層し、電子写真感光体を得た。
この１・１＆光体について、マイナス６ＫＶでコロナ帯
「（ｉさせたところ、５５０ｖの前面電位が観測された
。次いで、１５１ｕｚ、ｓｅｃの像露光を行なって静電
潜像を形成した後、磁気ブラシ現像法を用いてプラスド
ナーで現１′４！Ｌ、鉾通紙に転写したところ、コント
ラストが良好で鮮明な画像が得られた。
「（ｉさせたところ、５５０ｖの前面電位が観測された
。次いで、１５１ｕｚ、ｓｅｃの像露光を行なって静電
潜像を形成した後、磁気ブラシ現像法を用いてプラスド
ナーで現１′４！Ｌ、鉾通紙に転写したところ、コント
ラストが良好で鮮明な画像が得られた。
実施例
実施例１で使用したものと同一の装置道を使用し、一方
の′ぺ極にアルミニウム基板（１００順Ｘ１００間×１
間）を設置ｆ Ｌ、基体温度を２００°Ｃに維持１７た
。
の′ぺ極にアルミニウム基板（１００順Ｘ１００間×１
間）を設置ｆ Ｌ、基体温度を２００°Ｃに維持１７た
。
この装置内に、酸素ガス含有叶全４．０体積係に調帯し
た７ラン／酸素の混合ガスを導入し、ガス圧を０−Ｉ
Ｔｏｒｒに１？１１定した。ガス流址を５０ ＳＣＣＭ
とし、平行平板電極間に１３．５６ Ｍ、ＥＩｚの高周
波を１００Ｗ印加してグロー放電せしめた。この時の堆
積速度は４ Ａ ／ ｓｅｅで・りり、約１２μｐｌの
「・く素を含有するアモルファス水素化シリコントＡが
Ｉ？ｇ ＋＋Ｚされた。
た７ラン／酸素の混合ガスを導入し、ガス圧を０−Ｉ
Ｔｏｒｒに１？１１定した。ガス流址を５０ ＳＣＣＭ
とし、平行平板電極間に１３．５６ Ｍ、ＥＩｚの高周
波を１００Ｗ印加してグロー放電せしめた。この時の堆
積速度は４ Ａ ／ ｓｅｅで・りり、約１２μｐｌの
「・く素を含有するアモルファス水素化シリコントＡが
Ｉ？ｇ ＋＋Ｚされた。
次いで、酸素ガスの供給を停止し、シランガスｑ）みを
供給してグローシ！ン市、を続げた。この時、アルミニ
ウム７隻叛ン晶度を２５０°Ｃに一ト昇させ、シランガ
ス圧を０．０５ Ｔｏｒｒ に変えた。この時の堆積
速度は１．２Ａ／ｓｅｅであり、杓３μ厚の酸素を）：
（有しないアモルファス水素化シリコン層を積層して電
子写真感光体を１１季た。
供給してグローシ！ン市、を続げた。この時、アルミニ
ウム７隻叛ン晶度を２５０°Ｃに一ト昇させ、シランガ
ス圧を０．０５ Ｔｏｒｒ に変えた。この時の堆積
速度は１．２Ａ／ｓｅｅであり、杓３μ厚の酸素を）：
（有しないアモルファス水素化シリコン層を積層して電
子写真感光体を１１季た。
この感光体について、グラス７Ｉ（Ｖでコロナ帯電させ
たところ、表ｉ’ｊｌｉ電位＋ｄ、 ７００ Ｖであつ
プζ。次いで、２０１ｕｘのハロケ９ンランプ光を照射
して、該感光体の半減露光時を測定１〜だところ、０．
５１ｕｘ・８ｅｅの高い光感度が得られ、実用性の高い
電子写真感光体であることが確認された。
たところ、表ｉ’ｊｌｉ電位＋ｄ、 ７００ Ｖであつ
プζ。次いで、２０１ｕｘのハロケ９ンランプ光を照射
して、該感光体の半減露光時を測定１〜だところ、０．
５１ｕｘ・８ｅｅの高い光感度が得られ、実用性の高い
電子写真感光体であることが確認された。
図面は、本゛・・へ明に係る電子写Ｌ（感光体の１新面
図である。 １・・・導電性支持基体、２・・・１唆索ド一ゾアモル
７アス水素化シリコン層、３・・・アモルファス水素化
シリコン層。
図である。 １・・・導電性支持基体、２・・・１唆索ド一ゾアモル
７アス水素化シリコン層、３・・・アモルファス水素化
シリコン層。
Claims (1)
- 導電性支持基体と、該基体上に設けられた、酸素を０．
１〜４０アトミツクチ含有するアモルファス水素化シリ
コン層から成る電荷輛送層及びアモルファス水素化シリ
コン層から成る電荷発生層により ！’Ａ成されること
を特徴とする’＋１ｆ；＋１ｆ；光写真
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13112482A JPS5922052A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13112482A JPS5922052A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5922052A true JPS5922052A (ja) | 1984-02-04 |
| JPH052985B2 JPH052985B2 (ja) | 1993-01-13 |
Family
ID=15050543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13112482A Granted JPS5922052A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5922052A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6198358A (ja) * | 1984-10-18 | 1986-05-16 | ゼロツクス コーポレーシヨン | 無定形ケイ素および酸化ケイ素からなる不均質電子写真像形成部材 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57115554A (en) * | 1981-01-08 | 1982-07-19 | Canon Inc | Photoconductive material |
-
1982
- 1982-07-29 JP JP13112482A patent/JPS5922052A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57115554A (en) * | 1981-01-08 | 1982-07-19 | Canon Inc | Photoconductive material |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6198358A (ja) * | 1984-10-18 | 1986-05-16 | ゼロツクス コーポレーシヨン | 無定形ケイ素および酸化ケイ素からなる不均質電子写真像形成部材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH052985B2 (ja) | 1993-01-13 |
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