JPH05298617A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH05298617A JPH05298617A JP14215291A JP14215291A JPH05298617A JP H05298617 A JPH05298617 A JP H05298617A JP 14215291 A JP14215291 A JP 14215291A JP 14215291 A JP14215291 A JP 14215291A JP H05298617 A JPH05298617 A JP H05298617A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高保磁力媒体への書込みを可能とした高密度
ギャップ記録用薄膜磁気ヘッドを提供する。 【構成】 上部コアと下部コアの少なくとも一部を、Ｆ
ｅxＭyＯzまたはＦｅxＭyＯzＱw（但し、ＭはＺｒ，Ｈ
ｆのうち少なくとも１種、ＱはＣ，Ｎ，Ｓｉ，Ｂ，Ａ
ｌ，Ｙのうち少なくとも１種）で示され、前記x,y,z,w
が、７０≦x≦９６、１≦y≦１２、３≦z≦２５、w≦２
６、x＋y＋z＝１００もしくはx＋y＋z＋w＝１００であ
る組成の磁性膜で形成した。 【効果】 上部コアと下部コアの少なくとも一部が１．
５Ｔ以上の高い飽和磁束密度を持つ軟磁性材料により形
成されているため、高保磁力媒体への書き込みが充分可
能となる。
ギャップ記録用薄膜磁気ヘッドを提供する。 【構成】 上部コアと下部コアの少なくとも一部を、Ｆ
ｅxＭyＯzまたはＦｅxＭyＯzＱw（但し、ＭはＺｒ，Ｈ
ｆのうち少なくとも１種、ＱはＣ，Ｎ，Ｓｉ，Ｂ，Ａ
ｌ，Ｙのうち少なくとも１種）で示され、前記x,y,z,w
が、７０≦x≦９６、１≦y≦１２、３≦z≦２５、w≦２
６、x＋y＋z＝１００もしくはx＋y＋z＋w＝１００であ
る組成の磁性膜で形成した。 【効果】 上部コアと下部コアの少なくとも一部が１．
５Ｔ以上の高い飽和磁束密度を持つ軟磁性材料により形
成されているため、高保磁力媒体への書き込みが充分可
能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜磁気ヘッドに関する
ものであり、特に、磁気コア材料に改良を加え、高保磁
力媒体への書込みを可能とした高密度ギャップ記録用薄
膜磁気ヘッドに関する。
ものであり、特に、磁気コア材料に改良を加え、高保磁
力媒体への書込みを可能とした高密度ギャップ記録用薄
膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録の高密度化の要求に伴い、磁気
記録媒体の高保磁力化が精力的に進められ、現在では１
５００〜２０００Ｏｅ（エルステッド）近い保磁力を持
つ記録媒体も得られるようになってきている。このよう
な記録媒体に充分な記録を行なうためには、高い飽和磁
束密度を持つ磁気ヘッドコア材料が必要となる。実際、
今後の記録媒体の高保磁力化の進歩も考え合わせると、
高密度記録用磁気ヘッドのコア材料としては、１５００
０Ｇ（ガウス）以上の飽和磁束密度を持つことが要求さ
れる。
記録媒体の高保磁力化が精力的に進められ、現在では１
５００〜２０００Ｏｅ（エルステッド）近い保磁力を持
つ記録媒体も得られるようになってきている。このよう
な記録媒体に充分な記録を行なうためには、高い飽和磁
束密度を持つ磁気ヘッドコア材料が必要となる。実際、
今後の記録媒体の高保磁力化の進歩も考え合わせると、
高密度記録用磁気ヘッドのコア材料としては、１５００
０Ｇ（ガウス）以上の飽和磁束密度を持つことが要求さ
れる。
【０００３】また、薄膜ヘッドの磁気コアに用いられる
材料は、ヘッドの使用周波数である数ＭＨｚという高い
周波数領域で大きな透磁率を持つことが要求される。こ
のためには、材料の平均の磁化困難軸がヘッドの磁路方
向を向いていることが好ましく、したがって、材料の困
難軸の向きを制御することができるものが好ましい。さ
らに、薄膜ヘッドは、絶縁層に樹脂を用いるものが一般
的であり、樹脂の性質上、４００℃以上の高い温度をか
けることは不可能である。したがって、薄膜ヘッドの磁
気コアに用いられる材料としては、４００℃以上の高い
温度で熱処理することなしに、充分な軟磁気特性が得ら
れることが望ましい。
材料は、ヘッドの使用周波数である数ＭＨｚという高い
周波数領域で大きな透磁率を持つことが要求される。こ
のためには、材料の平均の磁化困難軸がヘッドの磁路方
向を向いていることが好ましく、したがって、材料の困
難軸の向きを制御することができるものが好ましい。さ
らに、薄膜ヘッドは、絶縁層に樹脂を用いるものが一般
的であり、樹脂の性質上、４００℃以上の高い温度をか
けることは不可能である。したがって、薄膜ヘッドの磁
気コアに用いられる材料としては、４００℃以上の高い
温度で熱処理することなしに、充分な軟磁気特性が得ら
れることが望ましい。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来より、薄膜磁気ヘ
ッドの磁気コアとしては、パーマロイ、センダスト等の
飽和磁束密度Ｂｓがほぼ１．０Ｔ（テスラ）の材料が用
いられていた。このような従来の薄膜磁気ヘッドでは、
たとえ強い磁界を発生するためにコイルに強い電流を流
したとしても、磁気コアの一部が磁気的に飽和してしま
うため、高保磁力媒体に充分な書き込みを行なうだけの
強い磁界を発生することができないという問題があっ
た。
ッドの磁気コアとしては、パーマロイ、センダスト等の
飽和磁束密度Ｂｓがほぼ１．０Ｔ（テスラ）の材料が用
いられていた。このような従来の薄膜磁気ヘッドでは、
たとえ強い磁界を発生するためにコイルに強い電流を流
したとしても、磁気コアの一部が磁気的に飽和してしま
うため、高保磁力媒体に充分な書き込みを行なうだけの
強い磁界を発生することができないという問題があっ
た。
【０００５】本発明は前記課題を解決するためになされ
たものであり、薄膜ヘッドの磁気コア材料として好適な
性質を持ち、高い飽和磁束密度を持つ磁気コアを用いる
ことにより、高保磁力媒体への書込みを可能とした高密
度ギャップ記録用薄膜磁気ヘッドを提供することを目的
とする。
たものであり、薄膜ヘッドの磁気コア材料として好適な
性質を持ち、高い飽和磁束密度を持つ磁気コアを用いる
ことにより、高保磁力媒体への書込みを可能とした高密
度ギャップ記録用薄膜磁気ヘッドを提供することを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の第１の手段は、上部コアと下部コアとが媒体対向面
においてギャップ層を介して対向し上部磁極および下部
磁極を形成するとともに、前記上部コアと下部コアとの
間に絶縁層および導体層を順次形成してなる薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、前記上部コアと下部コアの少なくとも一
部をＦｅxＭyＯz（但し、ＭはＺｒ，Ｈｆのうち少なく
とも１種の元素、Ｆｅは鉄、Ｏは酸素を表し、x,y,zは
各々原子％を表す。）で示され、前記x,y,zが、 ７０≦x≦９６ １≦y≦１２ ３≦z≦２５ x＋y＋z＝１００ であり、かつ、前記yおよびzが、 １．５y≦z≦４．０y である関係を満足する組成の磁性膜により形成されてい
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッドである。第２の手段
は、上部コアと下部コアとが媒体対向面においてギャッ
プ層を介して対向し上部磁極および下部磁極を形成する
とともに、前記上部コアと下部コアとの間に絶縁層およ
び導体層を順次形成してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記上部コアと下部コアの少なくとも一部をＦｅxＭyＯ
zＱw（但し、ＭはＺｒ，Ｈｆのうち少なくとも１種の元
素、Ｆｅは鉄、Ｏは酸素、ＱはＣ，Ｎのうち少なくとも
１種の元素を表し、x,y,z,wは各々原子％を表す。）で
示され、前記x,y,z,wが、 ７０≦x＜９６ １≦y≦１２ ３≦z≦２５ w≦２６ x＋y＋z＋w＝１００ である関係を満足する組成の磁性膜により形成されてい
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッドである。第３の手段
は、上部コアと下部コアとが媒体対向面においてギャッ
プ層を介して対向し上部磁極および下部磁極を形成する
とともに、前記上部コアと下部コアとの間に絶縁層およ
び導体層を順次形成してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記上部コアと下部コアの少なくとも一部をＦｅxＭyＯ
zＲw（但し、ＭはＺｒ，Ｈｆのうち少なくとも１種の元
素、Ｆｅは鉄、Ｏは酸素、ＲはＳｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｙのう
ち少なくとも１種の元素を表し、x,y,z,wは各々原子％
を表す。）で示され、前記x,y,z,wが、 ７０≦x＜９６ １≦y≦１２ ３≦z≦２５ w≦２６ x＋y＋z＋w＝１００ である関係を満足する組成の磁性膜により形成されてい
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッドである。
明の第１の手段は、上部コアと下部コアとが媒体対向面
においてギャップ層を介して対向し上部磁極および下部
磁極を形成するとともに、前記上部コアと下部コアとの
間に絶縁層および導体層を順次形成してなる薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、前記上部コアと下部コアの少なくとも一
部をＦｅxＭyＯz（但し、ＭはＺｒ，Ｈｆのうち少なく
とも１種の元素、Ｆｅは鉄、Ｏは酸素を表し、x,y,zは
各々原子％を表す。）で示され、前記x,y,zが、 ７０≦x≦９６ １≦y≦１２ ３≦z≦２５ x＋y＋z＝１００ であり、かつ、前記yおよびzが、 １．５y≦z≦４．０y である関係を満足する組成の磁性膜により形成されてい
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッドである。第２の手段
は、上部コアと下部コアとが媒体対向面においてギャッ
プ層を介して対向し上部磁極および下部磁極を形成する
とともに、前記上部コアと下部コアとの間に絶縁層およ
び導体層を順次形成してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記上部コアと下部コアの少なくとも一部をＦｅxＭyＯ
zＱw（但し、ＭはＺｒ，Ｈｆのうち少なくとも１種の元
素、Ｆｅは鉄、Ｏは酸素、ＱはＣ，Ｎのうち少なくとも
１種の元素を表し、x,y,z,wは各々原子％を表す。）で
示され、前記x,y,z,wが、 ７０≦x＜９６ １≦y≦１２ ３≦z≦２５ w≦２６ x＋y＋z＋w＝１００ である関係を満足する組成の磁性膜により形成されてい
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッドである。第３の手段
は、上部コアと下部コアとが媒体対向面においてギャッ
プ層を介して対向し上部磁極および下部磁極を形成する
とともに、前記上部コアと下部コアとの間に絶縁層およ
び導体層を順次形成してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記上部コアと下部コアの少なくとも一部をＦｅxＭyＯ
zＲw（但し、ＭはＺｒ，Ｈｆのうち少なくとも１種の元
素、Ｆｅは鉄、Ｏは酸素、ＲはＳｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｙのう
ち少なくとも１種の元素を表し、x,y,z,wは各々原子％
を表す。）で示され、前記x,y,z,wが、 ７０≦x＜９６ １≦y≦１２ ３≦z≦２５ w≦２６ x＋y＋z＋w＝１００ である関係を満足する組成の磁性膜により形成されてい
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッドである。
【０００７】
【作用】本発明の薄膜磁気ヘッドにおける上部コアと下
部コアは、少なくともその一部が１．５Ｔ（テスラ）以
上の高い飽和磁束密度を持つ軟磁性材料により形成され
ているため、コイルに強い電流を流しても磁気コアが磁
気的になかなか飽和せず、強い磁界を発生することがで
きる。したがって、本発明の薄膜磁気ヘッドによれば、
高保磁力媒体への書き込みが充分可能となる。
部コアは、少なくともその一部が１．５Ｔ（テスラ）以
上の高い飽和磁束密度を持つ軟磁性材料により形成され
ているため、コイルに強い電流を流しても磁気コアが磁
気的になかなか飽和せず、強い磁界を発生することがで
きる。したがって、本発明の薄膜磁気ヘッドによれば、
高保磁力媒体への書き込みが充分可能となる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例について詳細に説明す
る。図１は本発明の薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す縦
断面図である。この薄膜磁気ヘッドは、Ａｌ2Ｏ3−Ｔｉ
Ｃ等の非磁性セラミック材料等で形成される基板１上
に、Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2等の絶縁材料で形成される下部
絶縁層８、下部コア２、Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2等の絶縁材
料で形成されるギャップ絶縁層３、ポリイミド，レジス
ト，Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2等の絶縁材料で形成される絶縁
層４および絶縁層５により被包されたＡｌ，Ｃｕ等の導
電性コイル６、上部コア７を、スパッタ法、真空蒸着法
等の手段により順次積層してなるものである。また、前
記上部コア７の上に、Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2等の絶縁材料
からなる保護層をさらに設けることもある。磁気コアを
形成する上部コア７と下部コア２の先端部はギャップ絶
縁層３を介して重ね合わせられ、媒体対向面９において
ギャップを介して対向する一対の上部磁極７ａおよび下
部磁極２ａを構成している。
る。図１は本発明の薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す縦
断面図である。この薄膜磁気ヘッドは、Ａｌ2Ｏ3−Ｔｉ
Ｃ等の非磁性セラミック材料等で形成される基板１上
に、Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2等の絶縁材料で形成される下部
絶縁層８、下部コア２、Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2等の絶縁材
料で形成されるギャップ絶縁層３、ポリイミド，レジス
ト，Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2等の絶縁材料で形成される絶縁
層４および絶縁層５により被包されたＡｌ，Ｃｕ等の導
電性コイル６、上部コア７を、スパッタ法、真空蒸着法
等の手段により順次積層してなるものである。また、前
記上部コア７の上に、Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2等の絶縁材料
からなる保護層をさらに設けることもある。磁気コアを
形成する上部コア７と下部コア２の先端部はギャップ絶
縁層３を介して重ね合わせられ、媒体対向面９において
ギャップを介して対向する一対の上部磁極７ａおよび下
部磁極２ａを構成している。
【０００９】本発明の薄膜磁気ヘッドは、前記上部コア
７と下部コア２の少なくとも一部に高い飽和磁束密度を
持つ軟磁性材料を用いた点に大きな特徴を有するもので
ある。また、本発明で用いられる軟磁性材料は、薄膜磁
気ヘッドの磁気コアとして好適な性質を有している。こ
の膜を薄膜磁気ヘッドの磁気コアの少なくとも一部に使
用することにより、磁気コア全体の飽和磁束密度を大き
くすることが可能となる。これにより、磁気ヘッドのコ
イルに強い電流を流しても前記磁気コアの飽和が起りず
らくなるため、より強い磁界を発生することができるよ
うになり、高保磁力媒体への充分な書き込みが可能とな
る。
７と下部コア２の少なくとも一部に高い飽和磁束密度を
持つ軟磁性材料を用いた点に大きな特徴を有するもので
ある。また、本発明で用いられる軟磁性材料は、薄膜磁
気ヘッドの磁気コアとして好適な性質を有している。こ
の膜を薄膜磁気ヘッドの磁気コアの少なくとも一部に使
用することにより、磁気コア全体の飽和磁束密度を大き
くすることが可能となる。これにより、磁気ヘッドのコ
イルに強い電流を流しても前記磁気コアの飽和が起りず
らくなるため、より強い磁界を発生することができるよ
うになり、高保磁力媒体への充分な書き込みが可能とな
る。
【００１０】上記磁性膜は、磁場中でのスパッタおよび
磁場中での熱処理を施すことによって、印加した磁場の
方向に磁化容易軸を持つ磁気異方性を付けることができ
る。したがって、特定の向きに磁場を印加しながらスパ
ッタおよび熱処理を行うことにより、ヘッドの磁路方向
に材料の平均の磁化困難軸を向けることが可能である。
また、上記磁性膜は４００℃以上の高い温度の熱処理を
必要とせずに、充分良好な軟磁性を得ることができる。
磁場中での熱処理を施すことによって、印加した磁場の
方向に磁化容易軸を持つ磁気異方性を付けることができ
る。したがって、特定の向きに磁場を印加しながらスパ
ッタおよび熱処理を行うことにより、ヘッドの磁路方向
に材料の平均の磁化困難軸を向けることが可能である。
また、上記磁性膜は４００℃以上の高い温度の熱処理を
必要とせずに、充分良好な軟磁性を得ることができる。
【００１１】図２は磁場中でスパッタすることにより作
成し、３５０℃、１時間の熱処理を磁場中で行ったＦｅ
81Ｈｆ5Ｏ14膜（Ｂｓ＝１．７Ｔ）の直流Ｂ−Ｈカーブ
を示し、図３は磁場中でスパッタすることにより作成
し、３５０℃、１時間の熱処理を磁場中で行ったＦｅ81
Ｈｆ5Ｏ14膜（Ｂｓ＝１．７Ｔ）の周波数−透磁率特性
を示すものである。図２によれば、このＦｅ81Ｈｆ5Ｏ
14膜に、磁場を印加した方向に磁化容易軸を持つ異方性
が付けられていることが分る。また、図３によると、困
難軸方向の透磁率は、数１０Ｍｚの高周波領域まで２０
００程度の高い値を持っていることが分る。
成し、３５０℃、１時間の熱処理を磁場中で行ったＦｅ
81Ｈｆ5Ｏ14膜（Ｂｓ＝１．７Ｔ）の直流Ｂ−Ｈカーブ
を示し、図３は磁場中でスパッタすることにより作成
し、３５０℃、１時間の熱処理を磁場中で行ったＦｅ81
Ｈｆ5Ｏ14膜（Ｂｓ＝１．７Ｔ）の周波数−透磁率特性
を示すものである。図２によれば、このＦｅ81Ｈｆ5Ｏ
14膜に、磁場を印加した方向に磁化容易軸を持つ異方性
が付けられていることが分る。また、図３によると、困
難軸方向の透磁率は、数１０Ｍｚの高周波領域まで２０
００程度の高い値を持っていることが分る。
【００１２】このように、Ｆｅ−Ｍ−Ｏ（Ｍ＝Ｚｒまた
はＨｆ）系材料膜は薄膜磁気ヘッドの磁気コアに好適な
性質を有しており、この膜を薄膜磁気ヘッドの磁気コア
の少なくとも一部に用いることにより、高保磁力媒体へ
の充分な書き込みが可能な高密度記録用薄膜磁気ヘッド
を得ることができる。しかしながら、本発明の薄膜磁気
ヘッドの磁気コアに用いることができる軟磁性材料は、
上記Ｆｅ−Ｍ−Ｏ（Ｍ＝ＺｒまたはＨｆ）系材料に限ら
れるものではない。Ｆｅ−Ｍ−Ｏ−Ｑ（Ｑ＝Ｃまたは
Ｎ）系材料、Ｆｅ−Ｍ−Ｏ−Ｒ（Ｑ＝Ｓｉ，Ｂ，Ａｌま
たはＹ）系材料等についても使用することができること
が後述の説明により明かにされる。
はＨｆ）系材料膜は薄膜磁気ヘッドの磁気コアに好適な
性質を有しており、この膜を薄膜磁気ヘッドの磁気コア
の少なくとも一部に用いることにより、高保磁力媒体へ
の充分な書き込みが可能な高密度記録用薄膜磁気ヘッド
を得ることができる。しかしながら、本発明の薄膜磁気
ヘッドの磁気コアに用いることができる軟磁性材料は、
上記Ｆｅ−Ｍ−Ｏ（Ｍ＝ＺｒまたはＨｆ）系材料に限ら
れるものではない。Ｆｅ−Ｍ−Ｏ−Ｑ（Ｑ＝Ｃまたは
Ｎ）系材料、Ｆｅ−Ｍ−Ｏ−Ｒ（Ｑ＝Ｓｉ，Ｂ，Ａｌま
たはＹ）系材料等についても使用することができること
が後述の説明により明かにされる。
【００１３】薄膜磁気ヘッドの磁気コアの飽和磁束密度
を変え、ヘッドにより生じる磁界がどう変化するかにつ
いて試験を行った。図４は起磁力と記録磁界との関係の
試験結果を示すものである。この結果から、磁気コアの
飽和磁束密度を大きくすると、磁気ヘッドが発生し得る
磁界が大きくなることが分かる。したがって、本発明に
よる薄膜磁気ヘッドによれば、従来の薄膜磁気ヘッドよ
りも強い磁界を発生することができ、より高保磁力の媒
体に記録を行うことが可能であることが明らかである。
を変え、ヘッドにより生じる磁界がどう変化するかにつ
いて試験を行った。図４は起磁力と記録磁界との関係の
試験結果を示すものである。この結果から、磁気コアの
飽和磁束密度を大きくすると、磁気ヘッドが発生し得る
磁界が大きくなることが分かる。したがって、本発明に
よる薄膜磁気ヘッドによれば、従来の薄膜磁気ヘッドよ
りも強い磁界を発生することができ、より高保磁力の媒
体に記録を行うことが可能であることが明らかである。
【００１４】次に、本発明の上部コア７および下部コア
２として使用可能な磁性膜材料の組成、特性等について
詳細に説明する。本発明の実施例において用いられる上
部コア７および下部コア２は、少なくともその一部が
１．５Ｔ以上の高い飽和磁束密度を持つ下記軟磁性材料
により形成される。下記軟磁性材料を上部コア７および
下部コア２の一部に用いた場合、その他の部分には、パ
ーマロイ、センダスト等の軟磁性材料が用いられる。 (1) ＦｅxＭyＯz（但し、ＭはＺｒ，Ｈｆのうち少なく
とも１種の元素、Ｆｅは鉄、Ｏは酸素を表し、x,y,zは
各々原子％を表す。）で示され、前記x,y,zが、 ７０≦x≦９６ １≦y≦１２ ３≦z≦２５ x＋y＋z＝１００ であり、かつ、前記yおよびzが、 １．５y≦z≦４．０y である関係を満足する組成の磁性膜、
２として使用可能な磁性膜材料の組成、特性等について
詳細に説明する。本発明の実施例において用いられる上
部コア７および下部コア２は、少なくともその一部が
１．５Ｔ以上の高い飽和磁束密度を持つ下記軟磁性材料
により形成される。下記軟磁性材料を上部コア７および
下部コア２の一部に用いた場合、その他の部分には、パ
ーマロイ、センダスト等の軟磁性材料が用いられる。 (1) ＦｅxＭyＯz（但し、ＭはＺｒ，Ｈｆのうち少なく
とも１種の元素、Ｆｅは鉄、Ｏは酸素を表し、x,y,zは
各々原子％を表す。）で示され、前記x,y,zが、 ７０≦x≦９６ １≦y≦１２ ３≦z≦２５ x＋y＋z＝１００ であり、かつ、前記yおよびzが、 １．５y≦z≦４．０y である関係を満足する組成の磁性膜、
【００１５】(2) ＦｅxＭyＯzＱw（但し、ＭはＺｒ，Ｈ
ｆのうち少なくとも１種の元素、Ｆｅは鉄、Ｏは酸素、
ＱはＣ，Ｎのうち少なくとも１種の元素を表し、x,y,z,
wは各々原子％を表す。）で示され、前記x,y,z,wが、 ７０≦x＜９６ １≦y≦１２ ３≦z≦２５ w≦２６ x＋y＋z＋w＝１００ である関係を満足する組成の磁性膜、あるいは
ｆのうち少なくとも１種の元素、Ｆｅは鉄、Ｏは酸素、
ＱはＣ，Ｎのうち少なくとも１種の元素を表し、x,y,z,
wは各々原子％を表す。）で示され、前記x,y,z,wが、 ７０≦x＜９６ １≦y≦１２ ３≦z≦２５ w≦２６ x＋y＋z＋w＝１００ である関係を満足する組成の磁性膜、あるいは
【００１６】(3) ＦｅxＭyＯzＲw（但し、ＭはＺｒ，Ｈ
ｆのうち少なくとも１種の元素、Ｆｅは鉄、Ｏは酸素、
ＲはＳｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｙのうち少なくとも１種の元素を
表し、x,y,z,wは各々原子％を表す。）で示され、前記
x,y,z,wが、 ７０≦x＜９６ １≦y≦１２ ３≦z≦２５ w≦２６ x＋y＋z＋w＝１００ である関係を満足する組成の磁性膜である。
ｆのうち少なくとも１種の元素、Ｆｅは鉄、Ｏは酸素、
ＲはＳｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｙのうち少なくとも１種の元素を
表し、x,y,z,wは各々原子％を表す。）で示され、前記
x,y,z,wが、 ７０≦x＜９６ １≦y≦１２ ３≦z≦２５ w≦２６ x＋y＋z＋w＝１００ である関係を満足する組成の磁性膜である。
【００１７】上記(1)〜(3)記載の磁性膜において、Ｆｅ
（鉄）は主成分であり、磁性を担う元素であり、少なく
とも１５０００Ｇ以上の飽和磁束密度を得るためには、
x≧７０原子％が必要である。上記Ｍ（Ｚｒ，Ｈｆのう
ち少なくとも１種の元素）とＯは軟磁性を得るために必
要な元素であり、ＦｅにＭとＯを同時に、しかもその割
合が特定の値をとるように添加することによって、膜の
軟磁性は著しく向上する。ＭとＯの割合が上記関係を満
たさない場合には好適な軟磁性を得ることができない。
ＭとＯの割合が上記関係を満たしている場合でも、y＜
１ａｔ％またはz＜３ａｔ％では軟磁性向上の効果が不
十分であり、y≧１ａｔ％かつz ≧３ａｔ％でなければ
ならない。
（鉄）は主成分であり、磁性を担う元素であり、少なく
とも１５０００Ｇ以上の飽和磁束密度を得るためには、
x≧７０原子％が必要である。上記Ｍ（Ｚｒ，Ｈｆのう
ち少なくとも１種の元素）とＯは軟磁性を得るために必
要な元素であり、ＦｅにＭとＯを同時に、しかもその割
合が特定の値をとるように添加することによって、膜の
軟磁性は著しく向上する。ＭとＯの割合が上記関係を満
たさない場合には好適な軟磁性を得ることができない。
ＭとＯの割合が上記関係を満たしている場合でも、y＜
１ａｔ％またはz＜３ａｔ％では軟磁性向上の効果が不
十分であり、y≧１ａｔ％かつz ≧３ａｔ％でなければ
ならない。
【００１８】上記(1)記載の磁性膜において良好な軟磁
性を得るためには、さらに、膜中のＭとＯの割合が、
１．５y≦z≦４．０yの関係を満足させなければならな
い。y≧1ａｔ％、z ≧３ａｔ％、x＋y＋z＝１００よ
り、x≦９６ａｔ％となる。また、x≧７０ａｔ％、x＋y
＋z＝１００、１．５≦z≦４．０yより、必然的に、y≦
１２ａｔ％、z≦２５ａｔ％になる。
性を得るためには、さらに、膜中のＭとＯの割合が、
１．５y≦z≦４．０yの関係を満足させなければならな
い。y≧1ａｔ％、z ≧３ａｔ％、x＋y＋z＝１００よ
り、x≦９６ａｔ％となる。また、x≧７０ａｔ％、x＋y
＋z＝１００、１．５≦z≦４．０yより、必然的に、y≦
１２ａｔ％、z≦２５ａｔ％になる。
【００１９】また、上記(2)および(3)記載の磁性膜にお
いては、x≧７０ａｔ％、y≧1ａｔ％、z ≧３ａｔ％、x
＋y＋z＋w＝１００より、w＞0、x＜９６ａｔ％となる。
なお、本発明において用いられる上記(1)〜(3)記載のい
ずれの磁性膜においても、磁歪定数の調整や耐食性の改
善を目的として、飽和磁束密度を大きく低下させたり軟
磁性を大きく低下させない範囲で、前記３元組成あるい
は４元組成に他の元素を添加することが可能である。
いては、x≧７０ａｔ％、y≧1ａｔ％、z ≧３ａｔ％、x
＋y＋z＋w＝１００より、w＞0、x＜９６ａｔ％となる。
なお、本発明において用いられる上記(1)〜(3)記載のい
ずれの磁性膜においても、磁歪定数の調整や耐食性の改
善を目的として、飽和磁束密度を大きく低下させたり軟
磁性を大きく低下させない範囲で、前記３元組成あるい
は４元組成に他の元素を添加することが可能である。
【００２０】本発明における上部コア７および下部コア
２材料の高飽和磁束密度軟磁性膜は、ＦｅにＭ（Ｚｒ，
Ｈｆのうち少なくとも１種の元素）とＯを同時に、しか
もその割合が特定の値をとるように添加することによっ
て、１５０００Ｇ以上の高い飽和磁束密度と軟磁性を同
時に実現するものであり、スパッタ法、真空蒸着等の一
般的な薄膜作成法により作成されるものであって、特別
な膜作成方法に限定されるものではない。
２材料の高飽和磁束密度軟磁性膜は、ＦｅにＭ（Ｚｒ，
Ｈｆのうち少なくとも１種の元素）とＯを同時に、しか
もその割合が特定の値をとるように添加することによっ
て、１５０００Ｇ以上の高い飽和磁束密度と軟磁性を同
時に実現するものであり、スパッタ法、真空蒸着等の一
般的な薄膜作成法により作成されるものであって、特別
な膜作成方法に限定されるものではない。
【００２１】スパッタ法により本発明における上部コア
７および下部コア２を作成する場合、装置としては、Ｄ
Ｃスパッタ、ＲＦスパッタ、マグネトロンスパッタ、対
向ターゲット式スパッタ、イオンビームスパッタ装置等
の既存の装置を使用することができる。Ｏを膜中に添加
する方法としては、Ａｒ等の不活性ガス中にＯ2ガスま
たはＮ2ガスを混合したＡｒ＋Ｏ2またはＡｒ＋Ｏ2＋Ｎ2
混合雰囲気ガスでスパッタを行なう反応性スパッタが有
効である。また、Ｆｅ，Ｆｅ−ＭあるいはＦｅ−Ｍ−Ｑ
（ＭはＺｒ，Ｈｆのうち少なくとも１種の元素、Ｑは
Ｃ，Ｂ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｙのうち少なくとも１種の元素）
合金ターゲットの上にＦｅ、ＭあるいはＱの酸化物また
は窒化物を配置した複合ターゲットを用いてＡｒ等の不
活性ガス中で作成することもできる。
７および下部コア２を作成する場合、装置としては、Ｄ
Ｃスパッタ、ＲＦスパッタ、マグネトロンスパッタ、対
向ターゲット式スパッタ、イオンビームスパッタ装置等
の既存の装置を使用することができる。Ｏを膜中に添加
する方法としては、Ａｒ等の不活性ガス中にＯ2ガスま
たはＮ2ガスを混合したＡｒ＋Ｏ2またはＡｒ＋Ｏ2＋Ｎ2
混合雰囲気ガスでスパッタを行なう反応性スパッタが有
効である。また、Ｆｅ，Ｆｅ−ＭあるいはＦｅ−Ｍ−Ｑ
（ＭはＺｒ，Ｈｆのうち少なくとも１種の元素、Ｑは
Ｃ，Ｂ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｙのうち少なくとも１種の元素）
合金ターゲットの上にＦｅ、ＭあるいはＱの酸化物また
は窒化物を配置した複合ターゲットを用いてＡｒ等の不
活性ガス中で作成することもできる。
【００２２】「材料例１」高周波マグネトロンスパッタ
装置により、Ｆｅ100-xＺｒx（x＝０，１．５，３，
７，１１，１５）合金ターゲット（ａｔ％）を用いて、
Ａｒ＋０．１％Ｏ2、Ａｒ＋０．５％Ｏ2、Ａｒ＋１．０
％Ｏ2雰囲気で成膜を行なった。主なスパッタ条件を以
下に示す。 予備排気 １×１０-5Ｐａ以下 高周波電力 ４００Ｗ Ａｒガス圧 １．０Ｐａ 基板 結晶化ガラス基板（間接水冷） 電極間距離 ７０mm 膜厚２μｍになるようにスパッタ時間を調節した。次
に、得られた膜の軟磁性を改善するため、真空中で４０
０℃×１ｈｒの熱処理を行った。
装置により、Ｆｅ100-xＺｒx（x＝０，１．５，３，
７，１１，１５）合金ターゲット（ａｔ％）を用いて、
Ａｒ＋０．１％Ｏ2、Ａｒ＋０．５％Ｏ2、Ａｒ＋１．０
％Ｏ2雰囲気で成膜を行なった。主なスパッタ条件を以
下に示す。 予備排気 １×１０-5Ｐａ以下 高周波電力 ４００Ｗ Ａｒガス圧 １．０Ｐａ 基板 結晶化ガラス基板（間接水冷） 電極間距離 ７０mm 膜厚２μｍになるようにスパッタ時間を調節した。次
に、得られた膜の軟磁性を改善するため、真空中で４０
０℃×１ｈｒの熱処理を行った。
【００２３】膜組成、飽和磁束密度および保磁力の主な
測定結果を第１表に示す。サンプル１〜５が本発明にお
いて用いられている膜で、Ｂｓ≧１５０００Ｇあり、Ｈ
ｃ≦２ Ｏｅの軟磁性を示している。サンプル１〜５と
軟磁性の得られなかったサンプル６，７とを比較する
と、軟磁性を得るためには、ＯがＺｒのおよそ１．５倍
以上必要であることが分る。また、同様に、サンプル
８，９と比較すると、良好な軟磁性を得るためには、Ｏ
がＺｒのおよそ４倍以下でなければならない。サンプル
１０，１１は、夫々Ｚｒが１．０ａｔ％以下で、Ｂｓが
１５０００Ｇより小さくなっている。
測定結果を第１表に示す。サンプル１〜５が本発明にお
いて用いられている膜で、Ｂｓ≧１５０００Ｇあり、Ｈ
ｃ≦２ Ｏｅの軟磁性を示している。サンプル１〜５と
軟磁性の得られなかったサンプル６，７とを比較する
と、軟磁性を得るためには、ＯがＺｒのおよそ１．５倍
以上必要であることが分る。また、同様に、サンプル
８，９と比較すると、良好な軟磁性を得るためには、Ｏ
がＺｒのおよそ４倍以下でなければならない。サンプル
１０，１１は、夫々Ｚｒが１．０ａｔ％以下で、Ｂｓが
１５０００Ｇより小さくなっている。
【００２４】「材料例２」高周波マグネトロンスパッタ
装置により、Ｆｅ100-xＨｆx（x＝０，１．５，３，
５，７，１３，１５）合金ターゲット（ａｔ％）を用い
て、Ａｒ＋０．１％Ｏ2、Ａｒ＋０．５％Ｏ2、Ａｒ＋
１．０％Ｏ2雰囲気中で成膜を行なった。スパッタ条件
は実施例１と同様とした。次に、得られた膜の軟磁性を
改善するため、真空中で４００℃×１ｈｒの熱処理を行
った。膜の組成は、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発光分
析法およびＸ線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）により
決定した。飽和磁束密度と保磁力をＶＳＭにより測定し
た。
装置により、Ｆｅ100-xＨｆx（x＝０，１．５，３，
５，７，１３，１５）合金ターゲット（ａｔ％）を用い
て、Ａｒ＋０．１％Ｏ2、Ａｒ＋０．５％Ｏ2、Ａｒ＋
１．０％Ｏ2雰囲気中で成膜を行なった。スパッタ条件
は実施例１と同様とした。次に、得られた膜の軟磁性を
改善するため、真空中で４００℃×１ｈｒの熱処理を行
った。膜の組成は、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発光分
析法およびＸ線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）により
決定した。飽和磁束密度と保磁力をＶＳＭにより測定し
た。
【００２５】膜組成、飽和磁束密度および保磁力の主な
測定結果を第２表に示す。サンプル１３〜１９が本発明
の実施例において用いられている膜で、Ｂｓ≧１５００
０Ｇあり、Ｈｃ≦２ Ｏｅの軟磁性を示している。サン
プル１３〜１９と軟磁性の得られなかったサンプル２０
とを比較すると、良好な軟磁性を得るためには、ＯがＨ
ｆのおよそ１．５倍以上必要であることが分る。また、
同様に、サンプル２１，２２と比較すると、良好な軟磁
性を得るためには、ＯがＨｆのおよそ４倍以下でなけれ
ばならない。サンプル２３は、Ｏが３．０ａｔ％以下で
良好な軟磁性が得られなかった例である。サンプル２４
は、ＯがＨｆの１．５倍から４倍の間にあり軟磁性は得
られているが、Ｆｅが７０ａｔ％以下で、Ｂｓが１５０
００Ｇより小さくなっている。
測定結果を第２表に示す。サンプル１３〜１９が本発明
の実施例において用いられている膜で、Ｂｓ≧１５００
０Ｇあり、Ｈｃ≦２ Ｏｅの軟磁性を示している。サン
プル１３〜１９と軟磁性の得られなかったサンプル２０
とを比較すると、良好な軟磁性を得るためには、ＯがＨ
ｆのおよそ１．５倍以上必要であることが分る。また、
同様に、サンプル２１，２２と比較すると、良好な軟磁
性を得るためには、ＯがＨｆのおよそ４倍以下でなけれ
ばならない。サンプル２３は、Ｏが３．０ａｔ％以下で
良好な軟磁性が得られなかった例である。サンプル２４
は、ＯがＨｆの１．５倍から４倍の間にあり軟磁性は得
られているが、Ｆｅが７０ａｔ％以下で、Ｂｓが１５０
００Ｇより小さくなっている。
【００２６】
【表１】
【００２７】
【表２】
【００２８】「材料例３」高周波マグネトロンスパッタ
装置により、Ｆｅ−Ｈｆ系、Ｆｅ−Ｈｆ−Ｃ系、Ｆｅ−
Ｈｆ−Ｂ系、Ｆｅ−Ｈｆ−Ｓｉ系、Ｆｅ−Ｈｆ−Ａｌ
系、Ｆｅ−Ｈｆ−Ｙ系の各合金ターゲットを適宜用い
て、Ａｒ＋Ｏ2（０．１〜１．０％）ガス雰囲気、また
は、Ａｒ＋Ｏ2（０．１〜１．０％）＋Ｎ2（０．５〜１
０％）ガス雰囲気中で上記(2)に示される磁性膜の成膜
を行なった。主なスパッタ条件は実施例１と同様とし、
製造時膜厚を２μｍになるようにスパッタ時間を調節し
た。各磁性膜の組成は、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発
光分析法およびＸ線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）に
より決定した。飽和磁束密度と保磁力をＶＳＭにより測
定した。
装置により、Ｆｅ−Ｈｆ系、Ｆｅ−Ｈｆ−Ｃ系、Ｆｅ−
Ｈｆ−Ｂ系、Ｆｅ−Ｈｆ−Ｓｉ系、Ｆｅ−Ｈｆ−Ａｌ
系、Ｆｅ−Ｈｆ−Ｙ系の各合金ターゲットを適宜用い
て、Ａｒ＋Ｏ2（０．１〜１．０％）ガス雰囲気、また
は、Ａｒ＋Ｏ2（０．１〜１．０％）＋Ｎ2（０．５〜１
０％）ガス雰囲気中で上記(2)に示される磁性膜の成膜
を行なった。主なスパッタ条件は実施例１と同様とし、
製造時膜厚を２μｍになるようにスパッタ時間を調節し
た。各磁性膜の組成は、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発
光分析法およびＸ線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）に
より決定した。飽和磁束密度と保磁力をＶＳＭにより測
定した。
【００２９】前記の製造条件で多数の試料を作成し、各
試料に於ける磁気特性および電気抵抗を測定した。図５
にＦｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｃ系、Ｆｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｎ系の磁性
膜におけるＣまたはＮ含有量と成膜のままの状態〜３０
０℃以下での熱処理後における保磁力（Ｈｃ）の関係を
示し、図６にＦｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｎ系の磁性膜における熱
処理温度（アニール温度）と保磁力の関係を示す。
試料に於ける磁気特性および電気抵抗を測定した。図５
にＦｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｃ系、Ｆｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｎ系の磁性
膜におけるＣまたはＮ含有量と成膜のままの状態〜３０
０℃以下での熱処理後における保磁力（Ｈｃ）の関係を
示し、図６にＦｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｎ系の磁性膜における熱
処理温度（アニール温度）と保磁力の関係を示す。
【００３０】この結果から、本発明の磁性膜はＣまたは
Ｎの含有量の増加に伴い、保磁力が減少することが分
る。また、低い保磁力を得るために４００℃以上の温度
での熱処理を必要としないことも分る。
Ｎの含有量の増加に伴い、保磁力が減少することが分
る。また、低い保磁力を得るために４００℃以上の温度
での熱処理を必要としないことも分る。
【００３１】また、図６に示される結果から、Ｆｅ−Ｈ
ｆ−Ｏ−Ｎ系磁性膜は、従来の膜と比較すると５００℃
より高温の熱処理後においても、成膜のままの保磁力と
ほとんど変化しないことが分る。これに対し、比較例の
試料は５００℃より高温の熱処理によって保磁力が上昇
していることが分る。
ｆ−Ｏ−Ｎ系磁性膜は、従来の膜と比較すると５００℃
より高温の熱処理後においても、成膜のままの保磁力と
ほとんど変化しないことが分る。これに対し、比較例の
試料は５００℃より高温の熱処理によって保磁力が上昇
していることが分る。
【００３２】図７と図８に、前記方法で製造された試料
において、Ｆｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｂ系とＦｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｓ
ｉ系とＦｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ａｌ系とＦｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｙ系
の各試料について、Ｂ含有量とＳｉ含有量とＡｌ含有量
とＹ含有量に対する比抵抗（ρ）の変化を示す。この結
果から、Ｂ，Ｓｉ，ＡｌまたはＹのいずれかを添加する
ことで比抵抗を向上できることを確認できた。次に、前
記方法で製造したＦｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｃ系、Ｆｅ−Ｈｆ−
Ｏ−Ｎ系の磁性膜について、飽和磁束密度（Ｂｓ）と成
膜のままの状態〜３００℃以下での熱処理後における保
磁力の測定結果を表３に示す。Ｆｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｃ系膜
について、飽和磁束密度と５００℃〜６００℃での熱処
理後における保磁力の測定結果を表４に示す。Ｆｅ−Ｈ
ｆ−Ｏ−Ｂ、Ｆｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｈｆ−Ｏ−
Ａｌ、Ｆｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｙ系膜について飽和磁束密度と
比抵抗と４００℃〜５００℃での熱処理後における保磁
力の測定結果を表５に示す。
において、Ｆｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｂ系とＦｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｓ
ｉ系とＦｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ａｌ系とＦｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｙ系
の各試料について、Ｂ含有量とＳｉ含有量とＡｌ含有量
とＹ含有量に対する比抵抗（ρ）の変化を示す。この結
果から、Ｂ，Ｓｉ，ＡｌまたはＹのいずれかを添加する
ことで比抵抗を向上できることを確認できた。次に、前
記方法で製造したＦｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｃ系、Ｆｅ−Ｈｆ−
Ｏ−Ｎ系の磁性膜について、飽和磁束密度（Ｂｓ）と成
膜のままの状態〜３００℃以下での熱処理後における保
磁力の測定結果を表３に示す。Ｆｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｃ系膜
について、飽和磁束密度と５００℃〜６００℃での熱処
理後における保磁力の測定結果を表４に示す。Ｆｅ−Ｈ
ｆ−Ｏ−Ｂ、Ｆｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｈｆ−Ｏ−
Ａｌ、Ｆｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｙ系膜について飽和磁束密度と
比抵抗と４００℃〜５００℃での熱処理後における保磁
力の測定結果を表５に示す。
【００３３】表３に示す結果から本発明に係る磁性膜
（サンプル２７〜３１）においてＣまたはＮを含むもの
は、１５０００Ｇを超える飽和磁束密度を示し、しかも
従来例（サンプル２５，２６）に比較して保磁力が低い
ことが判明した。表４に示す結果から本発明で用いられ
る磁性膜（サンプル３２〜３６）においてＮを含むもの
は、１５０００Ｇを超える飽和磁束密度を示し、５００
℃〜６００℃での熱処理においても低い保磁力を示すこ
とが確認できた。また、このように低い保磁力を得るた
めには膜中のＮ含有量が２４原子％より少なく、Ｏ含有
量が３原子％から１３原子％の間にあり、Ｈｆ含有量が
１原子％から５原子％の間になければならない事がわか
る。なお、この表において、サンプル３７〜４１は比較
例である。表５に示す結果から、本発明で用いられる磁
性膜（サンプル４３〜５２）において、Ｂ，Ｓｉ，Ａｌ
あるいはＹを含む磁性膜は１６０００Ｇを超える飽和磁
束密度と低い保磁力を示し、しかも比抵抗が高いことが
明かとなった。したがって、表５に示す組成の磁性膜は
高周波領域での渦電流損失が少なく、高周波での透磁率
を高めることができるものである。なお、この表におい
て、サンプル４２は従来例である。
（サンプル２７〜３１）においてＣまたはＮを含むもの
は、１５０００Ｇを超える飽和磁束密度を示し、しかも
従来例（サンプル２５，２６）に比較して保磁力が低い
ことが判明した。表４に示す結果から本発明で用いられ
る磁性膜（サンプル３２〜３６）においてＮを含むもの
は、１５０００Ｇを超える飽和磁束密度を示し、５００
℃〜６００℃での熱処理においても低い保磁力を示すこ
とが確認できた。また、このように低い保磁力を得るた
めには膜中のＮ含有量が２４原子％より少なく、Ｏ含有
量が３原子％から１３原子％の間にあり、Ｈｆ含有量が
１原子％から５原子％の間になければならない事がわか
る。なお、この表において、サンプル３７〜４１は比較
例である。表５に示す結果から、本発明で用いられる磁
性膜（サンプル４３〜５２）において、Ｂ，Ｓｉ，Ａｌ
あるいはＹを含む磁性膜は１６０００Ｇを超える飽和磁
束密度と低い保磁力を示し、しかも比抵抗が高いことが
明かとなった。したがって、表５に示す組成の磁性膜は
高周波領域での渦電流損失が少なく、高周波での透磁率
を高めることができるものである。なお、この表におい
て、サンプル４２は従来例である。
【００３４】
【表３】
【００３５】
【表４】
【００３６】
【表５】
【００３７】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、請求項１
記載の薄膜磁気ヘッドは、上部コア７と下部コア２の少
なくとも一部に、１５０００Ｇ以上の高い飽和磁束密度
を有するとともに薄膜磁気ヘッドの磁気コアとして好適
な性質を有する軟磁性材料を用いている。このため、磁
気コア全体の飽和磁束密度を大きくすることが可能とな
り、磁気ヘッドのコイルに強い電流を流しても前記磁気
コアの飽和が起りづらくなるため、より強い磁界を発生
することができるようになる。したがって、高保磁力媒
体への充分な書き込みが可能な高密度記録用薄膜磁気ヘ
ッドを提供することができる。
記載の薄膜磁気ヘッドは、上部コア７と下部コア２の少
なくとも一部に、１５０００Ｇ以上の高い飽和磁束密度
を有するとともに薄膜磁気ヘッドの磁気コアとして好適
な性質を有する軟磁性材料を用いている。このため、磁
気コア全体の飽和磁束密度を大きくすることが可能とな
り、磁気ヘッドのコイルに強い電流を流しても前記磁気
コアの飽和が起りづらくなるため、より強い磁界を発生
することができるようになる。したがって、高保磁力媒
体への充分な書き込みが可能な高密度記録用薄膜磁気ヘ
ッドを提供することができる。
【００３８】また、請求項２記載の薄膜磁気ヘッドは、
上部コア７と下部コア２の少なくとも一部に、１５００
０Ｇ以上の高い飽和磁束密度を有するとともに従来の膜
よりも低い保磁力を有し、かつ、薄膜磁気ヘッドの磁気
コアとして好適な性質を有する軟磁性材料を用いてい
る。また、Ｎを特定量添加した材料を用いることにより
磁気コアの軟磁気特性を向上させることができる。この
ため、磁気コア全体の飽和磁束密度を大きくすることが
可能となり、磁気ヘッドのコイルに強い電流を流しても
前記磁気コアの飽和が起りづらくなるため、より強い磁
界を発生することができるようになる。したがって、高
保磁力媒体への充分な書き込みが可能な高密度記録用薄
膜磁気ヘッドを提供することができる。
上部コア７と下部コア２の少なくとも一部に、１５００
０Ｇ以上の高い飽和磁束密度を有するとともに従来の膜
よりも低い保磁力を有し、かつ、薄膜磁気ヘッドの磁気
コアとして好適な性質を有する軟磁性材料を用いてい
る。また、Ｎを特定量添加した材料を用いることにより
磁気コアの軟磁気特性を向上させることができる。この
ため、磁気コア全体の飽和磁束密度を大きくすることが
可能となり、磁気ヘッドのコイルに強い電流を流しても
前記磁気コアの飽和が起りづらくなるため、より強い磁
界を発生することができるようになる。したがって、高
保磁力媒体への充分な書き込みが可能な高密度記録用薄
膜磁気ヘッドを提供することができる。
【００３９】また、請求項３記載の薄膜磁気ヘッドは、
上部コア７と下部コア２の少なくとも一部に、１６００
０Ｇ以上の高い飽和磁束密度を有するとともに比抵抗が
高く、かつ、高周波域での渦電流損失の少ない高周波域
での透磁率の高い軟磁性膜を用いている。このため、磁
気コア全体の飽和磁束密度を大きくすることが可能とな
り、磁気ヘッドのコイルに強い電流を流しても前記磁気
コアの飽和が起りづらくなるため、より強い磁界を発生
することができるようになる。したがって、高保磁力媒
体への充分な書き込みが可能な高密度記録用薄膜磁気ヘ
ッドを提供することができる。
上部コア７と下部コア２の少なくとも一部に、１６００
０Ｇ以上の高い飽和磁束密度を有するとともに比抵抗が
高く、かつ、高周波域での渦電流損失の少ない高周波域
での透磁率の高い軟磁性膜を用いている。このため、磁
気コア全体の飽和磁束密度を大きくすることが可能とな
り、磁気ヘッドのコイルに強い電流を流しても前記磁気
コアの飽和が起りづらくなるため、より強い磁界を発生
することができるようになる。したがって、高保磁力媒
体への充分な書き込みが可能な高密度記録用薄膜磁気ヘ
ッドを提供することができる。
【図１】本発明の薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す縦断
面図である。
面図である。
【図２】磁場中でスパッタすることにより作成し、３５
０℃、１時間の熱処理を磁場中で行ったＦｅ81Ｈｆ5Ｏ
14膜の直流Ｂ−Ｈカーブである。
０℃、１時間の熱処理を磁場中で行ったＦｅ81Ｈｆ5Ｏ
14膜の直流Ｂ−Ｈカーブである。
【図３】磁場中でスパッタすることにより作成し、３５
０℃、１時間の熱処理を磁場中で行ったＦｅ81Ｈｆ5Ｏ
14膜の周波数−透磁率特性図である。
０℃、１時間の熱処理を磁場中で行ったＦｅ81Ｈｆ5Ｏ
14膜の周波数−透磁率特性図である。
【図４】起磁力と記録磁界との関係のシュミレーション
結果を示すグラフである。
結果を示すグラフである。
【図５】Ｆｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｃ系、Ｆｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｎ系
の磁性膜におけるＣまたはＮ含有量と熱処理後における
保磁力の関係を示すグラフである。
の磁性膜におけるＣまたはＮ含有量と熱処理後における
保磁力の関係を示すグラフである。
【図６】Ｆｅ−Ｈｆ−Ｏ−Ｎ系の磁性膜における熱処理
温度と保磁力の関係を示すグラフである。
温度と保磁力の関係を示すグラフである。
【図７】成膜のままの本発明で用いられる磁性膜におけ
る比抵抗とＢ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｙ含有量Ｘとの関係を示す
グラフである。
る比抵抗とＢ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｙ含有量Ｘとの関係を示す
グラフである。
【図８】５００℃アニール後の本発明で用いられる磁性
膜における比抵抗とＢ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｙ含有量Ｘとの関
係を示すグラフである。
膜における比抵抗とＢ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｙ含有量Ｘとの関
係を示すグラフである。
１ 基板 ２ 下部コア ３ ギャップ絶縁層 ４ 絶縁層 ５ 絶縁層 ６ コイル ７ 上部コア ８ 下部絶縁膜 ９ 媒体対向面 ２ａ 下部磁極 ７ａ 上部磁極
Claims (3)
- 【請求項１】 上部コアと下部コアとが媒体対向面にお
いてギャップ層を介して対向し上部磁極および下部磁極
を形成するとともに、前記上部コアと下部コアとの間に
絶縁層および導体層を順次形成してなる薄膜磁気ヘッド
において、 前記上部コアと下部コアの少なくとも一部をＦｅxＭyＯ
z（但し、ＭはＺｒ，Ｈｆのうち少なくとも１種の元
素、Ｆｅは鉄、Ｏは酸素を表し、x,y,zは各々原子％を
表す。）で示され、前記x,y,zが、 ７０≦x≦９６ １≦y≦１２ ３≦z≦２５ x＋y＋z＝１００ であり、かつ、前記yおよびzが、 １．５y≦z≦４．０y である関係を満足する組成の磁性膜により形成されてい
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 上部コアと下部コアとが媒体対向面にお
いてギャップ層を介して対向し上部磁極および下部磁極
を形成するとともに、前記上部コアと下部コアとの間に
絶縁層および導体層を順次形成してなる薄膜磁気ヘッド
において、 前記上部コアと下部コアの少なくとも一部をＦｅxＭyＯ
zＱw（但し、ＭはＺｒ，Ｈｆのうち少なくとも１種の元
素、Ｆｅは鉄、Ｏは酸素、ＱはＣ，Ｎのうち少なくとも
１種の元素を表し、x,y,z,wは各々原子％を表す。）で
示され、前記x,y,z,wが、 ７０≦x＜９６ １≦y≦１２ ３≦z≦２５ w≦２６ x＋y＋z＋w＝１００ である関係を満足する組成の磁性膜により形成されてい
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 上部コアと下部コアとが媒体対向面にお
いてギャップ層を介して対向し上部磁極および下部磁極
を形成するとともに、前記上部コアと下部コアとの間に
絶縁層および導体層を順次形成してなる薄膜磁気ヘッド
において、 前記上部コアと下部コアの少なくとも一部をＦｅxＭyＯ
zＲw（但し、ＭはＺｒ，Ｈｆのうち少なくとも１種の元
素、Ｆｅは鉄、Ｏは酸素、ＲはＳｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｙのう
ち少なくとも１種の元素を表し、x,y,z,wは各々原子％
を表す。）で示され、前記x,y,z,wが、 ７０≦x＜９６ １≦y≦１２ ３≦z≦２５ w≦２６ x＋y＋z＋w＝１００ である関係を満足する組成の磁性膜により形成されてい
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
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|---|---|---|---|
| JP3142152A JP3036891B2 (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3142152A JP3036891B2 (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 薄膜磁気ヘッド |
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|---|---|
| JPH05298617A true JPH05298617A (ja) | 1993-11-12 |
| JP3036891B2 JP3036891B2 (ja) | 2000-04-24 |
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ID=15308574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3142152A Expired - Fee Related JP3036891B2 (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3036891B2 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6424403A (en) * | 1987-07-21 | 1989-01-26 | Sony Corp | Soft magnetic thin film |
| JPH03232206A (ja) * | 1989-04-12 | 1991-10-16 | Sony Corp | 軟磁性薄膜 |
| JPH0448707A (ja) * | 1990-06-15 | 1992-02-18 | Tdk Corp | 軟磁性薄膜 |
| JPH0484403A (ja) * | 1990-07-27 | 1992-03-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 軟磁性薄膜 |
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-
1991
- 1991-06-13 JP JP3142152A patent/JP3036891B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6424403A (en) * | 1987-07-21 | 1989-01-26 | Sony Corp | Soft magnetic thin film |
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| JPH0448707A (ja) * | 1990-06-15 | 1992-02-18 | Tdk Corp | 軟磁性薄膜 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3036891B2 (ja) | 2000-04-24 |
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