JPH05298764A

JPH05298764A - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH05298764A
Application number: JP9803292A
Authority: JP
Inventors: Satoru Onuki; 悟大貫; Katsusuke Shimazaki; 勝輔島崎; Norio Ota; 憲雄太田
Original assignee: Hitachi Maxell Ltd
Current assignee: Maxell Ltd
Priority date: 1992-04-17
Filing date: 1992-04-17
Publication date: 1993-11-12
Anticipated expiration: 2016-04-25
Also published as: JP3162168B2

Abstract

(57)【要約】【目的】超解像形の光磁気記録媒体を構成する磁性膜
の外部磁界感度を高めることで、記録密度及び外部磁界
感度が共に高い光磁気記録媒体とする。【構成】透明基板１１上に、第１、第２、第３の希土
類−遷移金属系非晶質垂直磁化膜３，４，５が順次積層
された超解像タイプの光磁気記録媒体において、透明基
板から最も離れて形成される第３の磁性膜５を、室温で
希土類副格子磁化が優勢な磁性膜をもって構成する。こ
の構成に加えて、いずれかの磁性膜の表面に加熱酸化層
又は加熱窒化層を形成したり、いずれかの磁性膜に接し
て記録温度下で遷移金属副格子磁化が優勢な希土類−遷
移金属系非晶質垂直磁化膜からなる補助磁性膜を設ける
ことも有効である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、いわゆる超解像を実現
可能な光磁気記録媒体に係り、特に、その外部磁界感度
を改善する手段に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば特開平１−１４３０４２号公報な
どに記載されているように、光磁気記録媒体からの信号
の再生方式に関して、再生用光ビームのスポット径より
も小さなピッチでトラック方向に配列された微小な記録
磁区（ドメイン）列からの信号の再生が可能な、超解像
と呼ばれる技術が提案されている。

【０００３】図１１は超解像の原理を説明するための図
であって、そのうちの図１１（ａ）は、光磁気記録媒体
における磁性膜の積層構造と再生用光ビームの照射部近
傍における記録磁区の変化状態とを示す要部断面図、図
１１（ｂ）は、記録磁区及び記録磁区間ピッチの大きさ
と再生用光ビームのスポット径との関係、それに再生用
光ビームスポットの照射位置と記録トラックに現われる
マスク領域との関係を模式的に示す要部平面図、図１１
（ｃ）は、再生用光ビームの照射部近傍におけるトラッ
ク方向の温度分布を定性的に示すグラフ図である。

【０００４】図１１（ａ）に示すように、光磁気記録媒
体１は、再生用光ビーム２の照射方向から順に、第１の
磁性膜３と、第２の磁性膜４と、第３の磁性膜５とを積
層してなる。各磁性膜３〜５は、夫々キュリー温度及び
保磁力が下記の(1) 〜(4) の条件を満たすように調整さ
れた希土類−遷移金属系非晶質垂直磁化膜をもって構成
されている。 (1) Ｔ₀ ＜Ｔｃ₂ ＜Ｔｃ₁ ，Ｔｃ₃ (2) Ｈｃ₁ ＋Ｈｗ_(3,1) ＜Ｈｒ（再生時に最高温度まで
昇温される領域及びその近傍の領域において） (3) Ｈｃ₃ ＞Ｈｒ（室温から再生時の最高到達温度まで
の温度範囲において） (4) Ｈｃ₁＜Ｈｗ_(3,1) （室温時）但し、Ｔ₀ は室温、Ｔｃ₁ ，Ｔｃ₂ ，Ｔｃ₃ は夫々第
１、第２、第３の磁化膜のキュリー温度、Ｈｃ₁ ，Ｈｃ
₃ は夫々第１、第３の磁化膜の保磁力、Ｈｒは再生用外
部磁界の強度、Ｈｗ_(3,1) は第３の磁性膜が第１の磁性
膜に及ぼす交換磁界の強度である。

【０００５】この光磁気記録媒体１には、図１１（ｂ）
に示すように、記録トラック６に沿って、再生用光ビー
ム２のスポット径Ｄよりも小径の記録磁区７が、再生用
光ビーム２のスポット径Ｄよりも小さなピッチで記録さ
れている。

【０００６】磁性膜３〜５に再生用光ビーム２を照射す
ると、そのエネルギによって磁性膜３〜５が昇温される
が、トラック方向（矢印Ａの方向）に光磁気記録媒体１
を駆動しつつ記録トラック６に沿って再生用光ビーム２
を照射すると、再生用光ビーム２の照射時間の差から、
図１１（ｃ）に示すように、スポット２ａの後縁部分が
最も高温になる。そこで、再生用光ビーム２の強度を、
スポット２ａの後縁及びその周辺部分の温度が第２の磁
性膜４のキュリー温度近傍になるように調整することに
よって、第１の磁性膜３と第３の磁性膜５との間の磁気
的結合を断ち切ることができる。すなわち、室温下で
は、図１１（ａ）の左右両端部分から明らかなように、
各磁性膜３〜５の間には互いに交換結合力が作用してお
り、各記録磁区７内の磁化Ｍは全て記録方向に向き、各
記録磁区間の磁化−Ｍは全て消去方向に向いているが、
再生用光ビーム２を照射することによって第２の磁性膜
４がキュリー温度近傍まで昇温される部分では、第２の
磁性膜４の磁化が失われる結果、第１の磁性膜３と第３
の磁性膜５とが磁気的に独立となる。

【０００７】この状態で、磁性膜３〜５に前記(2) 式及
び(3) 式で定義される消去方向の再生用外部磁界Ｈｒを
印加すると、図１１（ａ）に示すように、第１の磁性層
３の高温部分（第２の磁性層４がキュリー温度近傍まで
昇温される部分）の磁化だけが再生用外部磁界方向（消
去方向）に反転する。すなわち、再生用光ビーム２に対
して、図１１（ｂ）に楕円で表示される前記高温部分が
マスクされたことになり、スポット２ａのうちの三日月
形の部分によって照射される記録磁区７のみから信号が
読み出される。よって、記録磁区間ピッチｐがスポット
径Ｄの１／２程度に調整された光磁気記録媒体からの信
号の読み出しが可能になる。

【０００８】なお、光磁気記録媒体１の駆動に伴って再
生用光ビーム２の照射部及び高温部分から外れた部分
は、順次室温まで冷却され、再度各磁性膜３〜５が磁気
的に結合する。再生用光ビーム２の照射部及び高温部分
においても、前記(3) 式の条件から、第３の磁性膜５に
は記録磁区が消滅せずに残存しているので、各磁性膜３
〜５が磁気的に再結合した段階で、その交換結合力によ
って、第１の磁性膜３及び第２の磁性膜４が第３の磁性
膜５の磁区配列と同じになり、当初の記録状態が保持さ
れる。かように、本方式によると、光磁気記録媒体の高
密度記録が達成される。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、光磁気記録
媒体には、記録密度の高密度化のほかに、磁界変調方式
のオーバーライト記録を可能にすること、及びドライブ
装置を小型化、軽量化、省電力化することが、最も重要
な技術的課題の１つになっている。ところが、前記の光
磁気記録媒体は、外部磁界感度の改善については何ら考
慮されておらず、信号の記録又は消去に大きな外部磁界
を必要とするので、ドライブ装置を小型化、軽量化、省
電力化することが難しく、また磁界変調方式のオーバー
ライト記録を行なうことができない。したがって、記録
密度の高密度化と、ドライブ装置の小型化、軽量化、省
電力化と、磁界変調方式によるオーバーライト記録を共
に可能にするためには、前記した超解像形の光磁気記録
媒体の外部磁界感度を改善する技術の開発が必要であ
る。本発明は、かかる課題を解決するためになされたも
のであって、その目的は、記録密度が高く、かつドライ
ブ装置の小型化、軽量化、省電力化及び磁界変調方式に
よるオーバーライト記録が可能な光磁気記録媒体を提供
するにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記の目的を
達成するため、超解像形の光磁気記録媒体を構成する３
つの磁性膜のうち、再生動作時に記録磁区の保存に関与
する第３の磁性膜を、室温下で希土類副格子磁化が優勢
な磁性膜をもって構成した。

【００１１】なお、かかる構成に加えて、超解像形の光
磁気記録媒体を構成する３つの磁性膜のうちの少なくと
もいずれか１つの磁性膜の表面に、希土類−遷移金属系
非晶質合金の酸化物層又は窒化物層を形成するか、ある
いは前記３つの磁性膜のいずれかと接する部分に当該接
する磁性膜との間で互いに交換結合力を作用する補助磁
性膜を設けるか、あるいは再生動作時に記録磁区の保存
に関与する第３の磁性膜に、白金、ニオブ、ネオジム、
ホルミウム、ガドリニウム、クロムから選択される少な
くとも１種類の非磁性元素を添加すると、より一層外部
磁界感度が高くなる。

【００１２】前記酸化物層又は窒化物層は、酸素量又は
窒素量が調整された真空槽内で、所望の磁性膜のいずれ
かを加熱処理することによって得られる。また、前記補
助磁性膜としては、前記第３の磁性膜に記録磁区を形成
する温度で遷移金属副格子磁化が優勢な組成の希土類−
遷移金属系非晶質磁化膜や、同じく前記第３の磁性膜に
記録磁区を形成する温度で、当該第３の磁性膜に印加さ
れる記録用外部磁界の方向に向く磁気モーメント成分を
有するものなどを用いることができる。

【００１３】

【作用】室温で希土類副格子磁化が優勢な磁性膜は、遷
移金属副格子磁化が優勢な磁性膜に比べて外部磁界感度
が高い。よって、この磁性膜を記録磁区の保存に関与す
る第３の磁性膜として用いることにより、光磁気記録媒
体の外部磁界感度を向上することができ、ドライブ装置
の小型化、軽量化、省電力化、それに磁界変調方式によ
る情報のオーバーライトが可能になる。

【００１４】

【実施例】

〈第１実施例〉以下、本発明の第１実施例を図１及び図
２に基づいて説明する。図１は本例に係る光磁気記録媒
体の要部断面図であり、図２は本実施例の効果を示すグ
ラフ図である。

【００１５】図１に示すように、本例の光磁気記録媒体
１は、透明基板１１のプリフォーマットパターン形成面
１２に、見掛け上のカー回転角を大きくし、再生信号の
ＣＮ比を改善するするためのエンハンス膜１３と、フェ
リ磁性を有する希土類−遷移金属系の非晶質垂直磁化膜
からなる第１〜第３の磁性膜３，４，５と、保護層１４
とを順次積層してなる。透明基板１１としては、いわゆ
る２Ｐ法によって片面にプリフォーマットパターン１２
が転写されたガラス基板を用いた。このガラス基板１１
のプリフォーマットパターン１２上に、膜厚が約８５０
ÅのＳｉＮエンハンス膜１３と、膜厚が約３００ÅのＧ
ｄＦｅＣｏ系非晶質垂直磁化膜からなる第１の磁性膜３
と、膜厚が約１００ÅのＴｂＦｅＣｏＮｂ系非晶質垂直
磁化膜からなる第２の磁性膜４と、膜厚が約４００Åの
ＴｂＦｅＣｏ系非晶質垂直磁化膜からなる第３の磁性膜
５と、膜厚が約８００ÅのＳｉＮ保護層１４とを連続ス
パッタリングして、第１実施例の光磁気記録媒体とし
た。前記第３の磁性膜５は、室温においてＴｂ副格子磁
化が優勢な組成に調整されている。

【００１６】図２に、前記第１実施例に係る光磁気記録
媒体と、当該光磁気記録媒体における第３の磁性膜５に
代えてＦｅＣｏ副格子磁化が優勢な組成のＴｂＦｅＣｏ
系非晶質垂直磁化膜が設けられた比較例に係る光磁気記
録媒体との外部磁界特性を示す。このグラフ図の縦軸に
は再生信号のＣＮ比が目盛られ、横軸には印加される外
部磁界の大きさが目盛られている。なお、外部磁界の正
値は記録方向の磁界を示し、負値は消去方向の磁界を示
す。このグラフ図から明らかなように、第３の磁性膜５
としてＦｅＣｏ副格子磁化が優勢な組成のＴｂＦｅＣｏ
系非晶質垂直磁化膜が設けられた比較例に係る光磁気記
録媒体は、記録方向に約３００〔Ｏｅ〕以上、消去方向
に約６００〔Ｏｅ〕以上の外部磁界を印加しなくては飽
和磁界に達しないのに対し、第３の磁性膜５としてＴｂ
副格子磁化が優勢な組成のＴｂＦｅＣｏ系非晶質垂直磁
化膜が設けられた第１実施例に係る光磁気記録媒体は、
記録方向及び消去方向に夫々約２００〔Ｏｅ〕以上の外
部磁界を印加するだけで飽和磁界に達することができ
る。よって、外部磁界ひいてはドライブ装置の小型化、
軽量化、省電力化を図ることができると共に、磁界変調
方式による情報のオーバーライトが実現可能になった。

【００１７】なお、前記実施例及び比較例では、透明基
板１１としてガラス基板を用いたが、これに代えて樹脂
基板を用いた場合にも前記と同様の結果が得られた。ま
た、前記実施例及び比較例では、エンハンス膜１３及び
保護膜１４としてＳｉＮを用いたが、ＳｉＯ₂ ，Ｓｉ
Ｏ，Ｓｉ₂ Ｎ₃ ，ＡｌＮ等、他の無機誘電体を用いた場
合にも前記と同様の結果が得られた。また、無機保護膜
１４に代えて、ＵＶ樹脂保護膜を形成した場合にも前記
と同様の結果が得られた。また、各膜の膜厚を種々変更
した場合にも、前記と同様の結果が得られた。さらに、
第１の磁性膜３としてＧｄＦｅ又はＧｄＣｏ系の非晶質
垂直磁化膜を用い、第２の磁性膜４としてＴｂＦｅ，Ｔ
ｂＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＰｔ系の
非晶質垂直磁化膜を用いた場合にも、前記と同様の結果
が得られた。

【００１８】〈第２実施例〉以下、本発明の第２実施例
を図３及び図４に基づいて説明する。図３は本例に係る
光磁気記録媒体の要部断面図であり、図４は本実施例の
効果を示すグラフ図である。

【００１９】図３に示すように、本例の光磁気記録媒体
１は、第３の磁性膜５の表面に、酸化層１５を形成した
ことを特徴とする。酸化層１５は、ガラス基板１１上
に、エンハンス膜１３と、第１〜第３の磁性膜３，４，
５とを連続スパッタリングした後、成膜を一旦中止して
スパッタチャンバー内の酸素量を調整し、第３の磁性膜
５を加熱することによって形成される。その後、スパッ
タチャンバー内の真空度を再度調整し、所定の膜厚の保
護層１４をスパッタリングすることによって、第２実施
例の光磁気記録媒体を形成できる。酸化層１５以外の部
分については、第１実施例の光磁気記録媒体と同様に形
成される。

【００２０】図４に、前記第２実施例に係る光磁気記録
媒体と、前記第１実施例に係る光磁気記録媒体との外部
磁界特性を示す。このグラフ図から明らかなように、本
例の光磁気記録媒体は、記録方向及び消去方向に夫々約
１００〔Ｏｅ〕以上の外部磁界を印加するだけで飽和磁
界に達することができ、第１実施例の光磁気記録媒体に
比べて、さらに約±１００〔Ｏｅ〕も外部記録感度が向
上している。

【００２１】なお、前記第２実施例では、第３の磁性膜
５の表面に加熱酸化層を形成したが、第１の磁性膜３又
は第２の磁性膜４の表面に前記と同様の加熱酸化層１５
を形成しても、前記と同様の結果が得られた。また、前
記加熱酸化層１５に代えて、加熱窒化層を形成した場合
にも前記と同様の結果が得られた。加熱窒化層は、窒化
しようとする磁性膜をスパッタリングした後、スパッタ
チャンバー内の窒素量を調整し、当該窒化しようとする
磁性膜を加熱することによって形成される。その他、透
明基板１１の材料や保護膜１４の材料、それに加熱酸化
層１５又は加熱窒化層の形成位置を第１実施例の説明欄
に表記したように変更しても、前記と同様の結果が得ら
れた。

【００２２】〈第３実施例〉以下、本発明の第３実施例
を図５及び図６に基づいて説明する。図５は本例に係る
光磁気記録媒体の要部断面図であり、図６は本実施例の
効果を示すグラフ図である。

【００２３】図５に示すように、本例の光磁気記録媒体
１は、第３の磁性膜５に接して、補助磁性膜１６設けた
ことを特徴とする。補助磁性膜１６としては、第３の磁
性層５に記録磁区が形成される温度（第３の磁性層５の
キュリー温度近傍又は補償温度近傍）で、遷移金属副格
子磁化が優勢な希土類−遷移金属系非晶質垂直磁化膜が
用いられる。その他、エンハンス膜１３、第１〜第３の
磁性膜３，４，５、保護層１４については、第１実施例
の場合と同じである。補助磁性膜１６は、他の薄膜と共
に連続スパッタリングされる。

【００２４】図６に、前記補助磁性膜１６として、膜厚
が５０Åの上記組成のＴｂＦｅＣｏ膜が設けられた前記
第３実施例に係る光磁気記録媒体と、前記第１実施例に
係る光磁気記録媒体との外部磁界特性を示す。このグラ
フ図から明らかなように、本例の光磁気記録媒体は、記
録方向及び消去方向に夫々約１００〔Ｏｅ〕以上の外部
磁界を印加するだけで飽和磁界に達することができ、第
１実施例の光磁気記録媒体に比べて約±１００〔Ｏｅ〕
も外部記録感度が向上している。これは、前記補助磁性
膜１６を形成することによって、記録磁区を形成しよう
とする領域又は消去しようとする領域に作用するその周
囲領域からの浮遊磁界が減少されるためであると考えら
れる。

【００２５】なお、前記第３実施例においては、第３の
磁性膜５の表面側（保護膜１４側）にのみ補助磁性膜１
６を形成したが、第３の磁性膜５の背面側（透明基板１
１側）に補助磁性膜１６を形成しても同様の結果が得ら
れた。また、第１の磁性膜３又は第２の磁性膜４の表面
に前記と同様の補助磁性膜１６を形成しても、前記と同
様の結果が得られた。その他、透明基板１１の材料や保
護膜１４の材料を第１実施例の説明欄に表記したように
変更しても、前記と同様の結果が得られた。

【００２６】〈第４実施例〉以下、本発明の第４実施例
を図７〜図１０に基づいて説明する。図７は補助磁性膜
中のＰｔ添加量と垂直磁気異方性定数との関係を示すグ
ラフ図、図８は補助磁性膜中のＰｔ添加量と残留カー回
転角との関係を示すグラフ図、図９は補助磁性膜中のＰ
ｔ添加量と再生ＣＮ比との関係を示すグラフ図、図１０
は補助磁性膜中のＰｔ添加量と記録信号を消去するに要
する最小消去磁界との関係を示すグラフ図である。

【００２７】本例の光磁気記録媒体は、前記第３実施例
に係る光磁気記録媒体の補助磁性膜１６を、Ｐｔ，Ｎ
ｂ，Ｎｄ，Ｈｏ，Ｇｄ，Ｃｒから選択された少なくとも
１種類の元素が添加された希土類−遷移金属系非晶質合
金にて形成したことを特徴とする。その他、エンハンス
膜１３、第１〜第３の磁性膜３，４，５、保護層１４に
ついては、第１実施例の場合と同じである。補助磁性膜
は、他の薄膜と共に連続スパッタリングされる。したが
って、本例の光磁気記録媒体の断面構造は、前記第３実
施例の光磁気記録媒体と同じになる（図５参照）。

【００２８】図７に、前記実施例４に係る光磁気記録媒
体における補助磁性膜中のＰｔ添加量と垂直磁気異方性
定数との関係を示す。この図から明らかなように、本例
の光磁気記録媒体の垂直磁気異方性エネルギは、補助磁
性膜中のＰｔ添加量を増加するにしたがって低下し、補
助磁性膜中のＰｔ添加量が約１３ａｔ％を超えると磁化
容易軸が膜面に垂直な方向に向く。一方図８に、この光
磁気記録媒体における補助磁性膜中のＰｔ添加量と残留
カー回転角との関係を示す。この図から明らかなよう
に、本例の光磁気記録媒体の残留カー回転角は、補助磁
性膜中のＰｔ添加量が約１０ａｔ％まではほぼ一定であ
るが、１０ａｔ％を超えると急激に低下する。これら図
７及び図８の結果から、補助磁性膜中に約１０原子％ま
でのＰｔを添加することによって、カー回転角を低下さ
せることなく垂直磁気異方性エネルギを低下させること
ができること、すなわち光磁気記録媒体の再生ＣＮ比を
低下することなく外部磁界感度を高められることがわか
る。

【００２９】図９に、Ｐｔを添加したＴｂＦｅＣｏ膜が
補助磁性膜として設けられた光磁気記録媒体の再生ＣＮ
比とＰｔ添加量との関係を示す。ただし、補助磁性膜の
膜厚を約５０Å、記録信号のパルス幅を６０ｎＳ、記録
磁区間のピッチを１．５３μｍ、媒体に対する光ビーム
の線速を７．５４ｍ／ｓとし、最大出力時のＣＮ比を測
定した。この図から明らかなように、本例の光磁気記録
媒体の再生ＣＮ比は、補助磁性膜中のＰｔ添加量が約１
０〜１２ａｔ％まではほぼ一定であるが、その値を超え
ると急激に低下する。図１０に、図９のデータをとるに
使用した光磁気記録媒体の消去磁界の大きさと補助磁性
膜中のＰｔ添加量との関係を示す。ただし、本例では、
記録時の搬送波レベルに対する消去後のノイズレベルが
−４０ｄＢとなるために必要な外部磁界の大きさをもっ
て消去磁界の大きさとした。この図から明らかなよう
に、補助磁性膜中にＰｔを添加すると、添加量が増加す
るにしたがって必要な消去磁界が小さくなる。しかし、
１０ａｔ％を超えるＰｔを添加しても消去磁界の低下度
がきわめて小さくなる。このことから、第３の磁性層５
に記録磁区が形成される温度で遷移金属副格子磁化が優
勢な希土類−遷移金属系非晶質垂直磁化膜からなる補助
磁性膜に約１０ａｔ％のＰｔを添加することによって、
消去磁界感度を極限まで高められることがわかる。

【００３０】なお、前記第４実施例では、補助磁性膜の
添加元素としてＰｔを用いたが、これに代えてＮｂ，Ｎ
ｄ，Ｈｏ，Ｇｄ，Ｃｒなどを用いても、前記と同様の結
果が得られた。その他、透明基板１１の材料や保護膜１
４の材料、それに補助磁性膜１６の形成位置を第３実施
例の説明欄に表記したように変更しても、前記と同様の
結果が得られた。

【００３１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
いわゆる超解像形の光磁気記録媒体を構成する第３の磁
性膜として、外部磁界感度が良好な室温で希土類副格子
磁化が優勢な組成の希土類−遷移金属系非晶質垂直磁化
膜を設けたので、従来技術に比べて格段に小さな外部磁
界で信号の記録、消去が可能になった。よって、ドライ
ブ装置の小型化、軽量化、省電力化、それに磁界変調方
式による信号のオーバーライトを実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例に係る光磁気記録媒体の要部断面図
である。

【図２】第１実施例に係る光磁気記録媒体の効果を示す
グラフ図である。

【図３】第２実施例に係る光磁気記録媒体の要部断面図
である。

【図４】第２実施例に係る光磁気記録媒体の効果を示す
グラフ図である。

【図５】第３実施例に係る光磁気記録媒体の要部断面図
である。

【図６】第３実施例に係る光磁気記録媒体の効果を示す
グラフ図である。

【図７】第４実施例に係る光磁気記録媒体の垂直磁気異
方性定数と補助磁性膜への白金添加量との関係を示すグ
ラフ図である。

【図８】第４実施例に係る光磁気記録媒体の残留カー回
転角と補助磁性膜への白金添加量との関係を示すグラフ
図である。

【図９】第４実施例に係る光磁気記録媒体の再生ＣＮ比
と補助磁性膜への白金添加量との関係を示すグラフ図で
ある。

【図１０】第４実施例に係る光磁気記録媒体の最小消去
磁界と補助磁性膜への白金添加量との関係を示すグラフ
図である。

【図１１】超解像の原理を示す説明図である。

【符号の説明】

１光磁気記録媒体３第１の磁性膜４第２の磁性膜５第３の磁性膜１１透明基板１３エンハンス膜１４保護膜１５加熱酸化層１６補助磁性膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】室温下で互いに磁気的に結合する第１、
第２、第３の希土類−遷移金属系非晶質垂直磁化膜が透
明基板上にこの順で積層され、前記各磁性膜のキュリー
温度及び保磁力が下記の(1) 〜(4) の条件を満たす光磁
気記録媒体において、前記第３の磁性膜を、室温下で希
土類副格子磁化が優勢な磁性膜をもって構成したことを
特徴とする光磁気記録媒体。 (1) Ｔ₀ ＜Ｔｃ₂ ＜Ｔｃ₁ ，Ｔｃ₃ (2) Ｈｃ₁ ＋Ｈｗ_(3,1) ＜Ｈｒ（再生時に最高温度まで
昇温される領域及びその近傍の領域において） (3) Ｈｃ₃ ＞Ｈｒ（室温から再生時の最高到達温度まで
の温度範囲において） (4) Ｈｃ₁＜Ｈｗ_(3,1) （室温時）但し、Ｔ₀ は室温、Ｔｃ₁ ，Ｔｃ₂ ，Ｔｃ₃ は夫々第
１、第２、第３の磁化膜のキュリー温度、Ｈｃ₁ ，Ｈｃ
₃ は夫々第１、第３の磁化膜の保磁力、Ｈｒは再生用外
部磁界の強度、Ｈｗ_(3,1) は第３の磁性膜が第１の磁性
膜に及ぼす交換磁界の強度である。
【請求項２】請求項１において、前記第１、第２、第
３の磁性膜のうち、少なくともいずれか１つの磁性膜の
表面に、希土類−遷移金属系非晶質合金の酸化物層又は
窒化物層を形成したことを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項３】請求項２において、前記酸化物層又は窒
化物層が、酸素量又は窒素量が調整された真空槽内で、
前記第１、第２、第３の磁性膜のいずれかを加熱処理し
て得られるものであることを特徴とする光磁気記録媒
体。
【請求項４】請求項１において、前記第１、第２、第
３の磁性膜のいずれかと接する部分に、当該接する磁性
膜との間で互いに交換結合力を作用する補助磁性膜を設
けたことを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項５】請求項４において、前記補助磁性膜が、
前記第３の磁性膜に記録磁区を形成する温度で遷移金属
副格子磁化が優勢な組成の希土類−遷移金属系非晶質磁
化膜であることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項６】請求項４において、前記補助磁性膜が、
前記第３の磁性膜に記録磁区を形成する温度で、当該第
３の磁性膜に印加される記録用外部磁界の方向に向く磁
気モーメント成分を有するものであることを特徴とする
光磁気記録媒体。
【請求項７】請求項１において、前記第３の磁性膜
に、白金、ニオブ、ネオジム、ホルミウム、ガドリニウ
ム、クロムから選択された少なくとも１種類の非磁性元
素が添加されていることを特徴とする光磁気記録媒体。