JPH05299542A - 放熱型半導体チップキャリア及び半導体装置 - Google Patents
放熱型半導体チップキャリア及び半導体装置Info
- Publication number
- JPH05299542A JPH05299542A JP4103072A JP10307292A JPH05299542A JP H05299542 A JPH05299542 A JP H05299542A JP 4103072 A JP4103072 A JP 4103072A JP 10307292 A JP10307292 A JP 10307292A JP H05299542 A JPH05299542 A JP H05299542A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- metal plate
- heat dissipation
- chip carrier
- semiconductor device
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 未充填部分がなく外観が良好で耐湿性優れた
半導体装置を得る。 【構成】 絶縁基板３に取付けられた金属板１の外側露
出表面に、金属板１の一端から他端まで溝状の凹部２を
有する放熱型半導体チップキャリアとこの放熱型半導体
チップキャリアの半導体チップ搭載用凹部７に実装され
た半導体チップを有し、この半導体チップの樹脂封止の
封止樹脂組成物８によって前記の溝状の凹部２の充填と
外殻体９の形成とが一体的になされている半導体装置。
半導体装置を得る。 【構成】 絶縁基板３に取付けられた金属板１の外側露
出表面に、金属板１の一端から他端まで溝状の凹部２を
有する放熱型半導体チップキャリアとこの放熱型半導体
チップキャリアの半導体チップ搭載用凹部７に実装され
た半導体チップを有し、この半導体チップの樹脂封止の
封止樹脂組成物８によって前記の溝状の凹部２の充填と
外殻体９の形成とが一体的になされている半導体装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体チップの搭載
に用いられる半導体チップキャリア及び半導体チップが
搭載され樹脂封止された半導体装置に関するものであ
り、特に放熱性に優れた半導体チップキャリア及び半導
体装置に関するものである。
に用いられる半導体チップキャリア及び半導体チップが
搭載され樹脂封止された半導体装置に関するものであ
り、特に放熱性に優れた半導体チップキャリア及び半導
体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップキャリアを構成する絶縁基
板にはガラス布を基材としたエポキシ樹脂積層板などの
プリント配線板が、近年用いられるようになってきてい
る。しかし、このようなプリント配線板では熱の伝導性
が悪く、搭載された半導体チップからの発熱を良好に放
熱をすることができない。
板にはガラス布を基材としたエポキシ樹脂積層板などの
プリント配線板が、近年用いられるようになってきてい
る。しかし、このようなプリント配線板では熱の伝導性
が悪く、搭載された半導体チップからの発熱を良好に放
熱をすることができない。
【０００３】かかる問題点を解決した放熱型半導体チッ
プキャリアが実開昭61-38997号公報に開示されている。
この開示技術を図５の断面図に例示する。絶縁基板３の
表面に導体回路５が形成され、該導体回路５の反対面で
ある基板裏面には凹部２及び凸部１５が片面に形成され
反対側の面が平らな金属板１が接着剤４を介して貼着さ
れ、かつ前記絶縁基板３の表面には金属板１の平らな部
分が露出するように半導体チップ搭載用凹部７が形成さ
れた半導体チップ搭載用基板であり、金属板１の表面に
凹部２及び凸部１５を配設する目的は、放熱面積の増大
による放熱性の改良にあり、樹脂封止における成形性に
ついて示唆する記載はない。
プキャリアが実開昭61-38997号公報に開示されている。
この開示技術を図５の断面図に例示する。絶縁基板３の
表面に導体回路５が形成され、該導体回路５の反対面で
ある基板裏面には凹部２及び凸部１５が片面に形成され
反対側の面が平らな金属板１が接着剤４を介して貼着さ
れ、かつ前記絶縁基板３の表面には金属板１の平らな部
分が露出するように半導体チップ搭載用凹部７が形成さ
れた半導体チップ搭載用基板であり、金属板１の表面に
凹部２及び凸部１５を配設する目的は、放熱面積の増大
による放熱性の改良にあり、樹脂封止における成形性に
ついて示唆する記載はない。
【０００４】また、図６に他の従来例の断面図を示す。
放熱用の金属板１を埋入して樹脂封止する半導体装置に
おいては、この金属板１の固着を確実にする工夫とし
て、外側に向かって萎むような傾斜側面、段違いを設け
ることがなされる。図７はこの半導体装置を得る樹脂封
止の際の、溶融した封止樹脂成形材料の流れを示す平面
図である。金属板１に溝状の凹部がないので溶融した封
止樹脂成形材料はゲート１４から金型に入った後、金属
板１に邪魔され矢印のように２手に分かれ金型の最も奥
の部分で合流することになり、この合流点において未充
填を生じ易い問題を有していた。
放熱用の金属板１を埋入して樹脂封止する半導体装置に
おいては、この金属板１の固着を確実にする工夫とし
て、外側に向かって萎むような傾斜側面、段違いを設け
ることがなされる。図７はこの半導体装置を得る樹脂封
止の際の、溶融した封止樹脂成形材料の流れを示す平面
図である。金属板１に溝状の凹部がないので溶融した封
止樹脂成形材料はゲート１４から金型に入った後、金属
板１に邪魔され矢印のように２手に分かれ金型の最も奥
の部分で合流することになり、この合流点において未充
填を生じ易い問題を有していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、放熱
型半導体チップキャリアを樹脂封止して形成するときの
封止樹脂成形材料の流れを良好にし、該成形材料の未充
填のない半導体装置が形成できる放熱型半導体チップキ
ャリアを提供しようとする。
型半導体チップキャリアを樹脂封止して形成するときの
封止樹脂成形材料の流れを良好にし、該成形材料の未充
填のない半導体装置が形成できる放熱型半導体チップキ
ャリアを提供しようとする。
【０００６】本発明の他の目的は、外観が良好で耐湿性
優れた半導体装置を提供しようとする。
優れた半導体装置を提供しようとする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の点に鑑みて為され
た第１の発明は、その特徴が絶縁基板に取付けられた金
属板の外側露出表面に、金属板の一端から他端まで溝状
の凹部を有する放熱型半導体チップキャリアにあり、第
２の発明は、その特徴が前記溝状の凹部に充填された封
止樹脂組成物によって外殻体が一体形成されてなる半導
体装置にある。
た第１の発明は、その特徴が絶縁基板に取付けられた金
属板の外側露出表面に、金属板の一端から他端まで溝状
の凹部を有する放熱型半導体チップキャリアにあり、第
２の発明は、その特徴が前記溝状の凹部に充填された封
止樹脂組成物によって外殻体が一体形成されてなる半導
体装置にある。
【０００８】
【実施例】以下に、本発明の一実施例を図面に基づいて
説明する。なお、本発明はこれら実施例に限定されるも
のではない。
説明する。なお、本発明はこれら実施例に限定されるも
のではない。
【０００９】図１（Ａ）は第１の本発明の一実施例を示
す断面図であり、図１（Ｂ）はその斜視図である。半導
体チップキャリアは四角形の絶縁基板３と、この絶縁基
板３の略中央に形成された貫通穴を閉じて半導体チップ
搭載用凹部７を形成するように接着剤４で取付けられた
金属板１と、絶縁基板３の表面に配設された導体回路５
と、この導体回路５の一端に接合して取付けられた外部
端子６とからなり、前記金属板１の外側露出面に、金属
板１の一端から他端まで溝状の凹部２がＶ字の断面形状
で平行線状に形成されている。図１（Ｃ）は第２の本発
明の一実施例の斜視図である。前記放熱型半導体チップ
キャリアの凹部７に半導体チップを搭載し、半導体チッ
プと絶縁基板の表面に配設された導体回路の一端を金線
でワイヤーボンデングしたものを成形金型にセットし、
樹脂封止して得られた半導体装置である。放熱用の金属
板１の表面において金属板の一端から他端へ形成された
溝状の凹部２に封止樹脂組成物８が充填して形成されて
いる。この溝状の凹部２に充填される封止樹脂組成物８
は放熱型半導体チップキャリアの外郭成形と同時に充填
される。したがって、この溝に充填した封止樹脂８は半
導体装置の外殻体９と一体のものなので、放熱用の金属
板１は封止樹脂組成物８で取り囲むように半導体装置に
確実に固着されることになり、金属板１の動きを抑制し
たり、外れることを阻止する。
す断面図であり、図１（Ｂ）はその斜視図である。半導
体チップキャリアは四角形の絶縁基板３と、この絶縁基
板３の略中央に形成された貫通穴を閉じて半導体チップ
搭載用凹部７を形成するように接着剤４で取付けられた
金属板１と、絶縁基板３の表面に配設された導体回路５
と、この導体回路５の一端に接合して取付けられた外部
端子６とからなり、前記金属板１の外側露出面に、金属
板１の一端から他端まで溝状の凹部２がＶ字の断面形状
で平行線状に形成されている。図１（Ｃ）は第２の本発
明の一実施例の斜視図である。前記放熱型半導体チップ
キャリアの凹部７に半導体チップを搭載し、半導体チッ
プと絶縁基板の表面に配設された導体回路の一端を金線
でワイヤーボンデングしたものを成形金型にセットし、
樹脂封止して得られた半導体装置である。放熱用の金属
板１の表面において金属板の一端から他端へ形成された
溝状の凹部２に封止樹脂組成物８が充填して形成されて
いる。この溝状の凹部２に充填される封止樹脂組成物８
は放熱型半導体チップキャリアの外郭成形と同時に充填
される。したがって、この溝に充填した封止樹脂８は半
導体装置の外殻体９と一体のものなので、放熱用の金属
板１は封止樹脂組成物８で取り囲むように半導体装置に
確実に固着されることになり、金属板１の動きを抑制し
たり、外れることを阻止する。
【００１０】図２（Ａ）は第１の本発明の他の一実施例
を示す断面図であり、図２（Ｂ）はその斜視図であり、
図１のものに比べ、金属板１の表面に形成された溝状の
凹部２の形状がＵ字で網目状に形成されたところに違い
のある放熱型半導体チップキャリアである。図２（Ｃ）
の斜視図はこの放熱型半導体チップキャリアを用いた第
２の本発明の半導体装置である。図１（Ｄ）はその断面
図であり、前記放熱型半導体チップキャリアの凹部７に
半導体チップ１６を搭載し、半導体チップ１６と絶縁基
板３の表面に配設された導体回路５の一端を金線１０で
ワイヤーボンデングしたものを成形金型にセットし、樹
脂封止して得られた半導体装置である。放熱用の金属板
１の表面において、金属板１の一端から他端へ形成され
た溝状の凹部２に封止樹脂組成物８が充填して形成され
ている。この溝状の凹部２に充填した封止樹脂組成物８
は半導体装置の外殻体９と一体のものなので、放熱用の
金属板１は封止樹脂組成物８で取り囲むように半導体装
置に確実に固着されることになり、金属板１の動きを抑
制したり、外れることを阻止する。
を示す断面図であり、図２（Ｂ）はその斜視図であり、
図１のものに比べ、金属板１の表面に形成された溝状の
凹部２の形状がＵ字で網目状に形成されたところに違い
のある放熱型半導体チップキャリアである。図２（Ｃ）
の斜視図はこの放熱型半導体チップキャリアを用いた第
２の本発明の半導体装置である。図１（Ｄ）はその断面
図であり、前記放熱型半導体チップキャリアの凹部７に
半導体チップ１６を搭載し、半導体チップ１６と絶縁基
板３の表面に配設された導体回路５の一端を金線１０で
ワイヤーボンデングしたものを成形金型にセットし、樹
脂封止して得られた半導体装置である。放熱用の金属板
１の表面において、金属板１の一端から他端へ形成され
た溝状の凹部２に封止樹脂組成物８が充填して形成され
ている。この溝状の凹部２に充填した封止樹脂組成物８
は半導体装置の外殻体９と一体のものなので、放熱用の
金属板１は封止樹脂組成物８で取り囲むように半導体装
置に確実に固着されることになり、金属板１の動きを抑
制したり、外れることを阻止する。
【００１１】放熱用の金属板１の表面において金属板の
一端から他端へ形成された溝状の凹部２の断面形状は、
Ｖ字、Ｕ字、角形、半円形などを適宜用いることができ
る。また、放熱用の金属板１に形成される溝状の凹部の
形状は、金属板の一端から他端へ平行なものや網目状に
クロスするものなどを用いることができる。中でも金属
板の一端から他端へ平行なものが好ましい。それは、封
止樹脂成形材料が金型内を円滑に流れるからである。
一端から他端へ形成された溝状の凹部２の断面形状は、
Ｖ字、Ｕ字、角形、半円形などを適宜用いることができ
る。また、放熱用の金属板１に形成される溝状の凹部の
形状は、金属板の一端から他端へ平行なものや網目状に
クロスするものなどを用いることができる。中でも金属
板の一端から他端へ平行なものが好ましい。それは、封
止樹脂成形材料が金型内を円滑に流れるからである。
【００１２】放熱用の金属板１に溝状の凹部２を形成す
る方法としては、大サイズの金属板から打ち抜かれたり
切り出だされた所定の金属板を再度、パンチングによる
ダブルパンチングや切削によって放熱用に仕立てること
ができるのは勿論、図３（Ａ）の斜視図に示した放熱用
金属板の加工方法を用いることができる。大サイズの金
属板１Ｍをダイ金型１３と溝を形成するための突起部１
１を有するポンチ金型１２の間に挿入し、一度のパンチ
ング加工によって図３（Ｂ）の斜視図に示すような金属
板１の一端から他端へ溝状の凹部２を有する所定寸法の
放熱用の金属板１を得ることができる。
る方法としては、大サイズの金属板から打ち抜かれたり
切り出だされた所定の金属板を再度、パンチングによる
ダブルパンチングや切削によって放熱用に仕立てること
ができるのは勿論、図３（Ａ）の斜視図に示した放熱用
金属板の加工方法を用いることができる。大サイズの金
属板１Ｍをダイ金型１３と溝を形成するための突起部１
１を有するポンチ金型１２の間に挿入し、一度のパンチ
ング加工によって図３（Ｂ）の斜視図に示すような金属
板１の一端から他端へ溝状の凹部２を有する所定寸法の
放熱用の金属板１を得ることができる。
【００１３】図４は、本発明の前記の放熱型半導体チッ
プキャリアを樹脂封止するときの封止樹脂成形材料の流
路を示した平面図である。半導体チップキャリアを樹脂
封止する際に、金型のゲート位置１４に対して、溶融し
た封止樹脂成形材料が円滑に流れるように放熱用の金属
板１の表面に溝状の凹部２を形成することによって、溶
融した封止樹脂が溝状の凹部２や金型内を通って金型の
最も奥の部分まで硬化が殆ど進行しない内に素早く流れ
て充填するので成形品である半導体装置に未充填が生じ
にくい。したがって、放熱用の金属板１に溝状の凹部２
を形成することによって高度な成形技術や高価な金型を
用いることなく、未充填部分のない外殻体の半導体装置
を得ることができる。
プキャリアを樹脂封止するときの封止樹脂成形材料の流
路を示した平面図である。半導体チップキャリアを樹脂
封止する際に、金型のゲート位置１４に対して、溶融し
た封止樹脂成形材料が円滑に流れるように放熱用の金属
板１の表面に溝状の凹部２を形成することによって、溶
融した封止樹脂が溝状の凹部２や金型内を通って金型の
最も奥の部分まで硬化が殆ど進行しない内に素早く流れ
て充填するので成形品である半導体装置に未充填が生じ
にくい。したがって、放熱用の金属板１に溝状の凹部２
を形成することによって高度な成形技術や高価な金型を
用いることなく、未充填部分のない外殻体の半導体装置
を得ることができる。
【００１４】絶縁基板３としては、基材に樹脂を含浸乾
燥して得られたプリプレグの樹脂を硬化させた絶縁材料
が用いられる。ここで絶縁材料の樹脂としては耐熱性、
耐湿性に優れかつ樹脂純度、特にイオン性不純物の少な
いものが好ましい。具体的には、エポキシ樹脂、ポリイ
ミド樹脂、フッ素樹脂、フェノ−ル樹脂、不飽和ポリエ
ステル樹脂、ＰＰＯ樹脂などが適している。なお絶縁材
料の基材としては、特に限定するものではないが、ガラ
ス繊維などの無機材料の方が耐熱性、耐湿性などに優れ
好ましい。また、耐熱性に優れた有機繊維布基材及びこ
れらの混成物を用いることもできる。
燥して得られたプリプレグの樹脂を硬化させた絶縁材料
が用いられる。ここで絶縁材料の樹脂としては耐熱性、
耐湿性に優れかつ樹脂純度、特にイオン性不純物の少な
いものが好ましい。具体的には、エポキシ樹脂、ポリイ
ミド樹脂、フッ素樹脂、フェノ−ル樹脂、不飽和ポリエ
ステル樹脂、ＰＰＯ樹脂などが適している。なお絶縁材
料の基材としては、特に限定するものではないが、ガラ
ス繊維などの無機材料の方が耐熱性、耐湿性などに優れ
好ましい。また、耐熱性に優れた有機繊維布基材及びこ
れらの混成物を用いることもできる。
【００１５】本発明の金属板１としては銅板、銅合金
板、銅−インバ−−銅合金板、鉄−ニッケル合金板、そ
の他鋼板、鉄板、アルミニウム板などを適宜使用するこ
とができる。また、これら金属板の表面に金めっきなど
放熱性と腐食性に優れた保護被膜を形成したものを用い
ることができる。
板、銅−インバ−−銅合金板、鉄−ニッケル合金板、そ
の他鋼板、鉄板、アルミニウム板などを適宜使用するこ
とができる。また、これら金属板の表面に金めっきなど
放熱性と腐食性に優れた保護被膜を形成したものを用い
ることができる。
【００１６】半導体装置の外殻体９を形成するとともに
放熱用の金属板１に形成された溝状の凹部２に充填され
る封止樹脂成形材料の樹脂組成物の樹脂としては、エポ
キシ樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、
シリコーン樹脂などを単独、変性、混合組み合わせて用
いることができる。
放熱用の金属板１に形成された溝状の凹部２に充填され
る封止樹脂成形材料の樹脂組成物の樹脂としては、エポ
キシ樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、
シリコーン樹脂などを単独、変性、混合組み合わせて用
いることができる。
【００１７】第１の本発明の放熱型半導体チップキャリ
アは半導体チップ搭載用凹部７の底面が金属板１で形成
され、搭載された半導体チップ９から発生する熱は金属
板１に吸収され、空気中に効率良く放熱され、熱が金属
板１にこもることがない。さらに金属板１に熱伝導性に
優れたヒートシンクを取り付けることによって、一層放
熱効果を増加させることもできる。したがって、Ｉ／Ｏ
端子を多く必要とし発熱の大きな高集積化、高機能化、
高速化対応の半導体チップキャリアとして適する。
アは半導体チップ搭載用凹部７の底面が金属板１で形成
され、搭載された半導体チップ９から発生する熱は金属
板１に吸収され、空気中に効率良く放熱され、熱が金属
板１にこもることがない。さらに金属板１に熱伝導性に
優れたヒートシンクを取り付けることによって、一層放
熱効果を増加させることもできる。したがって、Ｉ／Ｏ
端子を多く必要とし発熱の大きな高集積化、高機能化、
高速化対応の半導体チップキャリアとして適する。
【００１８】
【作用】放熱型半導体チップキャリアを樹脂封止する
時、溶融した封止樹脂成形材料は、金型の各ゲートから
キャビティ内に入り放熱型半導体チップキャリアに配設
された金属板の表面に一端から他端まで形成された溝状
の凹部と金属板の周囲を通って充填していく。この場
合、溶融した封止樹脂の流路が多いので封止樹脂材料の
硬化が殆ど進行しない内に素早く円滑に金型に充填し、
溶融樹脂の合流点での相溶も円滑に進むので、金型内の
空気と封止樹脂との入替えが円滑にできるので未充填が
発生しにくくなるものと考えられる。
時、溶融した封止樹脂成形材料は、金型の各ゲートから
キャビティ内に入り放熱型半導体チップキャリアに配設
された金属板の表面に一端から他端まで形成された溝状
の凹部と金属板の周囲を通って充填していく。この場
合、溶融した封止樹脂の流路が多いので封止樹脂材料の
硬化が殆ど進行しない内に素早く円滑に金型に充填し、
溶融樹脂の合流点での相溶も円滑に進むので、金型内の
空気と封止樹脂との入替えが円滑にできるので未充填が
発生しにくくなるものと考えられる。
【００１９】
【発明の効果】本発明の放熱型半導体チップキャリアの
構造によって、放熱型半導体チップキャリアを樹脂封止
して形成するときの封止樹脂成形材料の流れを良好に
し、封止樹脂成形材料の未充填のない半導体装置が形成
できる。未充填がない半導体装置なので、外観が良好で
耐湿性優れた半導体装置を得ることができる。
構造によって、放熱型半導体チップキャリアを樹脂封止
して形成するときの封止樹脂成形材料の流れを良好に
し、封止樹脂成形材料の未充填のない半導体装置が形成
できる。未充填がない半導体装置なので、外観が良好で
耐湿性優れた半導体装置を得ることができる。
【図１】（Ａ）第１の本発明の一実施例を示す断面図で
ある。 （Ｂ）図１（Ａ）の斜視図である。 （Ｃ）図１（Ｂ）を用いた第２の本発明の一実施例を示
す斜視図である。
ある。 （Ｂ）図１（Ａ）の斜視図である。 （Ｃ）図１（Ｂ）を用いた第２の本発明の一実施例を示
す斜視図である。
【図２】（Ａ）第１の本発明の他の一実施例を示す断面
図である。 （Ｂ）図２（Ａ）の斜視図である。 （Ｃ）図２（Ｂ）を用いた第２の本発明の一実施例を示
す斜視図である。 （Ｄ）図２（Ｃ）の断面図である。
図である。 （Ｂ）図２（Ａ）の斜視図である。 （Ｃ）図２（Ｂ）を用いた第２の本発明の一実施例を示
す斜視図である。 （Ｄ）図２（Ｃ）の断面図である。
【図３】（Ａ） 本発明の放熱用金属板の加工を示す斜
視図である。 （Ｂ） 図３（Ａ）で得られた放熱用金属板を示す斜視
図である。
視図である。 （Ｂ） 図３（Ａ）で得られた放熱用金属板を示す斜視
図である。
【図４】本発明の一実施例を示す平面図である。
【図５】一従来例を示す断面図である。
【図６】他の一従来例を示す断面図である。
【図７】一従来例を示す平面図である。
１ 金属板 ２ 凹部 ３ 絶縁基板 ４ 接着剤 ５ 導体回路 ６ 外部端子 ７ 半導体チップ搭載用凹部 ８ 封止樹脂組成物 ９ 外殻体 １０ 金線 １１ 突起部 １２ ポンチ金型 １３ ダイ金型 １４ ゲート １５ 凸部 １６ 半導体チップ １Ｍ 大サイズの金属板
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁基板に取付けられた金属板の外側露
出表面に、金属板の一端から他端まで溝状の凹部を有す
ることを特徴とする放熱型半導体チップキャリア。 - 【請求項２】 請求項１記載の溝状の凹部に充填された
封止樹脂組成物によって外殻体が一体形成されてなるこ
とを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4103072A JPH05299542A (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | 放熱型半導体チップキャリア及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4103072A JPH05299542A (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | 放熱型半導体チップキャリア及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299542A true JPH05299542A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=14344453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4103072A Pending JPH05299542A (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | 放熱型半導体チップキャリア及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05299542A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013161956A (ja) * | 2012-02-06 | 2013-08-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JP2013258387A (ja) * | 2012-05-15 | 2013-12-26 | Rohm Co Ltd | パワーモジュール半導体装置 |
-
1992
- 1992-04-22 JP JP4103072A patent/JPH05299542A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013161956A (ja) * | 2012-02-06 | 2013-08-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JP2013258387A (ja) * | 2012-05-15 | 2013-12-26 | Rohm Co Ltd | パワーモジュール半導体装置 |
| US9691673B2 (en) | 2012-05-15 | 2017-06-27 | Rohm Co., Ltd. | Power module semiconductor device |
| JP2018061066A (ja) * | 2012-05-15 | 2018-04-12 | ローム株式会社 | パワーモジュール半導体装置 |
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