JPH0529954B2 - - Google Patents
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- JPH0529954B2 JPH0529954B2 JP8238485A JP8238485A JPH0529954B2 JP H0529954 B2 JPH0529954 B2 JP H0529954B2 JP 8238485 A JP8238485 A JP 8238485A JP 8238485 A JP8238485 A JP 8238485A JP H0529954 B2 JPH0529954 B2 JP H0529954B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- patterns
- rectangular
- arc
- circular
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はパターン発生方法に係り、特に、円弧
状パターンを発生させるのに好適なパターン発生
方法に関する。
状パターンを発生させるのに好適なパターン発生
方法に関する。
LSI等の回路パターンは、一般に、パターンジ
エネレータと呼ばれる描画装置によつて描かれ
る。この描画装置は、回路パターンを様々な大き
さの矩形パターンの集合とみなし、夫々の矩形パ
ターンを逐一露光することにより、レチクルを製
造するものである。
エネレータと呼ばれる描画装置によつて描かれ
る。この描画装置は、回路パターンを様々な大き
さの矩形パターンの集合とみなし、夫々の矩形パ
ターンを逐一露光することにより、レチクルを製
造するものである。
そして、レチクル上に描画された回路パターン
の検査は、例えば「電子材料」1983年９月号38頁
〜51頁に論じられているように、手本となる設計
パターンと被検査レチクル上のパターンとを比較
することにより行なわれる。この設計パターン
は、パターンジエネレータ駆動用のデータをビデ
オ信号の展開に便利になるように変換した検査用
データから電気的に発生される。つまり、検査用
データを２次元パターンとしてメモリ上に展開す
ることにより設計パターンを発生させる。一方、
被検査レチクルの拡大像を光電変換素子により電
気信号に変換し、これを前述と同様にメモリ上に
展開する。そして、このようにメモリ上に展開さ
れた設計パターンとレチクルの回路パターンとを
比較し、差違が生じた場合には被検査レチクルを
欠陥アリと判定する。
の検査は、例えば「電子材料」1983年９月号38頁
〜51頁に論じられているように、手本となる設計
パターンと被検査レチクル上のパターンとを比較
することにより行なわれる。この設計パターン
は、パターンジエネレータ駆動用のデータをビデ
オ信号の展開に便利になるように変換した検査用
データから電気的に発生される。つまり、検査用
データを２次元パターンとしてメモリ上に展開す
ることにより設計パターンを発生させる。一方、
被検査レチクルの拡大像を光電変換素子により電
気信号に変換し、これを前述と同様にメモリ上に
展開する。そして、このようにメモリ上に展開さ
れた設計パターンとレチクルの回路パターンとを
比較し、差違が生じた場合には被検査レチクルを
欠陥アリと判定する。
設計パターンの発生方法としては、従来、第16
回SICE学術講演会予稿No.2706「図形パターン発生
方法」や特公昭59−4709号広報に開示された方法
が知られている。これ等従来のパターン発生方法
は、LSI等の回路パターンが矩形パターンのみで
構成されていることに着目し矩形の頂点座標に基
づいて該矩形パターンを２次元平面上に発生させ
るものである。
回SICE学術講演会予稿No.2706「図形パターン発生
方法」や特公昭59−4709号広報に開示された方法
が知られている。これ等従来のパターン発生方法
は、LSI等の回路パターンが矩形パターンのみで
構成されていることに着目し矩形の頂点座標に基
づいて該矩形パターンを２次元平面上に発生させ
るものである。
斯かる従来のパターン発生方法を、例えばプリ
ント板等の回路パターンに適用するには次の様な
困難が生ずる。それは、プリント板等の回路パタ
ーンは矩形パターンに限らず円状、円弧状のパタ
ーンを含む為である。プリント板のパターン描画
においては、例えば円形パターンを描画する場
合、円形アパーチヤを適当な大きさに拡大又は縮
小して投影し、マスクを作成している。また、円
弧あるいは直線等のパターンについても同様で、
円あるいは矩形のアパーチヤを、NC機械で光投
影してパターン作成をしている。
ント板等の回路パターンに適用するには次の様な
困難が生ずる。それは、プリント板等の回路パタ
ーンは矩形パターンに限らず円状、円弧状のパタ
ーンを含む為である。プリント板のパターン描画
においては、例えば円形パターンを描画する場
合、円形アパーチヤを適当な大きさに拡大又は縮
小して投影し、マスクを作成している。また、円
弧あるいは直線等のパターンについても同様で、
円あるいは矩形のアパーチヤを、NC機械で光投
影してパターン作成をしている。
斯かるプリント板等の回路パターン発生に、前
述したLSI等のパターン発生方法を適用すると、
矩形だけのデータしかないため、円弧や円あるい
は鋭角パターンの発生は困難である。すなわち上
記円弧、円、鋭角パターンを分割して矩形の集合
で表現しようとすると、矩形パターンデータの数
が膨大になり、メモリ容量が増大する等ハードウ
エハ規模が大きくなり、実現が困難となる。
述したLSI等のパターン発生方法を適用すると、
矩形だけのデータしかないため、円弧や円あるい
は鋭角パターンの発生は困難である。すなわち上
記円弧、円、鋭角パターンを分割して矩形の集合
で表現しようとすると、矩形パターンデータの数
が膨大になり、メモリ容量が増大する等ハードウ
エハ規模が大きくなり、実現が困難となる。
本発明の目的は、メモリ容量の増大を極力低減
して、円、円弧あるいは、直線と円弧の組合せ形
状パターン、円と直線の組合せ形状パターン等の
パターン発生方法を提供することにある。
して、円、円弧あるいは、直線と円弧の組合せ形
状パターン、円と直線の組合せ形状パターン等の
パターン発生方法を提供することにある。
本発明においては、直線上、または円弧上を移
動して描かれる図形パターンを、移動の始点位置
における第１のパターンと、移動の終点位置にお
ける第２のパターンと、移動中に描かれる第３の
パターンの少なくとも３つのパターンに分割して
記憶させておき、前記図形パターンを発生させる
場合には、分割した各々のパターンをパターン発
生順にラスタスキヤン形式で発生させ、これ等を
合成することを特徴とする。
動して描かれる図形パターンを、移動の始点位置
における第１のパターンと、移動の終点位置にお
ける第２のパターンと、移動中に描かれる第３の
パターンの少なくとも３つのパターンに分割して
記憶させておき、前記図形パターンを発生させる
場合には、分割した各々のパターンをパターン発
生順にラスタスキヤン形式で発生させ、これ等を
合成することを特徴とする。
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明
する。
する。
第１図は本発明実施例を適用したパターン検査
装置の全体構成を示すものである。XYステージ
１の上に被検査物体であるマスク２が載置され
る。上記XYステージ１はステージ制御装置３に
より、Ｘ，Ｙ方向に移動コントロールされる。こ
のときの移動量は座標測長回路４により測定され
る。一方、マスク２はマスク２の下方に設置した
照明光源５により照明され、照明されたマスク２
のパターン像は、マスク２の上方に設置した対物
レンズ６により、撮像器７に投影検出される。ま
た、マスク２を製造する際に用いた設計データ
を、検査に適したフオーマツトに変換して検査デ
ータ８とし、設計パターン発生器９でマスク２に
対応した手本パターン信号１０を発生する。この
手本パターン信号１０は撮像器７で検出した検査
パターン信号１１に対応するもので、両者の読出
しの同期は、座標測長器４から得られるXYステ
ージ１の座標値をマイクロプロセツサ１２に入力
し、この指令値にもとずいて設計パターンを発生
させることによりコントロールしている。設計パ
ターン信号１０と検査パターン信号１１は比較器
１３により比較され、あらかじめ決められた欠陥
判定アゴリズムに従い欠陥と判定されれば、マイ
クロプロセツサ１２が欠陥の座標と種類を分類し
て、欠陥記録装置１３１に記録し、後に修正に用
いる。
装置の全体構成を示すものである。XYステージ
１の上に被検査物体であるマスク２が載置され
る。上記XYステージ１はステージ制御装置３に
より、Ｘ，Ｙ方向に移動コントロールされる。こ
のときの移動量は座標測長回路４により測定され
る。一方、マスク２はマスク２の下方に設置した
照明光源５により照明され、照明されたマスク２
のパターン像は、マスク２の上方に設置した対物
レンズ６により、撮像器７に投影検出される。ま
た、マスク２を製造する際に用いた設計データ
を、検査に適したフオーマツトに変換して検査デ
ータ８とし、設計パターン発生器９でマスク２に
対応した手本パターン信号１０を発生する。この
手本パターン信号１０は撮像器７で検出した検査
パターン信号１１に対応するもので、両者の読出
しの同期は、座標測長器４から得られるXYステ
ージ１の座標値をマイクロプロセツサ１２に入力
し、この指令値にもとずいて設計パターンを発生
させることによりコントロールしている。設計パ
ターン信号１０と検査パターン信号１１は比較器
１３により比較され、あらかじめ決められた欠陥
判定アゴリズムに従い欠陥と判定されれば、マイ
クロプロセツサ１２が欠陥の座標と種類を分類し
て、欠陥記録装置１３１に記録し、後に修正に用
いる。
本発明実施例は、第１図に示した例では、設計
パターン発生器９に関するもので、その具体的構
成、方法を次に説明する。
パターン発生器９に関するもので、その具体的構
成、方法を次に説明する。
第２図はプリント基板のパターンの一部を示す
もので、一定間隔の格子点にパツドと称する電極
パターン１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄが配置
されている。このパツドは、円形１４ａのものも
あれば、長方形１４ｂ、正方形１４ｃ、ひし形１
４ｄ等種々の形状がある。信号線１５がパツド間
を連結している。これらのパターンは、ホトプロ
ツタと称される描画機により作成される。この装
置は、例えば、円形１４ａのパツドを描画する場
合、これに対応する適当な大きさのアパーチヤー
を適当な倍率に拡大、縮小して作成すべきマスク
上に光学系を用いて投影し作成する。又、信号線
１５のようなパターンは、上記の円形１４ａより
もさらに小さい円形もしくは矩形のアパーチヤを
用いて投影し、Ｘ，Ｙに移動しながら、直線や、
円弧形状のパターンを描画する。
もので、一定間隔の格子点にパツドと称する電極
パターン１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄが配置
されている。このパツドは、円形１４ａのものも
あれば、長方形１４ｂ、正方形１４ｃ、ひし形１
４ｄ等種々の形状がある。信号線１５がパツド間
を連結している。これらのパターンは、ホトプロ
ツタと称される描画機により作成される。この装
置は、例えば、円形１４ａのパツドを描画する場
合、これに対応する適当な大きさのアパーチヤー
を適当な倍率に拡大、縮小して作成すべきマスク
上に光学系を用いて投影し作成する。又、信号線
１５のようなパターンは、上記の円形１４ａより
もさらに小さい円形もしくは矩形のアパーチヤを
用いて投影し、Ｘ，Ｙに移動しながら、直線や、
円弧形状のパターンを描画する。
本実施例では、円形アパーチヤで描かれたパタ
ーンを例にとり説明する。尚、撮像装置７（第１
図）に一次元イメージセンサ（例えばCCD）を
用いた場合を説明する。検査パターンを得るため
の２次元走査は、CCD自体の走査（Ｘ方向）と、
XY走査ステージの走査（Ｙ方向）の移動によつ
て行なう。即ち、ラスタスキヤンでパターン検出
を行なう。この為、設計パターンの発生もラスタ
スキヤンで行なうことになる。
ーンを例にとり説明する。尚、撮像装置７（第１
図）に一次元イメージセンサ（例えばCCD）を
用いた場合を説明する。検査パターンを得るため
の２次元走査は、CCD自体の走査（Ｘ方向）と、
XY走査ステージの走査（Ｙ方向）の移動によつ
て行なう。即ち、ラスタスキヤンでパターン検出
を行なう。この為、設計パターンの発生もラスタ
スキヤンで行なうことになる。
第３図イに示したパターン１６は円形パターン
を直線移動したものの例であり、同図ロに示した
パターン１７は円形パターンを円弧移動したもの
の例である。本発明では、パターン１６を始点円
１８、移動部四辺形１９及び終点円２０に分割
し、パターン１７を始点円２１、移動部円弧２２
及び終点円２３に分割して各部分パターンを発生
させ、これ等を合成してパターン１６，１７を得
る。
を直線移動したものの例であり、同図ロに示した
パターン１７は円形パターンを円弧移動したもの
の例である。本発明では、パターン１６を始点円
１８、移動部四辺形１９及び終点円２０に分割
し、パターン１７を始点円２１、移動部円弧２２
及び終点円２３に分割して各部分パターンを発生
させ、これ等を合成してパターン１６，１７を得
る。
第４図は設計パターン発生器の詳細構成図であ
る。第４図における図形データは、設計パターン
データを検査に適したフオーマツトに変換したも
のであり、この図形データ中には、第３図のパタ
ーン１６の例では、始点円１８、終点円２０の円
形を示すレコード及び始点と終点の座標情報、更
に、パターン１９の矩形コードと該矩形の四頂点
座標情報がある。これ等の情報は、パターンの出
現順、即ち始点円１８、矩形四辺形１９、終点円
２０の順に並んでいる。同様に、第３図のパター
ン１７の例では、始点円２１、円弧２２、終点円
２３の順にデータが並んでいる。
る。第４図における図形データは、設計パターン
データを検査に適したフオーマツトに変換したも
のであり、この図形データ中には、第３図のパタ
ーン１６の例では、始点円１８、終点円２０の円
形を示すレコード及び始点と終点の座標情報、更
に、パターン１９の矩形コードと該矩形の四頂点
座標情報がある。これ等の情報は、パターンの出
現順、即ち始点円１８、矩形四辺形１９、終点円
２０の順に並んでいる。同様に、第３図のパター
ン１７の例では、始点円２１、円弧２２、終点円
２３の順にデータが並んでいる。
第４図のパターン発生部選択回路２４に図形デ
ータが入力されると、パターンの形状を示す図形
データ情報により、アパーチヤパターン発生部２
５、矩形パターン発生部２６、円弧パターン発生
部２７のいずれかに入力される。アパーチヤパタ
ーン発生部２５は、円形あるいは矩形のパターン
を発生するもので、上記第３図イ，ロの例では始
点円１８，２１、終点円２０，２３を発生する。
矩形パターン発生部２６では、移動中の矩形形状
パターン１９を発生するものであり、円弧パター
ン発生部２７は第３図ロに示したような、円弧形
状パターン２２を発生するものである。このうち
アパーチヤーパターンの相対位置座標（円パター
ンの場合は、円を形成する外形の位置座標）はメ
モリ２８にあらかじめ記憶させておく。また、
XYステージ１のＹ座標情報は各々のパターン発
生部２５，２６，２７に入力される。一方、ラス
タースキヤンでパターンを発生するため、ビツト
列パターン発生器２９，３０，３１には、各パタ
ーン発生部２５，２６，２７の出力と、Ｘ座標情
報が入力されるようにしてある。ビツト列合成回
路３２は論理和回路で構成されており、各ビツト
列パターン発生回路の出力を論理和して、設計パ
ターンとして出力するものである。
ータが入力されると、パターンの形状を示す図形
データ情報により、アパーチヤパターン発生部２
５、矩形パターン発生部２６、円弧パターン発生
部２７のいずれかに入力される。アパーチヤパタ
ーン発生部２５は、円形あるいは矩形のパターン
を発生するもので、上記第３図イ，ロの例では始
点円１８，２１、終点円２０，２３を発生する。
矩形パターン発生部２６では、移動中の矩形形状
パターン１９を発生するものであり、円弧パター
ン発生部２７は第３図ロに示したような、円弧形
状パターン２２を発生するものである。このうち
アパーチヤーパターンの相対位置座標（円パター
ンの場合は、円を形成する外形の位置座標）はメ
モリ２８にあらかじめ記憶させておく。また、
XYステージ１のＹ座標情報は各々のパターン発
生部２５，２６，２７に入力される。一方、ラス
タースキヤンでパターンを発生するため、ビツト
列パターン発生器２９，３０，３１には、各パタ
ーン発生部２５，２６，２７の出力と、Ｘ座標情
報が入力されるようにしてある。ビツト列合成回
路３２は論理和回路で構成されており、各ビツト
列パターン発生回路の出力を論理和して、設計パ
ターンとして出力するものである。
次にアパーチヤーパターン発生部２５、矩形パ
ターン発生部２６、円弧パターン発生部２７つい
て詳細に説明する。
ターン発生部２６、円弧パターン発生部２７つい
て詳細に説明する。
例えば第５図イに示す円形パターン３３は、各
走査線３４における始点Xsi（ｉ＝１〜ｎ）と終点
Xei（ｉ＝１〜ｎ）の情報を、パターンの中心Xsp
からの相対座標で、第５図ロに例示するようにメ
モリ２８内に記憶させておく。即ち、走査線Ｙ上
でのパターンの始点をXSとすると、XS＝XSi＋
XSO、終点をXeとすると、Xe＝Xei＋XSO（ここで
ｉ＝１〜ｎ）となる。上記Xs，Xeは第５図イで、
Ｙが、 Ysp−ｎ／２＋ｉ≦Ｙ≦Ysp＋ｎ／２＋ｉ（ｉ＝１〜ｎ
） の範囲において発生するようにしておく。
走査線３４における始点Xsi（ｉ＝１〜ｎ）と終点
Xei（ｉ＝１〜ｎ）の情報を、パターンの中心Xsp
からの相対座標で、第５図ロに例示するようにメ
モリ２８内に記憶させておく。即ち、走査線Ｙ上
でのパターンの始点をXSとすると、XS＝XSi＋
XSO、終点をXeとすると、Xe＝Xei＋XSO（ここで
ｉ＝１〜ｎ）となる。上記Xs，Xeは第５図イで、
Ｙが、 Ysp−ｎ／２＋ｉ≦Ｙ≦Ysp＋ｎ／２＋ｉ（ｉ＝１〜ｎ
） の範囲において発生するようにしておく。
第６図はアパーチヤパターン発生部の詳細構成
図で、XYステージの座標値Ｙと、図形データよ
り得られる円形パターンの中心座標情報Xsp，
Ysp、さらに円形パターンの大きさによつて決ま
る定数ｎ／２が入力されると、演算器３５でXs，
Xeのアドレスｉが求められる。このアドレスｉ
は、Ｙ座標が変化する毎に１スキヤンインクリメ
ントされているか否かをアドレス指定回路３６で
判定され、インクリメントされていれば、メモリ
３７よりXs，Xeを出力する。この出力を、マス
ク上での絶対座標に対応させるため加算器３８，
加算器３９で円形パターンの中心座標情報Xspと
加算して出力する。
図で、XYステージの座標値Ｙと、図形データよ
り得られる円形パターンの中心座標情報Xsp，
Ysp、さらに円形パターンの大きさによつて決ま
る定数ｎ／２が入力されると、演算器３５でXs，
Xeのアドレスｉが求められる。このアドレスｉ
は、Ｙ座標が変化する毎に１スキヤンインクリメ
ントされているか否かをアドレス指定回路３６で
判定され、インクリメントされていれば、メモリ
３７よりXs，Xeを出力する。この出力を、マス
ク上での絶対座標に対応させるため加算器３８，
加算器３９で円形パターンの中心座標情報Xspと
加算して出力する。
次に矩形パターン発生部について説明する。第
７図に矩形パターンの一例を示す。矩形パターン
の場合は、第４図に示した図形データにより４頂
点の座標情報（X1，Y1）（X2，Y2）（X3，Y3）
（X4，Y4）が得られるため、矩形と走査線３４の
なす角θを求めることにより、走査線３４上での
パターンの始点Xs、終点Xeを求めることが出来
る。
７図に矩形パターンの一例を示す。矩形パターン
の場合は、第４図に示した図形データにより４頂
点の座標情報（X1，Y1）（X2，Y2）（X3，Y3）
（X4，Y4）が得られるため、矩形と走査線３４の
なす角θを求めることにより、走査線３４上での
パターンの始点Xs、終点Xeを求めることが出来
る。
θは次式で与えられる。
θ＝tan-1Y3−Y1／X3−X1
また、走査線３４上での始点Xs、終点Xeは次
のように計算される。
のように計算される。
Y1≦Ｙ≦Y3
Xs＝X1−（Ｙ−Y1）×cotθ
Y3≦Ｙ≦Y4
Xs＝X3＋（Ｙ−Y3）×tanθ
Y1≦Ｙ≦Y2
Xe＝X1＋（Ｙ−Y1）×tanθ
Y2≦Ｙ≦Y4
Xe＝X2−（Ｙ−Y2）×cotθ
ここでＹはXYステージの座標値である。
第８図は矩形パターン発生部の詳細構成図で矩
形の頂点座標（X1，Y1）、（X2，Y2）、（X3，
Y3）、（X4，Y4）と、XYステージのＹ座標が入
力されると、演算器４０により、θおよび、
tanθ，cotθが前述の各式に基づいて演算される。
演算器４１においては、Ｙ−Y1，Ｙ−Y2Y−Y3
が演算される。上記演算器４０，４１の出力は
Xs，Xeを求めるための演算器４２に入力される。
又、比較器４３においてはＹの座標値の判定をす
る。比較器４４は比較器４３の出力にもとずき
Xsを選択して出力する。同時に比較器４５では
比較器４３の出力にもとづきXeを選択して出力
する。
形の頂点座標（X1，Y1）、（X2，Y2）、（X3，
Y3）、（X4，Y4）と、XYステージのＹ座標が入
力されると、演算器４０により、θおよび、
tanθ，cotθが前述の各式に基づいて演算される。
演算器４１においては、Ｙ−Y1，Ｙ−Y2Y−Y3
が演算される。上記演算器４０，４１の出力は
Xs，Xeを求めるための演算器４２に入力される。
又、比較器４３においてはＹの座標値の判定をす
る。比較器４４は比較器４３の出力にもとずき
Xsを選択して出力する。同時に比較器４５では
比較器４３の出力にもとづきXeを選択して出力
する。
第９図は円弧パターンの一例を示すものであ
る。円弧パターンの場合も、第４図に示した図形
データにより、円弧の頂点座標（X1，Y1）、
（X2，Y2）、（X3，Y3）、（X4，Y4）と、円弧の中
心座標（Xc，Yc）とから得られる。これらの情
報をもとにまず、円弧の外径R1と内径R2さらに
走査線３４と直線部のなす角α1，α2を求める。そ
の算出は下式により行なう。
る。円弧パターンの場合も、第４図に示した図形
データにより、円弧の頂点座標（X1，Y1）、
（X2，Y2）、（X3，Y3）、（X4，Y4）と、円弧の中
心座標（Xc，Yc）とから得られる。これらの情
報をもとにまず、円弧の外径R1と内径R2さらに
走査線３４と直線部のなす角α1，α2を求める。そ
の算出は下式により行なう。
R1＝√（1−c）2＋（1−c）2
R2＝√（2−c）2＋（2−c）2
α1＝tan-1Y2−Y1／X2−X1
α2＝tan-1Y4−Y3／X4−X3
これ等の情報から、各走査線３４上のパターン
始点Xs、終点Xeを次のように算出する。
始点Xs、終点Xeを次のように算出する。
Y1≦Ｙ≦Y3
Xs＝Xc−√1 2−（−c）2
Y3≦Ｙ≦Y4
Xs＝X3＋cotα2×（Ｙ−Y3）
Y1≦Ｙ≦Y2
Xe＝X1＋cotα1×（Ｙ−Y1）
Y2≦Ｙ≦Y4
Xe＝Xc−√2−（−c）2
ここでＹはXYステージの座標値である。
第１０図は円弧パターン発生部の詳細構成図で
円弧の頂点座標（X1，Y1）、（X2，Y2）、（X3，
Y3）、（X4，Y4）と、円弧の中心座標（Xc，Yc）
及びXYステージのＹ座標が入力されると、演算
器４６によりR1，R2，α1，α2等が演算され、比
較器４７によりＹ座標値が判定される。演算器４
６の出力値は演算器４８に入力されてXs，Xeが
算出され、比較器４９は演算器４８と比較器４７
との出力に基づいてXs値を選択し、比較器５０
は同様にしてXe値を選択する。
円弧の頂点座標（X1，Y1）、（X2，Y2）、（X3，
Y3）、（X4，Y4）と、円弧の中心座標（Xc，Yc）
及びXYステージのＹ座標が入力されると、演算
器４６によりR1，R2，α1，α2等が演算され、比
較器４７によりＹ座標値が判定される。演算器４
６の出力値は演算器４８に入力されてXs，Xeが
算出され、比較器４９は演算器４８と比較器４７
との出力に基づいてXs値を選択し、比較器５０
は同様にしてXe値を選択する。
この様に、アパーチヤパターン発生部２５（第
４図）、矩形パターン発生部２６、円弧パターン
発生部２７からXs値、Xe値が出力されると、こ
れ等は対応するビツト列パターン発生器２９，３
０，３１に入力される。これ等のビツト列パター
ン発生器２９，３０，３１は、例えば、Ｒ−Ｓ型
フリツプフロツプで構成され、Ｘ座標がXsに一
致したとき“１”が出力され、Xeに一致したと
き“０”が出力されるようにしてある。
４図）、矩形パターン発生部２６、円弧パターン
発生部２７からXs値、Xe値が出力されると、こ
れ等は対応するビツト列パターン発生器２９，３
０，３１に入力される。これ等のビツト列パター
ン発生器２９，３０，３１は、例えば、Ｒ−Ｓ型
フリツプフロツプで構成され、Ｘ座標がXsに一
致したとき“１”が出力され、Xeに一致したと
き“０”が出力されるようにしてある。
ビツト列合成回路３２は、論理和回路で構成し
各ビツト列パターン発生器２９，３０，３１の出
力を論理和する。このように構成することによ
り、設計パターンの出力をラスタスキヤンに同期
して第３図イ，ロに示すパターン１６，１７を発
生することができる。
各ビツト列パターン発生器２９，３０，３１の出
力を論理和する。このように構成することによ
り、設計パターンの出力をラスタスキヤンに同期
して第３図イ，ロに示すパターン１６，１７を発
生することができる。
本実施例については説明を簡単化するために単
順なパターン形状について説明しているが、実際
のプリント板の回路パターンは円や直線が複雑に
描画されて回路を形成している。しかし本発明に
おいては、前述したように一つの描画単位を円、
直線、円というように３つに分割してパターンを
発生しているため、矩形データのみでパターンを
発生するよりはるかに少ないデータ数でパターン
の発生が可能となる。
順なパターン形状について説明しているが、実際
のプリント板の回路パターンは円や直線が複雑に
描画されて回路を形成している。しかし本発明に
おいては、前述したように一つの描画単位を円、
直線、円というように３つに分割してパターンを
発生しているため、矩形データのみでパターンを
発生するよりはるかに少ないデータ数でパターン
の発生が可能となる。
〔発明の効果〕
以上述べたように、本発明によれば、所定形状
パターンを移動して得られる図形パターンを少な
くとも３つに分割した部分パターンの合成として
発生させる様にしたので、メモリ容量を大幅に増
大させることなく、実用的な回路パターンを発生
させることができる。
パターンを移動して得られる図形パターンを少な
くとも３つに分割した部分パターンの合成として
発生させる様にしたので、メモリ容量を大幅に増
大させることなく、実用的な回路パターンを発生
させることができる。
第１図はパターン検査装置の全体構成図、第２
図イ，ロはプリント板のパターン構成図、第３図
イ，ロは本発明によるパターン発生方法の説明
図、第４図は第１図に示す設計パターン発生器の
詳細構成図、第５図イはアパーチヤパターン発生
の説明図で同図ロはメモリ構成図、第６図は第４
図のアパーチヤパターン発生部の詳細構成図、第
７図は矩形パターン発生の説明図第８図は第４図
の矩形パターン発生部の詳細構成図、第９図は円
弧パターン発生の説明図、第１０図は第４図に示
す円弧パターン発生部の詳細構成図である。 １……XYステージ、２……マスク、９……設
計パターン発生器、２４……パターン発生部選択
回路、２５……アパーチヤーパターン発生部、２
６……矩形パターン発生部、２７……円弧パター
ン発生部、２９，３０，３１……ビツト列パター
ン発生器、３２……ビツト列合成回路、２８……
メモリ、３４……走査線。
図イ，ロはプリント板のパターン構成図、第３図
イ，ロは本発明によるパターン発生方法の説明
図、第４図は第１図に示す設計パターン発生器の
詳細構成図、第５図イはアパーチヤパターン発生
の説明図で同図ロはメモリ構成図、第６図は第４
図のアパーチヤパターン発生部の詳細構成図、第
７図は矩形パターン発生の説明図第８図は第４図
の矩形パターン発生部の詳細構成図、第９図は円
弧パターン発生の説明図、第１０図は第４図に示
す円弧パターン発生部の詳細構成図である。 １……XYステージ、２……マスク、９……設
計パターン発生器、２４……パターン発生部選択
回路、２５……アパーチヤーパターン発生部、２
６……矩形パターン発生部、２７……円弧パター
ン発生部、２９，３０，３１……ビツト列パター
ン発生器、３２……ビツト列合成回路、２８……
メモリ、３４……走査線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 所定形状のパターンを移動させて描かれる図
形パターンを、移動の始点位置及び終点位置にお
ける前記所定形状と同形の第１パターン及び第２
パターンと、移動中にあたる矩形状あるいは円弧
状の第３パターンとに分割して記憶しておき、こ
れ等の第１パターン、第２パターン及び第３パタ
ーンをラスタスキヤンに同期して発生させ合成す
ることにより前記図形パターンを得るようにした
ことを特徴とするパターン発生方法。 ２ 前記第１パターン、第２パターン、第３パタ
ーンの外形線と各走査線との交点位置を記憶する
ことにより各第１パターン、第２パターン、第３
パターンを記憶することを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のパターン発生方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60082384A JPS61241996A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | パタ−ン発生方法 |
| KR1019850007653A KR900001976B1 (ko) | 1984-11-01 | 1985-10-17 | 다수 개의 패턴 발생기를 포함하는 패턴 검사 장치 |
| US06/793,219 US4744047A (en) | 1984-11-01 | 1985-10-31 | Pattern test apparatus including a plurality of pattern generators |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60082384A JPS61241996A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | パタ−ン発生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61241996A JPS61241996A (ja) | 1986-10-28 |
| JPH0529954B2 true JPH0529954B2 (ja) | 1993-05-06 |
Family
ID=13773085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60082384A Granted JPS61241996A (ja) | 1984-11-01 | 1985-04-19 | パタ−ン発生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61241996A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2747105B2 (ja) * | 1990-11-05 | 1998-05-06 | 富士通株式会社 | 画像データ検証方法及び装置 |
| US7000207B2 (en) * | 2003-04-10 | 2006-02-14 | Sioptical, Inc. | Method of using a Manhattan layout to realize non-Manhattan shaped optical structures |
-
1985
- 1985-04-19 JP JP60082384A patent/JPS61241996A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61241996A (ja) | 1986-10-28 |
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