JPH05299563A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 パッケージの下面領域も有効利用することが
できる表面実装型の樹脂封止パッケージを備えている半
導体装置およびその製造方法を提供する。 【構成】 ペレット１２、タブ４Ａ、インナリード８
Ａ、８Ｂ、８Ｃ群およびワイヤ１３群を樹脂封止する樹
脂封止パッケージ１４を備えている半導体装置におい
て、インナリード８Ａ、８Ｂ、８Ｃ群が互いに絶縁され
た状態で、かつ、各段の先端部９Ａ、９Ｂ、９Ｃが径方
向にずらされた状態で、階段状に積層されているととも
に、これら先端部９Ａ、９Ｂ、９Ｃに前記ワイヤ１３の
一端部がボンディングされることにより、前記半導体ペ
レットに電気的に接続されており、他方、各インナリー
ドに連設されたアウタリード６Ａ、６Ｂ、６Ｃのそれぞ
れは、その実装面が樹脂封止パッケージ１４の実装面に
おいてマトリックス状に配列されて、略同一面になるよ
うに露出されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造技
術、特に、表面実装型パッケージを備えている半導体装
置の製造技術に関し、例えば、半導体集積回路装置に利
用して有効なものに関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、多ピンを備えている半導体集積
回路装置（以下、ＩＣという。）のパッケージの形態と
しては、セラミック・ピン・グリッド・アレー・パッケ
ージ（以下、ＰＧＡという。）や、プラスチック・クワ
ッド・フラット・パッケージ（以下、ＱＦＰという。）
が広く知られている。

【０００３】なお、ＰＧＡ・ＩＣや、ＱＦＰ・ＩＣを述
べてある例としては、日経マグロウヒル社発行「別冊マ
イクロデバイセズＮＯ．２」１９８４年６月１１日発行
Ｐ１４８〜Ｐ１５４、がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、ＰＧＡ・ＩＣ
においては、高価であり、しかも、挿入型であるため、
実装作業性が劣るという問題点がある。

【０００５】他方、ＱＦＰ・ＩＣに代表される表面実装
型の樹脂封止パッケージを備えているＩＣにおいては、
実装基板における樹脂封止パッケージの下面に対向する
領域が無駄になるという問題点がある。

【０００６】本発明の目的は、パッケージの下面領域も
有効利用することができる表面実装型の樹脂封止パッケ
ージを備えている半導体装置およびその製造方法を提供
することにある。

【０００７】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。

【０００９】すなわち、電子回路が作り込まれている半
導体ペレットと、半導体ペレットがボンディングされて
いるタブと、タブの周囲に放射状に配線されている複数
本のインナリードと、各インナリードと半導体ペレット
との間にそれぞれ橋絡されているワイヤ群と、各インナ
リードにそれぞれ一体的に連設されているアウタリード
群と、前記半導体ペレット、タブ、インナリード群およ
びワイヤ群を樹脂封止する樹脂封止パッケージとを備え
ている半導体装置において、前記インナリード群が互い
に絶縁された状態で、かつ、各段の先端部が径方向にず
らされた状態で、階段状に積層されているとともに、こ
れら先端部に前記ワイヤの一端部がボンディングされる
ことにより、前記半導体ペレットに電気的に接続されて
おり、他方、前記アウタリードのそれぞれは、その一主
面が前記樹脂封止パッケージの一主面においてマトリッ
クス状に配列されて、その主面と略同一面になるように
露出されていることを特徴とする。

【００１０】

【作用】前記した手段によれば、アウタリード群は樹脂
封止パッケージの一主面において露出されているため、
表面実装が可能である。

【００１１】しかも、アウタリード群は樹脂封止パッケ
ージの一主面においてマトリックス状に配列されている
ため、樹脂封止パッケージの一主面を充分に有効利用し
た状態になっている。つまり、実装基板における樹脂封
止パッケージの実装面に対向する領域を活用することが
できる。

【００１２】また、樹脂封止パッケージが使用されてい
るため、ＰＧＡに比べて製造コストは充分に低減するこ
とができる。

【００１３】

【実施例】図１は本発明の一実施例である半導体装置の
実装状態を示す正面断面図、図２はその半導体装置を示
す裏面から見た一部省略斜視図である。図３以降は本発
明の一実施例である半導体装置の製造方法を示す各説明
図である。

【００１４】本実施例において、本発明に係る半導体装
置は、アウタリードが側面から外側に突出していない表
面実装型パッケージを備えている半導体集積回路装置
（以下、単に、半導体装置という。）１５として構成さ
れている。

【００１５】この半導体装置１５は、電子回路が作り込
まれている半導体ペレット１２と、半導体ペレット１２
がボンディングされているタブ４Ａと、このタブ４Ａの
周囲に放射状に配線されている複数本のインナリード８
Ａ、８Ｂ、８Ｃと、各インナリード８Ａ、８Ｂ、８Ｃと
半導体ペレット１２との間にそれぞれ橋絡されているワ
イヤ１３群と、各インナリード８Ａ、８Ｂ、８Ｃにそれ
ぞれ一体的に連設されているアウタリード６Ａ、６Ｂ、
６Ｃ群と、前記半導体ペレット１２、インナリード８
Ａ、８Ｂ、８Ｃ群およびワイヤ１３群を樹脂封止する樹
脂封止パッケージ１４とを備えている。

【００１６】前記インナリード８Ａ、８Ｂ、８Ｃ群は互
いに絶縁された状態で、かつ、各段の先端部が径方向に
ずらされた状態で、階段状に積層されているとともに、
これら先端部に形成されたボンディングエリア９Ａ、９
Ｂ、９Ｃに前記ワイヤ１３の一端部がそれぞれボンディ
ングされることにより、前記半導体ペレット１２に電気
的に接続されている。

【００１７】また、各インナリード８Ａ、８Ｂ、８Ｃの
立ち上がり部にはスリットＳが長手方向に長くそれぞれ
開設されており、各スリットＳには樹脂封止パッケージ
１４の樹脂が充填された状態になっている。この充填部
によって各インナリード８Ａ、８Ｂ、８Ｃは樹脂封止パ
ッケージ１４の実体部（ボデー）に強固に一体化されて
いる。

【００１８】さらに、樹脂封止パッケージ１４の中央部
に配置された第１インナリード８Ａの周方向の幅Ｗ1
は、その外側の第２インナリード８Ｂの幅Ｗ2 よりも狭
く形成されており、第２インナリード８Ｂの幅Ｗ2 は、
その外側の第３インナリード８Ｃの幅Ｗ3 よりも狭く形
成されている。したがって、内側へ行く程、各インナリ
ード８Ａ、８Ｂ、８Ｃの隣合うインナリード間のエアギ
ャップが広く設定されている。

【００１９】他方、前記アウタリード６Ａ、６Ｂ、６Ｃ
のそれぞれは、その下面が前記樹脂封止パッケージ１４
の下面においてマトリックス状に配列されて、その下面
と略同一面になるように露出されている。

【００２０】そして、前記構成に係る半導体装置１５は
次のような製造方法によって製造されている。

【００２１】以下、本発明の一実施例である半導体装置
の製造方法を説明する。この説明により、前記半導体装
置１５の構成の詳細が共に明らかにされる。

【００２２】この半導体装置の製造方法には、図３
（ａ）、（ｂ）に示されているリードフレーム組立体１
が使用される。リードフレーム組立体１は３枚のリード
フレーム２Ａ、２Ｂおよび２Ｃを備えている。これら３
枚のリードフレーム２Ａ、２Ｂおよび２Ｃは略相似形状
にそれぞれ形成されているので、第１リードフレーム２
Ａを代表例として、その構成を説明する。

【００２３】すなわち、リードフレーム２Ａは略正方形
枠形状に形成されている外枠３Ａを備えており、外枠３
Ａには略正方形の板形状に形成されているタブ４Ａが略
中央部に配されて、タブ吊りリード５Ａを介して外枠３
Ａよりも一方向（以下、上方向とする。）に所定高さだ
け差し上げて吊持されている。

【００２４】外枠３Ａにはアウタリード６Ａが複数本、
径方向内向きにそれぞれ突設されており、このアウタリ
ード６Ａ群は互いに平行になるように外枠３Ａに直角に
突設されて整列されている。各アウタリード６Ａの上面
には予備切断部７Ａが後記する切断箇所に対応する位置
に配されて、Ｖ字溝形状に切り込まれている。

【００２５】各アウタリード６Ａにはインナリード８Ａ
が内側先端に連続するように一体的に連設されており、
各インナリード８Ａはその中間部が略垂直に立ち上げら
れた後、径方向内向きに水平に屈曲されている。そし
て、インナリード８Ａ群はタブ４Ａの四方に近接して整
列されており、その先端部によってボンディングエリア
９Ａが実質的に構成されている。

【００２６】各インナリード８Ａの立ち上がり部には細
長いスリットＳが長手方向（垂直方向）に長くなるよう
にそれぞれ開設されており、このスリットＳはインナリ
ード８Ａの径方向の内外を連通させるようになってい
る。

【００２７】第２リードフレーム２Ｂには、タブが形成
されていない。そして、第２リードフレーム２Ｂは第１
リードフレーム２Ａの上に同心的に配されて、第１の絶
縁層１０Ａを介して接着されている。この状態におい
て、第２リードフレーム２Ｂのインナリード８Ｂの先端
部は第１リードフレーム２Ａのインナリード８Ａよりも
径方向外側に後退されており、これにより、第１リード
フレーム２Ａのボンディングエリア９Ａが露出されてい
る。

【００２８】第３リードフレーム２Ｃにも、タブが形成
されていない。そして、第３リードフレーム２Ｃは第２
リードフレーム２Ｂの上に同心的に配されて、第２の絶
縁層１０Ｂを介して接着されている。この状態におい
て、第３リードフレーム２Ｃのインナリード８Ｃの先端
部は第２リードフレーム２Ｂのインナリード８Ｂよりも
径方向外側に後退されており、これにより、第２リード
フレーム２Ｂのボンディングエリア９Ｂが露出されてい
る。

【００２９】そして、第１リードフレーム２Ａのインナ
リード（以下、第１インナリードということがある。）
８Ａの周方向の幅Ｗ1 は、その外側に配置された第２リ
ードフレーム２Ｂのインナリード（以下、第２インナリ
ードということがある。）８Ｂの周方向の幅Ｗ2 よりも
狭くなるように形成されている。また、第２インナリー
ド８Ｂの幅Ｗ2 は、その外側に配置された第３リードフ
レーム２Ｃのインナリード（以下、第３インナリードと
いうことがある。）８Ｃの周方向の幅Ｗ3 よりも狭くな
るように形成されている。

【００３０】さらに、第１リードフレーム２Ａ、第２リ
ードフレーム２Ｂおよび第３リードフレーム２Ｃが積層
された状態において、各リードフレーム２Ａ、２Ｂおよ
び２Ｃの外枠３Ａ、３Ｂ、３Ｃは各アウタリード６Ａ、
６Ｂ、６Ｃの外側で積層された状態になっている。そし
て、これら外枠３Ａ、３Ｂ、３Ｃによって、後記する樹
脂封止パッケージ成形時に樹脂をせき止めるためのダム
が実質的に構成されるようになっている。

【００３１】以上のようにして組み立てられたリードフ
レーム組立体１には、ペレットボンディング工程および
ワイヤボンディング工程において、ペレットボンディン
グおよびワイヤボンディングが実施される（図３参
照）。

【００３２】まず、ペレットボンディング工程におい
て、所謂半導体の前工程において集積回路が作り込まれ
たペレット１２が、リードフレーム組立体１のタブ４Ａ
上に同心的に配されて、Ａｇペースト等から成るボンデ
ィング層１１によって接着されてボンディングされる。

【００３３】次いで、ワイヤボンディング工程におい
て、ワイヤ１３がリードフレーム組立体１の各インナリ
ード８Ａ、８Ｂ、８Ｃとペレット１２との間に、その両
端部が各インナリード８Ａ、８Ｂ、８Ｃのボンディング
エリア９Ａ、９Ｂ、９Ｃとペレット１２のボンディング
パッドとにそれぞれボンディングされて、橋絡される。
これにより、ペレット１２に作り込まれた集積回路が、
ボンディングパッド、ワイヤ１３、インナリード８Ａ、
８Ｂ、８Ｃおよびアウタリード６Ａ、６Ｂ、６Ｃを介し
て外部に電気的に導出される状態になる。

【００３４】ここで、各インナリード８Ａ、８Ｂ、８Ｃ
の幅Ｗ1 、Ｗ2 、Ｗ3 の関係が、Ｗ1 ＜Ｗ2 ＜Ｗ3 の関
係になるように設定されることにより、第１インナリー
ド８Ａのエアギャップが充分確保されているため、ワイ
ヤボンディング作業は容易に行うことができる。

【００３５】その後、リードフレーム組立体１には樹脂
封止パッケージ１４が、図４に示されているようなトラ
ンスファ成形装置２０が使用されて樹脂成形される。

【００３６】図４に示されている成形装置２０は上型２
１と下型２２とを備えている。上型２１と下型２２の合
わせ面にはキャビティー２３が協働して形成されてい
る。また、上型２１の合わせ面にはゲート２４がキャビ
ティー２３に連通するように形成されており、ゲート２
４はポット（図示せず）に流体連結されるランナ２５に
開設されている。

【００３７】そして、樹脂封止パッケージ１４の成形
時、ペレットおよびワイヤボンディングされたリードフ
レーム組立体１は下型２２の上に、アウタリード６Ａ、
６Ｂ、６Ｃ群および外枠３Ａ、３Ｂ、３Ｃの下面が当接
するように載置される。

【００３８】続いて、上型２１と下型２２とが型締めさ
れると、リードフレーム組立体１の外枠３Ａ、３Ｂ、３
Ｃが上型２１と下型２２との間に挟み込まれるととも
に、ペレット１２、タブ４、インナリード８群およびワ
イヤ１３群がキャビティー２３内に密閉される。

【００３９】次いで、成形材料としての樹脂（以下、レ
ジンという。）２６がランナ２５およびゲート２４を通
じてキャビティー２３内に充填されて熱硬化されると、
樹脂封止パッケージ１４が成形される。このとき、各ア
ウタリード６Ａ、６Ｂ、６Ｃの下面が下型２２に当接さ
れているため、各アウタリード６Ａ、６Ｂ、６Ｃの下面
は樹脂によって被覆されずに露出されることになる。

【００４０】また、各インナリード８Ａ、８Ｂ、８Ｃに
はスリットＳがそれぞれ開設されているため、ゲート２
４からキャビティー２３に注入されたレジン２６は各ス
リットＳを流通することにより、キャビティー２３に万
偏なく充填される。

【００４１】また、万偏なくキャビティー２３内に充填
されたレジン２６は熱硬化後、スリットＳにおいて各イ
ンナリード８Ａ、８Ｂ、８Ｃに喰い付くため、各インナ
リードは樹脂封止パッケージ１４の実体部（ボデー）に
強固に一体化する。

【００４２】その後、上型２１と下型２２とが型開きさ
れ、樹脂封止パッケージ１４が上型２１および下型２２
から離型される。

【００４３】以上のようにして樹脂封止パッケージ１４
が成形されたリードフレーム組立体１は、外枠３Ａ、３
Ｂ、３Ｃとアウタリード６Ａ、６Ｂ、６Ｃ群との間で分
離される。このとき、各外枠３Ａ、３Ｂ、３Ｃと各アウ
タリード６Ａ、６Ｂ、６Ｃとの境目に予備切断部７Ａ、
７Ｂ、７Ｃがそれぞれ切り込まれているため、外枠３
Ａ、３Ｂ、３Ｃと樹脂封止パッケージ１４とを相反する
方向に引っ張ることにより、外枠３Ａ、３Ｂ、３Ｃとア
ウタリード６Ａ、６Ｂ、６Ｃ群とは予備切断部７Ａ、７
Ｂ、７Ｃにおいて、容易に、かつ、適正に分離すること
ができる。

【００４４】このようにして、リードフレーム組立体１
の外枠３Ａ、３Ｂ、３Ｃとアウタリード６Ａ、６Ｂ、６
Ｃ群とが分離されると、図１および図２に示されている
半導体装置１５が製造されたことになる。

【００４５】次に、以上のようにして製造され、かつ、
構成された半導体装置１５の使用方法並びにその作用を
説明する。

【００４６】図１および図２に示されているように、こ
の半導体装置１５は樹脂封止パッケージ１４の下面にア
ウタリード６Ａ、６Ｂ、６Ｃ群がマトリックス状に配列
されてそれぞれ露出されているため、プリント配線基板
３０に表面実装することができる。

【００４７】すなわち、この半導体装置１５が表面実装
されるプリント配線基板３０の表面にはランド３１が複
数個、アウタリード６Ａ、６Ｂ、６Ｃ群に対応するよう
にマトリックス状に配列されて、各アウタリード６Ａ、
６Ｂ、６Ｃの形状と略同一の小片形状にそれぞれ形成さ
れており、このランド３１には所望の電気配線（図示せ
ず）が電気的に接続されている。また、ランド３１の表
面にはクリームはんだ材料等による予備はんだ処理（図
示せず）が適宜施されている。

【００４８】前記半導体装置１５がこのプリント配線基
板３０に表面実装されるに際して、各アウタリード６
Ａ、６Ｂ、６Ｃが各ランド３１に整合された状態で、半
導体装置１５がプリント配線基板３０に載置されて位置
決めされる。

【００４９】この状態で、プリント配線基板３１と半導
体装置１５との間で、リフローはんだ処理が実施される
と、各アウタリード６Ａ、６Ｂ、６Ｃとランド３１との
当接面間にはんだ付け層３２が形成される。このはんだ
付け層３２によってアウタリード６Ａ、６Ｂ、６Ｃとラ
ンド３１とが電気的に接続されるとともに、半導体装置
１５とプリント配線基板３０とが機械的に接続された状
態になる。

【００５０】ここで、第３インナリード３Ｃの幅Ｗ3 が
大きくなるように設定されているため、第３インナリー
ド３Ｃがペレット１２のボンディングパッドから離間し
ていることによる電気抵抗損失の増大を補うことができ
る。

【００５１】前記実施例によれば、次の効果が得られ
る。 アウタリード６Ａ、６Ｂ、６Ｃ群は樹脂封止パッケ
ージ１４の下面において露出されているため、半導体装
置１５はプリント配線基板３０に表面実装することがで
きる。

【００５２】 アウタリード６Ａ、６Ｂ、６Ｃ群は樹
脂封止パッケージ１４の下面においてマトリックス状に
配列されているため、樹脂封止パッケージ１４の下面を
充分に有効利用することができる。すなわち、プリント
配線基板３０における樹脂封止１４の下面に対向する領
域を活用することができる。

【００５３】 前記およびにより、挿入による実
装方式に比較して、半導体装置の実装の作業性を高める
ことができるとともに、プリント配線基板３０の実装密
度を高めることができる。

【００５４】 樹脂封止パッケージ１４が使用されて
いるため、ＰＧＡに比べて製造コストを充分に低減する
ことができる。

【００５５】 各インナリード８Ａ、８Ｂ、８Ｃにス
リットＳが開設されているため、樹脂封止パッケージ１
４の成形時におけるレジン２６の流れを円滑にすること
ができる。また、このスリットＳに樹脂封止パッケージ
１４のレジン２６を喰い付かせることができるため、イ
ンナリード８Ａ、８Ｂ、８Ｃを強固に固定することがで
きる。

【００５６】 第１、第２、第３インナリード８Ａ、
８Ｂ、８Ｃの幅Ｗ1 、Ｗ2 、Ｗ3 の関係が、Ｗ1 ＜Ｗ2
＜Ｗ3 の関係に設定されているため、第１インナリード
８Ａのエアギャップを充分に確保することができるとと
もに、第３インナリード８Ｃの電気抵抗を抑制すること
ができる。

【００５７】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。

【００５８】例えば、外枠３群とアウタリード６Ａ、６
Ｂ、６Ｃ群との間における分離は、各外枠３Ａ、３Ｂ、
３Ｃと各アウタリード６Ａ、６Ｂ、６Ｃとの境目に予備
切断部７Ａ、７Ｂ、７Ｃを切り込んでおき、外枠３Ａ、
３Ｂ、３Ｃと樹脂封止パッケージ１４とを相反する方向
に引っ張ることにより、外枠３Ａ、３Ｂ、３Ｃとアウタ
リード６Ａ、６Ｂ、６Ｃ群とを予備切断部７Ａ、７Ｂ、
７Ｃにおいて分離して実行するに限らず、外枠３Ａ、３
Ｂ、３Ｃ部分を切削加工等によって切除することによっ
て実行してもよい。

【００５９】また、各インナリード８Ａ、８Ｂ、８Ｃの
スリットは省略してもよい。

【００６０】さらに、第１、第２、第３インナリード８
Ａ、８Ｂ、８Ｃの幅Ｗ1 、Ｗ2 、Ｗ3 は、Ｗ1 ＜Ｗ2 ＜
Ｗ3 に設定するに限らず、Ｗ1 ＝Ｗ2 ＝Ｗ3 、または、
Ｗ1＞Ｗ2 ＞Ｗ3 に設定してもよい。

【００６１】インナリードおよびアウタリードの本数や
段数、構造等は前記実施例に限らず、半導体装置の大き
さや構造等に対応して適宜選定することが望ましい。

【００６２】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるアウタ
リードが樹脂封止パッケージの正方形下面の四辺に配列
されているＩＣの製造技術について説明したが、それに
限定されるものではなく、アウタリードが樹脂封止パッ
ケージの長方形下面の二辺に配列されているＩＣ等の半
導体装置の製造技術全般に適用することができる。特
に、本発明は多ピンで、低い価格が要求されるＩＣに適
用して優れた効果が得られる。

【００６３】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。

【００６４】アウタリード群を樹脂封止パッケージの下
面においてマトリックス状に配列して露出させることに
より、プリント配線基板に表面実装することができると
ともに、プリント配線基板における樹脂封止パッケージ
の下面に対向する領域を有効利用することができ、実装
密度を高めることができる。

【００６５】また、挿入による実装方式に比較して実装
の作業性を高めることができるとともに、樹脂封止パッ
ケージを使用することにより、ＰＧＡに比べて製造コス
トを充分に低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例である半導体装置の実装状態
を示す正面断面図である。

【図２】半導体装置を示す裏面から見た一部省略斜視図
である。

【図３】（ａ）は本発明の一実施例である半導体装置の
製造方法に使用されるリードフレーム組立体を示す一部
省略平面図、（ｂ）はその拡大部分斜視図である。

【図４】本発明の一実施例である半導体装置の製造方法
における樹脂封止成形工程を示す正面断面図である。

【符号の説明】

１…リードフレーム組立体、２Ａ、２Ｂ、２Ｃ…リード
フレーム、３Ａ、３Ｂ、３Ｃ…外枠、４Ａ…タブ、５Ａ
…タブ吊りリード、６Ａ、６Ｂ、６Ｃ…アウタリード、
７Ａ、７Ｂ、７Ｃ…予備切断部、８Ａ、８Ｂ、８Ｃ…イ
ンナリード、９Ａ、９Ｂ、９Ｃ…ボンディングエリア、
１０Ａ、１０Ｂ…絶縁層、１１…ボンディング層、１２
…ペレット、１３…ワイヤ、１４…樹脂封止パッケー
ジ、１５…半導体装置、２０…成形装置、２１…上型、
２２…下型、２３…キャビティー、２４…ゲート、２５
…ランナ、３０…プリント配線基板、３１…ランド、３
２…はんだ付け層、Ｓ…スリット、Ｗ1 、Ｗ2 、Ｗ3 …
インナリードの幅。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電子回路が作り込まれている半導体ペレ
   ットと、半導体ペレットがボンディングされているタブ
   と、タブの周囲に放射状に配線されている複数本のイン
   ナリードと、各インナリードと半導体ペレットとの間に
   それぞれ橋絡されているワイヤ群と、各インナリードに
   それぞれ一体的に連設されているアウタリード群と、前
   記半導体ペレット、タブ、インナリード群およびワイヤ
   群を樹脂封止する樹脂封止パッケージとを備えている半
   導体装置において、 前記インナリード群が互いに絶縁された状態で、かつ、
   各段の先端部が径方向にずらされた状態で、階段状に積
   層されているとともに、これら先端部に前記ワイヤの一
   端部がボンディングされることにより、前記半導体ペレ
   ットに電気的に接続されており、 他方、前記アウタリードのそれぞれは、その一主面が前
   記樹脂封止パッケージの一主面においてマトリックス状
   に配列されて、その主面と略同一面になるように露出さ
   れていることを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 インナリード群のうち、少なくとも樹脂
   封止パッケージの周辺部に配置された各インナリードの
   一部にスリットが開設されていることを特徴とする請求
   項１に記載の半導体装置。
3. 【請求項３】 インナリード群は、樹脂封止パッケージ
   の中央側に配置されたインナリード群の幅がその周辺側
   に配置されたインナリード群の幅よりも狭くなるよう
   に、それぞれ形成されていることを特徴とする請求項１
   に記載の半導体装置。
4. 【請求項４】 請求項１に記載の半導体装置の製造方法
   であって、 互いに略相似形状をなす、複数枚のリードフレームが用
   意される工程と、 これらのリードフレームが、そのインナリード群が互い
   に絶縁された状態で、かつ、各段の先端部が径方向にず
   らされた状態に階段状に積層されるように、また、前記
   アウタリードのそれぞれが、その主面が樹脂封止パッケ
   ージの一主面においてマトリックス状に配列されて、そ
   の主面と略同一面になるように、組み合わせられる工程
   と、 リードフレーム群のうち一枚のリードフレームのタブに
   半導体ペレットがボンディングされる工程と、 各インナリードと半導体ペレットとの間にワイヤがそれ
   ぞれボンディングされる工程と、 組み合わせられたリードフレーム群が、成形型に前記ア
   ウタリード群の主面がキャビティーから露出するように
   配された状態で、前記樹脂封止パッケージが成形される
   工程と、 樹脂封止パッケージが成形されたリードフレーム群から
   前記アウタリード群よりも外側の外枠部分が切り離され
   る工程と、 を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】 前記各アウタリードと前記外枠部分との
   境目に、予備切断部が形成されており、前記アウタリー
   ドと外枠部分との切り離しがこの予備切断部において実
   行されるように構成されていることを特徴とする請求項
   ４に記載の半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】 前記アウタリードとフレーム部分の切り
   離しが、フレーム部分が切除されることによって実行さ
   れるように構成されていることを特徴とする請求項４に
   記載の半導体装置の製造方法。