JPH0530047B2 - - Google Patents
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Description
とから成る単層又は積層構造の磁器コンデンサ及
びその製造方法に関する。 [従来の技術] 従来、積層磁器コンデンサを製造する際には、
誘電体磁器原料粉末から成るグリーンシート(未
焼結磁器シート)に白金又はパラジウム等の貴金
属の導電性ペーストを所望パターンに印刷し、こ
れを複数枚積み重ねて圧着し、1300℃〜1600℃の
酸化性雰囲気中で焼結させた。これにより、誘電
体磁器と内部電極とが同時に得られる。上述の如
く、貴金属を使用すれば、酸化性雰囲気中で高温
で焼結させても目的とする内部電極を得ることが
できる。しかし、白金、パラジウム等の貴金属は
高価であるため、必然的に積層磁器コンデンサが
コスト高になつた。 上述の問題を解決することができるものとし
て、本件出願人に係わる特公昭61−14607号公報
には、 (Bak-xMx)OkTiO2(但し、MはMg及びZnの
内の少なくとも1種)から成る基本成分と、
Li2OとSiO2とから成る添加成分とを含む誘電体
磁器組成物が開示されている。 また、特公昭61−14608号公報には、上記の特
公昭61−14607号公報のLi2OとSiO2の代りに、
Li2OとSiO2とMO(但し、MOはBaO、CaO及び
SrOの内の少なくとも1種)とから成る添加成分
とを含む誘電体磁器組成物が開示されている。 また、特公昭61−14609号公報には、(Bak-x-y
MxLy)OkTiO2(但し、MはMg及びZnの少なく
とも1種、LはSr及びCaの内の少なくとも1種)
から成る基本成分とLi2OとSiO2とから成る添加
成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されてい
る。 また、特公昭61−14610号公報には、上記の特
公昭61−14609号公報におけるLi2OとSiO2の代り
に、Li2OとSiO2とMO(但し、MOはBaO、CaO
及びSrOの内の少なくとも1種)とから成る添加
成分を含む誘電体磁器組成物が開示されている。 また、特公昭61−14611号公報には、(Bak-x
Mx)OkTiO2(但し、MはMg、Zn、Sr及びCaの
少なくとも1種)から成る基本成分と、B2O3と
SiO2とから成る添加成分とを含む誘電体磁器組
成物が開示されている。 また、特公昭62−1595号公報には、(Bak-xMx)
OkTiO2(但し、MはMg、Zn、Sr及びCaの内の少
なくとも1種)から成る基本成分と、B2O3と
MO(但しMOはBaO、MgO、ZnO、SrO及び
CaOの少なくとも1種)とから成る添加成分とを
含む誘電体磁器組成物が開示されている。 また、特公昭62−1596号公報には、上記の特公
昭62−1595号公報のB2O3とMOの代りに、B2O3
とSiO2とMO(但しMOはBaO、MgO、ZnO、
SrO及びCaOの内の少なくとも1種)とから成る
添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されて
いる。 これらに開示されている誘電体磁器組成物は、
還元性雰囲気1200℃以下の条件の焼成で得ること
ができ、比誘電率が2000以上、静電容量の温度変
化率が−25℃〜+85℃で±10%の範囲にすること
ができるものである。 [発明が解決しようとする課題] ところで、近年の電子回路の高密度化に伴い、
積層コンデンサの小型化の要求が非常に強く、こ
れに対応する為に、温度変化率を悪化させること
なく誘電体の比誘電率を、上記各公報に開示され
ている誘電体磁器組成物の比誘電率よりも更に増
大させることが望まれている。 そこで、本発明の目的は、非酸化性雰囲気、
1200℃以下の温度での焼成で得るものであるにも
拘らず、高い誘電率を有し、且つ広い温度範囲に
わたつて誘電率の温度変化率が小さい誘電体磁器
を備えている磁器コンデンサ及びその製造方法を
提供することにある。 [課題を解決するための手段] 上記目的を達成するための本発明は、誘電体磁
器と、前記磁器に接触している少なくとも2つの
電極とから成る磁器コンデンサにおいて、前記磁
器が100.0重量部の基本成分と、3.0重量部の第1
の添加成分と、0.2〜5.0重量部の第2の添加成分
とから成り、前記基本成分が、(1−α)
{(Bak-xMx)Ok(Ti1-yRy)O2-y/2}+αCaZrO3(但
し、MはMg、Znの内の少なくとも1種の金属、
LはCa、Sr内の少なくとも1種の金属、RはSc、
Y、Gd、Dy、Ho、Er、Yb、Tb、Tm、Luの内
の少なくとも1種の金属、α、k、x、z、y
は、0.005≦α≦0.04、1.00≦k≦1.05、0<x<
0.10、0<z≦0.05、0.01≦x+z≦0.10、0<
y≦0.04を満足する数値)であり、前記第1の添
加成分がCr2O3とAl2O3の内の少なくとも1種の
金属酸化物であり、前記第2の添加成分がB2O3
とSiO2とMO(但し、MOはBaO、SrO、CaO、
MgO及びZnOの内の少なくとも1種の金属酸化
物)から成り、且つ前記B2O3と前記SiO2と前記
MOとの組成範囲がこれ等の組成をモル%で示す
三角図における前記B2O3が1モル%、前記SiO2
が80モル%、前記MOが19モル%の点Aと、前記
B2O3が1モル%、前記SiO2が39モル%、前記
MOが60モル%の点Bと、前記B2O3が30モル%、
前記SiO2が0モル%、前記MOが70モル%の点C
と、前記B2O3が90モル%、前記SiO2が0モル%、
前記MOが10モル%の点Dと、前記B2O3が90モ
ル%、前記SiO2が10モル%、前記MOが0モル%
の点Eと、前記B2O3が20モル%、前記SiO2が80
モル%、前記MOが0モル%の点Fとを順に結ぶ
6本の直線で囲まれた領域内のものであるコンデ
ンサに係わるものである。なお、基本成分を示す
組成式において、k−x−z、x、z、k、1−
y、y、2−y/2は勿論それぞれの元素の原子
数を示し、(1−α)とαは組成式の第1項の
(Bak-x-zMxLz)Ok(Ti1-yRy)O2-y/2と第2項の
CaZrO3との割合をモルで示すものであり、Baは
バリウム、Oは酸素、Tiはチタン、Mgはマグネ
シウム、Znは亜鉛、Caはカルシウム、Srはスト
ロンチウムである。また、Scはスカンジウム、
Yはイツトリウム、Gdはガドリニウム、Dyはジ
スプロシウム、Hoはホロニウム、Erはエルビウ
ム、Ybはイツテルビウム、Tbはテルビウム、
Tmはツリウム、Luはルテチウムである。第1の
添加成分のCr2O3は酸化クロム、Al2O3は酸化ア
ルミニウムである。第2の添加成分における
B2O3は酸化ボロン、SiO2は酸化けい素、BaOは
酸化バリウム、SrOは酸化ストロンチウム、CaO
は酸化カルシウム、MgOは酸化マグネシウム、
ZnOは酸化亜鉛である。 製造方法に係わる発明は、上記の基本成分と第
1及び第2の添加成分との混合物を用意する工程
と、少なくとも2つの電極部分を有する前記混合
物の成形物を作る工程と、前記電極部分を有する
前記成形物を非酸化性雰囲気で焼成する工程と、
前記焼成で得られた成形物を酸化性雰囲気で熱処
理する工程とを含む磁器コンデンサの製造方法に
係わるものである。 [作用効果] 上記発明の磁器コンデンサにおける誘電体磁器
を非酸化性雰囲気、1200℃以下の焼成で得ること
ができる。従つて、ニツケル等の卑金属の導電性
ペーストをグリーンシートに塗布し、グリーンシ
ートと導電性ペーストとを同時に焼成する方法に
よつて磁器コンデンサを製造することが可能にな
る。誘電体磁器の組成を本発明で特定された範囲
にすることによつて、比誘電率が3000以上、誘電
体損失tanδが2.5%以下、抵抗率ρが1×
106MΩ・cm以上であり、且つ比誘電率の温度変
化率が−55℃〜125℃で−15%〜+15%(25℃を
基準)、−25℃〜85℃で−10%〜+10%(20℃を基
準)の範囲に収まる誘電体磁器を備えたコンデン
サを提供することができる。 [実施例] 次に、本発明に従う実施例及び比較例について
説明する。 まず、本発明に従う基本成分の組成式 (1−α){(Bak-x-zMxLz)Ok(Ti1-yRy)
O2-y/2}+αCaZrO3における第1項の(Bak-x-zMx
Lz)Ok(Ti1-yRy)O2-y/2(以下第1基本成分と呼
ぶ)を第1表及び第2表の試料No.1のk−x−
z、x、z、x+z、y、kの欄に示す割合で得
るため、換言すれば、(Ba0.96M0.04L0.02)O1.02
(Ti0.99R0.01)O1.995、更に詳細には、M0.04=
Mg0.02Zn0.02、L0.02=Ca0.01Sr0.01及びR0.01=
Yb0.01であるので、 (Ba0.96Mg0.02Zn0.02Ca0.01Sr0.01)O1.02(Ti0.99
Yb0.01)O1.995を得るために、純度99.0%以上の
BaCO3(炭酸バリウム)、MgO(酸化マグネシウ
ム)、ZnO(酸化亜鉛)、CaO(酸化カルシウム)、
SrO(酸化ストメンチウム)及びTiO2(酸化チタ
ン)、Yb2O3(酸化イツテルビウム)を用意し、不
純物を目方に入れないで BaCO3:1041.96g(0.96モル部相当) MgO:4.43g(0.02モル部相当) ZnO:8.95g(0.02モル部相当) CaO:3.08g(0.01モル部相当) SrO:5.70g(0.01モル部相当) TiO2:435.06g(0.99モル部相当) Yb2O3:10.84g(0.005モル部相当)を秤量し
た。 次に、秤量されたこれ等の原料をポツトミル
(pot mill)に入れ、更にアルミナボールと水2.5
とを入れ、15時間湿式撹拌した後、撹拌物をス
テンレスポツトに入れて熱風式乾燥器で150℃、
4時間乾燥した。次にこの乾燥物を粗粉砕し、こ
の粗粉砕物をトンネル炉にて大気中で1200℃、2
時間仮焼し、上記組成式の第1基本成分を得た。 また、基本成分の組成式の第2項のCaZrO3(以
下、第2基本成分と呼ぶ)を得るために、
CaCO3(炭酸カルシウム)とZrO2(酸化ジルコニ
ウム)とが等モルとなる様に前者を448.96g、後
者を551.04gをそれぞれ秤量し、これ等を混合
し、乾燥し、粉砕した後に、約1250℃で2時間大
気中で仮焼した。 つぎに、第1表の試料No.1に示すように1−α
が0.98モル、αが0.02モルとなるように、98モル
部(984.34g)の第1基本成分(Ba0.96Mg0.02
Zn0.02Ca0.01Sr0.01)O1.02(Ti0.99Yb0.01)O1.995の
粉
末と、2モル部(15.66g)の第2基本成分
(CaZrO3)の粉末とを混合して1000gの基本成分
を得た。 一方、第3表の試料No.1の第2の添加成分を得
るために、B2O3を1.03g(1モル部)と、SiO2
を70.57g(80モル部)と、BaCO3を11.03g(3.8
モル部)と、CaCO3を13.99g(9.5モル部)と、
MgOを3.38g(5.7モル部)とをそれぞれ秤量し、
この混合物にアルコールを300c.c.加え、ポリエチ
レンポツトにてアルミナボールを用いて10時間撹
拌した後、大気中1000℃で2時間仮焼成し、これ
を300c.c.の水と共にアルミナポツトに入れ、アル
ミナボールで15時間粉砕し、しかる後、150℃で
4時間乾燥させてB2O3が1モル%、SiO2が80モ
ル%、MOが19モル%(BaO 3.8モル%+CaO
9.5モル%+MgO 5.7モル%)の組成の第2の添
加成分の粉末を得た。なお、MOの内容である
BaOとCaOとMgOとの割合は第3表に示すよう
に20モル%、50モル%、30モル%となる。 次に、100重量部(1000g)の基本成分に2重
量部(20g)の第2の添加成分を添加し、更に、
第1の添加成分として平均粒径が0.5μmで良く粒
の揃つた純度99.0%以上のCr2O3とAl2O3とを
夫々0.1重量部(1g)添加し、更に、アクリル
酸エステルポリマー、グリセリン、縮合リン酸塩
の水溶液から成る有機バインダを基本成分と第1
及び第2の添加成分との合計重量に対して15重量
%添加し、更に、50重量%の水を加え、これ等を
ボールミルに入れて粉砕及び混合して磁器原料の
スラリーを作製した。 次に、上記スラリーを真空脱泡機に入れて脱泡
し、このスラリーをリバースロールコータに入
れ、ここから得られる薄膜成形物を長尺なポリエ
ステルフイルム上に連続して受け取ると共に、同
フイルム上でこれを100℃に加熱して乾燥させ、
厚さ約25μmの未焼結磁器シートを得た。このシ
ートは長尺なものであるが、これを10cm角の正方
形に裁断して使用する。 一方、内部電極用の導電ペーストは、粒径平均
1.5μmのニツケル粉末10gと、エチルセルロース
0.9gをブチルカルビトール9.1gに溶解させたも
のとを撹拌機に入れ、10時間撹拌することにより
得た。この導電ペーストを長さ14mm、幅7mmのパ
ターンを50個有するスクリーンを介して上記未焼
結磁器シートの片側に印刷した後、これを乾燥さ
せた。 次に、上記印刷面を上にして未焼結磁器シート
を2枚積層した。この際、隣接する上下のシート
において、その印刷面がパターンの長手方面に約
半分程ずれるように配置した。更に、この積層物
の上下両面にそれぞれ4枚ずつ厚さ60μmの未焼
結磁器シートを積層した。次いで、この積層物を
約50℃の温度で厚さ方向に約40トンの荷重を加え
て圧着させた。しかる後、この積層物を格子状に
裁断し、50個の積層チツプを得た。 次に、この積層体を雰囲気焼成が可能な炉に入
れ、大気雰囲気中で100℃/hの速度で600℃まで
昇温して、有機バインダを燃焼させた。しかる
後、炉の雰囲気を大気からH2(2体積%)+N2
(98体積%)の雰囲気に変えた。そして、炉を上
述の如き還元性雰囲気とした状態を保つて、積層
体加熱温度を600℃から焼結温度の1130℃まで、
100℃/hの速度で昇温して1130℃(最高温度)
を3時間保持した後、100℃/hの速度で600℃ま
で降温し、雰囲気を大気雰囲気(酸化性雰囲気)
におきかえて、600℃を30分間保持して酸化処理
を行い、その後、室温まで冷却して積層焼結体チ
ツプを作製した。 次に、第1図に示す積層磁器コンデンサ10を
得るために、3つの誘電体磁器層12と2つの内
部電極14とから成る積層焼結体チツプ15に一
対の外部電極16を形成した。なお、外部電極1
6は、電極が露出する焼結体チツプ15の側面に
亜鉛とガラスフリツト(glass frit)とビヒクル
(vehicle)とから成る導電性ペーストを塗布して
乾燥し、これを大気中で550℃の温度で15分間焼
付け、亜鉛電極層18を形成し、更にこの上に無
電解メツキで法で銅層20を形成し、更にこの上
に電気メツキ法でPb−Sn半田層22を設けたも
のから成る。 このコンデンサ10の誘電体磁器層12の厚さ
は0.02mm、一対の内部電極14の対向面積は5mm
×5mm=25mm2である。なお、焼結後の磁器層1
2の組成は、焼結前の基本成分と添加成分との混
合組成と実質的に同じである。 次に、コンデンサ10の電気的特性を測定し、
その平均値を求めたところ、第3表に示す如く、
比誘電率εsが3700、tanδが1.1%、抵抗率ρが4.6
×106MΩ・cm、25℃の静電容量を基準にした−
55℃及び+125℃の静電容量の変化率ΔC-55、
ΔC125が−10.3%、+5.5%、20℃の静電容量を基
準にした−25℃、+85℃の静電容量の変化率
ΔC-25、ΔC85は−5.9%、−4.4%であつた。 なお、電気的特性は次の要領で測定した。 (A) 比誘電率εsは、温度20℃、周波数1kHz、電圧
(実効値)1.0Vの条件で静電容量を測定し、こ
の測定値一対の内部電極14の対向面積25mm2
と一対の内部電極14間の磁器層12の厚さ
0.02mmから計算で求めた。 (B) 誘電体損失tanδ(%)は比誘電率と同一条件
で測定した。 (C) 抵抗率ρ(MΩ・cm)は、温度20℃において
DC100Vを1分間印加した後に一対の外部電極
16間の抵抗値を測定し、この測定値と寸法と
に基づいて計算で求めた。 (D) 静電容量の温度特性は、恒温槽の中に試料を
入れ、−55℃、−25℃、0℃、+20℃、25℃、+40
℃、+60℃、+85℃、+105℃、+125℃の各温度に
おいて、周波数1kHz、電圧(実効値)1.0Vの
条件で静電容量を測定し、20℃及び25℃の時の
静電容量に他する各温度における変化率を求め
ることによつて得た。 以上、試料No.1の作製方法及びその特性につい
て述べたが、試料No.2〜101についても、基本成
分、第1及び第2の添加成分の組成、これ等の割
合、及び還元性雰囲気での焼成温度を第1表〜第
4表に示すように変えた他は、試料No.1と全く同
一の方法で積層磁器コンデンサを作製し、同一方
法で電気的特性を測定した。 第1表には、基本成分を示す組成式における
(1−α)とαとk−x−zとxとzとX+Zが
示され、xの欄のMg、Znは一般式のMの内容を
示し、Mg、Znの欄にはこれ等の原子数が示さ
れ、合計の欄にはこれ等の合計値(x値)が示さ
れ、zの欄のCa、Srは一般式のLの内容を示し、
Ca、Srの欄にはこれ等の原子数が示され、合計
の欄にはこれ等の合計値(z値)が示されてい
る。 第2表には基本成分を示す組成式におけるRの
内容と量及びkの値が示されている。即ち、yの
欄のSe、Y、Gd、Dy、Ho、Er、Ybは一般式の
Rの内容を示し、これ等の欄にはこれ等の原子数
が示され、合計の欄にはこれ等の合計値(y値)
が示されている。 第3表にはそれぞれの試料の第1及び第2の添
加成分の添加量及び組成が示されている。第1及
び第2の添加成分の添加量は基本成分100重量部
に対する重量部で示されている。第3表の第2の
添加成分のMOの内容の欄には、BaO、MgO、
ZnO、SrO、CaOの割合がモル%で示されてい
る。 第4表は各試料の焼成温度及び電気特性を示
す。この第4表において、静電容量の温度特性
は、25℃の静電容量を基準にした−55℃及び+
125℃の静電容量変化率ΔC-55(%)及びΔC125
(%)と、20℃の静電容量を基準にした−25℃及
び+85℃の静電容量変化率ΔC-25(%)及びΔC85
(%)とで示されている。
う試料では、非酸化性雰囲気、1200℃以下の焼成
で、比誘電率εsが3000以上、誘電体損失tanδが
2.5%以下、抵抗率ρが1×106MΩ・cm以上、静
電容量の温度変化率ΔC-55及びΔC125が−15%〜
+15%、ΔC-25及びΔC85は−10%〜+10%の範囲
となり、所望特性のコンデンサを得ることが出来
る。一方、試料No.11〜13,26,31,32,36,37,
40,41,49〜52,58,62,67,72,84,93,94,
100,101では本発明の目的を達成することができ
ない。従つて、これ等は本発明の範囲外のもので
ある。 第4表にはΔC-55、ΔC125、ΔC-25、ΔC85のみ
が示されているが、本発明の範囲に属する試料の
−25℃〜+85℃の範囲の種々の静電へ量の変化率
ΔCは、−10%〜+10%の範囲に収まり、また、−
55℃〜+125℃の範囲の種々の静電容量の変化率
ΔCは、−15%〜+15%の範囲に収まつている。 次に、組成の限定理由について述べる。 x+zの値が、試料No.41に示す如く、零の場合
には、ΔC-25が−10%〜+10%の範囲外、ΔC-55
が−15%〜+15%の範囲外となるが、試料No.42,
43に示す如く、x+zの値が0.01の場合には、所
望の電気的特性を得ることができる。従つて、x
+zの値の下限は0.01である。一方、試料No.50,
51に示す如く、x+zの値が0.12の場合には、
ΔC85が−10%〜+10%の範囲外となるが、試料
No.57に示す如く、x+zの値が0.10の場合には、
所望の電気的特性を得ることができる。但し、x
+zの値が試料No.49に示す如く、0.07であつても
zの値が0.05を越えてしまう場合には所望の電気
的特性が得られない。従つて、x+zの上限値は
0.10であるが、同時にZの上限値は0.05にしなけ
ればならない。なお、M成分のMgとZn及びL成
分のCaとSrはほぼ同様に働き、0<x<0.10を
満足する範囲でMgとZnの内の一方又は両方を使
用すること、また0<z≦0.05を満足する範囲で
CaとSrの内の一方又は両方を使用することがで
きる。そしてM成分及びL成分の1種又は複数種
の何れの場合においてもx+zの値を0.01〜0.10
の範囲にすることが望ましい。 yの値が、試料No.67,72に示す如く、0.06の場
合には緻密な焼結体が得られないが、試料No.66,
73,76〜81等に示す如く、yの値が0.04の場合に
は所望の電気的特性を得ることができる。従つ
て、yの値の上限は0.04である。なお、R成分の
Sc、Y、Dy、Ho、Er、Ybはほぼ同様に働き、
これ等から選択された1つを使用しても、又は複
数を使用しても同様な結果が得られる。そして、
R成分が1種又は複数種のいずれの場合に於いて
もyの値を0.04以下の範囲にすることが望まし
い。また、yは0.04以下であれば、0に近い微量
であつてもそれなりの効果がある。組成式でRで
示す成分は、静電容量の温度特性の改善に寄与す
る。即ち、R成分の添加によつて−55℃〜125℃
の範囲での静電容量の温度変化率ΔC-55〜ΔC125
を−15%〜+15%の範囲に容易に収めることが可
能になると共に、−25℃〜85℃の範囲での静電容
量の温度変化率ΔC-25〜ΔC85を−10%〜+10%の
範囲に容易に収めることが可能になり、且つ各温
度範囲における静電容量の温度変化率の変動幅を
小さくすることができる。また、R成分は抵抗率
ρを大きくする作用及び焼結性を高める作用を有
する。 αの値が試料No.32,37に示す如く、零の場合に
は、ΔC-25が−10%〜+10%の範囲外、ΔC-55が
−15%〜+15%の範囲外となるが、試料No.33,38
に示す如く、αの値が0.005の場合には、所望の
電気的特性を得ることができる。従つて、αの値
の下限は0.005である。一方、試料No.36,40に示
す如く、αの値が0.05の場合には、ΔC85が−10%
〜+10%の範囲外となるが、試料No.35,39に示す
如く、αの値が0.04の場合には所望の電気的特性
を得ることができる。従つて、αの値の上限は
0.04である。 kの値が、試料No.58に示す如く、1.0よりも小
さい場合には、ρが1×106MΩ・cm未満となり、
大幅に低くなるが、試料No.59に示す如く、kの値
が1.00の場合には、所望の電気的特性が得られ
る。従つて、kの値の下限は1.00である。一方、
kの値が、試料No.62に示す如く、1.05より大きい
場合には緻密な焼結体が得られないが、試料No.61
に示す如く、kの値が1.05の場合には所望の電気
的特性が得られる。従つて、kの値の上限は1.05
である。 Cr2O3及び/又はAl2O3から成る第1の添加成
分の添加量が試料No.93,94,100に示す如く3.0重
量部よりも多い場合には1250℃で焼成しても緻密
な焼結体が得られないが、試料No.90〜92,99に示
す如く添加量が3.0重量部の場合には所望の特性
を得ることができる。従つて第1の添加成分の上
限は3.0重量部である。第1の添加成分は3.0重量
部以下の範囲において極く微量であつてもそれな
りの効果を有する。しかし、量産する時の電気的
特性のバラツキを考慮して0.001重量部以上添加
することが望ましい。なお、第1の添加成分の
Cr2O3とAl2O3とはほぼ同様に働き、これ等から
選択された1つを使用しても、又は複数を使用し
ても同様な結果が得られる。そして、第1の添加
成分が1種又は複数種の何れの場合に於いても、
添加量は3.0重量部以下の範囲にすることが望ま
しい。この第1の添加成分は、静電容量の温度特
性の改善に寄与する。即ち、第1の添加成分の添
加によつて−55℃〜125℃の範囲での静電容量の
温度変化率ΔC-55〜ΔC125を−15%〜+15%の範
囲に容易に収めることが可能になると共に、−25
℃〜85℃の範囲での静電容量の温度変化率ΔC-25
〜ΔC85を−10%〜+10%の範囲に容易に収める
ことが可能になり、且つ各温度範囲における静電
容量の温度変化率の変動幅を小さくすることがで
きる。また、第1の添加成分は抵抗率ρを大きく
する作用を若干有する。 第2の添加成分の添加量が零の場合には、試料
No.26から明らかな如く、焼成温度が1250℃であつ
ても緻密な焼結体が得られないが、試料No.27に示
す如く、添加量が100重量部の基本成分に対して
0.2重量部の場合には、1140℃の焼成で所望の電
気的特性を有する焼結体が得られる。従つて、第
2の添加成分の下限は0.2重量部である。一方、
試料No.31に示す如く、第2の添加成分の添加量が
7.0重量部の場合には、εsが3000未満となり、更
にΔC85が−10%〜+10%の範囲外となるが、試
料No.30に示す如く、添加量が5.0重量部の場合に
は所望特性を得ることができる。従つて、添加量
の上限は5.0重量部である。 第2の添加成分の好ましい組成は、第2図の
B2O3−SiO2−MOの組成比を示す三角図に基づ
いて決定することができる。三角図の第1の点A
は、試料No.1のB2O3が1モル%、SiO2が80モル
%、MOが19モル%の組成を示し、第2の点B
は、試料No.2のB2O3が1モル%、SiO2が39モル
%、MOが60モル%の組成を示し、第3の点C
は、試料No.3のB2O3が30モル%、SiO2が0モル
%、MOが70モル%の組成を示し、第4の点D
は、試料No.4のB2O3が90モル%、SiO2が0モル
%、MOが10モル%の組成を示し、第5の点E
は、試料No.5のB2O3が90モル%、SiO2が10モル
%、MOが0モル%の組成を示し、第6の点F
は、試料No.6のB2O3が20モル%、SiO2が80モル
%、MOが0モル%の組成を示す。 本発明の範囲に属する試料の第2の添加成分の
組成は三角図の第1〜6の点A〜Fを順に結ぶ6
本の直線で囲まれた領域内の組成になつている。
この領域内の組成とすれば、所望の電気的特性を
得ることができる。一方、試料No.11〜13のよう
に、第2の添加成分の組成が本発明で特定した範
囲外となれば、緻密な焼結体を得ることができな
い。なお、MO成分は例えば試料No.14〜18に示す
如くBaO、MgO、ZnO、SrO、CaOのいずれか
1つであつてもよいし、又は他の試料で示すよう
に適当な比率としてもよい。 [変形例] 以上、本発明の実施例について述べたが、本発
明はこれに限定されるものではなく、例えば次の
変形例が可能なものである。 (a) 基本成分の中に、本発明の目的を阻害しない
範囲で微量のMnO2(好ましくは0.05〜0.1重量
%)等の鉱化剤を添加し、焼結性を向上させて
もよい。また、その他の物質を必要に応じて添
加してもよい。 (b) 出発原料を、実施例で示したもの以外の酸化
物又は水酸化物又はその他の化合物としてもよ
い。 (c) 焼成時の非酸化性雰囲気での処理の後の酸化
性雰囲気での処理の温度を600℃以外の焼結温
度よりも低い温度(好ましくは500℃〜1000℃
の範囲)としてもよい。即ち、ニツケル等の電
極材料と磁器の酸化とを考慮して種々変更する
ことが可能である。 (d) 非酸化性雰囲気中の焼成温度を、電極材料を
考慮して種々変えることができる。ニツケルを
内部電極とする場合には、1050℃〜1200℃の範
囲でニツケル粒子の凝集がほとんど生じない。 (e) 焼結を中性雰囲気で行つてもよい。 (f) 積層磁器コンデンサ以外の一般的な単層の磁
器コンデンサにも勿論適用可能である。 (g) 組成式におけるR成分の中のTb、Tm、Lu
については特に第1表〜第4表に掲載されてい
ないが、R成分の他のものと同様に使用するこ
とができることが確認されている。
ンデンサを示す断面図、第2図は添加成分の組成
範囲を示す三角図である。 12…磁器層、14…内部電極、16…外部電
極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 誘電体磁器と、前記磁器に接触している少な
くとも2つの電極とから成る磁器コンデンサにお
いて、 前記磁器が100.0重量部の基本成分と、 3.0重量部以下の第1の添加成分と、 0.2〜5.0重量部の第2の添加成分とから成り、 前記基本成分が、 (1−α){(Bak-x-zMxLz)Ok(Ti1-yRy)
O2-y/2}+αCaZrO3 (但し、MはMg、Znの内の少なくとも1種の
金属、LはCa、Srの内の少なくとも1種の金属、
RはSc、Y、Gd、Dy、Ho、Er、Yb、Tb、
Tm、Luの内の少なくとも1種の金属、α、k、
x、z、yは、 0.005≦α≦0.04 1.00≦k≦1.05 0<x<0.10 0<z≦0.05 0.01≦x+z≦0.10 0<y≦0.04 を満足する数値)であり、 前記第1の添加成分がCr2O3とAl2O3の内の少
なくとも1種の金属酸化物であり、 前記第2の添加成分がB2O3とSiO2とMO(但
し、MOはBaO、SrO、CaO、MgO及びZnOの内
の少なくとも1種の金属酸化物)から成り、且つ
前記B2O3と前記SiO2と前記MOとの組成範囲が
これ等の組成をモル%で示す三角図における 前記B2O3が1モル%、前記SiO2が80モル%、
前記MOが19モル%の点Aと、 前記B2O3が1モル%、前記SiO2が39モル%、
前記MOが60モル%の点Bと、 前記B2O3が30モル%、前記SiO2が0モル%、
前記MOが70モル%の点Cと、 前記B2O3が90モル%、前記SiO2が0モル%、
前記MOが10モル%の点Dと、 前記B2O3が90モル%、前記SiO2が10モル%、
前記MOが0モル%の点Eと、 前記B2O3が20モル%、前記SiO2が80モル%、
前記MOが0モル%の点Fと を順に結ぶ6本の直線で囲まれた領域内のもので
あることを特徴とするコンデンサ。 2 100.0重量部の基本成分と、3.0重量部以下の
第1の添加成分と、0.2〜5.0重量部の第2の添加
成分とから成り、前記基本成分が、 (1−α){(Bak-x-zMxLz)Ok(Ti1-yRy)
O2-y/2}+αCaZrO3 (但し、MはMg、Znの内の少なくとも1種の
金属、LはCa、Srの内の少なくとも1種の金属、
RはSc、Y、Gd、Dy、Ho、Er、Yb、Tb、
Tm、Luの内の少なくとも1種の金属、α、k、
x、z、yは、0.005≦α≦0.04、1.00≦k≦
1.05、0<x<0.10、0<z≦0.05、0.01≦x+
z≦0.10、<y≦0.04を満足する数値)であり、
前記第1の添加成分がCr2O3とAl2O3の内の少な
くとも1種の金属酸化物であり、前記第2の添加
成分がB2O3とSiO2とMO(但し、MOはBaO、
SrO、CaO、MgO及びZnOの内の少なくとも1
種の金属酸化物)から成り、且つ前記B2O3と前
記SiO2と前記MOとの組成範囲がこれ等の組成を
モル%で示す三角図における前記B2O3が1モル
%、前記SiO2が80モル%、前記MOが19モル%の
点Aと、前記B2O3が1モル%、前記SiO2が39モ
ル%、前記MOが60モル%の点Bと、前記B2O3
が30モル%、前記SiO2が0モル%、前記MOが70
モル%の点Cと、前記B2O3が90モル%、前記
SiO2が0モル%、前記MOが10モル%の点Dと、
前記B2O3が90モル%、前記SiO2が10モル%、前
記MOが0モル%の点Eと、前記B2O3が20モル
%と、前記SiO2が80モル%と、前記MOが0モル
%の点Fとを順に結ぶ6本の直線で囲まれた領域
内のものであることを特徴とする混合物を用意す
る工程と、 少なくとも2つの電極部分を有する前記混合物
の成形物を作る工程と、 前記電極部分を有する前記成形物を非酸化性雰
囲気で焼成する工程と、 前記焼成で得られた成形物を酸化性雰囲気で熱
処理する工程と を含む磁器コンデンサの製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1315983A JPH03177010A (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| US07/620,838 US5103369A (en) | 1989-12-04 | 1990-11-29 | Solid dielectric capacitor |
| EP90123123A EP0431531B1 (en) | 1989-12-04 | 1990-12-03 | Solid dielectric capacitor and method of manufacture |
| DE69009703T DE69009703T2 (de) | 1989-12-04 | 1990-12-03 | Festdielektrikumkondensator und Verfahren zur Herstellung. |
| KR1019900019859A KR930004746B1 (ko) | 1989-12-04 | 1990-12-04 | 자기 콘덴서 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1315983A JPH03177010A (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03177010A JPH03177010A (ja) | 1991-08-01 |
| JPH0530047B2 true JPH0530047B2 (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=18071927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1315983A Granted JPH03177010A (ja) | 1989-12-04 | 1989-12-05 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03177010A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2879867B2 (ja) * | 1992-03-27 | 1999-04-05 | 太陽誘電株式会社 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-12-05 JP JP1315983A patent/JPH03177010A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03177010A (ja) | 1991-08-01 |
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