JPH05307780A

JPH05307780A - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH05307780A
Application number: JP13429192A
Authority: JP
Inventors: Tomohiro Koda; 朋弘甲田
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1992-04-27
Filing date: 1992-04-27
Publication date: 1993-11-19

Abstract

(57)【要約】【目的】磁気ヘッドにより印加される光照射領域におけ
る磁界垂直成分の増加を図れ、また、磁気ヘッドの消費
電力および発熱量の低減を図れ、信頼性の向上を図れる
光磁気記録媒体を実現する。【構成】透明基板上１に、誘電膜３１、記録膜３２、
高透磁率層３５、保護層４を順次積層し、あるいは透明
基板１上に、光硬化性樹脂層２、第１の誘電膜３１、記
録膜３２、第２の誘電膜３３、高透磁率層３５、保護層
４を順次積層して、高透磁率層３５により、記録膜３２
あるいは第２の誘電膜３３を透過した光を反射させて多
重干渉などを促進させるとともに、レーザ光の照射領域
における磁界の垂直成分を増加させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気光学効果を利用し
て情報を記録再生する光磁気記録媒体に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】光磁気記録媒体は、レーザ光を磁性薄膜
に照射することにより局所的に温度を上昇させて、磁性
体としての保磁力を減少させた状態で外部磁界を与え、
その局所領域の磁化を磁界の方向に向かせることにより
情報の記録が行われ、情報記録領域にレーザ光を照射し
て、いわゆる記録ビットの磁化方向を読み出すことによ
り記録情報の再生が行われる。したがって、光磁気記録
媒体用の記録再生装置には、光学ヘッドと磁気ヘッドと
が併設され、両者は、たとえば光磁気記録システムの大
型化や装置構成の複雑化を防止するため、光磁気記録媒
体の一面側に配置される。

【０００３】図８は、光磁気記録媒体としての光磁気デ
ィスクの従来の構成例を示す図で、図中、１はガラスや
ポリカーボネートなどからなる読み出し用透明基板、２
はガイド溝やＩＤ用の信号ピット（図示せず）が形成さ
れた光硬化性樹脂層、３は情報が記録される記録層、４
は保護コート層、５は光学ヘッド、６は磁気ヘッドをそ
れぞれ示している。この光磁気ディスクは、透明基板
１、光硬化性樹脂層２、記録層３、保護コート層４を順
次積層して構成されている。

【０００４】光硬化性樹脂層２は、透明基板１上に紫外
線硬化樹脂を塗布し、この樹脂層にガイド溝などの反転
パターンを形成したスタンパを密着させた状態で透明基
板１側から紫外線を照射してパターンを転写する、いわ
ゆる２Ｐ法により形成される。なお、２Ｐ法によらず、
上記したスタンパを使用して射出成形により透明基板１
の成形と同時にガイド溝などを形成する場合には、光硬
化性樹脂層を設ける必要はない。

【０００５】記録層３は、図８の(b) に示すように、光
硬化性樹脂層２側から、たとえばＳｉＮからなる第１の
誘電膜３１、磁性材料たとえばＴｂＦｅＣｏからなる記
録膜３２、ＳｉＮからなる第２の誘電膜３３、Ａｌなど
の金属からなる反射膜３４を順に積層して構成されてい
る。すなわち、記録層３は、記録膜３２の酸化による劣
化を防止するとともに、光の多重反射による干渉作用を
利用して再生能力を向上させる（カー効果エンハスメン
ト）ために、第１の誘電膜３１および第２の誘電膜３３
により記録膜３２を挟んだ、いわゆるサンドイッチ構造
とし、かつ、第２の誘電膜３３を透過した光も反射させ
て多重干渉を促進するために、反射膜３４が第２の誘電
膜３３の記録膜３２との接触面とは逆の面側に設けられ
ている。

【０００６】このような構成の光磁気ディスクに対し
て、光学ヘッド５および磁気ヘッド６は、両者とも透明
基板１側に配置されて、情報の記録再生が行われる。実
際には、光学ヘッド５と磁気ヘッド６は一体化され、フ
ライングヘッドタイプやアクチュエータによって、光学
磁気ヘッドと光磁気ディスクとの間は一定の距離に保持
される。光磁気ディスクに対する情報の記録は、光学ヘ
ッド５によりディスクの記録層３上にレーザ光を集光さ
せた状態で、磁気ヘッド６によってデータに応じて磁界
を高速反転させることにより行われる。

【０００７】以上のような記録方式を磁界変調方式とい
い、磁気記録と同様に磁気ヘッド６で記録し、光学ヘッ
ド５によるレーザ光は記録領域を限定するために使われ
ることから、古い情報の上にいきなり新しい情報を記録
する、いわゆるオーバライトが可能である。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、図８に示す
ような光磁気ディスクでは、読み出し用透明基板１の厚
さが、ディスク自体に実用的な強度を与え、また塵埃や
傷対策のために１mm程度と、数１００nm程度の記録膜３
２などに比べて大きな値に設定される。その結果、磁気
ヘッド６と記録層３との距離が大きくなり、また、図９
に示すように、磁気ヘッド５によって発生される記録膜
３２上での磁界垂直成分は、磁力線Ｍが大きなループを
形成するため、記録領域においては少なくなることか
ら、記録膜３２に対し情報の記録を確実に行うために
は、磁気ヘッド６の磁気コイルに大きな電流を流して磁
化の高速反転を行わなければならない。このため、従来
の光磁気ディスク装置では、磁気ヘッド６の消費電力が
大きく、発熱量も大きくなるという欠点があった。

【０００９】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、磁気ヘッドにより印加される光
照射領域における磁界垂直成分の増加を図れ、また、磁
気ヘッドの消費電力および発熱量の低減を図れ、信頼性
の向上を図れる光磁気記録媒体を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の光磁気記録媒体では、透明基板上に、誘電
膜、記録膜、高透磁率層、保護層を順次積層した。

【００１１】本発明の光磁気記録媒体では、記録膜と高
透磁率層との間に、放熱機能を有する反射膜を設けた。

【００１２】本発明の光磁気記録媒体では、反射膜と高
透磁率層との間に、透磁性を有する熱絶縁層を設けた。

【００１３】本発明の光磁気記録媒体では、透明基板上
に、光硬化性樹脂層、第１の誘電膜、記録膜、第２の誘
電膜、高透磁率層、保護層を順次積層した。

【００１４】本発明の光磁気記録媒体では、第２の誘電
膜と高透磁率層との間に、放熱機能を有する反射膜を設
けた。

【００１５】本発明の光磁気記録媒体では、反射膜と高
透磁率層との間に、透磁性を有する熱絶縁層を設けた。

【００１６】本発明の光磁気記録媒体では、支持基板上
に、光硬化性樹脂層、高透磁率層、記録膜、誘電膜、透
明基板を順次積層した。

【００１７】本発明の光磁気記録媒体では、高透磁率層
と記録膜との間に、放熱機能を有する反射膜を設けた。

【００１８】本発明の光磁気記録媒体では、高透磁率層
と反射膜との間に、透磁性を有する熱絶縁層を設けた。

【００１９】本発明の光磁気記録媒体では、支持基板上
に、光硬化性樹脂層、高透磁率層、第２の誘電膜、記録
膜、第１の誘電膜、透明基板を順次積層した。

【００２０】本発明の光磁気記録媒体では、高透磁率層
と第２の誘電膜との間に、放熱機能を有する反射膜を設
けた。

【００２１】本発明の光磁気記録媒体では、高透磁率層
と反射膜との間に、透磁性を有する熱絶縁層を設けた。

【００２２】

【作用】本発明の光磁気記録媒体によれば、光学ヘッド
から出射されたレーザ光は、透明基板、誘電膜、記録膜
に入射され、記録膜を透過した光は高透磁率層で反射さ
れる。この反射光によりカー効果にファラデ効果が相乗
され、回転角が拡大される。一方、磁気ヘッドにより発
生された磁束は、透明基板、誘電膜および記録膜を各面
に対してほぼ垂直に透過した後、高透磁率層に到達す
る。高透磁率層に到達した磁束は、この高透磁率層を透
過せず高透磁率層中を面内方向に磁界強度に応じた距離
だけ進行し、再び記録膜、誘電膜および透明基板を透過
して磁気ヘッドに戻るという小さな閉磁ループを描く。
その結果、レーザ光の照射領域における磁界の垂直成分
が増加する。

【００２３】また、本発明の光磁気記録媒体によれば、
光学ヘッドから出射されたレーザ光は、透明基板、誘電
膜、記録膜に入射され、記録膜を透過した光は反射膜で
反射される。この反射光によりカー効果にファラデ効果
が相乗され、回転角が拡大される。このときレーザ光の
照射により高温となった領域の熱は、反射膜により放熱
される。これにより、高透磁率層が熱の影響を受け難く
なり、高透磁率層の透磁率、飽和磁束密度の低下が防止
される。一方、磁気ヘッドにより発生された磁束は、透
明基板、誘電膜、記録膜および反射膜を各面に対してほ
ぼ垂直に透過した後、高透磁率層に到達する。高透磁率
層に到達した磁束は、この高透磁率層を透過せず高透磁
率層中を面内方向に磁界強度に応じた距離だけ進行し、
再び反射膜、記録膜、誘電膜および透明基板を透過して
磁気ヘッドに戻るという小さな閉磁ループを描く。その
結果、レーザ光の照射領域における磁界の垂直成分が増
加する。

【００２４】また、本発明の光磁気記録媒体によれば、
光学ヘッドから出射されたレーザ光は、透明基板、誘電
膜、記録膜に入射され、記録膜を透過した光は反射膜で
反射される。この反射光によりカー効果にファラデ効果
が相乗され、回転角が拡大される。このときレーザ光の
照射により高温となった領域の熱は、反射膜により放熱
される。これにより、高透磁率層が熱の影響を受け難く
なり、高透磁率層の透磁率、飽和磁束密度の低下が防止
される。また、反射膜と高透磁率層との間には、熱絶縁
性層が設けてあることから、レーザ光照射に伴い発生す
る熱は、高透磁率層にはほとんど伝わらない。一方、磁
気ヘッドにより発生された磁束は、透明基板、誘電膜、
記録膜、反射膜および熱絶縁層を各面に対してほぼ垂直
に透過した後、高透磁率層に到達する。高透磁率層に到
達した磁束は、この高透磁率層を透過せず高透磁率層中
を面内方向に磁界強度に応じた距離だけ進行し、再び熱
絶縁層、反射膜、記録膜、誘電膜および透明基板を透過
して磁気ヘッドに戻るという小さな閉磁ループを描く。
その結果、レーザ光の照射領域における磁界の垂直成分
が増加する。

【００２５】また、本発明の光磁気記録媒体によれば、
光学ヘッドから出射されたレーザ光は、透明基板、光硬
化性樹脂層、第１の誘電膜、記録膜および第２の誘電膜
に入射され、第２の誘電膜を透過した光は、高透磁率層
で反射され、その反射光は多重干渉に供される。一方、
磁気ヘッドにより発生された磁束は、透明基板、光硬化
性樹脂層、第１の誘電膜、記録膜および第２の誘電膜を
各面に対してほぼ垂直に透過した後、高透磁率層に到達
する。高透磁率層に到達した磁束は、この高透磁率層を
透過せず高透磁率層中を面内方向に磁界強度に応じた距
離だけ進行し、再び第２の誘電膜、記録膜、第１の誘電
膜、光硬化性樹脂層および透明基板を透過して磁気ヘッ
ドに戻るという小さな閉磁ループを描く。その結果、レ
ーザ光の照射領域における磁界の垂直成分が増加する。

【００２６】また、本発明の光磁気記録媒体によれば、
光学ヘッドから出射されたレーザ光は、透明基板、光硬
化性樹脂層、第１の誘電膜、記録膜および第２の誘電膜
に入射され、第２の誘電膜を透過した光は、反射膜で反
射されその反射光は多重干渉に供される。このときレー
ザ光の照射により高温となった領域の熱は、反射膜によ
り放熱される。これにより、高透磁率層が熱の影響を受
け難くなり、高透磁率層の透磁率、飽和磁束密度の低下
が防止される。一方、磁気ヘッドにより発生された磁束
は、透明基板、光硬化性樹脂層、第１の誘電膜、記録
膜、第２の誘電膜および反射膜を各面に対してほぼ垂直
に透過した後、高透磁率層に到達する。高透磁率層に到
達した磁束は、この高透磁率層を透過せず高透磁率層中
を面内方向に磁界強度に応じた距離だけ進行し、再び反
射膜、第２の誘電膜、記録膜、第１の誘電膜、光硬化性
樹脂層および透明基板を透過して磁気ヘッドに戻るとい
う小さな閉磁ループを描く。その結果、レーザ光の照射
領域における磁界の垂直成分が増加する。

【００２７】また、本発明の光磁気記録媒体によれば、
光学ヘッドから出射されたレーザ光は、透明基板、光硬
化性樹脂層、第１の誘電膜、記録膜および第２の誘電膜
に入射され、第２の誘電膜を透過した光は、反射膜で反
射されその反射光は多重干渉に供される。このときレー
ザ光の照射により高温となった領域の熱は、反射膜によ
り放熱される。これにより、高透磁率層が熱の影響を受
け難くなり、高透磁率層の透磁率、飽和磁束密度の低下
が防止される。また、反射膜と高透磁率層との間には、
熱絶縁性層が設けてあることから、レーザ光照射に伴い
発生する熱は、高透磁率層にはほとんど伝わらない。一
方、磁気ヘッドにより発生された磁束は、透明基板、光
硬化性樹脂層、第１の誘電膜、記録膜、第２の誘電膜、
反射膜および熱絶縁層を各面に対してほぼ垂直に透過し
た後、高透磁率層に到達する。高透磁率層に到達した磁
束は、この高透磁率層を透過せず高透磁率層中を面内方
向に磁界強度に応じた距離だけ進行し、再び熱絶縁層、
反射膜、第２の誘電膜、記録膜、第１の誘電膜、光硬化
性樹脂層および透明基板を透過して磁気ヘッドに戻ると
いう小さな閉磁ループを描く。その結果、レーザ光の照
射領域における磁界の垂直成分が増加する。

【００２８】支持基板を用いた本発明の光磁気記録媒体
においても、上記した同様の作用を有する。

【００２９】

【実施例１】図１の(a) は、本発明に係る光磁気ディス
クの第１の実施例を示す要部概略断面図、同図の(b) は
(a) における記録層の一部拡大断面図であって、従来例
を示す図８と同一構成部分は同一符号をもって表す。す
なわち、１は読み出し用透明基板、２はガイド溝やＩＤ
用の信号ピット（図示せず）が形成された光硬化性樹脂
層、３ａは情報が記録される記録層、４は保護コート
層、５は光学ヘッド、６は磁気ヘッドをそれぞれ示して
おり、この光磁気ディスクは、透明基板１、光硬化性樹
脂層２、記録層３ａ、保護コート層４を順次積層して構
成されている。

【００３０】透明基板１は、ガラスやポリカーボネート
などから構成され、厚さは実用的な強度を考慮して、た
とえば１．２ｍｍに設定される。特に、材料としてガラ
スを用いた場合には、外力により湾曲し難く、傷を受け
難く、また帯電し難いため塵埃の付着の少ない光磁気デ
ィスクを実現できる。

【００３１】光硬化性樹脂層２は、透明基板１上に紫外
線硬化樹脂を塗布し、この樹脂層にガイド溝などの反転
パターンを形成したスタンパを密着させて透明基板１側
から紫外線を照射してパターンを転写する、いわゆる２
Ｐ法により５〜数１０μｍ程度の厚さに形成される。な
お、２Ｐ法によらず、上記したスタンパを使用して射出
成形により透明基板１の成形と同時にガイド溝などを形
成する場合には、光硬化性樹脂層を設ける必要はない。

【００３２】記録層３ａは、図１の(b) に示すように、
光硬化性樹脂層２側から、第１の誘電膜３１、記録膜３
２、第２の誘電膜３３、高透磁率層３５を順に積層して
構成されている。第１の誘電膜３１は、ＳｉＮ（窒化シ
リコン）やＡｌＮ（窒化アルミニウム）などの窒化物、
ＳｉＯなどの酸化物により構成され、光硬化性樹脂層２
上に、たとえばスパッタリングなどの真空成膜形成技術
により数１００nmの厚さに形成される。記録膜３２は、
垂直異法性エネルギーが大きく、高密度記録に必要な垂
直磁化膜となり易く、また、カー回転角が比較的大き
く、さらにキューリ点が低く（１５０〜２００°Ｃ）、
記録・消去パワーを市販の半導体レーザ（出力２０〜４
０ｍＷ）で実現できることなどの要請から、たとえばＣ
ｄ，Ｔｂなどの希土類元素（ＲＥ；Rare Earth）とＦ
ｅ，Ｃｏなどの遷移元素（ＴＭ；Transition Metal）と
の合金、たとえばＴｂＦｅＣｏ膜などにより構成され、
第１の誘電膜３１上にたとえばスパッタリングなどの真
空成膜形成技術により数１００nmの厚さに形成される。
第２の誘電膜３３は、第１の誘電膜３１と同様に、Ｓｉ
ＮやＡｌＮなどの窒化物、ＳｉＯなどの酸化物により構
成され、記録膜３２上に、たとえばスパッタリングなど
の真空成膜形成技術により数１００nmの厚さに形成され
る。高透磁率層３５は、たとえばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉなど
の遷移金属の合金などの高透磁率を有する軟磁性材料に
より構成され、第２の誘電膜３３上にたとえばスパッタ
リングなどの真空成膜形成技術により数１００nmの厚さ
に形成される。この高透磁率層３５は、従来の反射膜の
機能を果たすとともに、図２に示すように、磁気ヘッド
６による磁力線Ｍのループを小さくさせ、レーザ光が照
射されている記録領域における磁界の垂直成分を増加さ
せる機能を有している。

【００３３】すなわち、記録層３ａは、記録膜３２の酸
化による劣化を防止するとともに、光の多重反射による
干渉作用を利用して再生能力を向上させる（カー効果エ
ンハスメント）ために、第１の誘電膜３１および第２の
誘電膜３３により記録膜３２をサンドイッチ構造とし、
かつ、第２の誘電膜３３を透過した光も反射させて多重
干渉を促進し、かつ、記録領域における磁界の垂直成分
を増加させるために、高透磁率層３５が第２の誘電膜３
３の記録膜３２との接触面とは逆の面側に設けられてい
る。

【００３４】保護コート層４は、記録層３ａを成膜した
後に、第２の誘電膜３３上にたとえばスピンコート法な
どにより数１００μｍ程度の厚さに形成される。この保
護コート層４は、レーザ光を透過させる必要がないの
で、不透明なものでもよい。また、読み出し用透明基板
１が、たとえば０．３mmなど薄く形成され十分な強度が
ない場合には、ガラスあるいはポリカーボネートあるい
は金属などによる構成し、接着剤によって記録層３ａに
対して接着される。

【００３５】このような構成の光磁気ディスクに対し
て、光学ヘッド５および磁気ヘッド６は、両者とも透明
基板１側に配置されて、情報の記録再生が行われる。実
際には、光学ヘッド５と磁気ヘッド６は一体化され、フ
ライングヘッドタイプやアクチュエータによって、光学
磁気ヘッドと光磁気ディスクとの間は一定の距離に保持
される。

【００３６】本光磁気ディスクに対する情報の記録は、
光学ヘッド５によりディスクの記録層３ａ上にレーザ光
を集光させた状態で、磁気ヘッド６によってデータに応
じて磁界を高速反転させることにより行われる。このと
き、磁気ヘッド６により発生された磁束は、読み出し用
透明基板１、光硬化性樹脂層２、第１の誘電膜３１、記
録膜３２および第２の誘電膜３３を各面に対してほぼ垂
直に透過した後、高透磁率層３５に到達するが、磁束は
この高透磁率層３５を透過せず高透磁率層３５中を面内
方向に磁界強度に応じた距離だけ進行し、再び第２の誘
電膜３３、記録膜３２、第１の誘電膜３１、光硬化性樹
脂層２および読み出し用透明基板１を透過して磁気ヘッ
ド６に戻るという小さな閉磁ループを描く。その結果、
レーザ光が照射されている記録領域における磁界の垂直
成分が、従来のように高透磁率層３５を設けていない従
来の光磁気ディスクに比較して増加することになる。し
たがって、磁気ヘッド６に流す電流Ｉを従来より小さく
できる。

【００３７】図３は、図１の光磁気ディスク（本発明
品）に対する駆動電流Ｉおよび図８に示す従来に光磁気
ディスク（従来品）に対する駆動電流ＩとＣＮとの関係
を示す図である。図３に示すように、本発明品によれ
ば、磁気ヘッド６の駆動電流Ｉを従来のほぼ５０％に設
定したとしても、従来品に比べて良好なＣＮ比を得るこ
とができる。

【００３８】以上説明したように、本実施例によれば、
記録層３ａにおいて、Ａｌなどからなる反射膜の代わり
に、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどの遷移金属の合金などの高透
磁率を有する軟磁性材料により構成したので、反射膜と
同様に、第２の誘電膜３３を透過した光も反射させて多
重干渉を促進できることはもとより、レーザ光が照射さ
れた記録領域における磁界の垂直成分を増加させること
ができる。これにより、磁気ヘッド６に流す電流Ｉを小
さくでき、ひいては磁気ヘッド６の消費電力および発熱
量の低減を図ることができる。また、高透磁率層３５
は、図８に示す従来の記録層３における反射膜３４の代
わりに形成することから、製造工程においても、同様の
成膜工程により製造することができ、光磁気ディスク自
体の厚さも従来品と同等の厚さを保持できる。

【００３９】なお、上述の説明では、高透磁率層３５の
形成法として、スパッタリングなどの真空成膜形成技術
によるものを例に説明したが、これに限定されるもので
はなく、たとえば真空蒸着やメッキなどの方法を用いて
形成できることはいうまでもない。

【００４０】

【実施例２】図４は、本発明に係る光磁気ディスクの第
２の実施例を示す要部概略断面図であって、具体的には
記録層の一部拡大断面図である。本実施例が前記実施例
１と異なる点は、記録層３ａの第２の誘電膜３３と高透
磁率層３５との間に、Ａｌなどの金属からなる反射膜３
６を設けたことにある。したがって、本例の記録層３ａ
は、第２の誘電膜３３上にスパッタリングなどにより反
射膜３６を形成した後に、同じくスパッタリングなどに
より高透磁率層３５を形成することにより記録層３ａが
構成される。

【００４１】高透磁率層３５は、上述したように、反射
膜と同様に第２の誘電膜３３を透過した光も反射させて
多重干渉を促進させる機能は有するものの、Ａｌなどの
金属のように、レーザ光の照射により高温となった領域
の熱をすばやく放熱させるいわゆるヒートシンクとして
の機能に劣る。また、高透磁率層３５は、熱の影響を受
け易いため、透磁率、飽和磁束密度の低下が心配され
る。そこで、本実施例では、第２の誘電膜３３と高透磁
率層３５との間に、Ａｌなどの金属からなる反射膜３６
を設けている。

【００４２】このように、本実施例の光磁気ディスクで
は、図示しない光学ヘッドから出射されたレーザ光は、
図示しない読み出し用透明基板、光硬化性樹脂層を透過
して記録層３ａに入射するが、これらの光うち第１の誘
電膜３１、記録膜３２および第２の誘電膜３３を透過し
た光は、反射膜３６で反射され多重干渉に供される。ま
た、レーザ光による熱は、反射膜３６により放熱され
る。

【００４３】一方、図示しない磁気ヘッドにより発生さ
れた磁束は、読み出し用透明基板、光硬化性樹脂層、第
１の誘電膜３１、記録膜３２、第２の誘電膜３３および
反射膜３６を各面に対してほぼ垂直に透過した後、高透
磁率層３５に到達する。高透磁率層３５に到達した磁束
は、この高透磁率層３５を透過せず高透磁率層３５中を
面内方向に磁界強度に応じた距離だけ進行し、再び反射
膜３６、第２の誘電膜３３、記録膜３２、第１の誘電膜
３１、光硬化性樹脂層および読み出し用透明基板を透過
して磁気ヘッドに戻るという小さな閉磁ループを描く。
その結果、レーザ光が照射されている記録領域における
磁界の垂直成分が、従来のように高透磁率層３５を設け
ていない従来の光磁気ディスクに比較して増加すること
になる。したがって、磁気ヘッド６に流す電流Ｉを従来
より小さくできる。また、反射膜３６の放熱作用により
高透磁率層３５はレーザ光照射に伴う熱の影響を受け難
い。

【００４４】以上説明したように、本実施例によれば、
磁気ヘッドに流す電流Ｉを小さくでき、ひいては磁気ヘ
ッドの消費電力および発熱量の低減を図ることができる
ことはもとより、高透磁率層３５はレーザ光照射に伴う
熱の影響を受け難いことから、透磁率、飽和磁束密度の
低下を防止でき、光磁気ディスクの信頼性の向上を図る
ことができる。

【００４５】

【実施例３】図５は、本発明に係る光磁気ディスクの第
３の実施例を示す要部概略断面図であって、具体的には
記録層の一部拡大断面図である。本実施例が前記実施例
２と異なる点は、記録層３ａの反射膜３６と高透磁率層
３５との間に、熱的絶縁性が高く、かつ、透磁性の材料
からなる第３の誘電膜３７を設けたことにある。この第
３の誘電膜３７は、たとえば第１および第２の誘電膜３
１，３３と同様の材料により構成される。本例の記録層
３ａは、反射膜３６上にスパッタリングなどにより第３
の誘電膜３７を形成した後に、同じくスパッタリングな
どにより高透磁率層３５を形成することにより記録層３
ａが構成される。

【００４６】このように、本実施例の光磁気ディスクで
は、図示しない光学ヘッドから出射されたレーザ光は、
図示しない読み出し用透明基板、光硬化性樹脂層を透過
して記録層３ａに入射するが、これらの光うち第１の誘
電膜３１、記録膜３２および第２の誘電膜３３を透過し
た光は、反射膜３６で反射され多重干渉に供される。ま
た、レーザ光による熱は、反射膜３６により放熱され
る。このとき、反射膜３６と高透磁率層３５との間に
は、熱絶縁性の高い第３の誘電膜３７が設けてあること
から、レーザ光照射に伴い発生する熱は、高透磁率層３
５にはほとんど伝わらない。

【００４７】一方、図示しない磁気ヘッドにより発生さ
れた磁束は、読み出し用透明基板、光硬化性樹脂層、第
１の誘電膜３１、記録膜３２、第２の誘電膜３３、反射
膜３６および第３の誘電膜３７を各面に対してほぼ垂直
に透過した後、高透磁率層３５に到達する。高透磁率層
３５に到達した磁束は、この高透磁率層３５を透過せず
高透磁率層３５中を面内方向に磁界強度に応じた距離だ
け進行し、再び第３の誘電膜３７、反射膜３６、第２の
誘電膜３３、記録膜３２、第１の誘電膜３１、光硬化性
樹脂層および読み出し用透明基板を透過して磁気ヘッド
に戻るという小さな閉磁ループを描く。その結果、レー
ザ光が照射されている記録領域における磁界の垂直成分
が、従来のように高透磁率層３５を設けていない従来の
光磁気ディスクに比較して増加することになる。したが
って、磁気ヘッド６に流す電流Ｉを従来より小さくで
き、また、反射膜３６の放熱作用および第３の誘電膜３
７の熱絶縁性により高透磁率層３５はレーザ光照射に伴
う熱の影響をほとんど受けない。

【００４８】以上説明したように、本実施例によれば、
実施例２の場合に比べて、さらに高透磁率層３５はレー
ザ光照射に伴う熱の影響を受け難いことから、透磁率、
飽和磁束密度の低下を確実に防止でき、光磁気ディスク
の信頼性の一層の向上を図ることができる。

【００４９】

【実施例４】図６は、本発明に係る光磁気ディスクの第
４の実施例を示す要部概略断面図である。本実施例で
は、たとえばガラスあるいはポリカーボネートあるいは
金属などからなる支持基板３８を用意し、この支持基板
３８上に２Ｐ法による光硬化性樹脂層２を形成し、光硬
化性樹脂層２上に記録層３ａを成膜し、この記録層３ａ
と読み出し用透明基板１とを光透過性のよい接着剤３９
により接着することにより構成さしている。

【００５０】この光磁気ディスクにおいては、製造工程
が若干異なるものの、他の構成、特に記録層３ａの構成
は、図１、図４および図５と同様に構成され、このよう
な構成の光磁気ディスクに対して、光学ヘッド５および
磁気ヘッド６は、上記した各実施例１，２および３と同
様に、両者とも読み出し用透明基板１側に配置されて、
情報の記録再生が行われる。

【００５１】本実施例においても、上記した各実施例と
同様の効果を得ることができる。

【００５２】

【実施例５】図６は、本発明に係る光磁気ディスクの第
５の実施例を示す要部概略断面図である。本実施例で
は、前述した各実施例が片面ディスクを前提として構成
されていたのに対し、本発明を両面ディスクに適用して
いる。図７の構成の両面ディスクは、図１の(a) に示す
片面ディスクの保護コート層４，４’同士を接着剤によ
り張り合わせて構成されている。なお、図６に示す片面
ディスクを用いる場合には、支持基板３８同士を接着剤
により張り合わせて両面ディスクが構成される。

【００５３】本実施例においては、上記した各実施例の
効果に加えて、両面を同時にアクセスすることができ
る。

【００５４】なお、以上の各実施例においては、本発明
が適用される光磁気記録媒体の形態としてディスクを例
に説明したが、これに限定されるものではなく、たとえ
ばカード、テープ、ドラムなどにも適用可能であること
は勿論である。

【００５５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高透磁率層により、記録膜あるいは第２の誘電膜を透過
した光を反射させて多重干渉などを促進できるととも
に、レーザ光の照射領域における磁界の垂直成分を増加
させることができる。これにより、磁気ヘッドに流す電
流を小さくでき、ひいては磁気ヘッドの消費電力および
発熱量の低減を図ることができる。

【００５６】また、記録膜と高透磁率層との間、あるい
は第２の誘電膜と高透磁率層との間に放熱性を有する反
射膜を設けたので、反射膜によりレーザ光照射に伴う熱
を放熱することができるため、高透磁率層はレーザ光照
射に伴う熱の影響を受け難くくなる。その結果、高透磁
率層の透磁率、飽和磁束密度の低下を防止でき、光磁気
記録媒体の信頼性の向上を図ることができる。

【００５７】また、反射膜と高透磁率層との間に、透磁
性を有する熱絶縁層を設けたので、高透磁率層はレーザ
光照射に伴う熱の影響を一層受け難くくなる。したがっ
て、高透磁率層の透磁率、飽和磁束密度の低下を確実に
防止でき、光磁気ディスクの信頼性の一層の向上を図る
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光磁気ディスクの第１の実施例を
示す要部概略断面図である。

【図２】本発明に係る光磁気ディスクの磁束の軌跡の説
明図である。

【図３】図１の光磁気ディスク（本発明品）に対する駆
動電流および図８に示す従来の光磁気ディスク（従来
品）に対する駆動電流とＣＮとの関係を示す図である。

【図４】本発明に係る光磁気ディスクの第２の実施例を
示す要部概略断面図である。

【図５】本発明に係る光磁気ディスクの第３の実施例を
示す要部概略断面図である。

【図６】本発明に係る光磁気ディスクの第４の実施例を
示す要部概略断面図である。

【図７】本発明に係る光磁気ディスクの第５の実施例を
示す要部概略断面図である。

【図８】従来の光磁気ディスクの要部概略断面図であ
る。

【図９】従来の光磁気ディスクの磁束軌跡の説明図であ
る。

【符号の説明】

１，１’…読み出し用透明基板２，２’…光硬化性樹脂層３ａ，３ａ’…記録層３１…第１の誘電膜３２…記録膜３３…第２の誘電膜３５…高透磁率層３６…反射膜３７…第３の誘電膜３８…支持基板４，４’…保護コート層５，５’…光学ヘッド６，６’…磁気ヘッド

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基板上に、順次誘電膜、記録膜、高
透磁率層、保護層が積層されていることを特徴とする光
磁気記録媒体。
【請求項２】記録膜と高透磁率層との間に、放熱機能
を有する反射膜を設けた請求項１記載の光磁気記録媒
体。
【請求項３】反射膜と高透磁率層との間に、透磁性を
有する熱絶縁層を設けた請求項２記載の光磁気記録媒
体。
【請求項４】透明基板上に、順次光硬化性樹脂層、第
１の誘電膜、記録膜、第２の誘電膜、高透磁率層、保護
層が積層されていることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項５】第２の誘電膜と高透磁率層との間に、放
熱機能を有する反射膜を設けた請求項４記載の光磁気記
録媒体。
【請求項６】反射膜と高透磁率層との間に、透磁性を
有する熱絶縁層を設けた請求項５記載の光磁気記録媒
体。
【請求項７】支持基板上に、順次光硬化性樹脂層、高
透磁率層、記録膜、誘電膜、透明基板が積層されている
ことを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項８】高透磁率層と記録膜との間に、放熱機能
を有する反射膜を設けた請求項７記載の光磁気記録媒
体。
【請求項９】高透磁率層と反射膜との間に、透磁性を
有する熱絶縁層を設けた請求項８記載の光磁気記録媒
体。
【請求項１０】支持基板上に、順次光硬化性樹脂層、
高透磁率層、第２の誘電膜、記録膜、第１の誘電膜、透
明基板が積層されていることを特徴とする光磁気記録媒
体。
【請求項１１】高透磁率層と第２の誘電膜との間に、
放熱機能を有する反射膜を設けた請求項１０記載の光磁
気記録媒体。
【請求項１２】高透磁率層と反射膜との間に、透磁性
を有する熱絶縁層を設けた請求項１１記載の光磁気記録
媒体。