JPH05308145A - 有機光起電力素子 - Google Patents
有機光起電力素子Info
- Publication number
- JPH05308145A JPH05308145A JP4111394A JP11139492A JPH05308145A JP H05308145 A JPH05308145 A JP H05308145A JP 4111394 A JP4111394 A JP 4111394A JP 11139492 A JP11139492 A JP 11139492A JP H05308145 A JPH05308145 A JP H05308145A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron
- organic
- layer
- accepting
- organic material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/621—Aromatic anhydride or imide compounds, e.g. perylene tetra-carboxylic dianhydride or perylene tetracarboxylic di-imide
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 有機光起電力素子としては高い変換効率を与
える素子を提供する。 【構成】 少なくとも一方が透光性である２つの電極の
間に、少なくとも電子受容性有機物層、電子供与性有機
物層の連続した２つの層からなる部分を含む光起電力素
子において、前記電子受容性有機物層が式（Ｉ）、(II)
のハロゲン置換ジベンズイミダゾリルペリレン化合物で
ある光起電力素子 （Ｘ1〜Ｘ4はフッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲン原
子を表わしｋ、ｌ、ｍ、ｎは１〜４の整数を表わし、２
以上の整数の場合Ｘ1〜Ｘ4はそれぞれ２種以上の異なっ
たハロゲン原子でもよい。）
える素子を提供する。 【構成】 少なくとも一方が透光性である２つの電極の
間に、少なくとも電子受容性有機物層、電子供与性有機
物層の連続した２つの層からなる部分を含む光起電力素
子において、前記電子受容性有機物層が式（Ｉ）、(II)
のハロゲン置換ジベンズイミダゾリルペリレン化合物で
ある光起電力素子 （Ｘ1〜Ｘ4はフッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲン原
子を表わしｋ、ｌ、ｍ、ｎは１〜４の整数を表わし、２
以上の整数の場合Ｘ1〜Ｘ4はそれぞれ２種以上の異なっ
たハロゲン原子でもよい。）
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光センサ等にも有用な
光起電力素子に関する。
光起電力素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機物を能動材料として用いた光起電力
素子が多く研究されている。その目的は、単結晶、多結
晶、アモルファスのＳｉでは構成が困難とされている、
安価で毒性のない光起電力素子を開発するためである。
素子が多く研究されている。その目的は、単結晶、多結
晶、アモルファスのＳｉでは構成が困難とされている、
安価で毒性のない光起電力素子を開発するためである。
【０００３】光起電力素子は、光エネルギを電気エネル
ギ（電圧×電流）に変換する素子であるため、変換効率
がその主要な評価対象となる。光電流の生成には内部電
界の存在が必要であるが、内部電界を生成する方法とし
ていくつかの素子構成が知られている。
ギ（電圧×電流）に変換する素子であるため、変換効率
がその主要な評価対象となる。光電流の生成には内部電
界の存在が必要であるが、内部電界を生成する方法とし
ていくつかの素子構成が知られている。
【０００４】１）ショットキー接合またはＭＩＳ型接合 金属／半導体接合で生じる内部電界を利用したもの。有
機半導体材料としてメロシアニン染料、フタロシアニン
顔料等が報告されている［Ａ．Ｋ．ＧｈｏｓｈらＪ．Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．４９，５９８２（１９７８）］。こ
の素子は、開放電圧（Ｖｏｃ）は大きくとれるが、電極
として金属材料が用いられているため、電極の光透過率
が低くなる。実際の光透過率は、よくても３０％、通常
は１０％前後である。また、これらの材料は耐酸化性に
乏しい。従って、この素子形態では高い変換効率と、安
定した特性を作り出すことは望めない。
機半導体材料としてメロシアニン染料、フタロシアニン
顔料等が報告されている［Ａ．Ｋ．ＧｈｏｓｈらＪ．Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．４９，５９８２（１９７８）］。こ
の素子は、開放電圧（Ｖｏｃ）は大きくとれるが、電極
として金属材料が用いられているため、電極の光透過率
が低くなる。実際の光透過率は、よくても３０％、通常
は１０％前後である。また、これらの材料は耐酸化性に
乏しい。従って、この素子形態では高い変換効率と、安
定した特性を作り出すことは望めない。
【０００５】２）ｎ型無機半導体／ｐ型有機半導体接合
を利用したヘテロｐｎ接合 ｎ型無機半導体／ｐ型有機半導体を接合したときに生じ
る内部電界を利用したもの。ｎ型材料としてＣｄＳ，Ｚ
ｎＯ等が用いられる。ｐ型有機半導体材料としてメロシ
アニン染料、アタロシアニン等が報告されている［Ａ．
Ｈｏｒら Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，４２，１
５（１９８３）］。この素子は、電荷生成が主として有
機層でなされるため、分光感度の制限を受ける。通常、
有機層は単一の材料から形成されるが、４００から例え
ば８００ｎｍまで強い光吸収をもつ有機半導体は現在存
在しないからである。従って、この素子構成では光入射
電極の光透過性や、電極の安定性の問題は解決できる
が、分光感度領域が狭いため、高い変換効率は望めな
い。
を利用したヘテロｐｎ接合 ｎ型無機半導体／ｐ型有機半導体を接合したときに生じ
る内部電界を利用したもの。ｎ型材料としてＣｄＳ，Ｚ
ｎＯ等が用いられる。ｐ型有機半導体材料としてメロシ
アニン染料、アタロシアニン等が報告されている［Ａ．
Ｈｏｒら Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，４２，１
５（１９８３）］。この素子は、電荷生成が主として有
機層でなされるため、分光感度の制限を受ける。通常、
有機層は単一の材料から形成されるが、４００から例え
ば８００ｎｍまで強い光吸収をもつ有機半導体は現在存
在しないからである。従って、この素子構成では光入射
電極の光透過性や、電極の安定性の問題は解決できる
が、分光感度領域が狭いため、高い変換効率は望めな
い。
【０００６】３）有機／有機ヘテロｐｎ接合を利用した
もの 電子受容性の有機物と電子供与性の有機物を接合したと
きに生じる電界を利用したもの。
もの 電子受容性の有機物と電子供与性の有機物を接合したと
きに生じる電界を利用したもの。
【０００７】この電子受容性有機物としてはマラカイト
グリーン、メチルバイオレット、ピリリウム等の染料、
フラバンスロン、ペリレン顔料等の縮合多環芳香族化合
物が報告されている［Ｃ．Ｔａｎｇ Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．Ｌｅｔｔ．，４８，１８３（１９８６）］。上記２
種の構成と較べ、現在のところ最も望ましいものであ
る。透明電極からの光照射が行え、また、２種の材料で
光電荷生成が可能であるため、分光感度も広げることが
できる。しかし、Ｔａｎｇ氏の技術は次の様な欠点を有
している。
グリーン、メチルバイオレット、ピリリウム等の染料、
フラバンスロン、ペリレン顔料等の縮合多環芳香族化合
物が報告されている［Ｃ．Ｔａｎｇ Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．Ｌｅｔｔ．，４８，１８３（１９８６）］。上記２
種の構成と較べ、現在のところ最も望ましいものであ
る。透明電極からの光照射が行え、また、２種の材料で
光電荷生成が可能であるため、分光感度も広げることが
できる。しかし、Ｔａｎｇ氏の技術は次の様な欠点を有
している。
【０００８】前記電子供与性有機物及び電子受容性有機
物の光電流、開放電圧、安定性等の特性及び成膜時ピン
ホールが生じやすい等未だ十分とは言えない。
物の光電流、開放電圧、安定性等の特性及び成膜時ピン
ホールが生じやすい等未だ十分とは言えない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、有機
／有機ｐｎタイプの光起電力素子に対し、安定性がよく
且つピンホールを生じにくく、新しい有効な電子受容性
有機物を見いだすことにより、有機光起電力素子として
は高い変換効率を与える素子を提供することにある。
／有機ｐｎタイプの光起電力素子に対し、安定性がよく
且つピンホールを生じにくく、新しい有効な電子受容性
有機物を見いだすことにより、有機光起電力素子として
は高い変換効率を与える素子を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、鋭意検討した結果、少なくとも一方が透光性である
２つの電極の間に、少なくとも電子受容性有機物層と電
子供与性有機物層の積層された光起電力素子において、
電子受容性有機物層にハロゲン置換ジベンズイミダゾリ
ルペリレン化合物を用いることで目的が達成できること
を見いだした。
め、鋭意検討した結果、少なくとも一方が透光性である
２つの電極の間に、少なくとも電子受容性有機物層と電
子供与性有機物層の積層された光起電力素子において、
電子受容性有機物層にハロゲン置換ジベンズイミダゾリ
ルペリレン化合物を用いることで目的が達成できること
を見いだした。
【００１１】すなわち、本発明によれば、少なくとも一
方が透光性である２つの電極の間に、少なくとも電子受
容性有機物層と電子供与性有機物層の積層された光起電
力素子において、電子受容性有機物層に下記一般式
（Ｉ）および(II)のハロゲン置換ジベンズイミダゾリル
ペリレン化合物を用いることにより有機光起電力素子と
しては高い変換効率を与える素子を提供できる。
方が透光性である２つの電極の間に、少なくとも電子受
容性有機物層と電子供与性有機物層の積層された光起電
力素子において、電子受容性有機物層に下記一般式
（Ｉ）および(II)のハロゲン置換ジベンズイミダゾリル
ペリレン化合物を用いることにより有機光起電力素子と
しては高い変換効率を与える素子を提供できる。
【００１２】
【化２】
【００１３】（Ｘ1〜Ｘ4はフッ素、塩素、臭素、ヨウ素
のハロゲン原子を表わしｋ、ｌ、ｍ、ｎは１〜４の整数
を表わし、２以上の整数の場合Ｘ1〜Ｘ4はそれぞれ２種
以上の異なったハロゲン原子でもよい。）前記一般式
（Ｉ）、(II）のハロゲン置換ジベンズイミダゾリルペ
リレン化合物は、既に周知の方法によって製造できる。
例えば、ペリレンテトラカルボン酸の無水物をハロゲン
置換ｏ−フェニレンジアミンとともに高沸点溶媒中で脱
水縮合させることによって合成される。この合成時イミ
ダゾール環の形成にあたりシス体（Ｉ）とトランス体(I
I）の混合物として得られ、一般的には（Ｉ）と(II）は
分離不可能で混合物のまま使用される。また、ハロゲン
原子の置換位置もそれぞれのイミダソール環で２種類存
在するがこれについても同様に混合物のまま使用され
る。
のハロゲン原子を表わしｋ、ｌ、ｍ、ｎは１〜４の整数
を表わし、２以上の整数の場合Ｘ1〜Ｘ4はそれぞれ２種
以上の異なったハロゲン原子でもよい。）前記一般式
（Ｉ）、(II）のハロゲン置換ジベンズイミダゾリルペ
リレン化合物は、既に周知の方法によって製造できる。
例えば、ペリレンテトラカルボン酸の無水物をハロゲン
置換ｏ−フェニレンジアミンとともに高沸点溶媒中で脱
水縮合させることによって合成される。この合成時イミ
ダゾール環の形成にあたりシス体（Ｉ）とトランス体(I
I）の混合物として得られ、一般的には（Ｉ）と(II）は
分離不可能で混合物のまま使用される。また、ハロゲン
原子の置換位置もそれぞれのイミダソール環で２種類存
在するがこれについても同様に混合物のまま使用され
る。
【００１４】本発明において電子受容供与性有機物層に
使用されるハロゲン置換ジベンズイミダゾリルペリレン
化合物の具体例を以下に例示する。
使用されるハロゲン置換ジベンズイミダゾリルペリレン
化合物の具体例を以下に例示する。
【００１５】
【化３】
【００１６】ハロゲン置換ジベンズイミダゾリルペリレ
ン化合物は上記式（Ａ）（Ｂ）の混合物であるハロゲン
原子の置換位置を以下に示す。
ン化合物は上記式（Ａ）（Ｂ）の混合物であるハロゲン
原子の置換位置を以下に示す。
【００１７】化合物Ｎo. １． ４−Ｆ、４’−Ｆまたは４−Ｆ、５’−Ｆまた
は５−Ｆ、５’−Ｆまたはそれらの混合物 ２． ４−Ｃｌ、４’−Ｃｌまたは４−Ｃｌ、５’−
Ｃｌまたは５−Ｃｌ、５’−Ｃｌまたはそれらの混合物 ３． ３−Ｃｌ、３’−Ｃｌまたは３−Ｃｌ、６’−
Ｃｌまたは６−Ｃｌ、６’−Ｃｌまたはそれらの混合物 ４． ４−Ｂｒ、４’−Ｂｒまたは４−Ｂｒ、５’−
Ｂｒまたは５−Ｂｒ、５’−Ｂｒまたはそれらの混合物 ６． ４−Ｉ、４’−Ｉまたは４−Ｉ、５’−Ｉまた
は５−Ｉ、５’−Ｉまたはそれらの混合物 ７． ４−Ｆ、４’−Ｃｌまたは４−Ｆ、５’−Ｃｌ
または４−Ｃｌ、５’−Ｆまたは５−Ｆ，５’−Ｃｌま
たはそれらの混合物 ８． ４−Ｃｌ、５−Ｃｌ、４’−Ｃｌ、５’−Ｃｌ ９． ３−Ｂｒ、６−Ｂｒ、３’−Ｂｒ、６’−Ｂｒ １０． ４−Ｃｌ、５−Ｃｌ、４’−Ｃｌまたは４−Ｃ
ｌ、５−Ｃｌ、５’−Ｃｌ、５’−Ｃｌまたはそれらの
混合物 １１． ３−Ｆ、４−Ｆ、５−Ｆ、６−Ｆ、３’−Ｆ、
４’−Ｆ、５’−Ｆ、６’−Ｆ 本発明は有機／有機ｐｎ型の光起電力素子において、電
子受容性有機物層に多環キノン化合物を用いるものであ
るが、具体的には図１乃至図６に示すような形態で用い
られる。
は５−Ｆ、５’−Ｆまたはそれらの混合物 ２． ４−Ｃｌ、４’−Ｃｌまたは４−Ｃｌ、５’−
Ｃｌまたは５−Ｃｌ、５’−Ｃｌまたはそれらの混合物 ３． ３−Ｃｌ、３’−Ｃｌまたは３−Ｃｌ、６’−
Ｃｌまたは６−Ｃｌ、６’−Ｃｌまたはそれらの混合物 ４． ４−Ｂｒ、４’−Ｂｒまたは４−Ｂｒ、５’−
Ｂｒまたは５−Ｂｒ、５’−Ｂｒまたはそれらの混合物 ６． ４−Ｉ、４’−Ｉまたは４−Ｉ、５’−Ｉまた
は５−Ｉ、５’−Ｉまたはそれらの混合物 ７． ４−Ｆ、４’−Ｃｌまたは４−Ｆ、５’−Ｃｌ
または４−Ｃｌ、５’−Ｆまたは５−Ｆ，５’−Ｃｌま
たはそれらの混合物 ８． ４−Ｃｌ、５−Ｃｌ、４’−Ｃｌ、５’−Ｃｌ ９． ３−Ｂｒ、６−Ｂｒ、３’−Ｂｒ、６’−Ｂｒ １０． ４−Ｃｌ、５−Ｃｌ、４’−Ｃｌまたは４−Ｃ
ｌ、５−Ｃｌ、５’−Ｃｌ、５’−Ｃｌまたはそれらの
混合物 １１． ３−Ｆ、４−Ｆ、５−Ｆ、６−Ｆ、３’−Ｆ、
４’−Ｆ、５’−Ｆ、６’−Ｆ 本発明は有機／有機ｐｎ型の光起電力素子において、電
子受容性有機物層に多環キノン化合物を用いるものであ
るが、具体的には図１乃至図６に示すような形態で用い
られる。
【００１８】図１は最も基本的な構成を有するもので、
透明絶縁支持体の上に設けた透明電極と背面電極との間
に電子受容性有機物層と電子供与性有機物層を連続して
設けたものである。また、支持体は背面電極側にあって
もよく、電子受容性層と電子供与性層の順序が反対であ
ってもよい。
透明絶縁支持体の上に設けた透明電極と背面電極との間
に電子受容性有機物層と電子供与性有機物層を連続して
設けたものである。また、支持体は背面電極側にあって
もよく、電子受容性層と電子供与性層の順序が反対であ
ってもよい。
【００１９】図２は透光性ｎ型無機半導体層が挿入され
たものである。ｎ型無機半導体層は背面電極側にあって
もよく、この場合には、透光性である必要はないが透明
電極側から電子供与性有機物層、電子受容性有機物層、
ｎ型無機半導体層の順になる。図２の場合も図１と同様
支持体は背面電極側にあってもよい。
たものである。ｎ型無機半導体層は背面電極側にあって
もよく、この場合には、透光性である必要はないが透明
電極側から電子供与性有機物層、電子受容性有機物層、
ｎ型無機半導体層の順になる。図２の場合も図１と同様
支持体は背面電極側にあってもよい。
【００２０】図３は電子供与性有機物層が２層からなる
例であり、支持体は背面電極側にあってもよい。また、
電子受容性層と電子供与性層の順が逆であってもよく、
その場合は、電子供与性有機物層（２）、電子供与性有
機物層（１）、電子受容性有機物層の順となる。
例であり、支持体は背面電極側にあってもよい。また、
電子受容性層と電子供与性層の順が逆であってもよく、
その場合は、電子供与性有機物層（２）、電子供与性有
機物層（１）、電子受容性有機物層の順となる。
【００２１】図４は図３の素子に透光性ｎ型無機半導体
層が挿入されたものである。本層は背面電極側にあって
もよく、この場合には、透光性である必要はなく、ま
た、図２と同様に有機物層の順も反対となる。
層が挿入されたものである。本層は背面電極側にあって
もよく、この場合には、透光性である必要はなく、ま
た、図２と同様に有機物層の順も反対となる。
【００２２】図５は電子受容性有機物層が２層からなる
例であり、支持体は背面電極側にあってもよい。また、
電子受容性層と電子供与性層の順が逆であってもよく、
その場合は、電子受容性有機物層（２）、電子受容性有
機物層（１）、電子供与性有機物層の順となる。
例であり、支持体は背面電極側にあってもよい。また、
電子受容性層と電子供与性層の順が逆であってもよく、
その場合は、電子受容性有機物層（２）、電子受容性有
機物層（１）、電子供与性有機物層の順となる。
【００２３】図６は図５の素子にｎ型無機半導体層が挿
入されたものである。このｎ型無機半導体層は透明電極
側にあってもよく、この場合には、透光性である必要が
あり、また、図２、図４と同様有機層の順序は逆にな
る。
入されたものである。このｎ型無機半導体層は透明電極
側にあってもよく、この場合には、透光性である必要が
あり、また、図２、図４と同様有機層の順序は逆にな
る。
【００２４】上記、図１から図６の本素子が光起電力能
を有する理由は、電子受容性有機物層と電子供与性有機
物層の界面で両層のフェルミレベルの違いによって生ず
る局所的な内部電界に起因している。この内部電界が働
いている部分に光が吸収されることによりキャリアが発
生する。これが最終的に外部に電流として取り出され
る。従って、この界面にいかに多くの光が到達し吸収さ
れるか、電子受容性有機物層と電子供与有機物層の間に
生ずる内部電界の大きさ等のキャリア発生能と電子受容
性有機物層、電子供与有機物層の電子及び正孔の移動能
及び注入性等が光起電力素子の変換効率の大きな因子と
なる。これらは電子受容性有機物層、電子供与有機物層
に使用される材料に大きく左右されるものであるが、現
在のところどの様な材料がそれぞれの層に適切かは全く
わかっていない。光起電力素子の変換効率（η）は次式
によって表される。
を有する理由は、電子受容性有機物層と電子供与性有機
物層の界面で両層のフェルミレベルの違いによって生ず
る局所的な内部電界に起因している。この内部電界が働
いている部分に光が吸収されることによりキャリアが発
生する。これが最終的に外部に電流として取り出され
る。従って、この界面にいかに多くの光が到達し吸収さ
れるか、電子受容性有機物層と電子供与有機物層の間に
生ずる内部電界の大きさ等のキャリア発生能と電子受容
性有機物層、電子供与有機物層の電子及び正孔の移動能
及び注入性等が光起電力素子の変換効率の大きな因子と
なる。これらは電子受容性有機物層、電子供与有機物層
に使用される材料に大きく左右されるものであるが、現
在のところどの様な材料がそれぞれの層に適切かは全く
わかっていない。光起電力素子の変換効率（η）は次式
によって表される。
【００２５】
【数１】
【００２６】上式において、Ｖｏｃは開放時の電圧、Ｊ
ｓｃは短絡時の電流、ｆｆはフィルファクターと呼ばれ
る光照射時の電圧−電流曲線の因子を示す値である。Ｐ
ｉｎは入射光エネルギーである。
ｓｃは短絡時の電流、ｆｆはフィルファクターと呼ばれ
る光照射時の電圧−電流曲線の因子を示す値である。Ｐ
ｉｎは入射光エネルギーである。
【００２７】図２、図４、図６設けられているｎ型無機
半導体層は、電子受容性有機物層と電極材料とのエネル
ギー障壁をなくし電荷の移動をスムーズにする役割と、
電子受容性有機物層のピンホールの影響を消失させる役
割をはたしていると考えられる。
半導体層は、電子受容性有機物層と電極材料とのエネル
ギー障壁をなくし電荷の移動をスムーズにする役割と、
電子受容性有機物層のピンホールの影響を消失させる役
割をはたしていると考えられる。
【００２８】図３、図４の電子供与性有機物層（２）、
及び図５、図６の電子受容性有機物層（２）は、光活性
層における吸収光の有効利用、生成した電荷の再結合確
率の低減などの役割をしていると考えられる。
及び図５、図６の電子受容性有機物層（２）は、光活性
層における吸収光の有効利用、生成した電荷の再結合確
率の低減などの役割をしていると考えられる。
【００２９】本発明は図１から図６における電子供与性
有機物層と接する電子受容性有機物層の材料としてハロ
ゲン置換ジベンズイミダゾリルペリレン化合物が有効で
あることを見いだしたものであるが、このハロゲン置換
ジベンズイミダゾリルペリレン化合物は図５、図６の電
子受容性有機物層（２）の材料としても有効である。こ
のハロゲン置換ジベンズイミダゾリルペリレン化合物が
有機／有機ｐｎタイプの光起電力素子の電子受容性有機
物層の材料として有効な理由は現在のところ不明である
が、ジベンズイミダゾリルペリレンのベンゼン環をハロ
ゲン原子で置換することにより電子受容性が増し電子供
与性層と強い接合を形成する。ハロゲン原子の置換によ
り内部キャリアが増大し低抵抗化したなどが考えられ
る。本発明のハロゲン置換ジベンズイミダゾリルペリレ
ン化合物の電子供与性有機物質層は蒸着、スピンコー
ト、ディッピング法で成膜される。薄膜化、均一化には
蒸着が好ましい。膜厚は５０〜３０００Åが好ましい。
有機物層と接する電子受容性有機物層の材料としてハロ
ゲン置換ジベンズイミダゾリルペリレン化合物が有効で
あることを見いだしたものであるが、このハロゲン置換
ジベンズイミダゾリルペリレン化合物は図５、図６の電
子受容性有機物層（２）の材料としても有効である。こ
のハロゲン置換ジベンズイミダゾリルペリレン化合物が
有機／有機ｐｎタイプの光起電力素子の電子受容性有機
物層の材料として有効な理由は現在のところ不明である
が、ジベンズイミダゾリルペリレンのベンゼン環をハロ
ゲン原子で置換することにより電子受容性が増し電子供
与性層と強い接合を形成する。ハロゲン原子の置換によ
り内部キャリアが増大し低抵抗化したなどが考えられ
る。本発明のハロゲン置換ジベンズイミダゾリルペリレ
ン化合物の電子供与性有機物質層は蒸着、スピンコー
ト、ディッピング法で成膜される。薄膜化、均一化には
蒸着が好ましい。膜厚は５０〜３０００Åが好ましい。
【００３０】次に本発明の光起電力素子に使用される各
種の材料、製法等について説明する。
種の材料、製法等について説明する。
【００３１】本発明において使用する透明絶縁支持体と
しては、ガラス、プラスチックフィルム等が用いられ
る。
しては、ガラス、プラスチックフィルム等が用いられ
る。
【００３２】本発明において使用する透明電極として
は、酸化スズインジウム（ＩＴＯ）、酸化スズ、酸化イ
ンジウム、酸化亜鉛、半透明Ａｕ等が用いられる。好ま
しい厚さは１００〜１００００Åである。
は、酸化スズインジウム（ＩＴＯ）、酸化スズ、酸化イ
ンジウム、酸化亜鉛、半透明Ａｕ等が用いられる。好ま
しい厚さは１００〜１００００Åである。
【００３３】本発明において使用するｎ型半導体層とし
ては、酸化亜鉛、３価の金属がドープされた酸化亜鉛、
ＣｄＳ、酸化チタン、リンをドープしたアモルファスシ
リコン、ｎ型結晶シリコン等が用いられる。このうち、
透光性が必要である場合は、酸化亜鉛、３価の金属がド
ープされた酸化亜鉛、ＣｄＳ、酸化チタン等が用いられ
る。厚さは、透光性である場合には１０〜１００００
Å、そうでない場合には、更に厚いことも可能である。
ては、酸化亜鉛、３価の金属がドープされた酸化亜鉛、
ＣｄＳ、酸化チタン、リンをドープしたアモルファスシ
リコン、ｎ型結晶シリコン等が用いられる。このうち、
透光性が必要である場合は、酸化亜鉛、３価の金属がド
ープされた酸化亜鉛、ＣｄＳ、酸化チタン等が用いられ
る。厚さは、透光性である場合には１０〜１００００
Å、そうでない場合には、更に厚いことも可能である。
【００３４】本発明において用いる電子受容性有機物層
（１）、（２）としては、 ペリレン系顔料 Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｒｅｄ（以下Ｐ
Ｒ）１７９，ＰＲ１９０，ＰＲ１４９，ＰＲ１８９，Ｐ
Ｒ１２３，ＰｉｇｍｅｎｔＢｒｏｗｎ ２６等 ペリノン系顔料 Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｏｒａｎｇｅ ４
３，ＰＲ１９４等 クリスタルバイオレット、メチルバイオレット、マラカ
イトグリーン等の染料フルオレノン、２，４，７トリニ
トロフルオレノン、テトラシアノキノジメタン、テトラ
シアノエチレン等のアクセプタ化合物 を挙げることができる。これらは蒸着、スピンコート、
ディッピング法で成膜される。薄膜化、均一化には蒸着
が好ましい。膜厚は１００〜３０００Åが好ましい。
（１）、（２）としては、 ペリレン系顔料 Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｒｅｄ（以下Ｐ
Ｒ）１７９，ＰＲ１９０，ＰＲ１４９，ＰＲ１８９，Ｐ
Ｒ１２３，ＰｉｇｍｅｎｔＢｒｏｗｎ ２６等 ペリノン系顔料 Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｏｒａｎｇｅ ４
３，ＰＲ１９４等 クリスタルバイオレット、メチルバイオレット、マラカ
イトグリーン等の染料フルオレノン、２，４，７トリニ
トロフルオレノン、テトラシアノキノジメタン、テトラ
シアノエチレン等のアクセプタ化合物 を挙げることができる。これらは蒸着、スピンコート、
ディッピング法で成膜される。薄膜化、均一化には蒸着
が好ましい。膜厚は１００〜３０００Åが好ましい。
【００３５】本発明に使用する電子供与性有機物層
（１）、（２）としては、フタロシアニン系顔料（中心
金属がＣｕ，Ｚｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｐｔ，Ｆｅ，Ｍ
ｇ等の２価のもの、無金属フタロシアニン、アルミニウ
ムクロルフタロシアニン、インジウムクロルフタロシア
ニン、インジウムブロムフタロシアニン、ガリウムクロ
ルフタロシアニン等のハロゲン原子が配位した３価の金
属のフタロシアニン、塩素化銅フタロシアニン、塩素化
亜鉛フタロシアニン、その他バナジルフタロシアニン、
チタニルフタロシアニン等の酸素が配位したフタロシア
ニン）インジゴ、チオインジゴ顔料（Ｐｉｇｍｅｎｔ
Ｂｌｕｅ ６６，Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｖｉｏｌｅｔ ３６
等）、キナクリドン系顔料（Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｖｉｏｌ
ｅｔ １９，ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ １２２等） メロシアニン化合物、シアニン化合物、スクアリウム化
合物の染料 π電子共役を有する高分子及び孤立電子対（例えば窒素
のＬｏｎｅ ｐａｉｒ）をふくむπ電子共役を有する高
分子を指す。例えば以下に示すものが挙げられる。
（１）、（２）としては、フタロシアニン系顔料（中心
金属がＣｕ，Ｚｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｐｔ，Ｆｅ，Ｍ
ｇ等の２価のもの、無金属フタロシアニン、アルミニウ
ムクロルフタロシアニン、インジウムクロルフタロシア
ニン、インジウムブロムフタロシアニン、ガリウムクロ
ルフタロシアニン等のハロゲン原子が配位した３価の金
属のフタロシアニン、塩素化銅フタロシアニン、塩素化
亜鉛フタロシアニン、その他バナジルフタロシアニン、
チタニルフタロシアニン等の酸素が配位したフタロシア
ニン）インジゴ、チオインジゴ顔料（Ｐｉｇｍｅｎｔ
Ｂｌｕｅ ６６，Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｖｉｏｌｅｔ ３６
等）、キナクリドン系顔料（Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｖｉｏｌ
ｅｔ １９，ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ １２２等） メロシアニン化合物、シアニン化合物、スクアリウム化
合物の染料 π電子共役を有する高分子及び孤立電子対（例えば窒素
のＬｏｎｅ ｐａｉｒ）をふくむπ電子共役を有する高
分子を指す。例えば以下に示すものが挙げられる。
【００３６】ポリアセチレン類、ポリジアセチレン類 ポリチオフェン、ポリ置換チオェン、ポリピロール、ポ
リ置換ピロール、ポリフラン、ポリ置換フラン、ポリイ
ンドール、ポリカルバゾール等の複素環重合体。
リ置換ピロール、ポリフラン、ポリ置換フラン、ポリイ
ンドール、ポリカルバゾール等の複素環重合体。
【００３７】ポリアニリン、ポリ置換アニリン、ポリジ
フェニルアミン、ポリ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジ
ン）、ポリジアミノナフタレン、ポリトリフェニルアミ
ン、ポリアミノピレン等のアミン系重合体体。
フェニルアミン、ポリ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジ
ン）、ポリジアミノナフタレン、ポリトリフェニルアミ
ン、ポリアミノピレン等のアミン系重合体体。
【００３８】ポリパラフェニレン、ポリアズレン等の縮
合環、縮合多環系重合体。ポリビニルカルバゾールの電
解酸化重合体 これらの共役系高分子は化学重合または電解重合により
合成される。
合環、縮合多環系重合体。ポリビニルカルバゾールの電
解酸化重合体 これらの共役系高分子は化学重合または電解重合により
合成される。
【００３９】有機電子写真感光体で用いられる電荷移動
剤（ヒドラゾン化合物、ピラゾリン化合物、トリフェニ
ルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、スチリル
化合物ベンゾジチオール系化合物、オキザジアゾール化
合物、オキサゾール化合物等）、電気伝導性有機電荷移
動錯体で用いられる電子供与性化合物（テトラチオフル
バレン、テトラフェニルテトラチオフラバレン等）を挙
げることができる。
剤（ヒドラゾン化合物、ピラゾリン化合物、トリフェニ
ルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、スチリル
化合物ベンゾジチオール系化合物、オキザジアゾール化
合物、オキサゾール化合物等）、電気伝導性有機電荷移
動錯体で用いられる電子供与性化合物（テトラチオフル
バレン、テトラフェニルテトラチオフラバレン等）を挙
げることができる。
【００４０】これらの層は蒸着、スピンコート、ディッ
ピング、電解重合等での方法で成膜される。この中で、
薄膜化、均一化には蒸着が好ましい。
ピング、電解重合等での方法で成膜される。この中で、
薄膜化、均一化には蒸着が好ましい。
【００４１】電子供与性有機物層（１）、（２）の適当
な膜厚は５０〜１００００Åである。
な膜厚は５０〜１００００Åである。
【００４２】また、本発明で用いられる背面電極として
は、電子供与性有機物層と接する場合、Ａｕ，Ｐｔ，Ｎ
ｉ，Ｐｂ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｇ等の仕事関数の高い金属が
用いられる。また、電子受容性有機物層と接する場合に
は、Ａｌ，Ｉｎ，Ｐｂ，Ｚｎ，Ｍｇ，Ａｇ等が用いられ
る。さらに、ｎ型無機半導体層と接する場合には、これ
らの金属や上記の仕事関数の高い金属も用いられる。金
属の膜厚は５０〜３０００Åが好ましい。
は、電子供与性有機物層と接する場合、Ａｕ，Ｐｔ，Ｎ
ｉ，Ｐｂ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｇ等の仕事関数の高い金属が
用いられる。また、電子受容性有機物層と接する場合に
は、Ａｌ，Ｉｎ，Ｐｂ，Ｚｎ，Ｍｇ，Ａｇ等が用いられ
る。さらに、ｎ型無機半導体層と接する場合には、これ
らの金属や上記の仕事関数の高い金属も用いられる。金
属の膜厚は５０〜３０００Åが好ましい。
【００４３】
【実施例】以下に実施例を示し、本発明を更に詳細に説
明する。
明する。
【００４４】実施例１ よく洗浄したＩＴＯガラス（松崎真空製、３３Ω／□）
上に基板温度約２５０℃で、導入ガスとしてアルゴンを
用い、ＲＦマグネトロンスパッタ法で、酸化亜鉛を約１
５００Åの厚さで設けた。その上に、真空蒸着法で電子
受容性物質である例示構造式Ｎo.１の化合物を約４００
Åの厚さで、次いで供与性物質であるアルミニウムクロ
ロフタロシアニン（ＡｌＣｌＰｃ）を約４００Åの厚さ
で設け、その上に金を真空蒸着した。ＩＴＯと金がなす
面積は０．２５ｃｍ2とした。２つの電極に銀ペースト
でリード線を取り付けた。
上に基板温度約２５０℃で、導入ガスとしてアルゴンを
用い、ＲＦマグネトロンスパッタ法で、酸化亜鉛を約１
５００Åの厚さで設けた。その上に、真空蒸着法で電子
受容性物質である例示構造式Ｎo.１の化合物を約４００
Åの厚さで、次いで供与性物質であるアルミニウムクロ
ロフタロシアニン（ＡｌＣｌＰｃ）を約４００Åの厚さ
で設け、その上に金を真空蒸着した。ＩＴＯと金がなす
面積は０．２５ｃｍ2とした。２つの電極に銀ペースト
でリード線を取り付けた。
【００４５】以下実施例１と同様にして変換効率を測定
した。その結果、Ｖｏｃ＝０．３３Ｖ，Ｊｓｃ＝２．０
３ｍＡ／ｃｍ2，ｆｆ＝０．３６となり変換効率０．３
２％が得られた。この値は有機光起電力素子としては大
きなものである。
した。その結果、Ｖｏｃ＝０．３３Ｖ，Ｊｓｃ＝２．０
３ｍＡ／ｃｍ2，ｆｆ＝０．３６となり変換効率０．３
２％が得られた。この値は有機光起電力素子としては大
きなものである。
【００４６】実施例３ 実施例２と同様にして作製した酸化亜鉛上に、真空蒸着
法で電子受容性物質である例示構造式Ｎo.１の化合物を
約４００Åの厚さで、次いで供与性物質であるアルミニ
ウムクロロフタロシアニン（ＡｌＣｌＰｃ）を約１００
Åの厚さで、さらにキナクリドン（ＱＡ）を約３００Å
の厚さで設けた以外は実施例１と同様にして変換効率を
測定した。その結果、Ｖｏｃ＝０．３７Ｖ，Ｊｓｃ＝
２．７２ｍＡ／ｃｍ2，ｆｆ＝０．４９となり変換効率
０．６５％が得られた。この値は有機光起電力素子とし
ては大きなものである。
法で電子受容性物質である例示構造式Ｎo.１の化合物を
約４００Åの厚さで、次いで供与性物質であるアルミニ
ウムクロロフタロシアニン（ＡｌＣｌＰｃ）を約１００
Åの厚さで、さらにキナクリドン（ＱＡ）を約３００Å
の厚さで設けた以外は実施例１と同様にして変換効率を
測定した。その結果、Ｖｏｃ＝０．３７Ｖ，Ｊｓｃ＝
２．７２ｍＡ／ｃｍ2，ｆｆ＝０．４９となり変換効率
０．６５％が得られた。この値は有機光起電力素子とし
ては大きなものである。
【００４７】実施例４ 実施例３の電子受容性物質を例示構造式Ｎｏ．２の化合
物に替えた以外は実施例３と同様に素子を作製し、実施
例１と同様にして変換効率を測定した。その結果、Ｖｏ
ｃ＝０．３８Ｖ，Ｊｓｃ＝２．１９ｍＡ／ｃｍ2，ｆｆ
＝０．４９となり変換効率０．５３％が得られた。この
値は有機光起電力素子としては大きなものである。
物に替えた以外は実施例３と同様に素子を作製し、実施
例１と同様にして変換効率を測定した。その結果、Ｖｏ
ｃ＝０．３８Ｖ，Ｊｓｃ＝２．１９ｍＡ／ｃｍ2，ｆｆ
＝０．４９となり変換効率０．５３％が得られた。この
値は有機光起電力素子としては大きなものである。
【００４８】実施例５ 実施例３の電子受容性物質を例示構造式Ｎｏ．４の化合
物に替えた以外は実施例３と同様に素子を作製し、実施
例１と同様にして変換効率を測定した。その結果、Ｖｏ
ｃ＝０．３５Ｖ，Ｊｓｃ＝１．９８ｍＡ／ｃｍ2，ｆｆ
＝０．４８となり変換効率０．４４％が得られた。この
値は有機光起電力素子としては大きなものである。
物に替えた以外は実施例３と同様に素子を作製し、実施
例１と同様にして変換効率を測定した。その結果、Ｖｏ
ｃ＝０．３５Ｖ，Ｊｓｃ＝１．９８ｍＡ／ｃｍ2，ｆｆ
＝０．４８となり変換効率０．４４％が得られた。この
値は有機光起電力素子としては大きなものである。
【００４９】実施例６ 実施例３の電子受容性物質を例示構造式Ｎｏ．７の化合
物に替えた以外は実施例３と同様に素子を作製し、実施
例１と同様にして変換効率を測定した。その結果、Ｖｏ
ｃ＝０．３８Ｖ，Ｊｓｃ＝１．９４ｍＡ／ｃｍ2，ｆｆ
＝０．４９となり変換効率０．４８％が得られた。この
値は有機光起電力素子としては大きなものである。
物に替えた以外は実施例３と同様に素子を作製し、実施
例１と同様にして変換効率を測定した。その結果、Ｖｏ
ｃ＝０．３８Ｖ，Ｊｓｃ＝１．９４ｍＡ／ｃｍ2，ｆｆ
＝０．４９となり変換効率０．４８％が得られた。この
値は有機光起電力素子としては大きなものである。
【００５０】実施例７ 実施例３の電子受容性物質を例示構造式Ｎｏ．８の化合
物に替えた以外は実施例３と同様に素子を作製し、実施
例１と同様にして変換効率を測定した。その結果、Ｖｏ
ｃ＝０．３３Ｖ，Ｊｓｃ＝２．０４ｍＡ／ｃｍ2，ｆｆ
＝０．４３となり変換効率０．３９％が得られた。この
値は有機光起電力素子としては大きなものである。
物に替えた以外は実施例３と同様に素子を作製し、実施
例１と同様にして変換効率を測定した。その結果、Ｖｏ
ｃ＝０．３３Ｖ，Ｊｓｃ＝２．０４ｍＡ／ｃｍ2，ｆｆ
＝０．４３となり変換効率０．３９％が得られた。この
値は有機光起電力素子としては大きなものである。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように本発明の光起電力素
子の効果を要約すると以下の通りである。
子の効果を要約すると以下の通りである。
【００５２】１．電子受容性有機物層と電子供与性有機
物層の積層された光起電力素子において、電子受容性有
機物層にハロゲン置換ジベンズイミダゾリルペリレン化
合物を用いることにより有機物としては高い変換効率が
得られた。
物層の積層された光起電力素子において、電子受容性有
機物層にハロゲン置換ジベンズイミダゾリルペリレン化
合物を用いることにより有機物としては高い変換効率が
得られた。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】以上、発明の光起電力素子の具体例の構成を示
す模式図である。
す模式図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 生野 弘 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (1)
- 【請求項１】 少なくとも一方が透光性である２つの電
極の間に、少なくとも電子受容性有機物層、電子供与性
有機物層の連続した２つの層からなる部分を含む光起電
力素子において、前記電子受容性有機物層が下記一般式
（Ｉ）、(II)のハロゲン置換ジベンズイミダゾリルペリ
レン化合物であることを特徴とする光起電力素子 【化１】 （Ｘ1〜Ｘ4はフッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲン原
子を表わしｋ、ｌ、ｍ、ｎは１〜４の整数を表わし、２
以上の整数の場合Ｘ1〜Ｘ4はそれぞれ２種以上の異なっ
たハロゲン原子でもよい。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4111394A JPH05308145A (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | 有機光起電力素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4111394A JPH05308145A (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | 有機光起電力素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05308145A true JPH05308145A (ja) | 1993-11-19 |
Family
ID=14560049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4111394A Pending JPH05308145A (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | 有機光起電力素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05308145A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009008277A1 (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US7745821B2 (en) * | 2007-05-15 | 2010-06-29 | Eastman Kodak Company | Aryl dicarboxylic acid diimidazole-based compounds as n-type semiconductor materials for thin film transistors |
| JP2014114229A (ja) * | 2012-12-07 | 2014-06-26 | Sharp Corp | 化合物、太陽電池モジュール及び太陽光発電装置 |
-
1992
- 1992-04-30 JP JP4111394A patent/JPH05308145A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7745821B2 (en) * | 2007-05-15 | 2010-06-29 | Eastman Kodak Company | Aryl dicarboxylic acid diimidazole-based compounds as n-type semiconductor materials for thin film transistors |
| US8187915B2 (en) | 2007-05-15 | 2012-05-29 | Eastman Kodak Company | Aryl dicarboxylic acid diimidazole-based compounds as n-type semiconductor materials for thin film transistors |
| WO2009008277A1 (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US8372527B2 (en) | 2007-07-11 | 2013-02-12 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Material for organic electroluminescent element, and organic electroluminescent element |
| JP5274459B2 (ja) * | 2007-07-11 | 2013-08-28 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2014114229A (ja) * | 2012-12-07 | 2014-06-26 | Sharp Corp | 化合物、太陽電池モジュール及び太陽光発電装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5350459A (en) | Organic photovoltaic element | |
| US5264048A (en) | Photoelectric conversion device | |
| JPH06318725A (ja) | 光起電力素子およびその製造方法 | |
| US5201961A (en) | Photovoltaic device containing organic material layers and having high conversion efficiency | |
| US5006915A (en) | Electric device and photoelectric conversion device comprising the same | |
| JP4498706B2 (ja) | 光起電力素子及びこれを備えた光センサー | |
| JPH06177410A (ja) | 光起電力素子およびその製造方法 | |
| JPH05308145A (ja) | 有機光起電力素子 | |
| JPH05102506A (ja) | 光起電力素子 | |
| JPH05275728A (ja) | 有機光起電力素子 | |
| JPH05259493A (ja) | 有機光起電力素子 | |
| JP2849157B2 (ja) | 光起電力素子 | |
| JP3283973B2 (ja) | 有機光起電力素子 | |
| JPH03263380A (ja) | 光起電力素子 | |
| JP2935998B2 (ja) | 光起電力素子 | |
| JPH05291598A (ja) | 有機光起電力素子 | |
| JPH0521823A (ja) | 光起電力素子 | |
| JPH05152594A (ja) | 光起電力素子 | |
| JPH05167094A (ja) | 有機光起電力素子 | |
| JPH05198831A (ja) | 光起電力素子 | |
| JPH03166773A (ja) | 光起電力素子 | |
| JPH0521824A (ja) | 光電変換素子 | |
| JPH05299682A (ja) | 有機光起電力素子 | |
| JP2837485B2 (ja) | 光起電力素子 | |
| JPH05326994A (ja) | 光起電力素子 |