JPH0531244B2 - - Google Patents
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- JPH0531244B2 JPH0531244B2 JP1142083A JP1142083A JPH0531244B2 JP H0531244 B2 JPH0531244 B2 JP H0531244B2 JP 1142083 A JP1142083 A JP 1142083A JP 1142083 A JP1142083 A JP 1142083A JP H0531244 B2 JPH0531244 B2 JP H0531244B2
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- insulating container
- vacuum
- vacuum valve
- insulating
- container
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- Expired - Lifetime
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- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
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Landscapes
- Muffle Furnaces And Rotary Kilns (AREA)
- High-Tension Arc-Extinguishing Switches Without Spraying Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は真空バルブ絶縁容器の処理方法に関す
る。
る。
（従来の技術）
従来の真空バルブは、第１図に示すように絶縁
筒１ａを軸方向に２個並設してなる絶縁容器１の
両端に夫々端板２，３を設けて内部を真空にした
真空容器を形成している。そして、固定電極４は
端板２を気密に貫通する通電軸４ａに接触子４ｂ
を有する電極４ｃを設けている。また、可動電極
５は端板３にベローズ６を介して可動に密封され
た通電軸５ａに接触子５ｂを有する電極５ｃを設
けている。そして、固定電極側に固定シールド７
を、真空容器の中間に中間シールド８を、可動側
には固定シールド７を設けている。
筒１ａを軸方向に２個並設してなる絶縁容器１の
両端に夫々端板２，３を設けて内部を真空にした
真空容器を形成している。そして、固定電極４は
端板２を気密に貫通する通電軸４ａに接触子４ｂ
を有する電極４ｃを設けている。また、可動電極
５は端板３にベローズ６を介して可動に密封され
た通電軸５ａに接触子５ｂを有する電極５ｃを設
けている。そして、固定電極側に固定シールド７
を、真空容器の中間に中間シールド８を、可動側
には固定シールド７を設けている。
このようなシールド７，８は、電流しや断時に
電極４，５間で発生する金属蒸気が絶縁容器１の
内壁に付着するのを防止するために大きな役割を
果たしている。しかしながら、この固定シールド
７と中間シールド８との近くに絶縁筒１ａがある
ため破壊電圧が低下する。
電極４，５間で発生する金属蒸気が絶縁容器１の
内壁に付着するのを防止するために大きな役割を
果たしている。しかしながら、この固定シールド
７と中間シールド８との近くに絶縁筒１ａがある
ため破壊電圧が低下する。
すなわち、真空バルブに高電圧が印加されると
絶縁筒１ａの表面で２次電子なだれを起こす。こ
の時の１次電子の衝突エネルギーと２次電子放出
効率δ(E)との関係は第２図に示す特性曲線δ(E)と
なる。なお第２図において、縦軸は２次電子放出
効率δ(E)、横軸は電子の衝突エネルギーＥ〔eV〕
を示している。この曲線δ(E)にしたがつて、絶縁
筒１ａがアルミナ（Al2O3）の場合には正の電荷
が蓄積される。この絶縁筒１ａから放出された電
子は２次電子なだれによつて電子増殖し、ついに
は絶縁破壊にいたる。従つて、比較的低電圧で電
子なだれによる前駆破壊電流が流れるので、破壊
電圧は低くなつてしまう。
絶縁筒１ａの表面で２次電子なだれを起こす。こ
の時の１次電子の衝突エネルギーと２次電子放出
効率δ(E)との関係は第２図に示す特性曲線δ(E)と
なる。なお第２図において、縦軸は２次電子放出
効率δ(E)、横軸は電子の衝突エネルギーＥ〔eV〕
を示している。この曲線δ(E)にしたがつて、絶縁
筒１ａがアルミナ（Al2O3）の場合には正の電荷
が蓄積される。この絶縁筒１ａから放出された電
子は２次電子なだれによつて電子増殖し、ついに
は絶縁破壊にいたる。従つて、比較的低電圧で電
子なだれによる前駆破壊電流が流れるので、破壊
電圧は低くなつてしまう。
このような問題点を解決するため絶縁筒１ａの
内面に酸化クロム（以下、Cr2O3という）をコー
テイング処理した真空バルブがある。これは、第
２図に示すようにCr2O3のコーテイング処理を行
うと、２次電子放出効率δ(E)が常に１以下となり
２次電子なだれが抑制され、破壊電圧が向上す
る。
内面に酸化クロム（以下、Cr2O3という）をコー
テイング処理した真空バルブがある。これは、第
２図に示すようにCr2O3のコーテイング処理を行
うと、２次電子放出効率δ(E)が常に１以下となり
２次電子なだれが抑制され、破壊電圧が向上す
る。
（発明が解決しようとする課題）
一般にアルミナ等の絶縁容器の表面は、数十Å
程度の吸着ガス層でおおわれている。このため真
空バルブの組立後で真空排気しながら加熱処理を
行い、固体表面の吸着ガス層や固体内部の吸蔵ガ
スを除去している。これらの処理により、真空バ
ルブは高真空に保たれ真空寿命を良好にしてい
る。
程度の吸着ガス層でおおわれている。このため真
空バルブの組立後で真空排気しながら加熱処理を
行い、固体表面の吸着ガス層や固体内部の吸蔵ガ
スを除去している。これらの処理により、真空バ
ルブは高真空に保たれ真空寿命を良好にしてい
る。
一方、Cr2O3のコーテイング法として真空蒸着
法が知られている。この場合、真空バルブの組立
を行う前に絶縁容器の内面に真空蒸着による
Cr2O3コーテイングを行うと、吸着ガス層の上に
Cr2O3層がコーテイングされることになる。この
ような絶縁容器を用いると、加熱処理を行つても
吸着ガス層は除去されない。このため真空バルブ
の真空度が次第に低下し、真空寿命が著しく悪く
なる。また、不安定な状態でCr2O3層がコーテイ
ングされているため、Cr2O3層のピンホール及び
クラツクが発生しやすい。
法が知られている。この場合、真空バルブの組立
を行う前に絶縁容器の内面に真空蒸着による
Cr2O3コーテイングを行うと、吸着ガス層の上に
Cr2O3層がコーテイングされることになる。この
ような絶縁容器を用いると、加熱処理を行つても
吸着ガス層は除去されない。このため真空バルブ
の真空度が次第に低下し、真空寿命が著しく悪く
なる。また、不安定な状態でCr2O3層がコーテイ
ングされているため、Cr2O3層のピンホール及び
クラツクが発生しやすい。
このような理由から、Cr2O3をコーテイングし
た絶縁容器を真空バルブに適用するのは不適切で
あり、高電圧化に適した真空バルブを提供できな
いのが現状である。
た絶縁容器を真空バルブに適用するのは不適切で
あり、高電圧化に適した真空バルブを提供できな
いのが現状である。
本発明の目的は、絶縁容器への効果的なCr2O3
のコーテイングを可能とし、耐電圧性能の優れた
真空バルブ絶縁容器の処理方法を提供することに
ある。
のコーテイングを可能とし、耐電圧性能の優れた
真空バルブ絶縁容器の処理方法を提供することに
ある。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段および作用）
上記目的を達成するために本発明は、絶縁容器
と、絶縁容器を閉塞する端板とからなる真空容器
内に接離可能な一対の電極を配置し、この一対の
電極の少なくとも一方がベローズを介して端板に
可動に封着されるとともに電極を包囲する中間シ
ールドを備えた真空バルブであつて、真空バルブ
の絶縁容器がアルミナからなり、450℃〜1000℃
の温度で絶縁容器の内面に真空蒸着法により酸化
クロムをコーテイングしたので、真空バルブとし
ての真空寿命を得ることができるとともに酸化ク
ロム層のピンホール及びクラツクに発生を防止す
ることができる。
と、絶縁容器を閉塞する端板とからなる真空容器
内に接離可能な一対の電極を配置し、この一対の
電極の少なくとも一方がベローズを介して端板に
可動に封着されるとともに電極を包囲する中間シ
ールドを備えた真空バルブであつて、真空バルブ
の絶縁容器がアルミナからなり、450℃〜1000℃
の温度で絶縁容器の内面に真空蒸着法により酸化
クロムをコーテイングしたので、真空バルブとし
ての真空寿命を得ることができるとともに酸化ク
ロム層のピンホール及びクラツクに発生を防止す
ることができる。
（実施例）
本発明の実施例になるCr2O3のコーテイング方
法を説明する。本発明は、第１図に示す絶縁容器
１の内面にCr2O3をコーテイングする方法であ
り、真空バルブを組立てる前に絶縁容器１へコー
テイングする際、絶縁容器１を加熱させながら真
空蒸着させることにより絶縁容器１の内面に
Cr2O3層を形成させる。
法を説明する。本発明は、第１図に示す絶縁容器
１の内面にCr2O3をコーテイングする方法であ
り、真空バルブを組立てる前に絶縁容器１へコー
テイングする際、絶縁容器１を加熱させながら真
空蒸着させることにより絶縁容器１の内面に
Cr2O3層を形成させる。
この絶縁容器１の加熱過程において、第３図に
示すようにガスが放出される。このガス放出量Ｑ
は、絶縁容器１表面の吸着ガス及び内部の吸蔵ガ
スである。第３図に示されるとおり、絶縁容器１
を加熱することによつて放出ガス量は大幅に増加
する。Q1は真空バルブの所定の真空寿命を得る
ことができるガス放出量である。Q1以上の量を
得られる絶縁容器の温度は材質によつて異なり、
アルミナのようなセラミツクの場合450℃以上で
ある。このような温度であれば絶縁容器の表面の
吸着ガス層も大幅に除去され、Cr2O3層が安定な
状態でコーテイングされるため、Cr2O3層のピン
ホール及びクラツクが発生しない。
示すようにガスが放出される。このガス放出量Ｑ
は、絶縁容器１表面の吸着ガス及び内部の吸蔵ガ
スである。第３図に示されるとおり、絶縁容器１
を加熱することによつて放出ガス量は大幅に増加
する。Q1は真空バルブの所定の真空寿命を得る
ことができるガス放出量である。Q1以上の量を
得られる絶縁容器の温度は材質によつて異なり、
アルミナのようなセラミツクの場合450℃以上で
ある。このような温度であれば絶縁容器の表面の
吸着ガス層も大幅に除去され、Cr2O3層が安定な
状態でコーテイングされるため、Cr2O3層のピン
ホール及びクラツクが発生しない。
しかしながら、絶縁容器の温度が融点付近にな
ると、Cr2O3層はピンホール及びクラツクを発生
する。このため、絶縁容器１を加熱する温度はア
ルミナのようなセラミツクの場合に450℃〜1000
℃でなければならない。これにより絶縁容器１の
表面のCr2O3層は、ピンホール及びクラツクを発
生せず、密着強度も高くなり、真空バルブとして
の真空寿命も得られる。したがつて、真空バルブ
の耐電圧性能を向上させることができる。
ると、Cr2O3層はピンホール及びクラツクを発生
する。このため、絶縁容器１を加熱する温度はア
ルミナのようなセラミツクの場合に450℃〜1000
℃でなければならない。これにより絶縁容器１の
表面のCr2O3層は、ピンホール及びクラツクを発
生せず、密着強度も高くなり、真空バルブとして
の真空寿命も得られる。したがつて、真空バルブ
の耐電圧性能を向上させることができる。
なお、本実施例では絶縁容器１がアルミナの場
合について説明したが、本発明はこれに限定され
るものではない。例えば、絶縁容器１をホウケイ
酸ガラスとした場合、ガス放出量と融点温度を考
慮して絶縁容器１の加熱温度を200℃〜350℃とす
れば、同様の効果を得ることができる。
合について説明したが、本発明はこれに限定され
るものではない。例えば、絶縁容器１をホウケイ
酸ガラスとした場合、ガス放出量と融点温度を考
慮して絶縁容器１の加熱温度を200℃〜350℃とす
れば、同様の効果を得ることができる。
［発明の効果］
以上詳述したように、450℃〜1000℃の温度で
加熱した絶縁容器の内面に真空蒸着法でCr2O3コ
ーテイングした絶縁容器を用いることにより、真
空バルブの所定の真空寿命を得て絶縁性能が向上
させることができ、高電圧化に適した真空バルブ
絶縁容器の処理方法を提供することができる。
加熱した絶縁容器の内面に真空蒸着法でCr2O3コ
ーテイングした絶縁容器を用いることにより、真
空バルブの所定の真空寿命を得て絶縁性能が向上
させることができ、高電圧化に適した真空バルブ
絶縁容器の処理方法を提供することができる。
第１図は従来の真空バルブを示す縦断面図、第
２図は従来の真空バルブにおける２次電子放出特
性を示す特性曲線図、第３図は本発明の一実施例
に関連するガス放出特性を示す特性曲線図であ
る。 １ａ……絶縁筒、１ｂ……Cr2O3のコーテイン
グ面、１……絶縁容器、２，３……端板、４……
固定電極、５……可動電極、６……ベローズ、７
……固定シールド、８……中間シールド。
２図は従来の真空バルブにおける２次電子放出特
性を示す特性曲線図、第３図は本発明の一実施例
に関連するガス放出特性を示す特性曲線図であ
る。 １ａ……絶縁筒、１ｂ……Cr2O3のコーテイン
グ面、１……絶縁容器、２，３……端板、４……
固定電極、５……可動電極、６……ベローズ、７
……固定シールド、８……中間シールド。
Claims (1)
- １ 絶縁容器と、この絶縁容器を閉塞する端板と
からなる真空容器内に接離可能な一対の電極を配
置し、この一対の電極の少なくとも一方がベロー
ズを介して前記端板に可動に封着されるとともに
前記電極を包囲する中間シールドを備えた真空バ
ルブであつて、この真空バルブの絶縁容器がアル
ミナからなり、450℃〜1000℃の温度で前記絶縁
容器の内面に真空蒸着法により酸化クロムをコー
テイングしたことを特徴とする真空バルブ絶縁容
器の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1142083A JPS59149616A (ja) | 1983-01-28 | 1983-01-28 | 真空バルブ絶縁容器の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1142083A JPS59149616A (ja) | 1983-01-28 | 1983-01-28 | 真空バルブ絶縁容器の処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59149616A JPS59149616A (ja) | 1984-08-27 |
| JPH0531244B2 true JPH0531244B2 (ja) | 1993-05-12 |
Family
ID=11777560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1142083A Granted JPS59149616A (ja) | 1983-01-28 | 1983-01-28 | 真空バルブ絶縁容器の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59149616A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6512437B2 (en) | 1997-07-03 | 2003-01-28 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Isolation transformer |
-
1983
- 1983-01-28 JP JP1142083A patent/JPS59149616A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59149616A (ja) | 1984-08-27 |
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