JPH05312549A - パターン検出方法及びその装置 - Google Patents

パターン検出方法及びその装置

Info

Publication number
JPH05312549A
JPH05312549A JP234093A JP234093A JPH05312549A JP H05312549 A JPH05312549 A JP H05312549A JP 234093 A JP234093 A JP 234093A JP 234093 A JP234093 A JP 234093A JP H05312549 A JPH05312549 A JP H05312549A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
optical
optical system
detection
optical image
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP234093A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Hiroi
高志 広井
Hitoshi Kubota
仁志 窪田
Shunji Maeda
俊二 前田
Hiroshi Makihira
坦 牧平
Kenji Oka
健次 岡
Yoshitada Oshida
良忠 押田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Publication of JPH05312549A publication Critical patent/JPH05312549A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N21/95607—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Image Processing (AREA)
  • Character Discrimination (AREA)
  • Image Analysis (AREA)

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】対象物の微小な欠陥等の微小なパターン情報を
光学干渉を用いて光学像として高速に検出できるように
したパターン検出方法及びその装置を提供する。 【構成】プリント配線板のパターンや、セラミック基板
のパターンや、それらを製造する工程で用いるマスクや
レチクルなどのパターンである検出対象物１に、コヒー
レント光またはパーシャルコヒーレント光で照明する照
明光学系２と、照明または照明による反射検出光（光学
像）を分割し、これら分割された光学像を相対的に位相
を変えて合成（干渉）させてセルピッチだけはなれたパ
ターンの差を取る干渉光学系（分割・位相変え・合成光
学系）３と、そのパターン差をセンサ（光電変換手段）
４で検出し、差異に基づく微小な欠陥等の微小なパター
ンの情報を検出するパターン差抽出部５とを備える構成
である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、着目パターンと該着目
パターンと同一であるはずのパターンとを有する一次元
または２次元の繰り返しパターン等を持った例えばＬＳ
ＩウェハやＴＦＴ、レチクル等のマスク、多層配線基板
などの対象物の欠陥等のパターンの情報を光学像として
検出できるようにしたパターン検出方法及びその装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】第１の従来技術は、特公昭６２−３９８
１１号公報に記載されているように、あるチップにおけ
るパターンからの光像を光電変換手段で受光し、該光電
変換手段から検出されるデジタル画像信号を図１(ａ)に
示す記憶パターンとしてメモリに記憶させ、次に隣のチ
ップにおけるパターンからの光像を光電変換手段で受光
し、該光電変換手段から検出されるデジタル画像信号
（図１(ｂ)に検出パターンとして示す。）と上記メモリ
に記憶されたデジタル画像信号とを比較して不一致（図
１(ｃ)にパターン差として示す。）によりパターンの欠
陥を検出していた。即ち、従来技術は、あるパターンを
光電変換手段で撮像してから検出されるデジタル画像信
号と基準のデジタル画像信号とを比較処理することによ
って欠陥等を検出していた。
【０００３】第２の従来技術は、特開平２−２４５３９
号、及び特開平４−１１１３３６号等に記載されている
ようにレーザ光などの光源３０１よりの光をハーフミラ
ー３０２などで２つに分割し、それぞれ２カ所の対象物
３０３，３０４に照射し、その透過光または反射光３０
５，３０６を同一のハーフミラー３０２で合成し、セン
サ３０７で検出する。このとき、光源３０１よりセンサ
３０７までに到る光学距離をλ／２またはλ×（ｎ＋１
／２），（ｎ＝０，１，２，３，・・・）だけ変える事
により光学干渉を生じせしめ、２カ所のパターンの差分
検出をし、２カ所の対象物が同一のパターンである場合
に差分検出信号が０となり、パターンが違うとき即ち欠
陥部で検出信号を発生するようにしていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】第１の従来技術におい
て、微小欠陥を検出する場合、光電変換手段で検出され
るデジタル画像信号の画素寸法も微細化することが必要
となるが、逆に検出速度は画素寸法の２乗に比例して低
下するという特性を有するものである。即ち、検出速度
は１画素当たりの検出面積×センサの１画素当たりのク
ロック周波数×並列数で処理できる数で決まる。この式
より、画素寸法が小さくなると画素の面積は２乗に比例
して小さくなり、検出速度も２乗に比例して遅くなる。
つまり、デジタル画像を検出して、検出した画像を基に
欠陥判定する従来方式では、微小欠陥等のパターン情報
を検出速度を低下することなく、微小欠陥等のパターン
情報を検出しようとする課題については考慮されていな
かった。
【０００５】また、第２の従来技術において、２カ所の
対象物を通過する光学距離は正確にλ／２またはλ×
（ｎ＋１／２）である必要がある。仮に波長λを６３３
ｎｍ、反射検出の光学系で、２カ所の対象物の距離の安
定度を３０ｎｍとすると光学距離にはλ／１０の誤差が
あり、これによる検出光量が欠陥部のそれと誤検出され
る恐れがある。また、ステージや対象物の振動、空気の
揺らぎ、等を考慮すると別ステージ上の対象物、または
光路を完全に分離した光学系で３０ｎｍ以下の安定性を
得る事は極めて困難と考えられる。
【０００６】これについて説明する。対象物から検出さ
れる２本の光ｕ1，ｕ2を ｕ1＝Ａ1ｅｘｐｉ（ω×ｔ＋δ1） ｕ2＝Ａ2ｅｘｐｉ（ω×ｔ＋δ2） ここで、Ａ1，Ａ2は光の振幅、ｔは時間、ωは光の周波
数、δ1，δ2は位相差である。
【０００７】十分な干渉性があり、対処物の反射率が等
しく同一のパターンである場合の干渉強度は Ｉ＝２Ａ2｛１＋ｃｏｓ（δ1−δ2）｝ ここで、Ａ＝Ａ1＝Ａ2である。
【０００８】いま、２つのステージまでの光学距離の誤
差がλ／１０（λ＝５００nmの場合、誤差は５０nm）あ
れば光路長としては往復するため２倍となり、（δ1−
δ2）はπ±π／５となり、Ｉ＝０．１９Ａ2でＩの最大
値４Ａ2の４．７％の検出光量となり、これを欠陥と誤
検出する恐れがある。このように、第２の従来技術では
実用化の際の安定度に関する課題については十分考慮さ
れていなかった。
【０００９】本発明の目的は、上記従来技術の課題を解
決すべく、光学的手法、即ち光学干渉（光学的分割・位
相変え・合成）によりパターン差を示す画像信号として
直接欠陥等のパターンの情報を検出できるようにして検
出速度を低下することなく、微小欠陥等の微小パターン
の情報をも検出できるようにし、しかも安定にパターン
差を検出できるパターン検出方法及びその装置を提供す
ることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、着目パターンの光学像と該着目パターン
と同一であるはずのパターンの光学像とから、相対的に
位相を変えて合成した光学像を光電変換手段で信号とし
て検出し、該信号から欠陥等のパターンの情報を検出ま
たは観測することを特徴とするパターン検出方法であ
る。また本発明は、繰り返し性を有するパターンの光学
像を複数に分割し、これら分割された光学像から、繰り
返し性に応じて相対的に位相を変えて合成した光学像を
光電変換手段で信号として検出し、該信号から欠陥等の
パターンの情報を検出または観測することを特徴とする
パターン検出方法である。
【００１１】また本発明は、繰り返し性を有する第１の
パターンの光学像を複数に分割し、これら分割された光
学像から繰返し性に応じて相対的に位相を変えて合成し
た光学像を光電変換手段で信号として検出する第１の検
出工程と、繰り返し性を有し、上記第１のパターンと異
なる間隔を有する第２のパターンの光学像を複数に分割
し、これら分割された光学像から繰り返し性に応じて相
対的に位相を変えて合成した光学像を光電変換手段で信
号として検出する第２の検出工程と、上記第１の検出工
程及び上記第２の検出工程の各々により検出された信号
に応じてパターンの情報を検出する第３の検出工程とを
有することを特徴とするパターン検出方法である。
【００１２】また本発明は、着目パターンと該着目パタ
ーンと同一であるはずのパターンとにコヒーレント光ま
たはパーシャルコヒーレント光を照明する照明光学系
と、該照明光学系で照明された着目パターンの光学像と
該着目パターンと同一であるはずのパターンの光学像か
ら相対的に位相を変えて合成した光学像を得る合成光学
系と該合成光学系で得られた光学像を受光して信号に変
換する光電変換手段とを備えた検出光学手段とを設け、
該検出光学手段の光電変換手段から得られる信号からパ
ターンの情報を検出できるように構成したことを特徴と
するパターン検出装置である。
【００１３】または本発明は、繰り返し性を有するパタ
ーンにコヒーレント光またはパーシャルコヒーレント光
を照明する照明光学系の照明光を複数に分割し、該照明
光学系で照明された繰り返し性を有するパターンの光学
像のうち該複数の照明光による光学像を分離し分離され
た光学像から相対的に位相を変えて合成した光学像を得
る合成光学系と該合成光学系で得られた光学像を受光し
て信号に変換する光電変換手段とを備えた検出光学手段
とを設け、該検出光学手段の光電変換手段から得られる
信号からパターンの情報を検出できるように構成したこ
とを特徴とするパターン検出装置である。
【００１４】即ち本発明は、１次元または２次元または
３次元または放射状繰り返しまたは角度繰り返し性また
は左右対象性または点対象性などの倍率、角度、位置を
変えて重ね合わせることを特徴とする。
【００１５】また、本発明は、光の角度差、または位置
の差、または放射状広がり差、または偏光の差を用いて
合成することを特徴とする。この分割・位相変え・合成
光学系としては、複屈折素子、ハーフミラー、複数のピ
ンホール、複数のスリット、回折格子、複数のフレネル
ゾーンプレート、平面ミラー、レンズ、凹凸ミラー、プ
リズム、ホログラムを１個または複数個組み合わて得る
ことを特徴とする。
【００１６】
【作用】本発明における検出対象としては、図１に示す
ようなメモリー用ＬＳＩなどの半導体ウエハのパターン
や、ＴＦＴ（Thin Film Transister）のパターンや、プ
リント配線板のパターンや、セラミック基板のパターン
や、それらを製造する工程で用いるマスクやレチクルな
どのパターンである。ここでは一例として半導体ウエハ
のパターンについて説明するが、他のパターンに対して
も同じことが成り立つ。半導体ウエハのパターンは図２
(ａ)に示すように最終的に切り離されて個別製品となる
チップが数十個一枚のウエハに載っていて、それらは互
いに同じパターンを持っているチップ内はメモリセル部
分２２（図２(ｂ)はＡ部拡大図であり、メモリセル部を
拡大して示す。）などのように一定の周期で繰り返し性
を持った部分と周辺部（周辺回路部）２１などのように
周期性の乏しい部分がある。
【００１７】このようなパターンの欠陥を検出する本発
明の原理について、図１を用いて説明する。即ち、各チ
ップが全く同一のパターンを持っている、または各セル
が一定の周期で繰り返し性を持っている。いずれのパタ
ーンにも欠陥が存在しない場合にはパターンの差はほと
んど生じないが、いずれかのパターンに欠陥が存在する
場合には欠陥部分でパターンに差を生じるため、パター
ンの光学像を分割し、位相を例えばπ変えてこれらを合
成することによって差に基づく光学像として微小な欠陥
等の微小なパターンの情報を検出することができる。
【００１８】図４により本発明の原理について説明す
る。対象物はセルピッチｄの繰り返し形状になってお
り、例えば図４に示す断面形状となっている。平面波を
入射すると断面形状に応じ、振幅及び位相の異なった波
面の反射光となり、欠陥等のパターンの情報を含んでい
る。図では説明の簡単のため反射率は一定と仮定し、位
相情報のみが変化する場合を示している。波面の表現
は、反射光の位相が進んでいる場所は光の進行方向の前
に記し、位相が遅れている場所は後に記している。
【００１９】この反射光を干渉光学系３に入れる。干渉
光学系（分割・位相変え・合成光学系）３では、光を分
割し、一方の光をもう１つの光に対して位相を、例えば
π変え、波面の位置αをセルピッチｄだけずらし（以
下、このずらし量のことをシェア量、ずらし方向をシェ
ア方向、ずらすことをシェアと呼ぶ）、２つの光を合成
する。この合成により、隣接するセルと形状が同じ場所
よりの反射光は互いに打ち消し合ってゼロになり、欠陥
のある場所よりの反射光は欠陥の形状差分だけの光が残
る。この光をセンサで検出すると振動振幅の絶対値の２
乗の光を検出することになる。
【００２０】このようにセンサでは欠陥信号のみを検出
することができ、検出画素寸法を大きくしても正常部で
は検出信号ゼロ、欠陥部では信号を検出でき、画素寸法
を欠陥の寸法より大きくしても信号がある事はわかり、
一方正常部は信号がないので、画素寸法を大きくしても
ゼロはゼロである。これらより、パターン差抽出部５で
容易にパターン差から欠陥を抽出できる。従って、画素
寸法を欠陥寸法より大きくすることができ、検査速度を
向上できる。
【００２１】なお、説明では簡単のため、平面波を対象
物に照射するように説明したが、センサにいたるまでの
光路長が等しければ平面波である必要はない。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
【００２３】更に本発明の概略構成について図３に基づ
いて説明する。本発明は、図１に示すようなメモリー用
ＬＳＩなどの半導体ウエハのパターンや、ＴＦＴ（Thin
Film Transister）のパターンや、プリント配線板のパ
ターンや、セラミック基板のパターンや、それらを製造
する工程で用いるマスクやレチクルなどのパターンであ
る検出対象物１に、コヒーレント光またはパーシャルコ
ヒーレント光で照明する照明光学系２と、照明または照
明による反射検出光（光学像）を分割し、これら分割さ
れた光学像を相対的に位相を変えて合成（干渉）させて
セルピッチだけはなれたパターンの差を取る干渉光学系
（分割・位相変え・合成光学系）３と、そのパターン差
をセンサ（光電変換手段）４で検出し、差異に基づく微
小な欠陥等の微小なパターンの情報を検出するパターン
差抽出部５とを備える構成である。
【００２４】次に、本発明の第１の実施例を図５に基づ
いて説明する。本実施例ではＬＳＩウエハのパターンを
例に説明するが、ＴＦＴなどのパターンにも適用できる
ことは言うまでもない。図５はＬＳＩウエハの繰り返し
パターン等の検査装置（以下の説明では検査装置と略
す）の全体構成図である。
【００２５】検査装置は、ウエハ（検査対象物）１を位
置決めするステージ６と、ウエハ１を照明し反射光を検
出する照明光学系２と、反射光を分離するハーフミラー
５１と、分離した光の一方を干渉させてパターン差を抽
出する干渉光学系Ａ３ａと、パターン差を検出するＴＶ
カメラなどの２次元センサＡ４ａと、ハーフミラー５１
で分離した光のもう一方を回転させる像回転手段５２、
像回転手段５２で回転した像を干渉させてパターン差を
抽出する干渉光学系Ｂ３ｂと、干渉光学系Ｂ３ｂよりの
パターン差を検出するＴＶカメラなどの２次元センサＢ
４ｂと、センサＡ４ａ、センサＢ４ｂの信号を基に欠陥
パターンを検出する欠陥検出部７と、該欠陥検出部７で
検出した欠陥パターンを記憶する記憶部８と、記憶して
おいた１チップ前の欠陥パターンと検出した欠陥パター
ンを比較することにより真の欠陥パターンを検出し、欠
陥を抽出する欠陥抽出部９と、ステージ６、照明光学系
２、像回転手段５２、干渉光学系Ｂ３ｂ等の全体を制御
をする全体制御部１０とより構成される。
【００２６】装置の各部は以下のように動作して微小な
パターン欠陥を検出するものである。まず、初期動作と
してウエハ１の座標系のｘ，ｙ軸を干渉光学系のシェア
方向に一致させ、ｘ，ｙ方向のシェア量ｄｘ，ｄｙを
ｘ，ｙ方向のセルピッチに一致させる。これにより、基
準点１１とｘ方向比較位置１２、およびｙ方向比較位置
１３と比較する。まず、シェア量ｄｘ，ｄｙを設計値を
基に粗設定し、図２に示すようにメモリセル部２２にス
テージ６を移動させる。
【００２７】ウエハの座標系のｘ，ｙ軸を干渉光学系３
のシェア方向に一致させる方法を図６に基づいて説明す
る。全体制御部１０内にある回転制御部６３からの指令
で回転調整手段６２を介してステージ６が制御され、ウ
エハ１の座標系のｘ，ｙ軸を干渉光学系３に対するステ
ージ回転角θを変えて、光源４１、ハーフミラー４２及
び対物レンズ４３によって構成された照明光学系２によ
って照明され、ウエハ１から反射してくる光像を照明光
学系２を介して受光して得られるセンサ４（センサＡ４
ａ）の平均光量を光量検出手段６１により検出し、検出
光量が最低になる角度θに合わせる。次に、像回転手段
５２で像を回転させて、センサ４（センサＢ４ｂ）の平
均光量を光量検出手段６１により検出し、検出光量が最
低になるように全体制御部１０内にある回転制御部６３
は像回転角を設定する。
【００２８】次に、ｘ，ｙ方向のシェア量ｄx，ｄyを
ｘ，ｙ方向のセルピッチに一致させる方法を図７で説明
する。全体制御部１０内にあるシェア量制御部７３より
の制御でｄ調整手段７２により干渉光学系３（３ａ）を
調整してシェア量ｄxを変えてセンサ４（センサＡ４
ａ）の平均光量を光量検出手段７１（６１と共通でも良
い。）で検出し、検出光量が最低になるシェア量ｄx に
合わせる。次に、全体制御部１０内にあるシェア量制御
部７３よりの制御でｄ調整手段７２により干渉光学系３
（３ｂ）を調整してシェア量ｄyを変えてセンサ４（セ
ンサＢ４ｂ）の平均光量を検出し、検出光量が最低にな
るシェア量ｄyに合わせる。
【００２９】次に、図５に示すように、ステージ６を位
置決めし、センサＡ４ａ及びセンサＢ４ｂでパターン差
を検出し、欠陥検出部７では２つのパターン差信号の小
さい方の値を欠陥パターンとすることにより欠陥を検出
し、記憶部８に記憶する。次に１つ隣のチップの同じと
ころで欠陥パターンを検出し、欠陥抽出部９では記憶し
ておいた欠陥パターンと比較し、記憶部８に記憶してお
いた欠陥パターンではゼロで検出した欠陥パターンでゼ
ロでない場所を真の欠陥として抽出する。欠陥判定終了
後、検出欠陥パターンを記憶部８に移し、次のチップで
同様の動作をする。対象とするチップの欠陥判定終了後
次の場所にステージ６を位置決めして欠陥判定を繰り返
す。
【００３０】ここで、欠陥判定方法を図８に基づいて説
明する。図８においては、同図(ａ)は通常光での検出パ
ターンを示し、同図(ｂ)はｘ方向にシェアして干渉させ
た検出パターンを示し、同図(ｃ)はｙ方向にシェアして
干渉させた検出パターンを示す。図８に示すように干渉
（分割・位相変え・合成）させて検出したパターンは、
欠陥１個に対してそれぞれ２個ある。これは欠陥部はも
ちろん正常部とパターンが違うため差を生じ、これと同
時に、正常部でも欠陥に隣接する場所では欠陥部と比較
され、差を生ずるためである。センサＡとセンサＢでは
互いに直交する方向のパターンと比較しているため、欠
陥部は共通に差を生ずるが、正常部は違う場所で差を生
ずる。このため、正常部は小さい方の値を取ればゼロに
なるが、欠陥部はゼロにはならない。
【００３１】ここで注意しなくてはならないのは検出さ
れた欠陥はｘ，ｙいずれの方向でもシェア量だけ離れた
場所とパターンの異なる場所で、欠陥部以外に図９に示
すように例外的な正常部を含んでいるということであ
る。同図(ａ)は例外パターンである角パターンと孤立パ
ターンとを示し、同図(ｂ)は例外パターンである繰返し
パターンの周辺を示し、同図(ｃ)は例外パターンである
斜めパターンを示す。このような場所では別のチップで
も同じように差を生じ、一方真の欠陥では別のチップで
は差を生じない特徴がある。このため、欠陥として検出
され、しかも記憶している１つ前のチップの欠陥パター
ンは欠陥として検出されていない場所を真の欠陥と判定
する。
【００３２】次に本実施例の干渉光学系（分割・位相変
え・合成光学系）の構成例を図１０により説明する。図
１０において、照明光学系２により、光源４１よりの光
がレンズ４４で集光され、ハーフミラー４２と対物レン
ズ４３を介してウエハ１をケイラ照明で照明する。この
照明によりウエハ１は複数方向よりの干渉性のある平面
波で照明されることになり、パーシャルコヒーレント照
明となる。パーシャルコヒーレント光の場合、方向の異
なった光や波長の違う光は互いに干渉性が無いため、１
つの波長の１つの方向の平面波のみを検討し、そのほか
の波長と方向でも同等であれば干渉（分割・位相変え・
合成）によりパターン差を抽出できる。反射光は対物レ
ンズ４３、リレーレンズ１０１を介して干渉光学系３に
入射する。干渉光学系３は偏光板Ａ１０５と平行複屈折
素子板１７０とλ／２板１７１とλ／２板１７２と平行
複屈折素子板１７３と偏光板１０４より構成される。
【００３３】この干渉光学系３の動作を図１１で説明す
る。図１１は干渉光学系３を上から見た図で、対象物
（ウエハ１）上で距離ｄだけずれた光が干渉光学系３に
入射した場合の１本の光のもう１本に対する相対的な平
行ずらし（以下シェアと称する。）をベクトルとして表
示したものである。対象物（ウエハ１）上で距離ｄだけ
ずれた２本の光が干渉光学系３に入射すると、平行複屈
折素子板１７０で目標シェア方向と角度α傾いたシェア
ベクトル１８０だけシェア（１本の光をもう１本に対し
て相対的に平行にずらすこと）し、平行複屈折素子板１
７３でシェアベクトル１８１だけシェアし、総合で、シ
ェアベクトル１８２だけシェアすることになり、該シェ
アベクトル１８２が対象物（ウエハ１）上での距離ｄの
距離と方向と等しければ、同一の光線となり、互いに干
渉（合成）させることができる。
【００３４】更に詳細に上記動作を説明するための各素
子の働きを図１２に基づいて説明する。図１２は干渉光
学系（分割・位相変え・合成光学系）主要部の詳細説明
図であり、ｙ−ｚ面内の光路図、及び主要部分の光線位
置及び偏光方向をベクトルで示している。ベクトルの図
は右、左にそれぞれ右、左の光線のものを示している。
まず、簡単のためシェアベクトル１８０，１８１，１８
２の方向が全て等しいときについて説明する。偏光板１
０５で入射した２本の光線を平行複屈折素子板１７０の
光軸に平行な方向の直線偏光１９０に変換する。直線偏
光１９０は２つの方向の直線偏光のベクトル和と考える
ことができ、平行複屈折素子板１７０の常光の方向１９
１と異常光の方向１９２の方向の成分の和と考える。１
本の光線に対しては常光の方向の成分の光線１９３、も
う１本の光線に対しては異常光の成分の光線１９４に注
目する。平行複屈折素子板１７０で常光成分１９３は直
進するが異常光成分１９４は光軸方向にシェアベクトル
１８０だけシェアして出力する。
【００３５】これらの光線をシェアベクトル１８２の方
向に光軸を設定したλ／２板１７１に入射し、異常光成
分１９４は常光成分１９３に対して位相がπだけ進む。
更に、光軸を常光成分１９３と異常光成分１９４の２等
分の角度に設定したλ／２板１７２に入射し、偏光方向
を逆にして常光成分１９３を異常光成分１９５に、異常
光成分１９４を常光成分１９６に変換する。これら変換
された光線１９５，１９６をシェアベクトル１８１に対
して光軸を１８０度回転させた平行複屈折素子板１７３
に入射し、シェアベクトル１８１だけシェア加算（合
成）して総合でシェアベクトル１８２のシェアを持った
光線を出力する。これら光線を異常光成分１９５に、異
常光成分１９４を常光成分１９６の２等分角の方向の偏
光を透過しない偏光板１０４に入射し、偏光成分を同一
にして２本の光線を干渉（合成）させ、しかも２本の光
線の振動振幅が同一のとき検出光量が０（ゼロ）になる
ような光線１９７，１９８を出力するように動作する。
【００３６】また、シェアベクトル１８０，１８１，１
８２の方向が異なる場合は、λ／２板１７１でシェアベ
クトル１８０からシェアベクトル１８１に変換して同様
な機能を実現する。パーシャルコヒーレント光の問題は
以上説明した機能が波長、入射角に対して光路長の差が
λ／１０程度以下であり、平行複屈折素子板１７０，１
７３のシェア量の違いが小さければ前述のパターン差を
抽出できる条件を満足する。この詳細は本特許の主要部
でないため省略するが、波長依存性の小さい素子を用い
る、または狭帯域の波長を用いることで実現できる。
【００３７】本実施例によると以下の効果がある。
【００３８】(１)ウエハ１のパターンを２セル比較した
結果を２チップ比較しているため、設計情報などを用い
ること無しに２セル比較できるところは２セル比較して
欠陥を抽出し、２セル比較できないところはできないこ
とがわかる。
【００３９】(２)干渉光学系（分離・位相変え・合成光
学系）３に於いて干渉（分離・位相変え・合成）させる
べき２つの光の通過経路が同一なため安定している。
【００４０】(３)初期化の時にシェア量、シェア方向な
どの補正をしているため、セルピッチの異なる対象物に
対して容易に対応できる。
【００４１】(４)ｘ，ｙ方向の２セル比較結果の小さい
方を取ることにより、２セル比較できるところでは真の
欠陥を抽出できる。
【００４２】(５)干渉光学系（分離・位相変え・合成光
学系）３に偏光板１０５，１０４を挿入しているため、
反射光が楕円偏光であったとしても直線偏光に変換でき
るため、楕円偏光によるＰ，Ｓ偏光の違いの影響を受け
ない。
【００４３】これらによりウエハ１のパターンのうち２
セル比較できるところの欠陥のみを自動で検査できる効
果がある。
【００４４】次に本実施例の干渉光学系（分離・位相変
え・合成光学系）３の第１の変形を説明する。２枚のλ
／２板１７１，１７２を１枚とする。これにより、シェ
ア量を変えるときの回転角度の設定が複雑になるが、よ
り簡単な構成となる。
【００４５】次に、本実施例の干渉光学系（分離・位相
変え・合成光学系）３の第２の変形を説明する。２枚の
λ／２板１７１，１７２を例えば液晶、カー素子などの
旋光素子とし、印加電圧などの変化により２つの平行複
屈折素子板１７０，１７３の偏光法を調整する。本変形
によれば稼動部が少なくて信頼性が高くなる。
【００４６】次に本実施例の第３の変形を説明する。像
回転手段５２は２つの干渉光学系３ａ，３ｂを回転させ
る手段とする。この変形によると対象物（ウエハ）１を
回転させることなく、シェア方向を調整できる特徴があ
る。
【００４７】次に本実施例の第４の変形を説明する。図
１３に干渉光学系（分離・位相変え・合成光学系）３の
構成例を示す。対物レンズ４３の中間像面で光を２つに
分割するミラー１１２と、それぞれ重ね合わせるミラー
類１０７，１０８，１１０，１１１とハーフミラー１０
９よりなる。光を別の光路を通すことでシェア量ｄだけ
ずらして再合成する。また、シェア量は任意の１枚また
は複数枚のミラーを移動することにより行う。更にこの
変形は図１４、図１５に示すように分割ミラーをハーフ
ミラー１１３：１２３で光を分割し、それぞれ重ね合わ
せるミラー類１１４，１１５：１２４，１２６とハーフ
ミラー１１６：１２７とにより構成される。なお、図１
３においてはこれらミラー類１１３，１１４，１１５，
１１６は照明光学系も兼ね備えるものである。１１９は
光源、１１７は照明レンズである。また、図１５におい
てはリレーレンズ１２２を備え、更に図１４との違い
は、ミラーの移動の変わりに平行回転プリズムＡ１２
５，Ｂ１２８でシェア量の調整をする点である。いずれ
の変形によっても偏光を用いていないため対象物の偏光
特性を考慮する必要がない特徴がある。
【００４８】次に本実施例の第５の変形を説明する。図
１６（ａ）に干渉光学系（分離・位相変え・合成光学
系）３の構成例を示す。偏光板Ａ１０５と対物レンズの
中間像面ので光を２つに分割して合成するために図１６
（ｂ）に示す２つの間隔を変えることのできるフレネル
ゾーンプレート１３０と偏光板Ｂ１０４を用いる。偏光
板Ａ１０５はフレネルゾーンプレートのずらし方向に対
して４５度の角度をもち、Ｐ，Ｓ偏光の成分を同一に
し、この２つのフレネルゾーンプレート１３０ａ，１３
０ｂは偏光板で構成し、Ｐ，またはＳ偏光成分にだけ作
用し、中間像面のａ，ｂ点の光のうちそれぞれＰ，Ｓ偏
光成分のみをｃ点に結像させる働きし、偏光板Ｂ１０４
に入射し、偏光板Ｂ１０４はフレネルゾーンプレートの
ずらし方向に対して４５度の角度をもち、偏光方向の異
なった光の偏光方向を一致させて、干渉を起こさせる働
きをする。また、フレネルゾーンプレート１３０ａ，１
３０ｂの間隔を調整することによりシェア量ｄを調整で
きる。
【００４９】次に本実施例の第６の変形を説明する。図
１７に干渉光学系（分離・位相変え・合成光学系）３の
構成例を示す。対物レンズ１４４を２個用いてこの２つ
の光像をミラー１４３およびハーフミラー１４２を介し
てセンサ４上で干渉（合成）させることにより光学的に
比較することができる。シェア量は対物レンズ１４４の
間隔を変えることで行う。本変形によると間隔の離れた
場所の比較が容易にでき、ウエハパターンの場合は２チ
ップ比較、プリント板の場合は２枚のプリント板の比較
を光学的に行なうことができる。
【００５０】次に本実施例の第７の変形を説明する。干
渉光学系（分離・位相変え・合成光学系）３の前にズー
ムリレーレンズを挿入し、倍率を変化させることでシェ
ア量を可変する。本変形により、干渉光学系３が簡単に
なる。
【００５１】次に本実施例の第８の変形を説明する。照
明光源にレーザを用いる。本変形により干渉距離を長く
でき、干渉光学系の光路長が異なっていても干渉させる
ことができ、調整が容易である特徴がある。
【００５２】次に本実施例の第９の変形を説明する。パ
ターン差を検出するセンサ４としては、リニアイメージ
センサ、フォトマルなどの一次元、ポイント形センサ等
を用いることができる。本変形により、ステージ６をス
テップ＆リピートではなく、連続走査でき、広い面積の
検査では高速に検査をすることができる。
【００５３】次に本実施例の第９の変形を説明する。干
渉光学系３によるパターン差のみでなくパターンそのも
のの光学像による画像信号も検出しておき、図９に示す
ような例外的なパターンではパターンそのものの光学像
による画像信号を用いてパターンを検査することもでき
る。本変形により、全面を検査できる特徴がある。
【００５４】次に本実施例の第１０の変形を説明する。
図９に示すような例外的なパターンでは、パターン差の
程度を２つのチップで比較して、違いが大きければ欠陥
とし、小さければ正常部とする。本変形により、全面を
検査できる特徴がある。
【００５５】次に、本発明の第２の実施例を図１８に基
づいて説明する。図１８はウエハパターンの２セル等の
比較をする比較顕微鏡の全体構成図である。比較顕微鏡
は照明光学系２と、該照明光学系２よりの光を検出する
センサＣ１５１と、センサＡ４ａ，Ｂ４ｂから得られる
信号に基づいてシェア方向，シェア量制御部Ａ１５２，
Ｂ１５３により制御できるｘ，ｙ方向用の干渉光学系Ａ
３ａ，Ｂ３ｂと、干渉光学系Ａ３ａ，Ｂ３ｂよりのパタ
ーン差を検出するセンサＡ４ａ，Ｂ４ｂと、該２つのパ
ターン差を検出するセンサＡ４ａ，Ｂ４ｂの信号の小さ
い方の信号の値である欠陥パターンを抽出する最小値検
出回路１５４と、上記センサＡ４ａ，Ｂ４ｂで検出され
たパターン差、センサＣ１５１で検出されたパターン画
像、および最小値検出回路１５４の出力を切替・合成回
路１５５を介してモニタするモニタ１５６と、干渉光学
系３のシェア方向とシェア量の調整を制御するシェア方
向、シェア量制御スイッチ１５７とにより構成される。
【００５６】次にこの比較顕微鏡の動作をウエハパター
ン等における２セル比較に適用する場合について説明す
る。ステージ６にウエハ１を載せ、ウエハパターンが図
１９(ａ)に示すようなｘ方向の線のみの場所に、モニタ
１５６をセンサＣ１５１の出力に切替てそのモニタ像を
見ながら手動で、または全体制御部１０に予め記憶され
たプログラムに従って位置決めし、スイッチ１５７を押
すことによってセンサＡ４ａの信号をもとにシェア方
向、シェア量制御部Ａ１５２でｘ方向の干渉光学系Ａ３
ａのシェア方向を第１の実施例で説明した方式で調整す
る。
【００５７】次にウエハパターンが図１９(ｂ)に示すよ
うなｙ方向の線のみの場所に、モニタ１５６をセンサＣ
１５１の出力に切替てそのモニタ像を見ながら手動で、
または全体制御部１０に予め記憶されたプログラムに従
って位置決めし、同様にスイッチ１５７を押すことによ
りセンサＢ４ｂの信号をもとにシェア方向、シェア量制
御部Ｂ１５３でｙ方向の干渉光学系Ｂ３ｂのシェア方向
を第１の実施例で説明した方式で調整する。次にモニタ
１５６を見ながら手動、または全体制御部１０に予め記
憶されたプログラムに従ってステージ６を予め決めた位
置に位置決めしてセル部を視野に入れる。次にスイッチ
１５７を押すことにより、ｘ，ｙ方向のシェア量を第１
の実施例と同様な方法で調整する。
【００５８】以上で初期化が終了し、任意の場所でパタ
ーンを観察し、切替合成回路１５５を切替ることによ
り、センサＡ４ａおよびセンサＢ４ｂからの画像信号に
よりｘ，ｙ方向のパターン差、最小値検出回路１５４か
ら検出される信号により欠陥パターン、センサＣ１５１
から検出される信号によりパターンを表示でき、更にこ
れらを組み合わせることによりこれらの合成画像をも表
示できる。例えば、最小値検出回路１５４から検出され
る欠陥パターンを赤、センサＣ１５１から検出されるパ
ターンを濃淡で表示すればウエハのパターン上に赤で欠
陥を表示したディスプレイパターンを得ることができ
る。
【００５９】本実施例によると第１実施例と同様に以下
の効果がある。
【００６０】(１)初期化の時にシェア量などの補正をし
ているため、セルピッチの異なる対象物に対して容易に
対応でき、しかも予備的なセルピッチの情報無しに補正
が出来るため、走査が容易である。
【００６１】(２)ｘ，ｙ方向の２セル比較結果の小さい
方を取ることにより、２セル比較できるところでは真の
欠陥を抽出できる。
【００６２】(３)干渉光学系に偏光板を挿入しているた
め、反射光が楕円偏光であったとしても直線偏光に変換
できるため、楕円偏光によるＰ，Ｓ偏光の違いの影響を
受けない。
【００６３】(４)電気回路は極めて小さく、コンパクト
に２セル比較が出来る。
【００６４】これらによりウエハのパターンのうち２セ
ル比較できるところでは欠陥のみ容易に観察できる効果
がある。
【００６５】次に、本発明の第３の実施例を図２０で説
明する。図２０はウエハパターンのセルピッチ等のピッ
チ測定装置の全体構成図である。ピッチ測定装置は、照
明光学系２と、シェア方向とシェア量を調整できる干渉
光学系３と、該干渉光学系３よりのパターン差をモニタ
するパターン差検出センサ４と、該パターン差検出セン
サ４よりの信号を基に平均検出光量を測定する検出光量
検出部６１と、該検出光量検出６１により測定して平均
光量が最低になるように干渉光学系のシェア方向を制御
するシェア方向制御部１５３ｂと、上記検出光量検出６
１により測定して平均光量が最低になるように干渉光学
系のシェア量を制御し、シェア量を表示するモニタを有
するシェア量制御部１５３ａと、干渉光学系３のシェア
方向とシェア量の制御を切替るスイッチ（図示省略）と
により構成される。
【００６６】次にこのピッチ測定装置の動作をウエハパ
ターンのセルピッチを測定する場合について説明する。
ステージ６にウエハ１を載せ、図１９に示すようなｘ方
向の線のみの場所に全体制御部１０の指令で位置決め
し、スイッチ（図示省略）をシェア方向制御に切替るこ
とにより検出光量検出部６１の出力信号をもとにシェア
方向制御部１５３ｂによるシェア方向制御でｘ方向の干
渉光学系３のシェア方向を調整する。つぎに全体制御部
１０の指令でセル部に位置決めし、スイッチ（図示省
略）をシェア量制御に切替ることにより、シェア量を変
更して平均検出光量が最低になるように検出光量検出部
６１の出力信号をもとにシェア量制御部１５３ａにより
干渉光学系３のシェア量を制御する。このときのシェア
量の表示を測定値とする。なお測定に先立ってピッチの
わかっている物を基準にシェア量のキャリブレーション
を行うことでより正確な測定ができる。
【００６７】本実施例によると以下の効果がある。即
ち、シェア方向をあらかじめ求めてあるので、シェア方
向に沿ったピッチの測定ができる。
【００６８】以下、本発明の第４の実施例を図２１によ
り説明する。図２１はロータリエンコーダ等のパターン
検査装置の全体構成図である。なお、ロータリーエンコ
ーダ１ａのパターンは図２２に示すように円柱状の軸の
周囲に一定間隔で直線パターンを設けた物である。検査
装置はロータリエンコーダ１ａを位置決めするステージ
（図示省略）と、ロータリエンコーダ１ａを照明し反射
光を検出する照明光学系２と、反射光を干渉させてパタ
ーン差を抽出する干渉光学系３と、パターン差を検出す
るセンサ４と、センサ４の信号を基に欠陥パターンを検
出する欠陥検出部７と、全体の制御をする全体制御部１
０と、センサ４の出力をもとに干渉光学系３のシェア量
を調整するシェア量制御手段１５３ａとにより構成され
る。
【００６９】装置の各部は以下のように動作してパター
ン欠陥を検出するものである。まず、初期動作として全
体制御部１０の指令でセンサ４の出力信号をもとにシェ
ア量制御部１５３ａで干渉光学系３のシェア量ｄをエン
コーダピッチに一致させる。次に、ステージ（図示省
略）でロータリーエンコーダ１ａを回転させながらセン
サ４でパターン差を検出する。これにより、繰り返し性
の無いパターン差のみを欠陥検出部７で抽出できる。全
体制御部１０ではパターン差を生じた点に対して比較し
た２つの座標を登録し、座標が１つしか登録されなかっ
た座標は除去することで真の欠陥を抽出する。
【００７０】ここで、１次元のパターンが２次元パター
ンの時と異なるのはシェア方向が繰り返しパターンの方
向とずれている場合でもその方向に計ったパターン間隔
にシェア量を一致させれば検査ができ、１方向のシェア
量のみの調整をすれば十分である点である。
【００７１】本実施例によると簡単な構成でロータリエ
ンコーダ等ののパターン欠陥を検査できる効果がある。
【００７２】次に本実施例の第１の変形を説明する。ロ
ータリエンコーダ１ａ等の対象物を図２１と直交する向
きに配置すれば、干渉によりパターンを比較するシェア
方向をパターンが並んでいる方向と直角方向に設定する
ことができる。この場合、図２１と同様な検査装置の構
成でシェア量制御部１５３ａをシェア方向制御部に変更
し、初期化としてシェア量の制御の変わりに、シェア方
向の調整を行い検査することで欠陥を検査することがで
きる。本変形によるとシェア量の調整がいらず、より簡
単な干渉光学系で実現できるで効果がある。
【００７３】次に本実施例の第２の変形を説明する。検
査対象を特定方向に整列したパターン以外の同心円状パ
ターン、一定角度毎のパターン、多層パターン、３次元
パターン等に対して干渉光学系３を放射状変位、角度変
位、焦点位置（深さ方向）変位、焦点変位と横方向変位
の組み合わせを与えることに光学的に比較することが出
来る。これにより、各種干渉光学系３で干渉させること
のできる対象に対しては光学的に比較することができる
効果がある。
【００７４】次に、本発明の第５の実施例を図２３、図
２４に基づいて説明する。図２３は検査装置の全体構成
図、図２４は差分検出する光学系の構成図である。
【００７５】検査装置は、ウエハ（検査対象物）１を位
置決めするステージ６と、ウエハ１上の１１と１２を差
分検出する光学系Ａ２０１ａとセンサＡ４ａとウェーハ
１上の１１と１３を差分検出する光学系Ｂ２０１ｂとセ
ンサＢ４ｂとセンサＡ４ａ、センサＢ４ｂの信号を基に
欠陥パターンを検出する欠陥検出部７と、該欠陥検出部
７で検出した欠陥パターンを記憶する記憶部８と、記憶
しておいた１チップ前の欠陥パターンと検出した欠陥パ
ターンを比較することにより真の欠陥パターンを検出
し、欠陥を抽出する欠陥抽出部９と、ステージ６、照明
光学系２、像回転手段５２、干渉光学系Ｂ３ｂ等の全体
を制御をする全体制御部１０とより構成される。
【００７６】また、差分検出する光学系２０１Ａ，２０
１Ｂはウエハ１を照明する十分波長帯域の狭い照明光源
２０２とコンデンサレンズ２０３と照明光の一部を制限
するストライプパターン２０４と光源スキャン部２０５
と照明系結像レンズ２０６よりなる光源部２０７と、照
明光を光路１：２０８−１と光路２：２０８−２に分割
するキューブプリズム２０９と分割され光路１：２０８
−１を通る照明光を反射するミラ−２１０と光路２：２
０８−２を通る照明光を反射する可動ミラー２１１と光
路１と光路２の光路長差をπに保つ光路長調整用組合わ
せ楔２１２と分割された照明光を合成するキューブプリ
ズム２１３よりなる干渉光学系２１４と、チューブレン
ズ２１５と対物レンズ２１６よりなる対物レンズ光学系
２１７と、対物レンズ光学系２１７よりの反射光をセン
サＢ４ｂとセンサＡ４ａで検出するため再度干渉光学系
２１４を通し結像させる結像レンズ２１８とストライプ
パターン２１９よりなる。
【００７７】装置の各部は以下のように動作して微小な
パターン欠陥を検出するものである。まず、初期動作と
してウエハ１の座標系のｘ，ｙ方向のシェア量ｄｘ，ｄ
ｙを後述の手段でｘ，ｙ方向のセルピッチに一致させ
る。次に、図５に示すように、ステージ６を位置決め
し、センサＡ４ａ及びセンサＢ４ｂでパターン差を検出
し、欠陥検出部７では２つのパターン差信号の小さい方
の値を欠陥パターンとすることにより欠陥を検出し、記
憶部８に記憶する。次に１つ隣のチップの同じところで
欠陥パターンを検出し、欠陥抽出部９では記憶しておい
た欠陥パターンと比較し、記憶部８に記憶しておいた欠
陥パターンではゼロで検出した欠陥パターンでゼロでな
い場所を真の欠陥として抽出する。欠陥判定終了後、検
出欠陥パターンを記憶部８に移し、次のチップで同様の
動作をする。対象とするチップの欠陥判定終了後次の場
所にステージ６を位置決めして欠陥判定を繰り返す。
【００７８】次に、差分検出する光学系の動作について
説明する。まず初期動作として干渉光学系２１４は２つ
の光路の光路長差がπで、しかもウエハ１上換算でのシ
ェアが所望のセルピッチになるよう可動ミラー２１１と
光路長調整用組合わせ楔２１２を用いて調整する方法を
説明する。可動ミラー２１１は平行移動することでシェ
ア量を調整し光路長調整用組合わせ楔２１２は楔を出し
入れする事で光路長を調整する。可動ミラー２１１と光
路長調整用組合わせ楔２１２を設計値に合わせ、パター
ンなし部とメモリセル部が視野にはいる場所に移動す
る。まず、パターンなし部に対して楔２１２を調整して
センサＡ４ａ（差分検出光学系２０１Ｂの調整の時はセ
ンサＢ４ｂ）の出力が最低になるように調整し、メモリ
セル部に対するセンサＡ４ａの出力を記録する。次に、
可動ミラーを平行移動させてパターンなし部に対して同
様に楔２１２を調整してセンサＡ４ａの出力を最低にす
るよう調整後メモリセル部に対するセンサＡ４ａの出力
を記録する。この動作を繰り返しメモリセル部に対する
センサＡ４ａの出力が最低になるよう調整する。
【００７９】次にストライプパターン２０４とストライ
プパターン２１９の機能を図２５を用いて説明する。照
明光源２０２よりの光はストライプパターン２０４で制
限されて図２５（ａ）の２２０−１と２２０−２の場所
だけが照射される。ストライプパターンの開口部の幅を
ウェハ１上換算でシェア量以下にしておけばウェハ１上
は図２５（ｂ）のように照明される。領域２２１−１は
照明光２２０−１が光路２０８−１を通過して照明され
る領域、領域２２１−２は照明光２２０−１が光路２０
８−２を通過して照明される領域、領域２２１−３は照
明光２２０−２が光路２０８−１を通過して照明される
領域、領域２２１−４は照明光２２０−２が光路２０８
−２を通過して照明される領域を示している。これらが
センサ上で検出されるときには図２５（ｃ）の様にな
り、２２１−１から２２１−４が光路２０８−１と２０
８−２を通過する。センサ上で２２２−１と２２２−３
の場所だけ（即ち照明のストライプパターン２０４と同
じ位置）光を透過させれば同一の光源からの光を合成す
る事になり、干渉を起こす事ができる。
【００８０】また、光源スキャン部２０５で照明光源の
像をセンサＡ４ａ、センサＢ４ｂの蓄積時間よりも短い
周期でスキャンする事で光学系の視野全体で均一に差分
検出する事ができる。
【００８１】本実施例によると以下の効果がある。
【００８２】(１)ウエハ１のパターンを２セル比較した
結果を２チップ比較しているため、設計情報などを用い
ること無しに２セル比較できるところは２セル比較して
欠陥を抽出し、２セル比較できないところはできないこ
とがわかる。
【００８３】(２)干渉光学系（分離・位相変え・合成光
学系）に於いて偏光を用いていないため対象物の偏光に
よる影響を受けない。
【００８４】(３)初期化の時にシェア量などの補正をし
ているため、セルピッチの異なる対象物に対して容易に
対応できる。
【００８５】(４)ｘ，ｙ方向の２セル比較結果の小さい
方を取ることにより、２セル比較できるところでは真の
欠陥を抽出できる。
【００８６】これらによりウエハ１のパターンのうち２
セル比較できるところの欠陥のみを自動で検査できる効
果がある。
【００８７】次に本実施例の第１の変形を説明する。チ
ューブレンズ２１５にズームレンズを用い、光路長調整
用組合わせ楔２１２は固定にするまたはキューブプリズ
ム２０９またはキューブプリズム２１３と合わせる。こ
れにより、シェア量はズーム倍率で調整し、光路長合わ
せは可動ミラー２１１にて行う。また、初期化動作時に
光路長を合わせればシェア量を変えても光路長は変化し
ないため再度光路長合わせが不要となりより簡便な動作
ができる特徴がある。
【００８８】次に本実施例の第２の変形を説明する。光
源スキャニング部２０５を用いない。この場合、光量む
らは大きいがあらかじめ光量むらを求めて置きソフトウ
ェアまたは電気回路で補正を行う。これによりより簡便
な方法で実施できる特徴がある。
【００８９】次に本発明の第３の変形を説明する。スト
ライプパターン２０４とストライプパターン２１９はス
リット、スポット、スポット列等を用いる事ができる。
【００９０】次に本実施例の第３の変形を説明する。光
学系の構成図を図２６とする。これはウエハ１を照明す
る照明光源２０２とコンデンサレンズ２０３と光源スキ
ャン部２０５と照明系結像レンズ２０６と照明光のＰ偏
光成分を光路１：２０８−１とＳ偏光成分を光路２：２
０８−２に分割するＰＢＳ２２３と分割され光路１：２
０８−１を通る照明光を反射するミラー２１０と光路２
０８−２を通る照明光を反射するミラー２２５と光路１
と光路２の光路長差をπに保つ光路長調整用組合わせ楔
２２６と分割された照明光を合成するハーフミラー２２
４とλ／４板２２７とズームチューブレンズ２１５と対
物レンズ２１６と反射光をセンサＢ４ｂとセンサＡ４ａ
で検出するため結像させる結像レンズ２１８と偏光板２
２８よりなる。
【００９１】この差分を検出する光学系の動作について
説明する。照明光はＰＢＳ２２３で透過して光路１：２
０８−１を通過するＰ偏光成分と反射して光路２：２０
８−２を通過するＳ偏光成分に分割される。ハーフミラ
ー２２４で合成された後λ／４板２２７でそれぞれ右回
りと左回りの円偏光となる。対象物ウエハ１よりの反射
光は再度λ／４板２２７を通過して光路１を通った成分
はＳ偏光、光路２を通った成分はＰ偏光となり、ＰＢＳ
２２３を通過してセンサＡ４ａに入射する光は光路１か
らはＳ偏光、光路２からはＰ偏光であるので光路１から
照明されて反射した光は光路１、光路２から照明されて
反射した光は光路２を通過する事になり、センサ上で検
出される光は光源上の１点から出た光であり、偏光板２
２８で偏光面を揃えて干渉させる。
【００９２】本変形によるとマスクが不要となるため検
出視野全面を利用できる特徴がある。
【００９３】
【発明の効果】本発明によれば、繰り返しパターンの微
小欠陥の判定や微小繰り返しピッチ等を光学干渉（光学
的分離・位相変え・合成）により測定でき、特にウエハ
パターン検査等の繰り返しパターン検査に適用した場合
には、検出画素寸法を微小欠陥寸法より大きくして微小
欠陥検出が可能な高精細状態で、速度を低下させること
なく高速度で検出できる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】対象パターンの説明図で、（ａ）は記憶パター
ン、（ｂ）は検出パターン、（ｃ）はパターン差を示す
図である。
【図２】ウエハのパターンを示す図で、（ａ）はウエハ
パターンを示す図、（ｂ）はＡ部拡大図である。
【図３】本発明の原理構成を示す原理構成図である。
【図４】本発明の原理を説明するための図である。
【図５】本発明の第１の実施例を示す全体構成図であ
る。
【図６】（ａ）は図５に示す実施例においてシェア方向
調整を行なうための構成を示す図で、（ｂ）は回転角と
検出光量との関係を示す図である。
【図７】（ａ）は図５に示す実施例においてシェア量調
整を行なうための構成を示す図で、（ｂ）はシェア量と
検出光量との関係を示す図である。
【図８】欠陥検出方法を説明するための図で、（ａ）は
通常光検出パターンを示し、（ｂ）はＸ方向シェア検出
パターンを示し、（ｃ）はｙ方向検出パターンを示す図
である。
【図９】例外パターンを示す図で、（ａ）は角パター
ン、孤立パターンを示し、（ｂ）は繰返しパターンの周
辺を示し、（ｃ）は斜めパターンを示す図である。
【図１０】本発明に係る干渉光学系の一実施例を示す構
成図である。
【図１１】図１０に示す干渉光学系におけるシェアベク
トルを示す図である。
【図１２】図１０に示す干渉光学系の干渉原理を説明す
るための図である。
【図１３】干渉光学系の図１０と異なる第１の変形例を
示す構成図である。
【図１４】干渉光学系の図１０と異なる第２の変形例を
示す構成図である。
【図１５】干渉光学系の図１０と異なる第３の変形例を
示す構成図である。
【図１６】（ａ）は干渉光学系の図１０と異なる第４の
変形例を示す構成図で、（ｂ）はフレネルゾーンプレー
トの構造を示す図である。
【図１７】干渉光学系の図１０と異なる第５の変形例を
示す構成図である。
【図１８】本発明の第２の実施例を示す全体構成図であ
る。
【図１９】シェア方向調整用パターンを示す図で、
（ａ）はｘ方向のみのパターンを示し、（ｂ）はｙ方向
のみのパターンを示す図である。
【図２０】本発明の第３の実施例を示す全体構成図であ
る。
【図２１】本発明の第４の実施例を示す全体構成図であ
る。
【図２２】図２１に示す第４の実施例の対象であるロー
タリーエンコーダのパターンを示す図である。
【図２３】本発明の第５の実施例を示す全体構成図であ
る。
【図２４】本発明の第５の実施例を示す干渉光学系構成
図である。
【図２５】図２３に示す第５の実施例の照明状態図であ
る。（ａ）は照明部の状態であり、（ｂ）はウエハ上で
の状態、（ｃ）は検出部（センサＡ，センサＢ）の状態
を示している。
【図２６】本発明の第５の実施例の第３の変形を示す干
渉光学系構成図である。
【符号の説明】
１…ウエハ、 ２…照明光学系、 ３…干渉光学系、 ３ａ…干渉光学系Ａ、 ３ｂ…干渉光学系Ｂ、 ４…センサ、 ４ａ…センサＡ、 ４ｂ…センサＢ、 ５…パターン差抽出部、 ６…ステージ、 ７…欠陥検出部、 ８…記憶部、 ９…欠陥抽出部、 １０…全体制御部、 ４１…光源、 ４２…ハーフミラー、 ４３…対物レンズ、 ６１，７１…光量検出手段、 ６２…回転調整手段、 ６３…回転制御部、 ７２…ｄ調整手段、 ７３…シェア量制御部、 １０１…リレーレンズ、 １０４，１０５…偏光板、 １０７，１７３…平行複屈折素子板、 １７１，１７２…λ／２板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０６Ｋ 9/64 Ｊ 9289−5Ｌ Ｈ０１Ｌ 21/027 (72)発明者 牧平 坦 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 岡 健次 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 押田 良忠 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】着目パターンの光学像と該着目パターンと
    同一であるはずのパターンの光学像とから、相対的に位
    相を変えて合成した光学像を得、該光学像からパターン
    の情報を検出または観測することを特徴とするパターン
    検出方法。
  2. 【請求項２】繰り返し性を有するパターンの光学像を複
    数に分割し、これら分割された光学像から、繰返し性に
    応じて相対的に位相を変えて合成した光学像を得、該光
    学像からパターンの情報を検出または観測することを特
    徴とする請求項１記載のパターン検出方法。
  3. 【請求項３】繰り返し性を有するパターンを検出する照
    明光学系及び検出光学系の双方の光学系を複数に分割
    し、これら分割された光学系により得られた複数の光学
    像から、繰返し性に応じて相対的に位相を変えて合成し
    た光学像を得、該光学像からパターンの情報を検出また
    は観測することを特徴とする請求項１記載のパターン検
    出方法。
  4. 【請求項４】上記パターンの情報として欠陥であること
    を特徴とする請求項１または２または３記載のパターン
    検出方法。
  5. 【請求項５】着目パターンの光学像と該着目パターンと
    同一であるはずのパターンの光学像とを相対的に位相を
    変えて合成した光学像を光電変換手段で信号として検出
    し、該信号からパターンの情報を検出することを特徴と
    するパターン検出方法。
  6. 【請求項６】繰り返し性を有するパターンの光学像を複
    数に分割し、これら分割された光学像から、繰り返し性
    に応じて相対的に位相を変えて合成した光学像を光電変
    換手段で信号として検出し、該信号からパターンの情報
    を検出することを特徴とするパターン検出方法。
  7. 【請求項７】繰り返し性を有するパターンを検出する照
    明光学系及び検出光学系を複数に分割し、これら分割さ
    れた光学系により得られた複数の光学像から、繰返し性
    に応じて相対的に位相を変えて合成した光学像を得、該
    光学像を光電変換手段で信号として検出し、該信号から
    パターンの情報を検出または観測することを特徴とする
    パターン検出方法。
  8. 【請求項８】上記パターンの情報として欠陥であること
    を特徴とする請求項５または６または７記載のパターン
    検出方法。
  9. 【請求項９】ｘｙ双方に繰り返し性を有するパターンの
    光学像をｘ方向に複数に分割し、これら分割された光学
    像から繰返し性に応じて相対的に位相を変えて合成した
    光学像を光電変換手段で信号として検出する第１の検出
    工程と、パターンの光学像をｙ方向に複数に分割し、こ
    れら分割された光学像から繰返し性に応じて相対的に位
    相を変えて合成した光学像を光電変換手段で信号として
    検出する第２の検出工程と、上記第１の検出工程及び上
    記第２の検出工程の各々により検出された信号に応じて
    パターンの情報を検出する第３の検出工程とを有するこ
    とを特徴とするパターン検出方法。
  10. 【請求項１０】繰り返し性を有する第１のパターンの光
    学像を複数に分割し、これら分割された光学像から繰返
    し性に応じて相対的に位相を変えて合成した光学像を光
    電変換手段で信号として検出する第１の検出工程と、繰
    り返し性を有し、上記第１のパターンと異なる間隔を有
    する第２のパターンの光学像を複数に分割し、これら分
    割された光学像から繰り返し性に応じて相対的に位相を
    変えて合成した光学像を光電変換手段で信号として検出
    する第２の検出工程と、上記第１の検出工程及び上記第
    ２の検出工程の各々により検出された信号に応じてパタ
    ーンの情報を検出する第３の検出工程とを有することを
    特徴とするパターン検出方法。
  11. 【請求項１１】上記パターンの情報として欠陥であるこ
    とを特徴とする請求項９または請求項１０記載のパター
    ン検出方法。
  12. 【請求項１２】着目パターンと該着目パターンと同一で
    あるはずのパターンとにコヒーレント光またはパーシャ
    ルコヒーレント光を照明する照明光学系と、該照明光学
    系で照明された着目パターンの光学像と該着目パターン
    と同一であるはずのパターンの光学像から相対的に位相
    を変えて合成した光学像を得る合成光学系を備えた検出
    光学手段とを設け、該検出光学手段から得られる光像か
    らパターンの情報を検出または観測できるように構成し
    たことを特徴とするパターン検出装置。
  13. 【請求項１３】着目パターンと該着目パターンと同一で
    あるはずのパターンとにコヒーレント光またはパーシャ
    ルコヒーレント光を照明する照明光学系と、該照明光学
    系で照明された着目パターンの光学像を検出する検出光
    学系において照明光学系及び検出光学系を複数に分割
    し、分割された光学系でそれぞれ着目パターンと該着目
    パターンと同一であるはずのパターンを検出し、これら
    光学像から相対的に位相を変えて合成した光学像を得る
    合成手段を設け、該検出光学手段から得られる光像から
    パターンの情報を検出または観測できるように構成した
    ことを特徴とするパターン検出装置。
  14. 【請求項１４】繰り返し性を有するパターンにコヒーレ
    ント光またはパーシャルコヒーレント光を照明する照明
    光学系と、該照明光学系で照明された繰り返し性を有す
    るパターンの光学像を複数の光学像に分割する分割光学
    系と該分割光学系で分割された光学像から相対的に位相
    を変えて合成した光学像を得る合成光学系とを備えた検
    出光学手段とを設け、該検出光学手段から得られる光像
    からパターンの情報を検出または観察できるように構成
    したことを特徴とするパターン検出装置。
  15. 【請求項１５】着目パターンと該着目パターンと同一で
    あるはずのパターンとにコヒーレント光またはパーシャ
    ルコヒーレント光を照明する照明光学系と、該照明光学
    系で照明された着目パターンの光学像と該着目パターン
    と同一であるはずのパターンの光学像から相対的に位相
    を変えて合成した光学像を得る合成光学系と該合成光学
    系で得られた光学像を受光して信号に変換する光電変換
    手段とを備えた検出光学手段とを設け、該検出光学手段
    の光電変換手段から得られる信号からパターンの情報を
    検出できるように構成したことを特徴とするパターン検
    出装置。
  16. 【請求項１６】繰り返し性を有するパターンにコヒーレ
    ント光またはパーシャルコヒーレント光を照明する照明
    光学系と、該照明光学系で照明された繰り返し性を有す
    るパターンの光学像を複数の光学像に分割する分割光学
    系と該分割光学系で分割された光学像から相対的に位相
    を変えて合成した光学像を得る合成光学系と該合成光学
    系で得られた光学像を受光して信号に変換する光電変換
    手段とを備えた検出光学手段とを設け、該検出光学手段
    の光電変換手段から得られる信号からパターンの情報を
    検出できるように構成したことを特徴とするパターン検
    出装置。
  17. 【請求項１７】請求項１２において合成光学系で合成す
    るパターンの相対的位置ずれ量（シェア量）は繰り返し
    性のピッチまたはピッチの整数倍であってこれらを可変
    できる事を特徴とするパターン検出装置。
  18. 【請求項１８】請求項１７においてシェア量はズームリ
    レーレンズの倍率または光学系中の複屈折素子またはハ
    ーフミラーまたはミラーまたはプリズムまたはレンズま
    たは回折格子またはフレネルゾーンプレートの位置を変
    える事により可変できる事を特徴とするパターン検出装
    置。
  19. 【請求項１９】請求項１２において照明光学系は対象物
    上で平面波または平面波からのずれを波長のオーダーよ
    り小さくする事を特徴とするパターン検出装置。
  20. 【請求項２０】請求項１３において干渉光学系を照明と
    検出の双方に通過させる事により照明光源の１点と対象
    物上の複数の点を結像させ、該対象物上の複数の点と検
    出系のパターンの情報を検出または観測する点を結像さ
    せる事により光源から検出または観測する点までの光路
    長を完全に同一とする事を特徴とするパターン検出装
    置。
  21. 【請求項２１】単一波長でない光源寸法の大きい照明光
    源を用いた干渉光学系に於いて検出または観測する位置
    と対象物と照明光源をそれぞれ共役な位置関係に保ち干
    渉縞を検出または観測する光学系システムに於いて照明
    光源を対象物と共役な関係を保ったままスキャニングす
    ることにより均一な検出光量を得る事を特徴とするパタ
    ーン検出装置。
  22. 【請求項２２】照明光源を直接または間接的に走査する
    事により検出または観測されるパターンの情報のむらを
    無くす事を特徴とする請求項２２記載のパターン検出装
    置。
JP234093A 1992-02-06 1993-01-11 パターン検出方法及びその装置 Pending JPH05312549A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4-20966 1992-02-06
JP2096692 1992-02-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05312549A true JPH05312549A (ja) 1993-11-22

Family

ID=12041915

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP234093A Pending JPH05312549A (ja) 1992-02-06 1993-01-11 パターン検出方法及びその装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5430548A (ja)
JP (1) JPH05312549A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006500638A (ja) * 2002-09-20 2006-01-05 ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション リソグラフィマスクおよび半導体ウェーハ内の位相欠陥を検出する方法およびシステム
JP2023171011A (ja) * 2022-05-20 2023-12-01 レーザーテック株式会社 算出方法、撮像方法、および撮像装置
JP2023177950A (ja) * 2022-06-03 2023-12-14 レーザーテック株式会社 算出方法、撮像方法、および撮像装置
WO2025244887A1 (en) * 2024-05-22 2025-11-27 Corning Incorporated Inspection device with metasurface polarization beam splitter

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3460074B2 (ja) * 1995-11-24 2003-10-27 株式会社トプコン 電子レベルの水平位誤差補正機構
US5909285A (en) * 1997-05-05 1999-06-01 Beaty; Elwin M. Three dimensional inspection system
US6055054A (en) * 1997-05-05 2000-04-25 Beaty; Elwin M. Three dimensional inspection system
US6915007B2 (en) 1998-01-16 2005-07-05 Elwin M. Beaty Method and apparatus for three dimensional inspection of electronic components
US6915006B2 (en) * 1998-01-16 2005-07-05 Elwin M. Beaty Method and apparatus for three dimensional inspection of electronic components
US6072898A (en) * 1998-01-16 2000-06-06 Beaty; Elwin M. Method and apparatus for three dimensional inspection of electronic components
US6885444B2 (en) 1998-06-10 2005-04-26 Boxer Cross Inc Evaluating a multi-layered structure for voids
US6049220A (en) 1998-06-10 2000-04-11 Boxer Cross Incorporated Apparatus and method for evaluating a wafer of semiconductor material
KR20000016881A (ko) * 1998-08-31 2000-03-25 이토오 도요아키 패턴결함검출장치및수정장치
US6476913B1 (en) * 1998-11-30 2002-11-05 Hitachi, Ltd. Inspection method, apparatus and system for circuit pattern
US6812047B1 (en) * 2000-03-08 2004-11-02 Boxer Cross, Inc. Evaluating a geometric or material property of a multilayered structure
JP3858571B2 (ja) * 2000-07-27 2006-12-13 株式会社日立製作所 パターン欠陥検査方法及びその装置
US6757421B1 (en) * 2000-09-27 2004-06-29 Cognex Corporation Method and apparatus for detecting defects
JP3721983B2 (ja) * 2000-12-12 2005-11-30 スズキ株式会社 三次元形状の欠陥検査方法
US6911349B2 (en) 2001-02-16 2005-06-28 Boxer Cross Inc. Evaluating sidewall coverage in a semiconductor wafer
US6812717B2 (en) * 2001-03-05 2004-11-02 Boxer Cross, Inc Use of a coefficient of a power curve to evaluate a semiconductor wafer
JP2002303586A (ja) * 2001-04-03 2002-10-18 Hitachi Ltd 欠陥検査方法及び欠陥検査装置
WO2003036223A1 (en) * 2001-10-19 2003-05-01 Zygo Corporation Interferometers for measuring changes in optical beam direction
JP2003130808A (ja) * 2001-10-29 2003-05-08 Hitachi Ltd 欠陥検査方法及びその装置
US6646281B1 (en) * 2001-12-28 2003-11-11 Kla-Tencor Corporation Differential detector coupled with defocus for improved phase defect sensitivity
US6971791B2 (en) * 2002-03-01 2005-12-06 Boxer Cross, Inc Identifying defects in a conductive structure of a wafer, based on heat transfer therethrough
US6958814B2 (en) * 2002-03-01 2005-10-25 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for measuring a property of a layer in a multilayered structure
US6963393B2 (en) * 2002-09-23 2005-11-08 Applied Materials, Inc. Measurement of lateral diffusion of diffused layers
IL162921A0 (en) 2004-07-08 2005-11-20 Hi Tech Solutions Ltd Character recognition system and method
JP4333550B2 (ja) * 2004-10-18 2009-09-16 ソニー株式会社 レーザ光源装置及びホログラム装置
JP4685599B2 (ja) * 2005-11-11 2011-05-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ 回路パターンの検査装置
US7970199B2 (en) * 2006-06-05 2011-06-28 Hitachi High-Technologies Corporation Method and apparatus for detecting defect on a surface of a specimen
JP4840066B2 (ja) * 2006-10-11 2011-12-21 セイコーエプソン株式会社 回転角度検出装置、および回転角度検出装置の制御方法
TWI521476B (zh) * 2015-04-17 2016-02-11 銘傳大學 週期性圖案之自動光學檢測方法
JP6759053B2 (ja) * 2016-10-26 2020-09-23 株式会社ニューフレアテクノロジー 偏光イメージ取得装置、パターン検査装置、偏光イメージ取得方法、及びパターン検査方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3683679A (en) * 1969-08-22 1972-08-15 Byron B Brenden Ultrasonic interference pattern detector
US3909602A (en) * 1973-09-27 1975-09-30 California Inst Of Techn Automatic visual inspection system for microelectronics
JPS5739811A (en) * 1980-08-22 1982-03-05 Koushirou Ikeda Lower half body of movable manikin doll
US4692690A (en) * 1983-12-26 1987-09-08 Hitachi, Ltd. Pattern detecting apparatus
JPH0666241B2 (ja) * 1985-10-14 1994-08-24 株式会社日立製作所 位置検出方法
JPH0758267B2 (ja) * 1987-02-16 1995-06-21 株式会社日立製作所 パタ−ン欠陥検査方法及び装置
US4952058A (en) * 1987-04-27 1990-08-28 Hitach, Ltd. Method and apparatus for detecting abnormal patterns
JPH065663B2 (ja) * 1987-06-30 1994-01-19 株式会社日立製作所 半導体露光方法及びその装置
JP2514037B2 (ja) * 1987-07-02 1996-07-10 キヤノン株式会社 検知光学系
JP2634620B2 (ja) * 1988-03-10 1997-07-30 株式会社日立製作所 投影式露光方法およびその装置
JPH024539A (ja) * 1988-06-23 1990-01-09 Fuji Xerox Co Ltd 静電潜像形成装置
JP2796316B2 (ja) * 1988-10-24 1998-09-10 株式会社日立製作所 欠陥または異物の検査方法およびその装置
DE69027738T2 (de) * 1989-04-21 1996-11-28 Hitachi, Ltd., Tokio/Tokyo Projektions- und wiedergabeschaltung sowie projektions- und wiedergabeverfahren
US5028802A (en) * 1990-01-11 1991-07-02 Eye Research Institute Of Retina Foundation Imaging apparatus and methods utilizing scannable microlaser source
JPH04111336A (ja) * 1990-08-30 1992-04-13 Nec Kyushu Ltd 欠陥検査装置
US5075562A (en) * 1990-09-20 1991-12-24 Eastman Kodak Company Method and apparatus for absolute Moire distance measurements using a grating printed on or attached to a surface

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006500638A (ja) * 2002-09-20 2006-01-05 ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション リソグラフィマスクおよび半導体ウェーハ内の位相欠陥を検出する方法およびシステム
JP2023171011A (ja) * 2022-05-20 2023-12-01 レーザーテック株式会社 算出方法、撮像方法、および撮像装置
US12607838B2 (en) * 2022-05-20 2026-04-21 Lasertec Corporation Calculation method, image-capturing method, and image-capturing apparatus
JP2023177950A (ja) * 2022-06-03 2023-12-14 レーザーテック株式会社 算出方法、撮像方法、および撮像装置
WO2025244887A1 (en) * 2024-05-22 2025-11-27 Corning Incorporated Inspection device with metasurface polarization beam splitter

Also Published As

Publication number Publication date
US5430548A (en) 1995-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5430548A (en) Method and apparatus for pattern detection
US10401228B2 (en) Simultaneous capturing of overlay signals from multiple targets
US6429897B2 (en) Confocal microscope with a motorized scanning table
KR101931190B1 (ko) 삼차원 계측 장치
US5072126A (en) Promixity alignment using polarized illumination and double conjugate projection lens
TWI402498B (zh) 影像形成方法及影像形成裝置
JP4552859B2 (ja) 表面検査装置および表面検査方法
US6469793B1 (en) Multi-channel grating interference alignment sensor
KR102016802B1 (ko) 편광 이미지 취득 장치, 패턴 검사 장치, 편광 이미지 취득 방법 및 패턴 검사 방법
CN108713127B (zh) 三维测量装置
US7561279B2 (en) Scanning simultaneous phase-shifting interferometer
IL152526A (en) Method and apparatus for inspecting defects
JPH10161031A (ja) 微分干渉顕微鏡、およびこれを用いる顕微鏡画像処理システム
JP2000275027A (ja) スリット共焦点顕微鏡とそれを用いた表面形状計測装置
JPH0430414A (ja) 位置決め装置
JPH0915504A (ja) 微分干渉顕微鏡
JP4895353B2 (ja) 干渉計、及び形状の測定方法
WO2016190151A1 (ja) 三次元計測装置
JPH0961366A (ja) 微分干渉顕微鏡及び該顕微鏡を用いた欠陥検査装置
JPH07286831A (ja) パターン比較検査方法及び装置
JP3751130B2 (ja) 計測装置
JPH0961718A (ja) 微分干渉顕微鏡
JP3385002B2 (ja) 光学式検査装置
JPH11271630A (ja) 微分干渉顕微鏡
JPH0574686A (ja) 走査型位置検出装置