JPH05312894A - トランジスタ特性の測定方法及び装置 - Google Patents
トランジスタ特性の測定方法及び装置Info
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- JPH05312894A JPH05312894A JP12059792A JP12059792A JPH05312894A JP H05312894 A JPH05312894 A JP H05312894A JP 12059792 A JP12059792 A JP 12059792A JP 12059792 A JP12059792 A JP 12059792A JP H05312894 A JPH05312894 A JP H05312894A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はトランジスタ特性の測定方法及びそ
の装置に関し、トランジスタのベースを開放した状態の
特性を測定する時に、測定途中で接続を切り換える必要
なしに測定の高速化が図れる測定方法及び装置の実現を
目的とする。 【構成】 ベースを開放した状態での電圧特性又は電流
特性を、ベースとエミッタとの間に容量素子６を接続し
た状態で測定するように構成する。
の装置に関し、トランジスタのベースを開放した状態の
特性を測定する時に、測定途中で接続を切り換える必要
なしに測定の高速化が図れる測定方法及び装置の実現を
目的とする。 【構成】 ベースを開放した状態での電圧特性又は電流
特性を、ベースとエミッタとの間に容量素子６を接続し
た状態で測定するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、トランジスタ特性の測
定方法及び装置に関し、特に各種特性を自動測定する測
定装置で、ベースを開放した時の特性を測定する時に測
定時間の短縮化が図れる測定方法及び測定装置に関す
る。
定方法及び装置に関し、特に各種特性を自動測定する測
定装置で、ベースを開放した時の特性を測定する時に測
定時間の短縮化が図れる測定方法及び測定装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】トランジスタの性能は各種の特性で表わ
される。例えば、直流電流増幅率や各種飽和電圧等であ
る。トランジスタの製造工程では、これらの特性につい
て項目に応じて全数検査又は抜き取り検査を行ってい
る。このような特性検査は自動測定装置で行なわれる。
検査は、プローバと呼ばれる装置でウエハ上に形成され
たトランジスタの電極パッドに触針を接触させ、この触
針をテスタに接続して行なう場合と、ハンドラと呼ばれ
る装置で組み立てられたトランジスタの端子に触針を接
触させ、この触針にテスタを接続して行なう場合があ
る。いずれにしろ上記のような自動測定装置は高速で検
査を行なう必要があり、各特性の測定に要する時間を短
縮化することが求められている。
される。例えば、直流電流増幅率や各種飽和電圧等であ
る。トランジスタの製造工程では、これらの特性につい
て項目に応じて全数検査又は抜き取り検査を行ってい
る。このような特性検査は自動測定装置で行なわれる。
検査は、プローバと呼ばれる装置でウエハ上に形成され
たトランジスタの電極パッドに触針を接触させ、この触
針をテスタに接続して行なう場合と、ハンドラと呼ばれ
る装置で組み立てられたトランジスタの端子に触針を接
触させ、この触針にテスタを接続して行なう場合があ
る。いずれにしろ上記のような自動測定装置は高速で検
査を行なう必要があり、各特性の測定に要する時間を短
縮化することが求められている。
【０００３】前述のように製造工程における検査を高速
化するため、トランジスタがウエハ上のチップであるか
組み立てられたものであるかにかかわらず、触針を各端
子に接触させた後には、各種特性を触針への印加信号を
切り換え、必要に応じて触針への接続線を切り離すこと
によって測定している。上記のように製造工程で測定さ
れるトランジスタの特性の中に、コレクタ遮断電流Ｉ
CEO とコレクターエミッタ間耐電圧ＢＶCEO と呼ばれる
ベースを開放した状態で測定を行なう特性がある。図４
は、このＩCEO とＢＶCEO を測定する時の基本的な接続
を示す図である。
化するため、トランジスタがウエハ上のチップであるか
組み立てられたものであるかにかかわらず、触針を各端
子に接触させた後には、各種特性を触針への印加信号を
切り換え、必要に応じて触針への接続線を切り離すこと
によって測定している。上記のように製造工程で測定さ
れるトランジスタの特性の中に、コレクタ遮断電流Ｉ
CEO とコレクターエミッタ間耐電圧ＢＶCEO と呼ばれる
ベースを開放した状態で測定を行なう特性がある。図４
は、このＩCEO とＢＶCEO を測定する時の基本的な接続
を示す図である。
【０００４】図４の（ａ）はコレクタ遮断電流ＩCEO の
測定時の接続を示し、（ｂ）はコレクターエミッタ間耐
電圧ＢＶCEO の測定時の接続を示す。図において、４１
はコレクタ端子であり、４２はベース端子であり、４３
はエミッタ端子である。４５はベースに接続されたスイ
ッチであり、この測定では開放されている。ＩCEO 測定
時には、コレクタ端子４１を所定の定電圧源４４に接続
し、エミッタ端子４３とアースとの間に電流計４７を接
続してエミッタに流れる電流を測定する。
測定時の接続を示し、（ｂ）はコレクターエミッタ間耐
電圧ＢＶCEO の測定時の接続を示す。図において、４１
はコレクタ端子であり、４２はベース端子であり、４３
はエミッタ端子である。４５はベースに接続されたスイ
ッチであり、この測定では開放されている。ＩCEO 測定
時には、コレクタ端子４１を所定の定電圧源４４に接続
し、エミッタ端子４３とアースとの間に電流計４７を接
続してエミッタに流れる電流を測定する。
【０００５】また、ＢＶCEO 測定時には、コレクタ端子
４１を定電流源４９に接続し、エミッタ端子４３を接地
し、コレクタ端子４１とエミッタ端子４３との間に電圧
計４８を接続する。そして定電流源４９の電圧を徐々に
増加させて破壊される限界の電圧を耐電圧ＢＶCEO とす
るが、製造工程における検査では所定の電圧の定電流源
４９を使用して、その電圧に耐えられるかを判定してい
る。
４１を定電流源４９に接続し、エミッタ端子４３を接地
し、コレクタ端子４１とエミッタ端子４３との間に電圧
計４８を接続する。そして定電流源４９の電圧を徐々に
増加させて破壊される限界の電圧を耐電圧ＢＶCEO とす
るが、製造工程における検査では所定の電圧の定電流源
４９を使用して、その電圧に耐えられるかを判定してい
る。
【０００６】図４に示したベースを開放した状態の特性
を測定する時、ベース端子４２やベース端子４２に接続
されるリード線が微小ではあるが容量を有する。そのた
めベース端子４２を開放した状態でコレクタ端子４１に
ステップ状に電圧を印加すると、その瞬間若干ではある
がベースからエミッタに電流が流れ込む。図４に示した
状態でベースからエミッタに電流が流れ込むと、トラン
ジスタの増幅作用によってエミッタに増幅されたコレク
タ電流が流れ込むことになる。このエミッタへの電流の
流れ込みは数＋ミリ秒（ms）程度で停止するが、図４に
示した測定はこのような電流の流れ込みが停止した安定
状態で行なう必要がある。
を測定する時、ベース端子４２やベース端子４２に接続
されるリード線が微小ではあるが容量を有する。そのた
めベース端子４２を開放した状態でコレクタ端子４１に
ステップ状に電圧を印加すると、その瞬間若干ではある
がベースからエミッタに電流が流れ込む。図４に示した
状態でベースからエミッタに電流が流れ込むと、トラン
ジスタの増幅作用によってエミッタに増幅されたコレク
タ電流が流れ込むことになる。このエミッタへの電流の
流れ込みは数＋ミリ秒（ms）程度で停止するが、図４に
示した測定はこのような電流の流れ込みが停止した安定
状態で行なう必要がある。
【０００７】しかし前述のようにトランジスタ特性の自
動測定装置は高速化が要求されており、このような数＋
msの時間も問題になる。そこでコレクタに電圧を印加す
る時にはベースとエミッタ間をショートしておき、数ms
後にこの間を開放することでベースからエミッタへの電
流の流れ込みを防止する方法が提案されている。図５は
このような方法で測定を行なうトランジスタ特性の自動
測定装置を示す図である。
動測定装置は高速化が要求されており、このような数＋
msの時間も問題になる。そこでコレクタに電圧を印加す
る時にはベースとエミッタ間をショートしておき、数ms
後にこの間を開放することでベースからエミッタへの電
流の流れ込みを防止する方法が提案されている。図５は
このような方法で測定を行なうトランジスタ特性の自動
測定装置を示す図である。
【０００８】図５において、５００は測定対象のトラン
ジスタであり、５０４はトランジスタテスタ本体であ
る。通常はトランジスタ５００の各端子に接触する触針
との間にテストヘッドユニット（ＴＨＵ）と呼ばれる中
継部を設けるのが一般的であり、５０３はこのＴＨＵで
ある。ＴＨＵ５０３内には各触針の接続を切り換えるス
イッチが設けられており、ここではベース端子を開放す
るスイッチ５１２とベース端子とエミッタ端子間の接続
を開放するスイッチ５１７を示した。図４に示したＩ
CEO 及びＢＶCEO を測定する時には、スイッチ５１２を
開放し、スイッチ５１７を接続した状態でコレクタに電
圧を印加する。そして数ms後にスイッチ５１７を開放す
る。このようにすることでベース端子に保持されていた
電荷やコレクタ電圧の印加に応じてコレクタよりベース
に流れ込む高周波成分に起因するベースからエミッタへ
の電流の流れ込みは、すべてスイッチ５１７を介してエ
ミッタに流れ込むため、コレクタ電流の増幅を引き起こ
さない。従って短時間で測定可能な状態になる。
ジスタであり、５０４はトランジスタテスタ本体であ
る。通常はトランジスタ５００の各端子に接触する触針
との間にテストヘッドユニット（ＴＨＵ）と呼ばれる中
継部を設けるのが一般的であり、５０３はこのＴＨＵで
ある。ＴＨＵ５０３内には各触針の接続を切り換えるス
イッチが設けられており、ここではベース端子を開放す
るスイッチ５１２とベース端子とエミッタ端子間の接続
を開放するスイッチ５１７を示した。図４に示したＩ
CEO 及びＢＶCEO を測定する時には、スイッチ５１２を
開放し、スイッチ５１７を接続した状態でコレクタに電
圧を印加する。そして数ms後にスイッチ５１７を開放す
る。このようにすることでベース端子に保持されていた
電荷やコレクタ電圧の印加に応じてコレクタよりベース
に流れ込む高周波成分に起因するベースからエミッタへ
の電流の流れ込みは、すべてスイッチ５１７を介してエ
ミッタに流れ込むため、コレクタ電流の増幅を引き起こ
さない。従って短時間で測定可能な状態になる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】図５に示すような測定
装置を使用することで測定時間の短縮化が図れるが、コ
レクタへの電圧印加後にスイッチ５１７を開放する動作
が必要である。そのためスイッチ５１７を動作させる信
号を別に発生させる必要があり、制御がその分だけ複雑
になるという問題がある。
装置を使用することで測定時間の短縮化が図れるが、コ
レクタへの電圧印加後にスイッチ５１７を開放する動作
が必要である。そのためスイッチ５１７を動作させる信
号を別に発生させる必要があり、制御がその分だけ複雑
になるという問題がある。
【００１０】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、複雑な制御を必要とせずにベースを開放した
時のトランジスタの特性を高速で測定できるトランジス
タの特性測定方法及びそのための装置の実現を目的とす
る。
のであり、複雑な制御を必要とせずにベースを開放した
時のトランジスタの特性を高速で測定できるトランジス
タの特性測定方法及びそのための装置の実現を目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のトランジスタの
特性測定方法は、上記目的を達成するため、ベースを開
放した状態で電圧特性又は電流特性を測定する時には、
ベースとエミッタとの間に容量素子を接続した状態で行
なうことを特徴とする。また本発明のトランジスタの特
性測定装置は、トランジスタの各種特性をコレクタ端
子、ベース端子及びエミッタ端子の接続状態を順次切り
換えながら測定するが、ベース端子を開放した状態で測
定する時にベース端子とエミッタ端子との間に接続され
る容量素子を備える。
特性測定方法は、上記目的を達成するため、ベースを開
放した状態で電圧特性又は電流特性を測定する時には、
ベースとエミッタとの間に容量素子を接続した状態で行
なうことを特徴とする。また本発明のトランジスタの特
性測定装置は、トランジスタの各種特性をコレクタ端
子、ベース端子及びエミッタ端子の接続状態を順次切り
換えながら測定するが、ベース端子を開放した状態で測
定する時にベース端子とエミッタ端子との間に接続され
る容量素子を備える。
【００１２】
【作用】図１は本発明の基本構成の説明図である。ベー
スを開放して測定するトランジスタの特性としては通常
コレクタ遮断電流ＩCEO とコレクターエミッタ間耐電圧
ＢＶCEO が測定されるので、ここでもこの二つの特性に
ついて示す。またトランジスタとしてはｎｐｎ型を例と
して示すが、ｐｎｐ型でも同様である。
スを開放して測定するトランジスタの特性としては通常
コレクタ遮断電流ＩCEO とコレクターエミッタ間耐電圧
ＢＶCEO が測定されるので、ここでもこの二つの特性に
ついて示す。またトランジスタとしてはｎｐｎ型を例と
して示すが、ｐｎｐ型でも同様である。
【００１３】図１の（ａ）はＩCEO の測定配置を示す図
であり、（ｂ）はその時のコレクタ電圧Ｖc と電流値Ｉ
の変化を示す図であり、Ｉの破線は容量素子を使用しな
い時の変化を示す。図１の（ａ）において、１００は測
定対象のトランジスタであり、コレクタ端子１、ベース
端子２、及びエミッタ端子３を有している。４は定電圧
電源であり、コレクタ端子１に接続される。電圧の印加
はスイッチ４１で制御される。５はベース端子２に接続
されるスイッチであり、ここでは開放状態にある。６は
コンデンサであり、ベース端子２とエミッタ端子３との
間に接続される。７は電流計であり、エミッタ端子３と
アースとの間に接続され、エミッタ電流Ｉを測定する。
であり、（ｂ）はその時のコレクタ電圧Ｖc と電流値Ｉ
の変化を示す図であり、Ｉの破線は容量素子を使用しな
い時の変化を示す。図１の（ａ）において、１００は測
定対象のトランジスタであり、コレクタ端子１、ベース
端子２、及びエミッタ端子３を有している。４は定電圧
電源であり、コレクタ端子１に接続される。電圧の印加
はスイッチ４１で制御される。５はベース端子２に接続
されるスイッチであり、ここでは開放状態にある。６は
コンデンサであり、ベース端子２とエミッタ端子３との
間に接続される。７は電流計であり、エミッタ端子３と
アースとの間に接続され、エミッタ電流Ｉを測定する。
【００１４】いま図１の（ｂ）に示すように、スイッチ
４１を閉じてコレクタ端子１に電圧を印加する。すると
Ｉは、実線のように微小時間変化するが、すぐに一定の
値になる。これがＩCEO である。コンデンサ６を使用し
ない時のＩの変化は破線のようになるから、本発明によ
ってコレクタ電圧Ｖc を印加してからＩCEO が測定可能
になるまでの時間が短縮されることがわかる。
４１を閉じてコレクタ端子１に電圧を印加する。すると
Ｉは、実線のように微小時間変化するが、すぐに一定の
値になる。これがＩCEO である。コンデンサ６を使用し
ない時のＩの変化は破線のようになるから、本発明によ
ってコレクタ電圧Ｖc を印加してからＩCEO が測定可能
になるまでの時間が短縮されることがわかる。
【００１５】図１の（ｃ）はＢＶCEO の測定配置を示す
図であり、（ｄ）はその時のコレクタ電圧Ｖc と電圧値
Ｖの変化を示す図であり、Ｖの破線は同様に容量素子を
使用しない時の変化を示す。（ｃ）と（ａ）で異なるの
は、電流計７の替りにコレクタ端子１とエミッタ端子３
との間に電圧計８を設けた点である。この時もコレクタ
電圧ＶC を印加すると、コンデンサ６を設けた方が電圧
Ｖがより速く一定値になることがわかる。従って測定時
間の短縮化が可能である。
図であり、（ｄ）はその時のコレクタ電圧Ｖc と電圧値
Ｖの変化を示す図であり、Ｖの破線は同様に容量素子を
使用しない時の変化を示す。（ｃ）と（ａ）で異なるの
は、電流計７の替りにコレクタ端子１とエミッタ端子３
との間に電圧計８を設けた点である。この時もコレクタ
電圧ＶC を印加すると、コンデンサ６を設けた方が電圧
Ｖがより速く一定値になることがわかる。従って測定時
間の短縮化が可能である。
【００１６】このようにベースとエミッタの間に容量素
子を接続しても直流的にはベースとエミッタは非接続で
あるためＩCEO とＢＶCEO が測定可能で、しかも測定時
間の短縮化が図れ、しかも測定途中でのスイッチ操作が
不要であり、制御も容易である。本発明は実験的に事実
に基づいたものであり、容量素子を接続することにより
実際に測定時間が短縮されたことに基づくが、その原理
について図２を参照しながら考察してみる。
子を接続しても直流的にはベースとエミッタは非接続で
あるためＩCEO とＢＶCEO が測定可能で、しかも測定時
間の短縮化が図れ、しかも測定途中でのスイッチ操作が
不要であり、制御も容易である。本発明は実験的に事実
に基づいたものであり、容量素子を接続することにより
実際に測定時間が短縮されたことに基づくが、その原理
について図２を参照しながら考察してみる。
【００１７】図２の（ａ）はベースとエミッタ間にコン
デンサを使用しない状態を示している。通常トランジス
タのコレクタはウエハ基板であり、ベースに接続された
リード線等はこの基板との間で容量を有すると考えられ
る。従って図２の（ａ）に破線で示したように、コレク
タ端子２１とベース端子２２の間に微小容量のコンデン
サ２４が接続されていると考えられる。
デンサを使用しない状態を示している。通常トランジス
タのコレクタはウエハ基板であり、ベースに接続された
リード線等はこの基板との間で容量を有すると考えられ
る。従って図２の（ａ）に破線で示したように、コレク
タ端子２１とベース端子２２の間に微小容量のコンデン
サ２４が接続されていると考えられる。
【００１８】いま測定のためコレクタ端子２１に電圧が
ステップ状変化するように電圧を印加したとすると、コ
レクタ電流ＩC も流れるように変化する。実際にはベー
ス−エミッタ電流が流れないためコレクタ電流ＩC が流
れることはないはずであるが、微小ではあっても急激に
変化しようとするコレクタ電流は多くの高周波成分を有
していると考えられる。この高周波電流ｉａがコンデン
サ２４を介してベース端子２２に流れ込むと考えられ
る。このベースに流れ込んだ電流ｉａがエミッタに流れ
込むと、微小電流であってもトランジスタの増幅作用に
よって大きなコレクタ電流ｈｉａになると考えられる。
そのため過渡的な電流変化が吸収されて安定するまで時
間を要すると考えられる。
ステップ状変化するように電圧を印加したとすると、コ
レクタ電流ＩC も流れるように変化する。実際にはベー
ス−エミッタ電流が流れないためコレクタ電流ＩC が流
れることはないはずであるが、微小ではあっても急激に
変化しようとするコレクタ電流は多くの高周波成分を有
していると考えられる。この高周波電流ｉａがコンデン
サ２４を介してベース端子２２に流れ込むと考えられ
る。このベースに流れ込んだ電流ｉａがエミッタに流れ
込むと、微小電流であってもトランジスタの増幅作用に
よって大きなコレクタ電流ｈｉａになると考えられる。
そのため過渡的な電流変化が吸収されて安定するまで時
間を要すると考えられる。
【００１９】これに対して本発明では、図２の（ｂ）に
示すようにベース端子２２とエミッタ端子２３との間に
コンデンサ２５を接続しており、コンデンサ２４を介し
てベースに流れ込んだ高周波電流ｉａはそのままコンデ
ンサ２５を介してアースに流れ込むと考えられる。従っ
てここでは電流ｉａはコレクタ電流を流すようには作用
しないため、コレクタ電圧の印加に伴うコレクタ電流の
変化は小さいままである。従って安定状態になるまでの
時間も短くなると考えられる。
示すようにベース端子２２とエミッタ端子２３との間に
コンデンサ２５を接続しており、コンデンサ２４を介し
てベースに流れ込んだ高周波電流ｉａはそのままコンデ
ンサ２５を介してアースに流れ込むと考えられる。従っ
てここでは電流ｉａはコレクタ電流を流すようには作用
しないため、コレクタ電圧の印加に伴うコレクタ電流の
変化は小さいままである。従って安定状態になるまでの
時間も短くなると考えられる。
【００２０】
【実施例】本発明をウエハ上に形成されたトランジスタ
の特性測定機に適用した実施例の構成を図３に示す。図
３において、３００は半導体ウエハであり、チャック３
０１に吸着されている。半導体ウエハ３００上にはトラ
ンジスタのチップが形成されている。３０２はトランジ
スタの電極パッドに接触する触針を有するプローブカー
ドであり、ベースとエミッタ用の触針を有している。コ
レクタとの接続はチャック３０１を介して行なう。３０
３はテストヘッドユニット（ＴＨＵ）であり、測定時に
必要な接続切換スイッチ、抵抗及びコンデンサ等を有し
ている。３０４はテスタ本体であり、ＴＨＵ３０３のス
イッチの切り換え制御、印加信号の生成及び電流や電圧
の測定を行なう。
の特性測定機に適用した実施例の構成を図３に示す。図
３において、３００は半導体ウエハであり、チャック３
０１に吸着されている。半導体ウエハ３００上にはトラ
ンジスタのチップが形成されている。３０２はトランジ
スタの電極パッドに接触する触針を有するプローブカー
ドであり、ベースとエミッタ用の触針を有している。コ
レクタとの接続はチャック３０１を介して行なう。３０
３はテストヘッドユニット（ＴＨＵ）であり、測定時に
必要な接続切換スイッチ、抵抗及びコンデンサ等を有し
ている。３０４はテスタ本体であり、ＴＨＵ３０３のス
イッチの切り換え制御、印加信号の生成及び電流や電圧
の測定を行なう。
【００２１】ＴＨＵ３０３には、コレクタ、ベース、エ
ミッタの各端子に接続される線とテスタ本体３０４との
間の接続スイッチ３１１、３１２、３１３があり、コレ
クタ端子とベース端子の間に接続する素子をコンデンサ
Ｃ2 と抵抗Ｒ2 とスイッチ３１６の間で切り換えるスイ
ッチ３１４と、ベース端子とエミッタ端子との間に接続
する素子をコンデンサＣ1 と抵抗Ｒ1 とスイッチ３１７
との間で切り換えるスイッチ３１５がある。これらのス
イッチや素子の一部は、プローブカード３０２やテスタ
本体３０４に設けられることもある。
ミッタの各端子に接続される線とテスタ本体３０４との
間の接続スイッチ３１１、３１２、３１３があり、コレ
クタ端子とベース端子の間に接続する素子をコンデンサ
Ｃ2 と抵抗Ｒ2 とスイッチ３１６の間で切り換えるスイ
ッチ３１４と、ベース端子とエミッタ端子との間に接続
する素子をコンデンサＣ1 と抵抗Ｒ1 とスイッチ３１７
との間で切り換えるスイッチ３１５がある。これらのス
イッチや素子の一部は、プローブカード３０２やテスタ
本体３０４に設けられることもある。
【００２２】ＩCEO とＢＶCEO を測定する時には、図３
に示すようにスイッチ３１１と３１３を接続し、スイッ
チ３１２と３１６を開放し、スイッチ３１５をコンデン
サＣ 1 に接続する。これによりベース端子が開放され、
ベース端子とエミッタ端子との間にコンデンサＣ1 が接
続された状態になるのでコレクタ端子に電圧を印加して
電流や電圧を測定する。
に示すようにスイッチ３１１と３１３を接続し、スイッ
チ３１２と３１６を開放し、スイッチ３１５をコンデン
サＣ 1 に接続する。これによりベース端子が開放され、
ベース端子とエミッタ端子との間にコンデンサＣ1 が接
続された状態になるのでコレクタ端子に電圧を印加して
電流や電圧を測定する。
【００２３】
【発明の効果】本発明により、特殊なタイミングでのス
イッチ動作を必要とせずに、トランジスタのベースを開
放した時の特性の測定が高速に行なえるようになる。
イッチ動作を必要とせずに、トランジスタのベースを開
放した時の特性の測定が高速に行なえるようになる。
【図１】本発明の基本構成の説明図である。
【図２】本発明による応答特性改善の原理説明図であ
る。
る。
【図３】本発明をウエハ上のトランジスタを測定する測
定機に適用した実施例を示す図である。
定機に適用した実施例を示す図である。
【図４】ベースを開放状態に示し測定を行なうトランジ
スタ特性の測定を示す図である。
スタ特性の測定を示す図である。
【図５】測定時間短縮のためベースとエミッタ間をショ
ート後開放するようにした従来のトランジスタ特性の測
定装置を示す図である。
ート後開放するようにした従来のトランジスタ特性の測
定装置を示す図である。
１…コレクタ端子 ２…ベース端子 ３…エミッタ端子 ６…容量素子
Claims (2)
- 【請求項１】 ベースを開放した状態での電圧特性又は
電流特性を、前記ベースとエミッタとの間に容量素子
（６）を接続した状態で測定することを特徴とするトラ
ンジスタ特性の測定方法。 - 【請求項２】 トランジスタの各種特性を、該トランジ
スタのコレクタ端子（１）、ベース端子（２）及びエミ
ッタ端子（３）の接続状態を順次切り換えながら測定す
るトランジスタ特性の測定装置において、前記ベース端
子（２）を開放した状態での特性測定時に前記ベース端
子（２）と前記エミッタ端子（３）との間に接続される
容量素子（６）を備えることを特徴とするトランジスタ
特性の測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12059792A JPH05312894A (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | トランジスタ特性の測定方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12059792A JPH05312894A (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | トランジスタ特性の測定方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05312894A true JPH05312894A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14790199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12059792A Pending JPH05312894A (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | トランジスタ特性の測定方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05312894A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013207016A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子の測定方法及び半導体素子の測定装置 |
-
1992
- 1992-05-13 JP JP12059792A patent/JPH05312894A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013207016A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子の測定方法及び半導体素子の測定装置 |
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