JPH1123664A - 半導体デバイスの測定回路 - Google Patents
半導体デバイスの測定回路Info
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- JPH1123664A JPH1123664A JP9178341A JP17834197A JPH1123664A JP H1123664 A JPH1123664 A JP H1123664A JP 9178341 A JP9178341 A JP 9178341A JP 17834197 A JP17834197 A JP 17834197A JP H1123664 A JPH1123664 A JP H1123664A
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 42
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被測定ICの測定電流が大きく変化して、電
流測定レンジを切り換えても、印加電圧が途切れること
なく維持され、高精度の電流測定を可能にする。 【解決手段】 電圧供給端子1から演算増幅器2の非反
転入力端子に電圧V1を供給すると、演算増幅器の特性
により反転入力端子にも電圧V1と同じ電圧が印加さ
れ、反転入力端子に接続された被測定IC4の電圧印加
端子3にも同じ電圧が印加される。さらに、電圧印加端
子3に流れる電流I1は、抵抗R1,NPN形トランジス
タQ1より供給され、これとカレントミラーを構成して
いる抵抗R2,NPN形トランジスタQ2に流れる電流I
2は、I2=(R1/R2)I1により決定される。したがっ
て、電圧供給電流測定端子5において電流測定レンジを
切り換えても、被測定IC4への印加電圧は途切れるこ
とがない。
流測定レンジを切り換えても、印加電圧が途切れること
なく維持され、高精度の電流測定を可能にする。 【解決手段】 電圧供給端子1から演算増幅器2の非反
転入力端子に電圧V1を供給すると、演算増幅器の特性
により反転入力端子にも電圧V1と同じ電圧が印加さ
れ、反転入力端子に接続された被測定IC4の電圧印加
端子3にも同じ電圧が印加される。さらに、電圧印加端
子3に流れる電流I1は、抵抗R1,NPN形トランジス
タQ1より供給され、これとカレントミラーを構成して
いる抵抗R2,NPN形トランジスタQ2に流れる電流I
2は、I2=(R1/R2)I1により決定される。したがっ
て、電圧供給電流測定端子5において電流測定レンジを
切り換えても、被測定IC4への印加電圧は途切れるこ
とがない。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
電流測定回路に関し、特に、測定中に電流測定レンジを
切り換えても、半導体デバイスに印加する電圧が一時的
に途切れることのない半導体デバイスの電流測定回路に
関するものである。
電流測定回路に関し、特に、測定中に電流測定レンジを
切り換えても、半導体デバイスに印加する電圧が一時的
に途切れることのない半導体デバイスの電流測定回路に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】以下、従来のこの種の半導体デバイスの
測定回路について説明する。図2において、4は被測定
IC、3は被測定IC4の電圧印加端子(電圧Vcc)、5
は電圧供給電流測定端子(電圧V2)である。
測定回路について説明する。図2において、4は被測定
IC、3は被測定IC4の電圧印加端子(電圧Vcc)、5
は電圧供給電流測定端子(電圧V2)である。
【0003】このように構成された従来の電流測定回路
において、被測定IC4の電圧印加端子3に流れる電流
I1を測定する際は、電圧供給電流測定端子5に電圧V2
を供給し、かつその電圧供給電流測定端子5に流れる電
流を測定する。つまり、電圧供給と電流測定を一つの端
子で行ってきた。
において、被測定IC4の電圧印加端子3に流れる電流
I1を測定する際は、電圧供給電流測定端子5に電圧V2
を供給し、かつその電圧供給電流測定端子5に流れる電
流を測定する。つまり、電圧供給と電流測定を一つの端
子で行ってきた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな半導体デバイスの測定回路では、電流測定レンジを
またがるように大きく変化する電流を測定する場合で
は、電流測定レンジを切り換えると、印加電圧が一時的
に途切れてしまう。このように、印加電圧が一時的に途
切れてしまうと被測定ICの状態も変化してしまうの
で、ICの電流測定を行う場合は、印加電圧を維持させ
るために電流測定レンジを固定して電流測定を行わなけ
ればならず、結果として測定精度が低下するという問題
があった。
うな半導体デバイスの測定回路では、電流測定レンジを
またがるように大きく変化する電流を測定する場合で
は、電流測定レンジを切り換えると、印加電圧が一時的
に途切れてしまう。このように、印加電圧が一時的に途
切れてしまうと被測定ICの状態も変化してしまうの
で、ICの電流測定を行う場合は、印加電圧を維持させ
るために電流測定レンジを固定して電流測定を行わなけ
ればならず、結果として測定精度が低下するという問題
があった。
【0005】本発明は、上記従来技術の問題点を解決す
るもので、電流測定を行う際に、電流測定レンジを切り
換えても、印加電圧は途切れることがなく、一定の電圧
を維持して、適正な電流測定レンジで高精度に電流測定
を行うことができる半導体デバイスの測定回路を提供す
ることを目的とする。
るもので、電流測定を行う際に、電流測定レンジを切り
換えても、印加電圧は途切れることがなく、一定の電圧
を維持して、適正な電流測定レンジで高精度に電流測定
を行うことができる半導体デバイスの測定回路を提供す
ることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明の半導体デバイスの測定回路は、被測定IC
の印加電圧Vccを決定する第1の電圧V1を供給する電
圧供給端子と、非反転入力端子が電圧供給端子に接続さ
れた演算増幅器と、コレクタとベースが演算増幅器の出
力端子に接続された第1のトランジスタと、一端が第1
のトランジスタのエミッタに接続され他端が被測定IC
の電圧印加端子および演算増幅器の反転入力端子に接続
された第1の抵抗と、ベースが第1のトランジスタのベ
ースに接続されコレクタが演算増幅器の出力端子に接続
されて第1のトランジスタとカレントミラーを構成する
第2のトランジスタと、一端が第2のトランジスタのエ
ミッタに接続され、他端が、第2の電圧V2を供給する
とともに被測定ICの電圧印加端子に流れる電流と同一
電流を測定する電圧供給電流測定端子に接続された第2
の抵抗とを備えた構成とする。
に、本発明の半導体デバイスの測定回路は、被測定IC
の印加電圧Vccを決定する第1の電圧V1を供給する電
圧供給端子と、非反転入力端子が電圧供給端子に接続さ
れた演算増幅器と、コレクタとベースが演算増幅器の出
力端子に接続された第1のトランジスタと、一端が第1
のトランジスタのエミッタに接続され他端が被測定IC
の電圧印加端子および演算増幅器の反転入力端子に接続
された第1の抵抗と、ベースが第1のトランジスタのベ
ースに接続されコレクタが演算増幅器の出力端子に接続
されて第1のトランジスタとカレントミラーを構成する
第2のトランジスタと、一端が第2のトランジスタのエ
ミッタに接続され、他端が、第2の電圧V2を供給する
とともに被測定ICの電圧印加端子に流れる電流と同一
電流を測定する電圧供給電流測定端子に接続された第2
の抵抗とを備えた構成とする。
【0007】この構成によれば、電圧供給電流測定端子
における電流測定レンジを切り換えても、被測定ICの
電圧印加端子に印加される電圧は電圧供給端子より供給
されたものであるから、印加電圧が途切れることなく、
被測定ICの電圧印加端子に流れる広い幅の電流レベル
を測定することができる。
における電流測定レンジを切り換えても、被測定ICの
電圧印加端子に印加される電圧は電圧供給端子より供給
されたものであるから、印加電圧が途切れることなく、
被測定ICの電圧印加端子に流れる広い幅の電流レベル
を測定することができる。
【0008】また、電圧供給電流測定端子における電流
測定レンジを切り換える代わりに、第2の抵抗の値を変
えて第1の抵抗と第2の抵抗の比を切り換えることによ
り、被測定ICの電圧印加端子に流れる電流を測定する
こともできる。
測定レンジを切り換える代わりに、第2の抵抗の値を変
えて第1の抵抗と第2の抵抗の比を切り換えることによ
り、被測定ICの電圧印加端子に流れる電流を測定する
こともできる。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、本発
明の一実施の形態における半導体デバイスの測定回路を
示したものである。図1において、1は電圧供給端子
で、被測定IC4の印加電圧Vccを決定する第1の電圧
V1を供給する。2は非反転入力端子が電圧供給端子1
に接続された演算増幅器、3は被測定IC4の電圧印加
端子、Q1はコレクタとベースが演算増幅器2の出力端
子に接続された第1のトランジスタ、R1は一端が第1
のトランジスタQ1のエミッタに接続され、他端が被測
定IC4の電圧印加端子3および演算増幅器2の反転入
力端子に接続された第1の抵抗、Q2はベースが第1の
トランジスタQ1のベースに接続されコレクタが演算増
幅器2の出力端子に接続されて第1のトランジスタQ1
とカレントミラーを構成する第2のトランジスタ、R2
は一端が第2のトランジスタQ2のエミッタに接続さ
れ、他端が、第2の電圧V2を供給するとともに被測定
IC4の電圧印加端子3に流れる電流と同一電流を測定
する電圧供給電流測定端子5に接続された第2の抵抗で
ある。
て、図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、本発
明の一実施の形態における半導体デバイスの測定回路を
示したものである。図1において、1は電圧供給端子
で、被測定IC4の印加電圧Vccを決定する第1の電圧
V1を供給する。2は非反転入力端子が電圧供給端子1
に接続された演算増幅器、3は被測定IC4の電圧印加
端子、Q1はコレクタとベースが演算増幅器2の出力端
子に接続された第1のトランジスタ、R1は一端が第1
のトランジスタQ1のエミッタに接続され、他端が被測
定IC4の電圧印加端子3および演算増幅器2の反転入
力端子に接続された第1の抵抗、Q2はベースが第1の
トランジスタQ1のベースに接続されコレクタが演算増
幅器2の出力端子に接続されて第1のトランジスタQ1
とカレントミラーを構成する第2のトランジスタ、R2
は一端が第2のトランジスタQ2のエミッタに接続さ
れ、他端が、第2の電圧V2を供給するとともに被測定
IC4の電圧印加端子3に流れる電流と同一電流を測定
する電圧供給電流測定端子5に接続された第2の抵抗で
ある。
【0010】次に、本実施の形態における動作を説明す
る。本発明の基本的構成はカレントミラー回路を用いた
点である。電圧供給端子1は演算増幅器2の非反転入力
端子に接続されており、電圧V1を印加すると、演算増
幅器の特性により反転入力端子には非反転入力端子に印
加された電圧V1と同じ電圧がかかる。さらに被測定I
C4の電圧印加端子3と演算増幅器2の反転入力端子が
接続されているので、被測定IC4の電圧印加端子3に
も演算増幅器2に印加された電圧V1と同じ電圧Vccが
印加されることになる。よって被測定IC4の電圧印加
端子3に印加される電圧は、演算増幅器2を使用するこ
とにより電圧供給端子1より供給することができる。
る。本発明の基本的構成はカレントミラー回路を用いた
点である。電圧供給端子1は演算増幅器2の非反転入力
端子に接続されており、電圧V1を印加すると、演算増
幅器の特性により反転入力端子には非反転入力端子に印
加された電圧V1と同じ電圧がかかる。さらに被測定I
C4の電圧印加端子3と演算増幅器2の反転入力端子が
接続されているので、被測定IC4の電圧印加端子3に
も演算増幅器2に印加された電圧V1と同じ電圧Vccが
印加されることになる。よって被測定IC4の電圧印加
端子3に印加される電圧は、演算増幅器2を使用するこ
とにより電圧供給端子1より供給することができる。
【0011】また、被測定IC4の電圧印加端子3に流
れる電流I1は、抵抗R1,NPN形トランジスタQ1よ
り供給される。抵抗R1,NPN形トランジスタQ1と抵
抗R2,NPN形トランジスタQ2はカレントミラーを構
成しているので、抵抗R2に流れる電流I2は、抵抗R1
と抵抗R2の比および電流I1によって決定される(即
ち、I2=(R1/R2)I1)。この電流I2を、NPN形ト
ランジスタQ2のエミッタに直列に接続された抵抗R2の
一端に、電圧供給端子1に供給された電圧V1と同じ電
圧V2を供給し、電流測定を行う電圧供給電流測定端子
5で測定すれば、被測定IC4の電圧印加端子3に実際
に流れる電流I1を測定することができる。
れる電流I1は、抵抗R1,NPN形トランジスタQ1よ
り供給される。抵抗R1,NPN形トランジスタQ1と抵
抗R2,NPN形トランジスタQ2はカレントミラーを構
成しているので、抵抗R2に流れる電流I2は、抵抗R1
と抵抗R2の比および電流I1によって決定される(即
ち、I2=(R1/R2)I1)。この電流I2を、NPN形ト
ランジスタQ2のエミッタに直列に接続された抵抗R2の
一端に、電圧供給端子1に供給された電圧V1と同じ電
圧V2を供給し、電流測定を行う電圧供給電流測定端子
5で測定すれば、被測定IC4の電圧印加端子3に実際
に流れる電流I1を測定することができる。
【0012】この電圧供給電流測定端子5で電流測定を
行えば、電流測定レンジを切り換えると、この電圧供給
電流測定端子5の印加電圧は一時的に途切れるが、被測
定IC4の印加電圧は電圧供給端子1より供給されてお
り、また被測定IC4の電圧印加端子3に流れる電流I
1はNPN形トランジスタQ1,抵抗R1より供給されて
いるため、電圧供給電流測定端子5の影響を全く受け
ず、したがって、被測定IC4への印加電圧は途切れる
ことなく維持され、電圧印加端子3に流れる様々なレベ
ルの電流を適正な電流測定レンジで測定することが可能
となり、結果として高精度の電流測定を行うことができ
る。
行えば、電流測定レンジを切り換えると、この電圧供給
電流測定端子5の印加電圧は一時的に途切れるが、被測
定IC4の印加電圧は電圧供給端子1より供給されてお
り、また被測定IC4の電圧印加端子3に流れる電流I
1はNPN形トランジスタQ1,抵抗R1より供給されて
いるため、電圧供給電流測定端子5の影響を全く受け
ず、したがって、被測定IC4への印加電圧は途切れる
ことなく維持され、電圧印加端子3に流れる様々なレベ
ルの電流を適正な電流測定レンジで測定することが可能
となり、結果として高精度の電流測定を行うことができ
る。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
被測定ICの電圧印加端子に電圧を供給する電圧供給端
子と電圧印加端子に流れる電流を測定する電流測定端子
とを別々に設けているため、電流測定端子の電流測定レ
ンジを切り換えても電圧印加端子の電圧は途切れること
なく電圧を保持し、様々なレベルの電流測定が可能とな
り、結果として高精度の電流測定を行うことができると
いう効果を奏する。
被測定ICの電圧印加端子に電圧を供給する電圧供給端
子と電圧印加端子に流れる電流を測定する電流測定端子
とを別々に設けているため、電流測定端子の電流測定レ
ンジを切り換えても電圧印加端子の電圧は途切れること
なく電圧を保持し、様々なレベルの電流測定が可能とな
り、結果として高精度の電流測定を行うことができると
いう効果を奏する。
【図1】本発明の一実施の形態における半導体デバイス
の測定回路図である。
の測定回路図である。
【図2】従来例の半導体デバイスの測定回路図である。
1…電圧供給端子(電圧V1)、 2…演算増幅器、 3
…電圧印加端子(電圧Vcc)、 4…被測定IC、 5…
電圧供給電流測定端子(電圧V2)、 Q1,Q2…トラン
ジスタ、 R1,R2…抵抗。
…電圧印加端子(電圧Vcc)、 4…被測定IC、 5…
電圧供給電流測定端子(電圧V2)、 Q1,Q2…トラン
ジスタ、 R1,R2…抵抗。
Claims (2)
- 【請求項1】 被測定ICの印加電圧Vccを決定する第
1の電圧V1を供給する電圧供給端子と、非反転入力端
子が前記電圧供給端子に接続された演算増幅器と、コレ
クタとベースが前記演算増幅器の出力端子に接続された
第1のトランジスタと、一端が前記第1のトランジスタ
のエミッタに接続され他端が前記被測定ICの電圧印加
端子および前記演算増幅器の反転入力端子に接続された
第1の抵抗と、ベースが前記第1のトランジスタのベー
スに接続されコレクタが前記演算増幅器の出力端子に接
続されて前記第1のトランジスタとカレントミラーを構
成する第2のトランジスタと、一端が前記第2のトラン
ジスタのエミッタに接続され、他端が、第2の電圧V2
を供給するとともに前記被測定ICの電圧印加端子に流
れる電流と同一電流を測定する電圧供給電流測定端子に
接続された第2の抵抗とを備えており、前記電圧供給電
流測定端子における電流測定レンジを切り換えても、前
記被測定ICの電圧印加端子に印加される電圧が途切れ
ることなく被測定ICの電圧印加端子に流れる電流を測
定することを特徴とする半導体デバイスの測定回路。 - 【請求項2】 被測定ICの印加電圧Vccを決定する第
1の電圧V1を供給する電圧供給端子と、非反転入力端
子が前記電圧供給端子に接続された演算増幅器と、コレ
クタとベースが前記演算増幅器の出力端子に接続された
第1のトランジスタと、一端が前記第1のトランジスタ
のエミッタに接続され他端が前記被測定ICの電圧印加
端子および前記演算増幅器の反転入力端子に接続された
第1の抵抗と、ベースが前記第1のトランジスタのベー
スに接続されコレクタが前記演算増幅器の出力端子に接
続されて前記第1のトランジスタとカレントミラーを構
成する第2のトランジスタと、一端が前記第2のトラン
ジスタのエミッタに接続され、他端が、第2の電圧V2
を供給するとともに前記被測定ICの電圧印加端子に流
れる電流と同一電流を測定する電圧供給電流測定端子に
接続された第2の抵抗とを備えており、前記第2の抵抗
の値を変えて前記第1の抵抗と第2の抵抗の比を切り換
えることにより前記被測定ICの電圧印加端子に流れる
電流を測定することを特徴とする半導体デバイスの測定
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9178341A JPH1123664A (ja) | 1997-07-03 | 1997-07-03 | 半導体デバイスの測定回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9178341A JPH1123664A (ja) | 1997-07-03 | 1997-07-03 | 半導体デバイスの測定回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1123664A true JPH1123664A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=16046807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9178341A Pending JPH1123664A (ja) | 1997-07-03 | 1997-07-03 | 半導体デバイスの測定回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1123664A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6968249B2 (en) | 2003-01-20 | 2005-11-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Current measuring circuit for measuring drive current to load |
| KR100852919B1 (ko) | 2005-11-17 | 2008-08-22 | 정재호 | 반도체 소자 진단을 위한 전압-전류 측정 장치 |
-
1997
- 1997-07-03 JP JP9178341A patent/JPH1123664A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6968249B2 (en) | 2003-01-20 | 2005-11-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Current measuring circuit for measuring drive current to load |
| KR100852919B1 (ko) | 2005-11-17 | 2008-08-22 | 정재호 | 반도체 소자 진단을 위한 전압-전류 측정 장치 |
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