JPH0531451U - 密着型イメージセンサの光源装置 - Google Patents

密着型イメージセンサの光源装置

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JPH0531451U
JPH0531451U JP7932891U JP7932891U JPH0531451U JP H0531451 U JPH0531451 U JP H0531451U JP 7932891 U JP7932891 U JP 7932891U JP 7932891 U JP7932891 U JP 7932891U JP H0531451 U JPH0531451 U JP H0531451U
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light
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light source
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JP7932891U
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良一 日高
雄二 吉田
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Kyocera Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 製造工程を格段に簡略化するとともに動作品
質を向上することができる密着型イメージセンサの光源
装置を提供することである。 【構成】 光源装置22において配列方向両端のLED
素子24aを、その輝度が残余のLED素子24の輝度
よりも高くなるように選ぶ。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、密着型イメージセンサにおいて原稿などの読取り対象物に光を照射 する光源装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
図8は典型的な従来例の密着型イメージセンサ(以下、イメージセンサと略す )1の光源装置2の電気回路図であり、図9は光源装置2の平面図であり、図1 0はイメージセンサ1の断面図である。イメージセンサ1は、光源として複数の LED(発光ダイオード)3が多数配列されて構成されるLED素子4を複数備 えており、各LED素子4は配線基板5上に直線状に配列される。各LED素子 4には、電流制限抵抗r1,r2,…,rnがそれぞれ直列に接続され、これら は電源6に並列に接続される。
【0003】 前記配線基板5は、ベース7の凹所8にLED素子4が内方に向くように固定 され、信号処理回路9が乗載される。一方、前記ベース7にはLED素子4から の光が通過する透孔10が形成され、ベース7の配線基板5と反対側端部で透孔 10に臨む範囲にガラス基板11が固定される。ガラス基板11は、前記透孔1 0に対応する個所に図示しない複数の光電変換素子が形成され、LED素子4か らの光の原稿などからの反射光を電気信号に変換する。
【0004】 ガラス基板11に隣接して、ベース7上には配線基板12が固定され、この上 に前記複数の光電変換素子の走査および読取処理を行う駆動回路素子13が配置 される。駆動回路素子13は、ガラス基板11および配線基板12上の回路配線 とボンディングワイヤ14で接続され、駆動回路素子13およびボンディングワ イヤ14の設置領域は、シリコーンもしくは合成樹脂材料から成る保護膜15で 被覆される。前記配線基板5,12は、コネクタ16で相互に接続される。
【0005】 このようなイメージセンサ1では、原稿などの光学像を高精度に読取るために 、LED素子4のLED3が均一な輝度で光を発生することが要求される。この ような目的を達成するための第1の従来例は、半導体製造技術で製造される前記 LED3およびLED素子4には同一駆動電圧を印加しても発生する光の光量お よび輝度にばらつきが存在することが知られている。このためLED素子4を製 造した後、その光学的特性を高精度に検査し、分類する1つのイメージセンサ1 を構成するLED素子4は同一の光学的特性を有する種類が選ばれる。
【0006】 このような従来例では、全てのLED素子4の発光光量の高精度の検査および 分類作業に手間を要し、製造効率が低いという課題を有している。またこのよう な場合、前記電流制限抵抗r1〜rnはすべて同一の電気抵抗値に選ばれる。
【0007】 一方、各LED素子4に多少の光学的特性のばらつきを許容し、前記電流制限 抵抗r1〜rnを各LED素子4の発光光量および輝度が均一となるように、た とえば相互に異なった電気抵抗値に選ぶ従来例が知られている。
【0008】 この従来例では、実際のLED素子4の光学的特性のばらつきの程度を判断し 、これに対応した電気抵抗値の電流制限抵抗rを全てのLED素子4に亘って選 択するのは困難であり、極めて手間を要する作業となる。
【0009】 図11は、他の従来例の光源装置2aの電気回路図である。本従来例の特徴は 、各LED素子4に関して1つのLED素子4に、固定された電気抵抗値を有す る抵抗rを接続し、残余のLED素子4にはそれぞれ可変抵抗VR1,VR2, …,VRn−1を接続するようにしたことである。このような可変抵抗VR1〜 VRn−1は、たとえば図10の2点鎖線で示す調整ねじ17を角変位すること によりその抵抗値が調整される。
【0010】 すなわちこの従来例では、光源装置2aを製造した後、固定抵抗値の抵抗rに 接続されたLED素子4の光学的特性を基準とし、残余のLED素子4は可変抵 抗VR1〜VRnを用いて、均一な発光光量および輝度などの光学的特性を有す るようにしている。しかしながら、この従来例でも前記可変抵抗VR1〜VRn −1の調整作業が必要となり、多大な手間を要するとともに、製造工程が煩雑に なるという不具合を有している。
【0011】 本考案の目的は、上述の技術的課題を解消し、各発光素子による発光強度の分 布が均一となるようにして動作品質が向上されるとともに、製造工程を簡略化す ることができる密着型イメージセンサの光源装置を提供することである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本考案は、駆動電流のオン/オフに対応して発光/消光する複数の発光素子が 直線状に配列された配線基板と、 各発光素子からの光を読取り対象物に導くハウジングと、 前記配列方向両端付近の各発光素子を残余の発光素子よりも高輝度に選んだこ とを特徴とする密着型イメージセンサの光源装置である。
【0013】 また本考案は、駆動電流のオン/オフに対応して発光/消光する複数の発光素 子が直線状に配列された配線基板と、 各発光素子からの光を読取り対象物に導くハウジングと、 前記配列方向両端付近の各発光素子に当該発光素子の発光光量を調整する光量 調整手段をそれぞれ設けたことを特徴とする密着型イメージセンサの光源装置で ある。
【0014】
【作用】
本考案に従う光源装置では、配線基板上に直線状に配列された複数の発光素子 が駆動電流のオン/オフに対応して発光/消光する。このとき発光素子の配列方 向両端付近では、隣接する発光素子と反対方向に光が拡散するため、各発光素子 から得られる実質的な光の強度分布は前記両端付近が低下することになる。した がって前記配列方向両端付近の発光素子を残余の発光素子よりも高輝度に選ぶと 、前記光の拡散を相殺して各発光素子による光の強度分布を均一にすることがで きる。これにより、動作品質が格段に向上される。
【0015】 また本考案では、各発光素子の輝度を調節するに物理的な調節手段を必要とせ ず、これにより調節作業が不要となり、製造工程の簡略化を図ることができる。
【0016】 また前記配列方向両端部付近であって実質的な光の強度分布が残余の発光素子 よりも低下する発光素子のみに、当該発光素子の発光光量および輝度を調整する 光量調整手段をそれぞれ設ける。これによれば、光量調整手段を調整する手間は 要するものの、光量調整手段は発光素子の配列方向両端付近の発光素子にのみ接 続すればよく、ほぼ大多数の発光素子にこのような光量調整手段を設ける従来例 と比較し、製造工程が大幅に簡略化されるとともに、通常の抵抗素子よりも複雑 な構成を有する可変抵抗素子の部品点数を格段に削減することができ、構成の簡 略化とコストの削減とを併わせて図ることができる。
【0017】
【実施例】
図1は本考案の一実施例のイメージセンサ21の光源装置22の構成を示す電 気回路図であり、図2はイメージセンサ21の全体のブロック図であり、図3は 光源装置22の平面図であり、図4はイメージセンサ21の断面図である。イメ ージセンサ21の光源装置22は、発光素子である複数のLED(発光ダイオー ド)23が一直線状に配列された集積回路素子として構成されるLED素子24 を複数備える。各LED素子24では、各LED23がそれぞれ直列に順接続さ れ、そのたとえばアノード側は電源25の正極に接続され、カソード側は電源2 5の負極側に接続される。各LED素子24のたとえば負極側には、電流制限抵 抗である抵抗R1,R2,…,Rnがそれぞれ直列に接続され、各LED素子2 4および抵抗Ri(i=1〜n)から成る直列回路は、前記電源25に並列に接 続される。
【0018】 イメージセンサ21には、光源装置22で照射された読取り対象物からの反射 光を光電変換して読取る読取部26が設けられる。この読取部26には、前記読 取対象物からの反射光が入射してこれを光電変換する図示しない光電変換素子が 多数配列されたセンサ基板27を備え、センサ基板27では走査回路28によっ て各光電変換素子が順次的に走査され、信号が読取られる。読取られた信号は信 号処理回路29で波形整形処理などが行われ出力される。前記LED素子24は 、図4に示す配線基板30上に図4の紙面垂直方向に多数配列され、この配線基 板30の裏面には前記信号処理回路29が設けられる。
【0019】 配線基板30は、LED素子24が内側に臨むように凹所31を有するベース 32に固定される。ベース32の配線基板30と反対側にはガラス基板33が固 定され、この上に前述した複数の光電変換素子が直線状に配列される。ベース3 2には、光電変換素子の形成領域に対応する部分にLED素子24からの光が通 過する透孔34が形成される。ベース32上には、ガラス基板33と隣接して前 記走査回路28と回路配線とが形成された配線基板35が固定され、ガラス基板 33上の前記光電変換素子と走査回路28との間および配線基板35上の回路配 線と走査回路28との間は、それぞれボンディングワイヤ36で接続され、配線 基板30,35間はコネクタ37で接続される。前記走査回路28およびボンデ ィングワイヤ36の設置範囲は、シリコーンもしくは合成樹脂材料などから成る 保護膜38で被覆される。
【0020】 本件考案者は、従来品の図8に示される光源装置を用いて基準となる白原稿を 読取った際のイメージセンサ21の出力を計測した。この結果が、図5のライン L1に示される。すなわち光源装置を構成するLEDの光学的特性のばらつきに よって発生する出力の変動以外に、LED23の配列方向すなわちイメージセン サ21における主走査方向両端部付近でイメージセンサ出力が低下しているとい う特徴的な現象を確認した。この現象は、LED23の光学的な特性のばらつき に依存するのではなく、図3に示されるように配線基板30上で一直線状に配列 されているLED23は、配列方向両端部付近以外の範囲では、配列方向に隣接 するLED23からの光も含んで読取対象物への実質的な光源光となっているの に対し、配列方向遊端部付近では配列方向両端部より外方にはLED23はなく 、前記端部付近のLED23aの光が前記配列方向外方に拡散するからである。
【0021】 したがって本実施例では、図3に示す配線基板30上のLED素子24のうち 、その配列方向両端のLED23aは、それ以外の残余のLED23よりも同一 電流値に対して高輝度となる種類を選ぶようにする。
【0022】 本実施例では、LED素子24の輝度のばらつきを測定した。この測定はOD 値(光学濃度)0.07のコート紙をイメージセンサで読取り、図6に示す読取 出力の最大値Vwaおよび最小値Vwbとを用いて、ばらつき量PRNUを下式 で定義する。
【0023】
【数1】
【0024】 日本工業規格(JIS)A列4番に相当するサイズ、すなわち前記主走査方向 の全長216mmのイメージセンサ21を例示すると、測定結果に基づいて下記 表1のように全体を輝度の範囲で3グループG1,G2,G3に区分した。
【0025】
【表1】
【0026】 (1)構成例1 本件考案者は、図5に関連する前述の知見に基づいて、図3に示すLED素子 24のうち配列方向両端部のLED23aを含むLED素子24を、前記表1に 示す第2グループG2から選択し、残余のLED素子24は第1グループG1か ら選択する構成例を作成した。また配列方向両端部のLED素子24以外のLE D素子24が表1の第2グループG2から選択された場合、前記両端部のLED 素子24は第3グループG3から選択する構成例を作成した。したがって各電流 制限抵抗R1〜Rnは、すべて同一の電気抵抗値に選ばれる。このような構成例 の光源装置22を用いたイメージセンサ21において、前記ばらつき量PRNU の分布は下記表2の例1の欄に示される。
【0027】
【表2】
【0028】 (2)構成例2 すべてのLED素子24を前記表1に示す第2グループG2から選択し、電流 制限抵抗に関して抵抗値R1=Rn、抵抗値R2=R3=…=Rn−1とし、R 1/R2=0.8に選ぶ。すなわち、各LED素子24の光学的特性はほぼ均一 であるが、電流制限抵抗R1〜Rnの抵抗値を異なるものに選んで、配列方向両 端のLED素子24aの発光時の輝度が残余のLED素子24より増大するよう な設定を行う。このような構成例の光源装置22を用いる前記ばらつき量PRN Uの計測結果は、上記表2の例2に示される。
【0029】 (3)構成例3 図8を参照して説明した従来の構成例として、すべてのLED素子24を表1 の第2グループG2から選択し、電流制限抵抗R1〜Rnをすべて等しいものと した場合の計測結果を前記表2の例3に示す。
【0030】 LED素子24を複数用いるイメージセンサ21では、前記ばらつき量PRN Uの値±30%以下が望ましい。したがって前記表2の例1および例2に示す前 記構成例では、ばらつき量PRNUで±4〜±6%改善され、ばらつき量±30 %以上のものがほとんど解消されたことが確認された。
【0031】 したがって本実施例では、光源装置22からの光源光の輝度むらが生じる事態 が防止され、光源装置22の動作品質を格段に向上することができる。また前記 いずれの構成例においても、従来例で説明したような機械的な調節機構を有する 可変抵抗などを用いる不都合が解消され、部品点数およびコストの削減を実現で きるとともに、調整工程が不要となり、製造工程を格段に簡略化することができ る。
【0032】 図7は、本考案の他の実施例の構成例を示す電気回路図である。本実施例は前 述の実施例に類似し、対応する部分には同一の参照符を付す。本実施例の光源装 置22aは、各LED素子24毎にそれぞれ接続される電流制限抵抗に関して、 配列方向両端部に位置するLED素子24aに接続されるものを可変抵抗VR1 ,VR2とし、残余のLED素子24に接続されるものはすべて抵抗値が等しい 抵抗R1,R2,…にする。
【0033】 本実施例では、配列方向両端のLED素子24aを含むすべてのLED素子2 4は、前記第1表のグループG1,G2,G3のいずれか1つのグループからす べて選ばれる。その後、可変抵抗VR1,VR2の抵抗値をR1,R2,…の抵 抗値より減少させ、すべてのLED素子24において同一の輝度が得られるよう にする。
【0034】 すなわちこのような構成例によっても、前述の実施例で述べた効果と同様な効 果を達成することができる。
【0035】
【考案の効果】
以上のように本考案に従う光源装置では、前記配列方向両端付近の発光素子を 残余の発光素子よりも高輝度に選ぶと、光の拡散を相殺して各発光素子による光 の強度分布を均一にすることができる。これにより、動作品質が格段に向上され る。また本考案では、各発光素子の輝度を調節するに物理的な調節手段を必要と せず、これにより調節作業が不要となり、製造工程の簡略化を図ることができる 。
【0036】 また前記配列方向両端部付近であって実質的な光の強度分布が残余の発光素子 よりも低下する発光素子のみに、当該発光素子の発光光量および輝度を調整する 光量調整手段をそれぞれ設ける。これによれば、光量調整手段を調整する手間は 要するものの、光量調整手段は発光素子の配列方向両端付近の発光素子にのみ接 続すればよく、ほぼ大多数の発光素子にこのような光量調整手段を設ける従来例 と比較し、製造工程が大幅に簡略化されるとともに、通常の抵抗素子よりも複雑 な構成を有する可変抵抗素子の部品点数を格段に削減することができ、構成の簡 略化と可変抵抗素子部品点数の削減およびコストの削減とを合わせて図ることが できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の一実施例の光源装置22の電気回路図
である。
【図2】イメージセンサ21のブロック図である。
【図3】光源装置22の平面図である。
【図4】イメージセンサ21の断面図である。
【図5】各LED素子による光の読取出力のレベル分布
を示すグラフである。
【図6】本実施例の作用を説明するグラフである。
【図7】本考案の他の構成例の電気回路図である。
【図8】第1の従来例の電気回路図である。
【図9】光源装置2の平面図である。
【図10】イメージセンサ1の断面図である。
【図11】他の従来例の光源装置2aの電気回路図であ
る。
【符号の説明】
21 イメージセンサ 22 光源装置 23 LED 24 LED素子 R1〜Rn 電流制限抵抗 VR 可変抵抗

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 駆動電流のオン/オフに対応して発光/
    消光する複数の発光素子が直線状に配列された配線基板
    と、 各発光素子からの光を読取り対象物に導くハウジング
    と、 前記配列方向両端付近の各発光素子を残余の発光素子よ
    りも高輝度に選んだことを特徴とする密着型イメージセ
    ンサの光源装置。
  2. 【請求項2】 駆動電流のオン/オフに対応して発光/
    消光する複数の発光素子が直線状に配列された配線基板
    と、 各発光素子からの光を読取り対象物に導くハウジング
    と、 前記配列方向両端付近の各発光素子に当該発光素子の発
    光光量を調整する光量調整手段をそれぞれ設けたことを
    特徴とする密着型イメージセンサの光源装置。
JP7932891U 1991-09-30 1991-09-30 密着型イメージセンサの光源装置 Pending JPH0531451U (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008180842A (ja) * 2007-01-24 2008-08-07 Ricoh Co Ltd 照明装置、画像読取装置、及び、画像形成装置
JP2012033514A (ja) * 2011-11-17 2012-02-16 Mitsubishi Electric Corp 面状光源装置

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