JPH0531472A - 洗浄装置 - Google Patents
洗浄装置Info
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- JPH0531472A JPH0531472A JP3326593A JP32659391A JPH0531472A JP H0531472 A JPH0531472 A JP H0531472A JP 3326593 A JP3326593 A JP 3326593A JP 32659391 A JP32659391 A JP 32659391A JP H0531472 A JPH0531472 A JP H0531472A
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- JP
- Japan
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- cleaning
- atmosphere
- chamber
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- room
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
- H10P72/0406—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B15/00—Preventing escape of dirt or fumes from the area where they are produced; Collecting or removing dirt or fumes from that area
- B08B15/002—Preventing escape of dirt or fumes from the area where they are produced; Collecting or removing dirt or fumes from that area using a central suction system, e.g. for collecting exhaust gases in workshops
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Prevention Of Fouling (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 洗浄室内雰囲気が外部に漏れない洗浄装置を
提供すること。 【構成】 本洗浄装置は、被処理体を洗浄処理する洗浄
室１９，２５，２７と、被処理体を洗浄室１９，２５，
２７に搬送する搬送ユニット２４と、搬送ユニットを有
する搬送室２３と、搬送室２３内の雰囲気を装置外部の
雰囲気に対して０〜０．０２ｍｍＨ2 Ｏの差圧が生じる
ように減圧する第１の減圧機構６３，６５，６７，７８
と、洗浄室１９，２５，２７内の雰囲気を搬送室２３内
の雰囲気に対して０〜０．０２ｍｍＨ2 Ｏの差圧が生じ
るように減圧する第２の減圧機構６３，６５，６７，７
８とを備えている。
提供すること。 【構成】 本洗浄装置は、被処理体を洗浄処理する洗浄
室１９，２５，２７と、被処理体を洗浄室１９，２５，
２７に搬送する搬送ユニット２４と、搬送ユニットを有
する搬送室２３と、搬送室２３内の雰囲気を装置外部の
雰囲気に対して０〜０．０２ｍｍＨ2 Ｏの差圧が生じる
ように減圧する第１の減圧機構６３，６５，６７，７８
と、洗浄室１９，２５，２７内の雰囲気を搬送室２３内
の雰囲気に対して０〜０．０２ｍｍＨ2 Ｏの差圧が生じ
るように減圧する第２の減圧機構６３，６５，６７，７
８とを備えている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、洗浄装置に係わり、特
に薬液を用いて洗浄処理を行う洗浄装置に関する。
に薬液を用いて洗浄処理を行う洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】薬液を用いて洗浄を行う洗浄装置として
は、半導体ウエハを洗浄する洗浄装置等が知られてい
る。
は、半導体ウエハを洗浄する洗浄装置等が知られてい
る。
【０００３】この半導体ウエハの洗浄装置では、半導体
ウエハを搬送装置によって洗浄装置内に設けられた例え
ばアンモニア過水処理槽、塩酸過水処理槽、水洗処理
槽、フッ酸処理槽等の洗浄処理槽内に搬送し、半導体ウ
エハに対してアンモニア過水処理、塩酸過水処理、水洗
処理、フッ酸処理等の洗浄処理を施す。この洗浄処理
は、洗浄処理槽内で半導体ウエハと処理液とを接触させ
ることによって行われる。
ウエハを搬送装置によって洗浄装置内に設けられた例え
ばアンモニア過水処理槽、塩酸過水処理槽、水洗処理
槽、フッ酸処理槽等の洗浄処理槽内に搬送し、半導体ウ
エハに対してアンモニア過水処理、塩酸過水処理、水洗
処理、フッ酸処理等の洗浄処理を施す。この洗浄処理
は、洗浄処理槽内で半導体ウエハと処理液とを接触させ
ることによって行われる。
【０００４】また、前記洗浄処理槽は半導体ウエハを内
部に搬入できる状態でケースに収容されており、これに
よって処理液はケースの外部に飛散することが防止され
る。また、ケースの半導体ウエハを搬入する部分は開閉
可能な構造になっており、通常は密封されているので、
ケース内を一定の処理雰囲気に保持することができる。
部に搬入できる状態でケースに収容されており、これに
よって処理液はケースの外部に飛散することが防止され
る。また、ケースの半導体ウエハを搬入する部分は開閉
可能な構造になっており、通常は密封されているので、
ケース内を一定の処理雰囲気に保持することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、開閉可能に構
成された洗浄処理槽の半導体ウエハを搬入する部分には
隙間が存在するため、洗浄処理槽内は完全な気密状態に
維持されず、前記隙間からケース内の雰囲気がケースの
外部に漏出してしまうという問題がある。
成された洗浄処理槽の半導体ウエハを搬入する部分には
隙間が存在するため、洗浄処理槽内は完全な気密状態に
維持されず、前記隙間からケース内の雰囲気がケースの
外部に漏出してしまうという問題がある。
【０００６】また、このように、ケース内の雰囲気がケ
ースの外部に漏出すると、薬液による洗浄処理を行う場
合、特にアンモニアや塩酸等のような酸やアルカリの有
毒な薬液によって洗浄処理を行う場合には、ケースの外
部に漏出したアンモニアガスや塩素ガスがケースの外部
で洗浄処理されている半導体ウエハに悪影響を与えた
り、あるいは周囲の環境を汚染して、洗浄処理槽の周囲
にある機器、例えば上述の搬送装置等を腐蝕させたりす
るという問題がある。
ースの外部に漏出すると、薬液による洗浄処理を行う場
合、特にアンモニアや塩酸等のような酸やアルカリの有
毒な薬液によって洗浄処理を行う場合には、ケースの外
部に漏出したアンモニアガスや塩素ガスがケースの外部
で洗浄処理されている半導体ウエハに悪影響を与えた
り、あるいは周囲の環境を汚染して、洗浄処理槽の周囲
にある機器、例えば上述の搬送装置等を腐蝕させたりす
るという問題がある。
【０００７】本発明の目的は、洗浄室内の雰囲気が外部
に漏出するのを防止して、洗浄室の周囲の環境を汚染し
たり、洗浄室の周囲の機器を腐蝕させたりすることのな
い洗浄装置を提供することにある。
に漏出するのを防止して、洗浄室の周囲の環境を汚染し
たり、洗浄室の周囲の機器を腐蝕させたりすることのな
い洗浄装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は以下の洗
浄装置によって達成される。すなわち、この洗浄装置
は、被処理体を洗浄処理する洗浄室と、被処理体を洗浄
室に搬送する搬送手段と、搬送手段を有する搬送室と、
搬送室内の雰囲気を装置外部の雰囲気に対して０〜０．
０２ｍｍＨ2 Ｏの差圧が生じるように減圧する第１の減
圧手段と、洗浄室内の雰囲気を搬送室内の雰囲気に対し
て０〜０．０２ｍｍＨ2 Ｏの差圧が生じるように減圧す
る第２の減圧手段とを備えている。
浄装置によって達成される。すなわち、この洗浄装置
は、被処理体を洗浄処理する洗浄室と、被処理体を洗浄
室に搬送する搬送手段と、搬送手段を有する搬送室と、
搬送室内の雰囲気を装置外部の雰囲気に対して０〜０．
０２ｍｍＨ2 Ｏの差圧が生じるように減圧する第１の減
圧手段と、洗浄室内の雰囲気を搬送室内の雰囲気に対し
て０〜０．０２ｍｍＨ2 Ｏの差圧が生じるように減圧す
る第２の減圧手段とを備えている。
【０００９】
【作用】この装置は、たとえ洗浄室外部の雰囲気が洗浄
室内に入り込むようなことがあっても、洗浄室内の雰囲
気が洗浄室の外部へ漏出するのを防止することができ
る。
室内に入り込むようなことがあっても、洗浄室内の雰囲
気が洗浄室の外部へ漏出するのを防止することができ
る。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の一実施例
を説明する。
を説明する。
【００１１】図１に示すように、本実施例の洗浄装置１
は、半導体ウエハの洗浄装置であり、３つの洗浄処理ユ
ニット１０，１２，１４で構成されている。半導体ウエ
ハを搬入する側の処理ユニット１０には、洗浄する半導
体ウエハをセットする搬入部１６が設けられている。ま
た、半導体ウエハを搬出する側の処理ユニット１４に
は、洗浄が終了した半導体ウエハを収納して搬出する搬
出部１８が設けられている。
は、半導体ウエハの洗浄装置であり、３つの洗浄処理ユ
ニット１０，１２，１４で構成されている。半導体ウエ
ハを搬入する側の処理ユニット１０には、洗浄する半導
体ウエハをセットする搬入部１６が設けられている。ま
た、半導体ウエハを搬出する側の処理ユニット１４に
は、洗浄が終了した半導体ウエハを収納して搬出する搬
出部１８が設けられている。
【００１２】洗浄処理ユニット１０は、その中心位置
に、搬入部１６に隣接して設けられた第１の搬送室２３
を有している。また、第１の搬送室２３の周囲には３つ
の洗浄室１９，２５，２７が設けられている。第１搬送
室２３内には半導体ウエハを各洗浄室１９，２５，２７
に搬送する回転自在な第１のアーム２４が設置されてい
る。
に、搬入部１６に隣接して設けられた第１の搬送室２３
を有している。また、第１の搬送室２３の周囲には３つ
の洗浄室１９，２５，２７が設けられている。第１搬送
室２３内には半導体ウエハを各洗浄室１９，２５，２７
に搬送する回転自在な第１のアーム２４が設置されてい
る。
【００１３】洗浄室２７は、アンモニアを主成分とする
薬液によって満たされた第１の薬液槽２８を有してお
り、３つの洗浄室１９，２５，２７の中では搬入部１６
から最も離れた位置に設けられている。また、洗浄室２
５は水洗いによって荒すすぎを行えるクイック・ダンプ
・リンス（ＱＤＲ）処理槽２６有している。さらに、洗
浄室１９は、常に水がオーバーフローする処理槽２０を
有しており、半導体ウエハの精密すすぎを行うことがで
きる。
薬液によって満たされた第１の薬液槽２８を有してお
り、３つの洗浄室１９，２５，２７の中では搬入部１６
から最も離れた位置に設けられている。また、洗浄室２
５は水洗いによって荒すすぎを行えるクイック・ダンプ
・リンス（ＱＤＲ）処理槽２６有している。さらに、洗
浄室１９は、常に水がオーバーフローする処理槽２０を
有しており、半導体ウエハの精密すすぎを行うことがで
きる。
【００１４】中央の洗浄処理ユニット１２は、洗浄室１
９に隣接して設けられた第２の搬送室３８と、第２の搬
送室３８の周囲に設けられた洗浄室２９，３１，３９と
を有している。搬送室３８内には、半導体ウエハを各洗
浄室２９，３１，３９に搬送する回転自在な第２の搬送
アーム３７が設置されている。
９に隣接して設けられた第２の搬送室３８と、第２の搬
送室３８の周囲に設けられた洗浄室２９，３１，３９と
を有している。搬送室３８内には、半導体ウエハを各洗
浄室２９，３１，３９に搬送する回転自在な第２の搬送
アーム３７が設置されている。
【００１５】洗浄室２９は、塩酸を主成分とする薬液に
よって満たされた第２の薬液槽３０を有している。ま
た、洗浄室３１は水洗いによって荒すすぎを行なえるク
イック・ダンプ・リンス（ＱＤＲ）処理槽３２を有して
いる。さらに、洗浄室３９は、常に水がオーバーフロー
する処理槽４０を有しており、半導体ウエハの精密すす
ぎを行なうことができる。
よって満たされた第２の薬液槽３０を有している。ま
た、洗浄室３１は水洗いによって荒すすぎを行なえるク
イック・ダンプ・リンス（ＱＤＲ）処理槽３２を有して
いる。さらに、洗浄室３９は、常に水がオーバーフロー
する処理槽４０を有しており、半導体ウエハの精密すす
ぎを行なうことができる。
【００１６】半導体ウエハを搬出する側の洗浄処理ユニ
ット１４は、洗浄室３９に隣接して設けられた第３の搬
送室４２と、第３の搬送室４２の周囲に設けられたアー
ム乾燥室３３と半導体ウエハ乾燥室３５とを有してい
る。第３の搬送室４２内には、半導体３３、３５に搬送
する回転自在な第３の搬送アーム４１が設置されてい
る。
ット１４は、洗浄室３９に隣接して設けられた第３の搬
送室４２と、第３の搬送室４２の周囲に設けられたアー
ム乾燥室３３と半導体ウエハ乾燥室３５とを有してい
る。第３の搬送室４２内には、半導体３３、３５に搬送
する回転自在な第３の搬送アーム４１が設置されてい
る。
【００１７】なお、前記洗浄室１９には、その中央付近
に、洗浄室２７からのアンモニアガスと洗浄室２９から
の塩素ガスが万が一侵入して反応し、塩化アンモニウム
の固形物を生成しないように、しきり板２１が設けられ
ている。また、各洗浄室１９，２５，２７，２９，３
１，３９には、搬送アーム２４，３７，４１からの半導
体ウエハを受け取る受け取りアーム４３，４５が設けら
れている。さらに、各洗浄室１９，２５，２７，２９，
３１，３９は、常時新しい処理液が供給されることによ
ってオーバーフローの状態にある。
に、洗浄室２７からのアンモニアガスと洗浄室２９から
の塩素ガスが万が一侵入して反応し、塩化アンモニウム
の固形物を生成しないように、しきり板２１が設けられ
ている。また、各洗浄室１９，２５，２７，２９，３
１，３９には、搬送アーム２４，３７，４１からの半導
体ウエハを受け取る受け取りアーム４３，４５が設けら
れている。さらに、各洗浄室１９，２５，２７，２９，
３１，３９は、常時新しい処理液が供給されることによ
ってオーバーフローの状態にある。
【００１８】上記各洗浄室１９，２５，２７，２９，３
１，３９と乾燥室３３，３５は、図２に示すようにそれ
ぞれ半導体ウエハ搬入出用の開口部５０を有するケース
５２によって形成されている。そして洗浄室１９，２
５，２７，２９，３１，３９の前記ケース５２内には各
処理槽２０，２６，２８，３０，３２，４０が配設され
ている。上記開口部５０には、シリンダー５４によって
上下動して上記開口部５０を機械的に開閉するメカシャ
ッター４４が配設されている。図３に示すように、開口
部５０の上方にはエア供給ユニット５３に接続されたエ
ア吹出部５６が設けられており、上記メカシャッター４
４とエア吹出部５６から吹き出されるエアカーテンによ
って、ケース５２内の雰囲気はケース５２の外部の雰囲
気から遮断される。また、エア吹出部５６から吹き出さ
れるエアは、吸引管５５を介して吸引ユニット５１によ
り積極的に吸引されることによって、開口部５０の全領
域にわたってその流速がほぼ一定に保たれている。
１，３９と乾燥室３３，３５は、図２に示すようにそれ
ぞれ半導体ウエハ搬入出用の開口部５０を有するケース
５２によって形成されている。そして洗浄室１９，２
５，２７，２９，３１，３９の前記ケース５２内には各
処理槽２０，２６，２８，３０，３２，４０が配設され
ている。上記開口部５０には、シリンダー５４によって
上下動して上記開口部５０を機械的に開閉するメカシャ
ッター４４が配設されている。図３に示すように、開口
部５０の上方にはエア供給ユニット５３に接続されたエ
ア吹出部５６が設けられており、上記メカシャッター４
４とエア吹出部５６から吹き出されるエアカーテンによ
って、ケース５２内の雰囲気はケース５２の外部の雰囲
気から遮断される。また、エア吹出部５６から吹き出さ
れるエアは、吸引管５５を介して吸引ユニット５１によ
り積極的に吸引されることによって、開口部５０の全領
域にわたってその流速がほぼ一定に保たれている。
【００１９】さらに、図４に示すように、ケース５２の
下部にはドレイン６６が設けられており、このドレイン
６６によって処理槽２０，２６，２８，３０，３２，４
０から流出した洗浄処理液は外部に排出される。
下部にはドレイン６６が設けられており、このドレイン
６６によって処理槽２０，２６，２８，３０，３２，４
０から流出した洗浄処理液は外部に排出される。
【００２０】また、ケース５２内には、ブロワ５７から
送られるエアがフィルタ５８を介して供給される。この
エアは、風速計５９によって計測され、制御装置６０に
よって制御されることにより、その流速がほぼ一定に保
たれる。ケース５２内に供給される前記エアは、ケース
５２の下部に設けられた開口部７０から排気される。こ
のエア排気量は、ケース５２内の雰囲気をケース５２外
部の雰囲気に対して０〜０．０２ｍｍＨ2 Ｏの差圧が生
じる減圧状態に維持するように制御される。
送られるエアがフィルタ５８を介して供給される。この
エアは、風速計５９によって計測され、制御装置６０に
よって制御されることにより、その流速がほぼ一定に保
たれる。ケース５２内に供給される前記エアは、ケース
５２の下部に設けられた開口部７０から排気される。こ
のエア排気量は、ケース５２内の雰囲気をケース５２外
部の雰囲気に対して０〜０．０２ｍｍＨ2 Ｏの差圧が生
じる減圧状態に維持するように制御される。
【００２１】なお、この差圧が０．００５ｍｍＨ2 Ｏよ
り小さい場合には、内部の雰囲気が外部に漏れやすく、
逆に、差圧が０．０１ｍｍＨ2 Ｏより大きい場合には、
外部からパーティクル等を多く含んだ雰囲気が、ケース
５２内部に侵入しやすくなると共に、エアーカーテンが
破れてしまうことがあるため、前記差圧は０．００５〜
０．０１ｍｍＨ2 Ｏであることが望ましい。
り小さい場合には、内部の雰囲気が外部に漏れやすく、
逆に、差圧が０．０１ｍｍＨ2 Ｏより大きい場合には、
外部からパーティクル等を多く含んだ雰囲気が、ケース
５２内部に侵入しやすくなると共に、エアーカーテンが
破れてしまうことがあるため、前記差圧は０．００５〜
０．０１ｍｍＨ2 Ｏであることが望ましい。
【００２２】排気量のこのような制御には、精密測定が
可能な微差圧計７８が使用される。例えば、柴田科学機
械工業株式会社製の沈錘式の微差圧計が適している。こ
の沈錘式の微差圧計は、図６に示すように、コア８０
と、コア８０の周囲に配設された作動トランス８２と、
コア８０に取り付けられた沈錘８４及び分銅受皿８６と
を備えており、沈錘８４の下部はシール液８８によって
密封されている。そして、上方の高圧側の圧力導入口９
０と下部の低圧側の圧力導入口９２とを介して、高圧側
と低圧側との微差圧を計測できる。
可能な微差圧計７８が使用される。例えば、柴田科学機
械工業株式会社製の沈錘式の微差圧計が適している。こ
の沈錘式の微差圧計は、図６に示すように、コア８０
と、コア８０の周囲に配設された作動トランス８２と、
コア８０に取り付けられた沈錘８４及び分銅受皿８６と
を備えており、沈錘８４の下部はシール液８８によって
密封されている。そして、上方の高圧側の圧力導入口９
０と下部の低圧側の圧力導入口９２とを介して、高圧側
と低圧側との微差圧を計測できる。
【００２３】上記微差圧計７８を用いて排気量を制御す
るために、まず、ケース５２の下部の開口部７０に排気
ダクト７４が設けられる。ケース５２内には排気されず
にまだ残っている処理液があり、前記排気ダクト７４の
端部はこの残った処理液の最大液面位置よりも高い位置
に設けられている。また、この排気ダクト７４の途中に
は、弁６５と、ファンを有する排気装置６７とが設けら
れている。弁６５には、弁６５の開度を変えることがで
きる制御装置６３が接続されている。したがって、ケー
ス５２内のエアは、制御装置６３による弁６５の開度に
応じて排気装置６７により排気される。また、排気ダク
ト７４の開口部７１の上方には処理液が入り込まないよ
うに傘９４が設けられている。
るために、まず、ケース５２の下部の開口部７０に排気
ダクト７４が設けられる。ケース５２内には排気されず
にまだ残っている処理液があり、前記排気ダクト７４の
端部はこの残った処理液の最大液面位置よりも高い位置
に設けられている。また、この排気ダクト７４の途中に
は、弁６５と、ファンを有する排気装置６７とが設けら
れている。弁６５には、弁６５の開度を変えることがで
きる制御装置６３が接続されている。したがって、ケー
ス５２内のエアは、制御装置６３による弁６５の開度に
応じて排気装置６７により排気される。また、排気ダク
ト７４の開口部７１の上方には処理液が入り込まないよ
うに傘９４が設けられている。
【００２４】また、上記微差圧計７８は、その高圧側の
圧力導入口９０がケース５２外部の搬送室２３，３８，
４２内雰囲気と連通され、低圧側の圧力導入口９２がケ
ース５２内の雰囲気と連通されており、これによって、
ケース５２内と搬送室２３，３８，４２内との微差圧を
測定することができる。微差圧計７８には弁６５の開度
を変えることができる前記制御装置６３が接続されてい
る。制御装置６３は、微差圧計７８の測定値に基づいて
弁６５の開度を変化させて、ケース５２内の洗浄処理雰
囲気を外部雰囲気に対して０〜０．０２ｍｍＨ2 Ｏの差
圧が生じる減圧状態に維持することができる。ケース５
２内におけるこのような排気量の制御は、図５の洗浄処
理ユニット１０で代表して示すように、搬送室２３，３
８，４２，洗浄室１９，２５，２７，２９，３１，３９
及び乾燥室３３，３５の全てにおいて行われる。
圧力導入口９０がケース５２外部の搬送室２３，３８，
４２内雰囲気と連通され、低圧側の圧力導入口９２がケ
ース５２内の雰囲気と連通されており、これによって、
ケース５２内と搬送室２３，３８，４２内との微差圧を
測定することができる。微差圧計７８には弁６５の開度
を変えることができる前記制御装置６３が接続されてい
る。制御装置６３は、微差圧計７８の測定値に基づいて
弁６５の開度を変化させて、ケース５２内の洗浄処理雰
囲気を外部雰囲気に対して０〜０．０２ｍｍＨ2 Ｏの差
圧が生じる減圧状態に維持することができる。ケース５
２内におけるこのような排気量の制御は、図５の洗浄処
理ユニット１０で代表して示すように、搬送室２３，３
８，４２，洗浄室１９，２５，２７，２９，３１，３９
及び乾燥室３３，３５の全てにおいて行われる。
【００２５】次に、上記構成の洗浄装置１の動作を説明
するまず、図１に示すように、半導体ウエハは２つのキ
ャリア４８上に各々２５枚ずつ載置された状態で搬入部
１６に搬送される。そして、半導体ウエハは搬入部１６
上で所謂オリフラ合わせ機構によってオリフラ合わせが
なされた後、カセットに入った状態で所定の位置にセッ
トされる。
するまず、図１に示すように、半導体ウエハは２つのキ
ャリア４８上に各々２５枚ずつ載置された状態で搬入部
１６に搬送される。そして、半導体ウエハは搬入部１６
上で所謂オリフラ合わせ機構によってオリフラ合わせが
なされた後、カセットに入った状態で所定の位置にセッ
トされる。
【００２６】次いで、搬送アーム２４は、回転動作し
て、搬入部１６上から半導体ウエハのみを取り出し、半
導体ウエハを洗浄室２７へ搬送する。半導体ウエハは、
洗浄室２７のケース５２のメカシャッターが開いた後、
常時流れるエアカーテンを横切って洗浄室２７内に搬入
される。以下、各洗浄室１９，２５，２７，２９，３
１，３９及び乾燥室３３，３５内への半導体ウエハの搬
入はこのような一連の動作によって行われる。半導体ウ
エハは薬液槽２８で受け取りアーム４３によって支持さ
れながらアンモニア処理を施された後、搬送アーム２４
により洗浄室２５へ搬送されて荒すすぎされる。次い
で、半導体ウエハは洗浄室１９で精密すすぎを施された
後、搬送アーム３７によって処理ユニット１２内の洗浄
室２９に搬送される。
て、搬入部１６上から半導体ウエハのみを取り出し、半
導体ウエハを洗浄室２７へ搬送する。半導体ウエハは、
洗浄室２７のケース５２のメカシャッターが開いた後、
常時流れるエアカーテンを横切って洗浄室２７内に搬入
される。以下、各洗浄室１９，２５，２７，２９，３
１，３９及び乾燥室３３，３５内への半導体ウエハの搬
入はこのような一連の動作によって行われる。半導体ウ
エハは薬液槽２８で受け取りアーム４３によって支持さ
れながらアンモニア処理を施された後、搬送アーム２４
により洗浄室２５へ搬送されて荒すすぎされる。次い
で、半導体ウエハは洗浄室１９で精密すすぎを施された
後、搬送アーム３７によって処理ユニット１２内の洗浄
室２９に搬送される。
【００２７】この洗浄室２９で塩酸処理を施された半導
体ウエハは、洗浄室３１，４０で順次荒すすぎ、精密す
すぎを施された後、搬送アーム４１によって乾燥室３５
に搬送されて乾燥される。半導体ウエハが乾燥室３５で
乾燥されている間、搬送アーム４１は乾燥室３３で乾燥
される。その後、乾燥した半導体ウエハは、乾燥した搬
送アーム４１によって搬出部４８に送られて搬出され
る。
体ウエハは、洗浄室３１，４０で順次荒すすぎ、精密す
すぎを施された後、搬送アーム４１によって乾燥室３５
に搬送されて乾燥される。半導体ウエハが乾燥室３５で
乾燥されている間、搬送アーム４１は乾燥室３３で乾燥
される。その後、乾燥した半導体ウエハは、乾燥した搬
送アーム４１によって搬出部４８に送られて搬出され
る。
【００２８】本実施例の洗浄装置１では、上述のよう
に、洗浄室内の雰囲気が外部に漏出することを防止し、
周囲の環境汚染や内部機器の腐蝕を防止することができ
る。
に、洗浄室内の雰囲気が外部に漏出することを防止し、
周囲の環境汚染や内部機器の腐蝕を防止することができ
る。
【００２９】なお、上記実施例では、半導体ウエハの洗
浄について説明したが、本願の洗浄装置をＬＣＤ基板の
洗浄等他の各種の被処理体の洗浄に適用してもよい。
浄について説明したが、本願の洗浄装置をＬＣＤ基板の
洗浄等他の各種の被処理体の洗浄に適用してもよい。
【００３０】本発明は上記実施例に限定されることな
く、発明の要旨を逸脱することなく様々に変形して実施
できることは当然のことである。
く、発明の要旨を逸脱することなく様々に変形して実施
できることは当然のことである。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、洗
浄処理雰囲気が外部に漏出すことを防止でき、周囲の環
境を汚染したり、周辺機器を腐蝕させたりすることを防
止できる。
浄処理雰囲気が外部に漏出すことを防止でき、周囲の環
境を汚染したり、周辺機器を腐蝕させたりすることを防
止できる。
【図１】本発明の一実施例に係わる洗浄装置の全体的な
構成を示す平面図である。
構成を示す平面図である。
【図２】第１図の洗浄室内の概略構成を示す斜視図であ
る。
る。
【図３】第２図の開口部におけるメカシャッター及びエ
アーカーテンの構造を示す斜視図である。
アーカーテンの構造を示す斜視図である。
【図４】洗浄室内の給気、排気システムを示す回路図で
ある。
ある。
【図５】減圧機構のシステムを示す回路図である。
【図６】精密微差圧計の一例を示す断面図である。
１０，１２，１４ 洗浄処理ユニット
１９，２５，２７，２９，３１，３９ 洗浄室
２３，３８ 搬送室
２４，３７ 搬送手段
６３，６５，６７，７８ 減圧機構
ＴＥ０３９８０１
ＴＥ０３９８０１
Claims (4)
- 【請求項１】 被処理体を洗浄処理する洗浄室と、 前記洗浄室に隣接して設けられた搬送室と、 前記搬送室内に設けられ、被処理体を前記洗浄室に対し
て搬入搬出する搬送手段と、 前記搬送室内の雰囲気を装置外部の雰囲気に対して０〜
０．０２ｍｍＨ2 Ｏの差圧が生じるように減圧する第１
の減圧手段と、 前記洗浄室内の雰囲気を前記搬送室内の雰囲気に対して
０〜０．０２ｍｍＨ2 Ｏの差圧が生じるように減圧する
第２の減圧手段と、 を有することを特徴とする洗浄装置。 - 【請求項２】 請求項１において、 前記第１の減圧手段及び前記第２の減圧手段は、室内に
エアーを供給するための給気手段と、室内のエアーを排
出するための排気手段とを有していることを特徴とする
洗浄装置。 - 【請求項３】 被処理体の搬入搬出口を有し、被処理体
を洗浄処理する複数の洗浄室と、 前記洗浄室内の雰囲気を洗浄室外の雰囲気からエアーカ
ーテンによって常時遮断するエアーカーテン発生手段
と、 前記洗浄室内の雰囲気を洗浄室外の雰囲気から機械的に
遮断することができる開閉自在なメカシャッターと、 前記メカシャッターの開時に、前記エアーカーテンを横
切って被処理体を前記洗浄室内に対して搬入搬出する搬
送手段と、 前記洗浄室に隣接し、前記搬送手段が設置された搬送室
と、 前記搬送室内の雰囲気が装置外部にもれ出さないように
する、前記搬送室内を装置外部の雰囲気に対して減圧に
する第１の減圧手段と、 前記洗浄室内の雰囲気が前記搬送室内にもれ出さないよ
うにする、前記洗浄室内を前記搬送室内の雰囲気に対し
て減圧にする第２の減圧手段と、 を有することを特徴とする洗浄装置。 - 【請求項４】 請求項３において、 前記第１の減圧手段及び前記第２の減圧手段は、室内に
エアーを供給するための給気手段と、室内のエアーを排
出するための排気手段とを有していることを特徴とする
洗浄装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-312476 | 1990-11-17 | ||
| JP31247690 | 1990-11-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0531472A true JPH0531472A (ja) | 1993-02-09 |
Family
ID=18029668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3326593A Withdrawn JPH0531472A (ja) | 1990-11-17 | 1991-11-13 | 洗浄装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5188136A (ja) |
| JP (1) | JPH0531472A (ja) |
| KR (1) | KR0167474B1 (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5505577A (en) * | 1990-11-17 | 1996-04-09 | Tokyo Electron Limited | Transfer apparatus |
| US5727332A (en) * | 1994-07-15 | 1998-03-17 | Ontrak Systems, Inc. | Contamination control in substrate processing system |
| US5765672A (en) * | 1996-08-16 | 1998-06-16 | Horton, Inc. | Overheating protection device for rotational control apparatus |
| AU6327398A (en) * | 1997-02-18 | 1998-09-08 | Scp Global Technologies | Multiple stage wet processing chamber |
| US5984070A (en) * | 1998-08-28 | 1999-11-16 | Horton, Inc. | Overheating protection device for rotational control apparatus |
| US6328809B1 (en) | 1998-10-09 | 2001-12-11 | Scp Global Technologies, Inc. | Vapor drying system and method |
| US6241597B1 (en) * | 1999-03-09 | 2001-06-05 | Mosel Vitelic Inc. | Cleaning apparatus for maintaining semiconductor equipment |
| TW453904B (en) * | 2000-06-09 | 2001-09-11 | Macronix Int Co Ltd | Method for cleaning semiconductor wafer surface |
| US8113757B2 (en) | 2006-08-01 | 2012-02-14 | Tokyo Electron Limited | Intermediate transfer chamber, substrate processing system, and exhaust method for the intermediate transfer chamber |
| US9117870B2 (en) * | 2008-03-27 | 2015-08-25 | Lam Research Corporation | High throughput cleaner chamber |
| US8562272B2 (en) * | 2010-02-16 | 2013-10-22 | Lam Research Corporation | Substrate load and unload mechanisms for high throughput |
| US8893642B2 (en) * | 2010-03-24 | 2014-11-25 | Lam Research Corporation | Airflow management for low particulate count in a process tool |
| AT511898A1 (de) * | 2011-09-12 | 2013-03-15 | Tms Transport Und Montagesysteme Gmbh | Reinigungsmaschine zum reinigen industriell gefertigter bauteile |
| JP6061710B2 (ja) * | 2013-02-01 | 2017-01-18 | 株式会社ディスコ | 樹脂被覆装置 |
| KR101637745B1 (ko) * | 2014-11-25 | 2016-07-07 | 현대자동차주식회사 | 열해를 방지하는 에어가이드를 구비한 라디에이터 |
| CN112317395A (zh) * | 2020-10-19 | 2021-02-05 | 国网河南省电力公司禹州市供电公司 | 一种变压器清油装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4282825A (en) * | 1978-08-02 | 1981-08-11 | Hitachi, Ltd. | Surface treatment device |
| US4506687A (en) * | 1982-06-10 | 1985-03-26 | Circuit Services Corporation | Printed circuit processing apparatus |
| US4736758A (en) * | 1985-04-15 | 1988-04-12 | Wacom Co., Ltd. | Vapor drying apparatus |
| US4696226A (en) * | 1986-08-28 | 1987-09-29 | Witmer Warner H | Fluid barrier curtain system |
| US4823680A (en) * | 1987-12-07 | 1989-04-25 | Union Carbide Corporation | Wide laminar fluid doors |
| US5099751A (en) * | 1989-05-02 | 1992-03-31 | Gpac, Inc. | Control system for doors of a negative air pressure enclosure |
-
1991
- 1991-11-13 JP JP3326593A patent/JPH0531472A/ja not_active Withdrawn
- 1991-11-14 KR KR1019910020237A patent/KR0167474B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1991-11-15 US US07/792,917 patent/US5188136A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920010780A (ko) | 1992-06-27 |
| KR0167474B1 (ko) | 1999-02-01 |
| US5188136A (en) | 1993-02-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990204 |