JPH05315529A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH05315529A JPH05315529A JP4119449A JP11944992A JPH05315529A JP H05315529 A JPH05315529 A JP H05315529A JP 4119449 A JP4119449 A JP 4119449A JP 11944992 A JP11944992 A JP 11944992A JP H05315529 A JPH05315529 A JP H05315529A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- power supply
- ground terminal
- terminal
- metal piece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/732—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between stacked chips
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】樹脂封止型半導体装置において、半導体素子に
多大な電流を流せるようにピン数を増やすことなく接地
端子もしくは電源端子を構成することによって、接地端
子もしくは電源端子の自由度及び電位変動に対応出来る
ようにする。 【構成】半導体素子２の回路構成面上を覆うように内部
リード３を４本用いて支持された金属片を有する接地端
子もしくは電源端子５を両面絶縁性接着剤８を介して固
着し、半導体素子２と接地端子もしくは電源端子５とを
金属細線１０にて接続して構成される。
多大な電流を流せるようにピン数を増やすことなく接地
端子もしくは電源端子を構成することによって、接地端
子もしくは電源端子の自由度及び電位変動に対応出来る
ようにする。 【構成】半導体素子２の回路構成面上を覆うように内部
リード３を４本用いて支持された金属片を有する接地端
子もしくは電源端子５を両面絶縁性接着剤８を介して固
着し、半導体素子２と接地端子もしくは電源端子５とを
金属細線１０にて接続して構成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置に
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の樹脂封止型半導体装置の一
例を示す平面図（ａ）及びそのＣ−Ｃ線断面図（ｂ）で
ある。図３において、従来の樹脂封止型半導体装置は、
仮想線で示す封止樹脂層１と、半導体素子２と、封止樹
脂層１の内部から外部へ延在する内部リード３と、封止
樹脂層１の外部から延在する外部リード４と、半導体素
子２の回路構成面の電極部（図示せず）の近傍の４辺の
内の２片を横断する接地端子もしくは電源端子５（以
下、内部リード３と外部リード４を含めて接地端子もし
くは電源端子５と称する）と、半導体素子２の電極部と
内部リード３のボンディング部とを電気的に接続する金
属細線６とから構成されている。
例を示す平面図（ａ）及びそのＣ−Ｃ線断面図（ｂ）で
ある。図３において、従来の樹脂封止型半導体装置は、
仮想線で示す封止樹脂層１と、半導体素子２と、封止樹
脂層１の内部から外部へ延在する内部リード３と、封止
樹脂層１の外部から延在する外部リード４と、半導体素
子２の回路構成面の電極部（図示せず）の近傍の４辺の
内の２片を横断する接地端子もしくは電源端子５（以
下、内部リード３と外部リード４を含めて接地端子もし
くは電源端子５と称する）と、半導体素子２の電極部と
内部リード３のボンディング部とを電気的に接続する金
属細線６とから構成されている。
【０００３】ここにおいて、接地端子もしくは電源端子
５は半導体素子２の回路形成面上に固着されており、固
着法としては、両面絶縁性接着剤８を有するポリイミド
フィルム等の絶縁フィルム７を介して行われる。また、
接地端子もしくは電源端子５と半導体素子２とは金属細
線１０で電気的に接続されている。
５は半導体素子２の回路形成面上に固着されており、固
着法としては、両面絶縁性接着剤８を有するポリイミド
フィルム等の絶縁フィルム７を介して行われる。また、
接地端子もしくは電源端子５と半導体素子２とは金属細
線１０で電気的に接続されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の樹脂封
止型半導体装置は、半導体素子に多大な電流を流す際、
半導体素子面上に形成されかつ半導体素子の１辺もしく
は２辺を横断するように構成された接地端子もしくは電
源端子を用いることによって対応していたため、接地端
子もしくは電源端子の自由度及び電位変動の対応が制限
されていた。
止型半導体装置は、半導体素子に多大な電流を流す際、
半導体素子面上に形成されかつ半導体素子の１辺もしく
は２辺を横断するように構成された接地端子もしくは電
源端子を用いることによって対応していたため、接地端
子もしくは電源端子の自由度及び電位変動の対応が制限
されていた。
【０００５】特に近年、半導体素子の大型化、大規模化
に伴ない、発生する熱の増大及び１辺当りの信号数の増
加により、接地端子もしくは電源端子が上記構成では足
りなくなるという問題点を有していた。
に伴ない、発生する熱の増大及び１辺当りの信号数の増
加により、接地端子もしくは電源端子が上記構成では足
りなくなるという問題点を有していた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置は、半導体素子より小面積の金属片を有する接地
端子もしくは電源端子を備え、この金属片を半導体素子
の回路構成面上に絶縁性接着層を介して固着して半導体
素子を部分的に覆うように構成されている。
体装置は、半導体素子より小面積の金属片を有する接地
端子もしくは電源端子を備え、この金属片を半導体素子
の回路構成面上に絶縁性接着層を介して固着して半導体
素子を部分的に覆うように構成されている。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を用いて説明する。
図１は本発明の樹脂封止型半導体装置の第１の実施例の
平面図（ａ）及びそのＡ−Ａ線断面図（ｂ）である。
図１は本発明の樹脂封止型半導体装置の第１の実施例の
平面図（ａ）及びそのＡ−Ａ線断面図（ｂ）である。
【０００８】図１において、本実施例は仮想線で示す封
止樹脂層１と、半導体素子２と、封止樹脂層１の内部か
ら外部に延在する内部リード３と、樹脂封止層１の外部
から延在する外部リード４と、半導体素子２の回路構成
面上を覆うように内部リード４本により支持され金属片
で構成された接地端子もしくは電源端子５と、半導体素
子２の電極部（図示せず）と内部リード３のボンディン
グ部とを電気的に接続する金属細線６とから構成され
る。また、接地端子もしくは電源端子５と半導体素子２
とは金属細線１０で電気的に接続されている。
止樹脂層１と、半導体素子２と、封止樹脂層１の内部か
ら外部に延在する内部リード３と、樹脂封止層１の外部
から延在する外部リード４と、半導体素子２の回路構成
面上を覆うように内部リード４本により支持され金属片
で構成された接地端子もしくは電源端子５と、半導体素
子２の電極部（図示せず）と内部リード３のボンディン
グ部とを電気的に接続する金属細線６とから構成され
る。また、接地端子もしくは電源端子５と半導体素子２
とは金属細線１０で電気的に接続されている。
【０００９】ここにおいて、接地端子もしくは電源端子
５は、半導体素子２の回路形成面上に固着されており、
固着方法としては、両面絶縁性接着剤８をするポリイミ
ドフィルム等の絶縁フィルム７を介して行われる。また
金属片はリードフレーム形成時に同時に形成される。
５は、半導体素子２の回路形成面上に固着されており、
固着方法としては、両面絶縁性接着剤８をするポリイミ
ドフィルム等の絶縁フィルム７を介して行われる。また
金属片はリードフレーム形成時に同時に形成される。
【００１０】図２は本発明の第２の実施例を示す図であ
り、同図（ａ）は樹脂封止型半導体装置の平面図、同図
（ｂ）はそのＢ−Ｂ線断面図である。
り、同図（ａ）は樹脂封止型半導体装置の平面図、同図
（ｂ）はそのＢ−Ｂ線断面図である。
【００１１】図２において、本実施例は仮想線で示す封
止樹脂層１と、半導体素子２と、封止樹脂層１の内部か
ら外部に延在する内部リード３と、封止樹脂層１の外部
から延在する外部リード４と、半導体素子２の回路構成
面上を覆うように内部リード４本により支持された第１
の金属片で構成される接地端子もしくは電源端子５と、
この第１の金属片の上層に電気絶縁性接着層を介してこ
の金属片とほぼ同等の大きさの第２の金属片で構成され
た接地端子もしくは電源端子９と、半導体素子２の電極
部（図示せず）と内部リード３のボンディング部とを電
気的に接続する金属細線６とから構成されている。ま
た、接地端子もしくは電源端子５と半導体素子２とは金
属細線１０で接続され、さらに接地端子もしくは電源端
子９と半導体素子２とは金属細線１１でそれぞれ電気的
に接続されている。
止樹脂層１と、半導体素子２と、封止樹脂層１の内部か
ら外部に延在する内部リード３と、封止樹脂層１の外部
から延在する外部リード４と、半導体素子２の回路構成
面上を覆うように内部リード４本により支持された第１
の金属片で構成される接地端子もしくは電源端子５と、
この第１の金属片の上層に電気絶縁性接着層を介してこ
の金属片とほぼ同等の大きさの第２の金属片で構成され
た接地端子もしくは電源端子９と、半導体素子２の電極
部（図示せず）と内部リード３のボンディング部とを電
気的に接続する金属細線６とから構成されている。ま
た、接地端子もしくは電源端子５と半導体素子２とは金
属細線１０で接続され、さらに接地端子もしくは電源端
子９と半導体素子２とは金属細線１１でそれぞれ電気的
に接続されている。
【００１２】ここにおいて、接地端子もしくは電源端子
５は、その金属片が半導体素子２の回路形成面上に固着
されており、固着方法としては、両面絶縁性接着剤８を
有するポリイミドフィルム等の絶縁フィルム７を介して
行われる。また、接地端子もしくは電源端子９となる第
２の金属片は、第１の金属片の上層に固着されており、
第１の金属片と同様の固着法にて行われている。本実施
例によれば、接地端子もしくは電源端子の面積がさらに
増大するため、大電流が得られかつ放熱効果の向上が得
られる。
５は、その金属片が半導体素子２の回路形成面上に固着
されており、固着方法としては、両面絶縁性接着剤８を
有するポリイミドフィルム等の絶縁フィルム７を介して
行われる。また、接地端子もしくは電源端子９となる第
２の金属片は、第１の金属片の上層に固着されており、
第１の金属片と同様の固着法にて行われている。本実施
例によれば、接地端子もしくは電源端子の面積がさらに
増大するため、大電流が得られかつ放熱効果の向上が得
られる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体素
子の回路形成面上に接地端子もしくは電源端子を半導体
素子を覆うように金属片で構成することにより、従来１
６０ピン程度の樹脂封止型半導体装置には８本必要であ
った接地端子もしくは電源端子を４本のリードで実現で
きるという効果を有し、半導体素子の回路形成面を金属
片で覆うことにより、放熱性の向上及び封止樹脂の応力
も緩和できるという効果を有する。
子の回路形成面上に接地端子もしくは電源端子を半導体
素子を覆うように金属片で構成することにより、従来１
６０ピン程度の樹脂封止型半導体装置には８本必要であ
った接地端子もしくは電源端子を４本のリードで実現で
きるという効果を有し、半導体素子の回路形成面を金属
片で覆うことにより、放熱性の向上及び封止樹脂の応力
も緩和できるという効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施例を示す平面図（ａ）及び
そのＡ−Ａ線断面図（ｂ）である。
そのＡ−Ａ線断面図（ｂ）である。
【図２】本発明の第２の実施例の平面図（ａ）及びその
Ｂ−Ｂ線断面図（ｂ）である。
Ｂ−Ｂ線断面図（ｂ）である。
【図３】従来の樹脂封止型半導体装置を示す平面図
（ａ）及びそのＣ−Ｃ線断面図（ｂ）である。
（ａ）及びそのＣ−Ｃ線断面図（ｂ）である。
１ 封止樹脂層 ２ 半導体素子 ３ 内部リード ４ 外部リード ５ 接地端子もしくは電源端子 ６ 金属細線 ７ 絶縁性フィルム ８ 両面絶縁性接着剤 ９ 接地端子もしくは電源端子 １０，１１ 金属細線
Claims (2)
- 【請求項１】 封止樹脂層内部から外部へ延在する外部
電極取り出し用の複数の内部リードのうちの少なくとも
４本以上で支持される半導体素子より小面積の金属片を
有する接地端子もしくは電源端子が半導体素子の回路形
成面上に電気絶縁性接着層により固着され、さらに前記
内部リードと半導体素子とが金属細線により接続されて
いることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 前記封止樹脂層内部から外部へ延在する
外部電極取り出し用の複数の内部リードのうちの少なく
とも４本以上で支持された接地端子もしくは電源端子を
構成する半導体素子より小面積の第１の金属片を有し、
この第１の金属片の上層に電気絶縁性接着層を介して第
２の金属片を設けて成る請求項１記載の樹脂封止型半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4119449A JPH05315529A (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4119449A JPH05315529A (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315529A true JPH05315529A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14761674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4119449A Withdrawn JPH05315529A (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315529A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0926734A3 (en) * | 1997-12-22 | 2002-04-03 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for delivering electrical power to a semiconducteur die |
-
1992
- 1992-05-13 JP JP4119449A patent/JPH05315529A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0926734A3 (en) * | 1997-12-22 | 2002-04-03 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for delivering electrical power to a semiconducteur die |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990803 |