JPH05315582A - 赤外線検知素子 - Google Patents
赤外線検知素子Info
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- JPH05315582A JPH05315582A JP4114429A JP11442992A JPH05315582A JP H05315582 A JPH05315582 A JP H05315582A JP 4114429 A JP4114429 A JP 4114429A JP 11442992 A JP11442992 A JP 11442992A JP H05315582 A JPH05315582 A JP H05315582A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 赤外線検知素子に関し、Si基板を支持基板と
し、その上にHgCdTe基板を接着させた基板を用いて赤外
線検知装置を形成する際に、Si基板とHgCdTe基板を接着
する接着剤層の厚さが薄く、かつ均一な厚さとなるよう
な赤外線検知素子の提供を目的とする。 【構成】 支持基板７上に素子形成用の化合物半導体基
板１を接着剤８で接着し、該化合物半導体基板１を薄層
に加工して形成して成る赤外線検知素子に於いて、前記
化合物半導体基板１の縦および横方向に所定の間隔で設
け、検知素子アレイの形成領域と成る検知素子アレイ領
域13の周辺部に、前記接着剤８が流動する検知素子アレ
イ溝11を設けるとともに、前記検知素子アレイ領域13の
内部に形成した画素形成領域16の周辺部に、前記検知素
子アレイ溝11と接続し、前記接着剤が流動する画素画定
溝14を設け、更に前記検知素子アレイ溝11の交点に貫通
孔12を設け、該貫通孔12を、前記支持基板７と化合物半
導体基板１の間に充填する接着剤８の内で余分な接着剤
を排気する排気口としたことで構成する。
し、その上にHgCdTe基板を接着させた基板を用いて赤外
線検知装置を形成する際に、Si基板とHgCdTe基板を接着
する接着剤層の厚さが薄く、かつ均一な厚さとなるよう
な赤外線検知素子の提供を目的とする。 【構成】 支持基板７上に素子形成用の化合物半導体基
板１を接着剤８で接着し、該化合物半導体基板１を薄層
に加工して形成して成る赤外線検知素子に於いて、前記
化合物半導体基板１の縦および横方向に所定の間隔で設
け、検知素子アレイの形成領域と成る検知素子アレイ領
域13の周辺部に、前記接着剤８が流動する検知素子アレ
イ溝11を設けるとともに、前記検知素子アレイ領域13の
内部に形成した画素形成領域16の周辺部に、前記検知素
子アレイ溝11と接続し、前記接着剤が流動する画素画定
溝14を設け、更に前記検知素子アレイ溝11の交点に貫通
孔12を設け、該貫通孔12を、前記支持基板７と化合物半
導体基板１の間に充填する接着剤８の内で余分な接着剤
を排気する排気口としたことで構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は赤外線検知素子に係り、
特に大面積の赤外線検知素子アレイに関する。
特に大面積の赤外線検知素子アレイに関する。
【０００２】エネルギーギャップが狭い水銀・カドミウ
ム・テルル（HgCdTe）結晶に赤外線検知素子を形成し、
該検知素子で得られた検知信号を信号処理する電荷転送
素子をシリコン（Si）基板に形成し、両者の素子を結合
してハイブリッド型の赤外線検知装置が形成されてい
る。
ム・テルル（HgCdTe）結晶に赤外線検知素子を形成し、
該検知素子で得られた検知信号を信号処理する電荷転送
素子をシリコン（Si）基板に形成し、両者の素子を結合
してハイブリッド型の赤外線検知装置が形成されてい
る。
【０００３】この赤外線検知装置は益々高感度化、高解
像度化が要請され、そのため、赤外線検知素子の面積も
大きく成り、素子も高密度に配置することが望まれ、Hg
CdTe基板や、Si基板の面積も大型に成る傾向にある。
像度化が要請され、そのため、赤外線検知素子の面積も
大きく成り、素子も高密度に配置することが望まれ、Hg
CdTe基板や、Si基板の面積も大型に成る傾向にある。
【０００４】
【従来の技術】従来のハイブリッド型の赤外線検知装置
は、図3(a)に示すように、ｐ型のHgCdTe基板１にｎ型の
不純物をイオン注入してｎ型層２を形成してフオトダイ
オードのような光検知素子３を設ける。一方、ｐ型のSi
基板４にｎ型の不純物を導入して該基板に形成した電荷
転送装置の入力ダイオードより成る信号処理素子５を設
け、両者の素子3,5 をインジウム( In) よりなる金属バ
ンプ６を用いて結合して赤外線検知装置とする。
は、図3(a)に示すように、ｐ型のHgCdTe基板１にｎ型の
不純物をイオン注入してｎ型層２を形成してフオトダイ
オードのような光検知素子３を設ける。一方、ｐ型のSi
基板４にｎ型の不純物を導入して該基板に形成した電荷
転送装置の入力ダイオードより成る信号処理素子５を設
け、両者の素子3,5 をインジウム( In) よりなる金属バ
ンプ６を用いて結合して赤外線検知装置とする。
【０００５】ところで、このような赤外線検知装置は液
体窒素温度に冷却して動作させており、不使用時は室温
になるため、室温から液体窒素温度の範囲の温度変動に
上記赤外線検知装置が設置されることになる。
体窒素温度に冷却して動作させており、不使用時は室温
になるため、室温から液体窒素温度の範囲の温度変動に
上記赤外線検知装置が設置されることになる。
【０００６】この温度変動によって両者の基板1,4 は収
縮、膨張を繰り返すが、HgCdTe基板１の方がSi基板４よ
り熱膨張率が大であるため、両者の基板1,4 の収縮、膨
張の割合が異なり、そのため、両者の素子3,5 を接続し
ている金属バンプ６が剥離したり、或いは亀裂を生じた
りして接続不良となり、赤外線検知装置が不良となる問
題がある。
縮、膨張を繰り返すが、HgCdTe基板１の方がSi基板４よ
り熱膨張率が大であるため、両者の基板1,4 の収縮、膨
張の割合が異なり、そのため、両者の素子3,5 を接続し
ている金属バンプ６が剥離したり、或いは亀裂を生じた
りして接続不良となり、赤外線検知装置が不良となる問
題がある。
【０００７】そこで、この問題を解決するために図3(b)
に示すように、電荷転送装置のような信号処理素子を形
成するSi基板を支持基板７とし、その上にHgCdTe基板１
をエポキシ樹脂（商品名：アラルダイト、チバガイギー
社製）より成る接着剤８を用いて貼着し、前記HgCdTe基
板１を研磨等により薄層化して、光検知素子３を形成す
るHgCdTe基板１の熱膨張率より支持基板７のSi基板の熱
膨張率が、支配的に成るようにして、光検知素子３を形
成するHgCdTe基板１と、信号処理素子５を形成するSi基
板４の間の熱膨張率差の影響が少なくなるような赤外線
検知装置を形成している。
に示すように、電荷転送装置のような信号処理素子を形
成するSi基板を支持基板７とし、その上にHgCdTe基板１
をエポキシ樹脂（商品名：アラルダイト、チバガイギー
社製）より成る接着剤８を用いて貼着し、前記HgCdTe基
板１を研磨等により薄層化して、光検知素子３を形成す
るHgCdTe基板１の熱膨張率より支持基板７のSi基板の熱
膨張率が、支配的に成るようにして、光検知素子３を形
成するHgCdTe基板１と、信号処理素子５を形成するSi基
板４の間の熱膨張率差の影響が少なくなるような赤外線
検知装置を形成している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】然し、このようにHgCd
Te基板１をSi基板よりなる支持基板７上にエポキシ樹脂
（商品名：アラルダイト、チバガイギー社製）より成る
接着剤を用いて接着する場合、均一な厚さで、且つ薄い
接着剤８の厚さが必要であるが、従来の方法、例えば一
方の支持基板７、或いはHgCdTe基板１に接着剤８を、筆
等の塗布用具によって塗布し、両者の基板1,7 を重ね合
わせて荷重を掛けて接着する方法を採っていた。
Te基板１をSi基板よりなる支持基板７上にエポキシ樹脂
（商品名：アラルダイト、チバガイギー社製）より成る
接着剤を用いて接着する場合、均一な厚さで、且つ薄い
接着剤８の厚さが必要であるが、従来の方法、例えば一
方の支持基板７、或いはHgCdTe基板１に接着剤８を、筆
等の塗布用具によって塗布し、両者の基板1,7 を重ね合
わせて荷重を掛けて接着する方法を採っていた。
【０００９】然し、この方法では、この接着剤８の粘度
が大であり、また接着剤８中に大気中の気泡が混入する
ため、この気泡が邪魔になって接着剤が薄く均一に基板
上に拡がらず、支持基板７とHgCdTe基板１とを、接着剤
８の厚さを薄く均一に保って接着することは困難で有
る。
が大であり、また接着剤８中に大気中の気泡が混入する
ため、この気泡が邪魔になって接着剤が薄く均一に基板
上に拡がらず、支持基板７とHgCdTe基板１とを、接着剤
８の厚さを薄く均一に保って接着することは困難で有
る。
【００１０】また、このようにSi基板よりなる支持基板
７上にHgCdTe基板１を接着し、このHgCdTe基板１に光検
知素子３を形成し、Siの支持基板７側より矢印Ａに示す
ように光を入射して赤外線を検知する、つまり裏面入射
型の赤外線検知装置では、導入される赤外線が所定の方
向に規制されて、光検知素子３で形成される画素の方向
に向かって精度良く導入され無いため、空間分解能の悪
い赤外線検知装置となる欠点がある。
７上にHgCdTe基板１を接着し、このHgCdTe基板１に光検
知素子３を形成し、Siの支持基板７側より矢印Ａに示す
ように光を入射して赤外線を検知する、つまり裏面入射
型の赤外線検知装置では、導入される赤外線が所定の方
向に規制されて、光検知素子３で形成される画素の方向
に向かって精度良く導入され無いため、空間分解能の悪
い赤外線検知装置となる欠点がある。
【００１１】本発明は上記した従来技術の問題点を解決
するもので、HgCdTe基板とSi基板が均一で薄い厚さの接
着剤層で接着されるようにするとともに、前記したSi基
板の裏面側より赤外線が正確に赤外線検知素子で形成さ
れた画素に導入されるようにし、高空間分解能な赤外線
検知装置が得られるような赤外線検知素子の製造方法の
提供を目的とする。
するもので、HgCdTe基板とSi基板が均一で薄い厚さの接
着剤層で接着されるようにするとともに、前記したSi基
板の裏面側より赤外線が正確に赤外線検知素子で形成さ
れた画素に導入されるようにし、高空間分解能な赤外線
検知装置が得られるような赤外線検知素子の製造方法の
提供を目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の赤外線検知素子
は、請求項１に示すように、支持基板上に素子形成用の
化合物半導体基板を接着剤で接着し、該化合物半導体基
板を薄層に加工して形成して成る赤外線検知素子に於い
て、前記化合物半導体基板の縦および横方向に所定の間
隔で設け、検知素子アレイの形成領域と成る検知素子ア
レイ領域の周辺部に、前記接着剤が流動する検知素子ア
レイ溝を設けるとともに、前記検知素子アレイ領域の内
部に形成した画素形成領域の周辺部に、前記検知素子ア
レイ溝と接続し、前記接着剤が流動する画素画定溝を設
け、更に前記検知素子アレイ溝の交点に貫通孔を設け、
該貫通孔を、前記支持基板と化合物半導体基板の間に充
填する接着剤の余分な接着剤の排気口としたことを特徴
とするものである。
は、請求項１に示すように、支持基板上に素子形成用の
化合物半導体基板を接着剤で接着し、該化合物半導体基
板を薄層に加工して形成して成る赤外線検知素子に於い
て、前記化合物半導体基板の縦および横方向に所定の間
隔で設け、検知素子アレイの形成領域と成る検知素子ア
レイ領域の周辺部に、前記接着剤が流動する検知素子ア
レイ溝を設けるとともに、前記検知素子アレイ領域の内
部に形成した画素形成領域の周辺部に、前記検知素子ア
レイ溝と接続し、前記接着剤が流動する画素画定溝を設
け、更に前記検知素子アレイ溝の交点に貫通孔を設け、
該貫通孔を、前記支持基板と化合物半導体基板の間に充
填する接着剤の余分な接着剤の排気口としたことを特徴
とするものである。
【００１３】また請求項２に示すように、前記画素画定
溝を、赤外線検知素子の画素分離領域に合致させ、前記
画素画定溝内に赤外線吸収膜を設けたことを特徴とする
ものである。
溝を、赤外線検知素子の画素分離領域に合致させ、前記
画素画定溝内に赤外線吸収膜を設けたことを特徴とする
ものである。
【００１４】
【作用】本発明では、例えばSiよりなる支持基板側に於
いて、赤外線検知素子アレイを形成する検知素子アレイ
領域の周辺部に対応する箇所に検知素子アレイ溝を設
け、この溝の交点に貫通孔を設ける。また検知素子アレ
イ領域内の画素形成領域の周辺部にも画素画定溝を設
け、これらの両方の溝で接着剤の逃げる箇所を形成す
る。
いて、赤外線検知素子アレイを形成する検知素子アレイ
領域の周辺部に対応する箇所に検知素子アレイ溝を設
け、この溝の交点に貫通孔を設ける。また検知素子アレ
イ領域内の画素形成領域の周辺部にも画素画定溝を設
け、これらの両方の溝で接着剤の逃げる箇所を形成す
る。
【００１５】そして支持基板とHgCdTe基板同士を重ね、
その間に接着剤を充填する際、余分な接着剤が上記両者
の溝や、貫通孔を通じて流れ出るようにすることで薄い
接着剤層を形成することが可能となる。
その間に接着剤を充填する際、余分な接着剤が上記両者
の溝や、貫通孔を通じて流れ出るようにすることで薄い
接着剤層を形成することが可能となる。
【００１６】また上記貫通孔より支持基板とHgCdTe基板
同士を接着する接着剤で、余分な接着剤を真空ポンプ等
の排気手段を用いて排気する。更に基板の全表面には、
大気圧が均一に掛かるので均一な接着剤層の厚さが得ら
れる。
同士を接着する接着剤で、余分な接着剤を真空ポンプ等
の排気手段を用いて排気する。更に基板の全表面には、
大気圧が均一に掛かるので均一な接着剤層の厚さが得ら
れる。
【００１７】またこの両者の溝に赤外線吸収膜を形成す
ると、基板の裏面側より入射する赤外線が赤外線検知素
子で形成された画素側に正確に導入されるので、つまり
入射する赤外線の視野角が所定の値に規定されるように
成るので、高空間分解能な赤外線検知装置が得られる。
ると、基板の裏面側より入射する赤外線が赤外線検知素
子で形成された画素側に正確に導入されるので、つまり
入射する赤外線の視野角が所定の値に規定されるように
成るので、高空間分解能な赤外線検知装置が得られる。
【００１８】また両者の溝に接着剤が溜り、それが固化
して収縮する時にSiより成る支持基板がダメージを受け
るような恐れが有るが、この両者の溝のピッチと赤外線
検知素子で形成された画素のピッチ、或いは赤外線検知
素子アレイ領域のピッチとを合致させると、この溝の領
域は画素が形成されない不要なデッドスペースであるの
で、仮にHgCdTe基板にダメージが発生しても、形成され
る赤外線検知素子はダメージの影響を受け無くなる。
して収縮する時にSiより成る支持基板がダメージを受け
るような恐れが有るが、この両者の溝のピッチと赤外線
検知素子で形成された画素のピッチ、或いは赤外線検知
素子アレイ領域のピッチとを合致させると、この溝の領
域は画素が形成されない不要なデッドスペースであるの
で、仮にHgCdTe基板にダメージが発生しても、形成され
る赤外線検知素子はダメージの影響を受け無くなる。
【００１９】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例につき詳
細に説明する。図1(a)の斜視図、並びに図1(b)の断面図
に示すように、（１００）面の面方位を有するSiより成
る支持基板７に所定のパターンのレジスト膜（図示せ
ず）を塗布し、該レジスト膜をマスクとしてイオンエッ
チング等の手法により検知素子アレイ溝11と貫通孔12を
設ける。
細に説明する。図1(a)の斜視図、並びに図1(b)の断面図
に示すように、（１００）面の面方位を有するSiより成
る支持基板７に所定のパターンのレジスト膜（図示せ
ず）を塗布し、該レジスト膜をマスクとしてイオンエッ
チング等の手法により検知素子アレイ溝11と貫通孔12を
設ける。
【００２０】この検知素子アレイ溝11は、幅が200 μm
で、深さが200 μm の溝を、赤外線検知素子アレイのピ
ッチの寸法に対応して縦、および横方向に10mmのピッチ
で設ける。この赤外線検知素子アレイは赤外線検知素子
よりなる画素が集合されたものである。更にこの縦、お
よび横方向の検知素子アレイ溝11の交点の位置に、直径
が200 μm の貫通孔12を設ける。
で、深さが200 μm の溝を、赤外線検知素子アレイのピ
ッチの寸法に対応して縦、および横方向に10mmのピッチ
で設ける。この赤外線検知素子アレイは赤外線検知素子
よりなる画素が集合されたものである。更にこの縦、お
よび横方向の検知素子アレイ溝11の交点の位置に、直径
が200 μm の貫通孔12を設ける。
【００２１】そして更に図2(a)、図2(b)の平面図と図2
(b)のＡ−Ａ´線の断面図の図2(c)に示すように、この
縦および横方向の検知素子アレイ溝11で区切られた検知
素子アレイ領域13の内部の画素形成領域16の周辺部に、
35μm のピッチで幅が５μm で、深さが３μm の画素画
定溝14を設ける。
(b)のＡ−Ａ´線の断面図の図2(c)に示すように、この
縦および横方向の検知素子アレイ溝11で区切られた検知
素子アレイ領域13の内部の画素形成領域16の周辺部に、
35μm のピッチで幅が５μm で、深さが３μm の画素画
定溝14を設ける。
【００２２】次いでこのように深くて幅広の検知素子ア
レイ溝11と、浅くて幅狭の赤外線検知素子の画素を画定
する画素画定溝14を開口した蒸着用マスクを、前記検知
素子アレイ溝11と画素画定溝14が加工されたSiよりなる
支持基板７上に設置し、蒸着法を用いてカーボン等の赤
外線吸収膜15を前記両方の溝11,14 内に設ける。このカ
ーボンよりなる赤外線吸収膜15が画素、或いは赤外線検
知素子アレイを画定する赤外線のシールド膜となる。
レイ溝11と、浅くて幅狭の赤外線検知素子の画素を画定
する画素画定溝14を開口した蒸着用マスクを、前記検知
素子アレイ溝11と画素画定溝14が加工されたSiよりなる
支持基板７上に設置し、蒸着法を用いてカーボン等の赤
外線吸収膜15を前記両方の溝11,14 内に設ける。このカ
ーボンよりなる赤外線吸収膜15が画素、或いは赤外線検
知素子アレイを画定する赤外線のシールド膜となる。
【００２３】次いで、前記した図1(b)に示すように、こ
のSiより成る支持基板７の上にエポキシ樹脂よりなる接
着剤( 商品名: アラルダイト、チバガイギー社製) ８を
筆にて塗布し、その上にHgCdTe基板１を重ね、この重ね
た基板1,7 を排気口を有した箱型のステンレス製の容器
( 図示せず) 内に設置し、該両者の基板1,7 を70〜80℃
の温度で加熱し、前記貫通孔12よりステンレス製の容器
の排気口を通じて真空に排気して、接着剤８を硬化させ
る。
のSiより成る支持基板７の上にエポキシ樹脂よりなる接
着剤( 商品名: アラルダイト、チバガイギー社製) ８を
筆にて塗布し、その上にHgCdTe基板１を重ね、この重ね
た基板1,7 を排気口を有した箱型のステンレス製の容器
( 図示せず) 内に設置し、該両者の基板1,7 を70〜80℃
の温度で加熱し、前記貫通孔12よりステンレス製の容器
の排気口を通じて真空に排気して、接着剤８を硬化させ
る。
【００２４】次いでSiの支持基板７上に接着されたHgCd
Te基板１を、20μm の厚さに成るように研磨し、該HgCd
Te基板１の所定位置にｎ型の不純物原子のInをイオン注
入してｎ型層を形成してフォトダイオードを設ける。
Te基板１を、20μm の厚さに成るように研磨し、該HgCd
Te基板１の所定位置にｎ型の不純物原子のInをイオン注
入してｎ型層を形成してフォトダイオードを設ける。
【００２５】このフォトダイオードを設ける際のイオン
注入法は、前記したHgCdTe基板１とSiの支持基板７を接
着した支持基板７側より赤外線を照射し、その赤外線が
HgCdTe基板１を透過する光を赤外線カメラ等で検知し、
上記した両者の溝11,14 の部分で赤外線の強度が変化す
るのを検知してイオン注入用のマスクと位置合わせして
イオン注入する。
注入法は、前記したHgCdTe基板１とSiの支持基板７を接
着した支持基板７側より赤外線を照射し、その赤外線が
HgCdTe基板１を透過する光を赤外線カメラ等で検知し、
上記した両者の溝11,14 の部分で赤外線の強度が変化す
るのを検知してイオン注入用のマスクと位置合わせして
イオン注入する。
【００２６】以上述べたように、本発明の赤外線検知素
子によると、Si基板とHgCdTe基板を接着する接着剤層の
厚さが薄く、且つ均一な厚さで接着されるので、両者の
基板を用いて赤外線検知装置を形成し、この装置を温度
変動を有する環境に設置しても両者の基板を接続するIn
の金属バンプが位置ずれするようなことが無くなり、高
信頼度の赤外線検知装置が得られる。
子によると、Si基板とHgCdTe基板を接着する接着剤層の
厚さが薄く、且つ均一な厚さで接着されるので、両者の
基板を用いて赤外線検知装置を形成し、この装置を温度
変動を有する環境に設置しても両者の基板を接続するIn
の金属バンプが位置ずれするようなことが無くなり、高
信頼度の赤外線検知装置が得られる。
【００２７】また検知素子アレイ溝11、画素画定溝14の
内部に赤外線を吸収する赤外線吸収膜15を設けているの
で、所定の画素領域に赤外線が入射されるようになり、
高空間分解能の赤外線検知装置が得られる。
内部に赤外線を吸収する赤外線吸収膜15を設けているの
で、所定の画素領域に赤外線が入射されるようになり、
高空間分解能の赤外線検知装置が得られる。
【００２８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の赤外線検知
素子によると、Si基板とHgCdTe基板を接着する接着剤層
の厚さが薄く、且つ均一な厚さで接着されるので、両者
の基板を接続するInの金属バンプが位置ずれするような
ことが無くなり、高信頼度の赤外線検知装置が得られる
効果がある。
素子によると、Si基板とHgCdTe基板を接着する接着剤層
の厚さが薄く、且つ均一な厚さで接着されるので、両者
の基板を接続するInの金属バンプが位置ずれするような
ことが無くなり、高信頼度の赤外線検知装置が得られる
効果がある。
【００２９】また分離溝の内部に赤外線を吸収する赤外
線吸収膜のシールド膜を設けているので、所定の画素領
域に赤外線が入射されるようになり、高空間分解能な赤
外線検知装置が得られる効果がある。
線吸収膜のシールド膜を設けているので、所定の画素領
域に赤外線が入射されるようになり、高空間分解能な赤
外線検知装置が得られる効果がある。
【図１】 本発明の赤外線検知素子の説明図である。
【図２】 本発明の素子に用いる基板の説明図である。
【図３】 従来の赤外線検知装置の断面図である。
1 HgCdTe基板 7 支持基板 8 接着剤 11 検知素子アレイ溝 12 貫通孔 13 検知素子アレイ領域 14 画素画定溝 15 赤外線吸収膜 16 画素形成領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 7210−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 31/08 Ｎ
Claims (2)
- 【請求項１】 支持基板(7) 上に素子形成用の化合物半
導体基板(1) を接着剤(8) で接着し、該化合物半導体基
板(1) を薄層に加工して形成して成る赤外線検知素子に
於いて、 前記化合物半導体基板(1) の縦および横方向に所定の間
隔で設け、検知素子アレイの形成領域と成る検知素子ア
レイ領域(13)の周辺部に、前記接着剤(8) が流動する検
知素子アレイ溝(11)を設けるとともに、前記検知素子ア
レイ領域(13)の内部に形成した画素形成領域(16)の周辺
部に、前記検知素子アレイ溝(11)と接続し、前記接着剤
が流動する画素画定溝(14)を設け、 更に前記検知素子アレイ溝(11)の交点に貫通孔(12)を設
け、該貫通孔(12)を、前記支持基板(7) と化合物半導体
基板(1) の間に充填する接着剤(8) の内で余分な接着剤
を排気する排気口としたことを特徴とする赤外線検知素
子。 - 【請求項２】 請求項１記載の画素画定溝(14)を、赤外
線検知素子の画素分離領域に合致させ、前記画素画定溝
(14)内に赤外線吸収膜(15)を設けたことを特徴とする赤
外線検知素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4114429A JPH05315582A (ja) | 1992-05-07 | 1992-05-07 | 赤外線検知素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4114429A JPH05315582A (ja) | 1992-05-07 | 1992-05-07 | 赤外線検知素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315582A true JPH05315582A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14637500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4114429A Withdrawn JPH05315582A (ja) | 1992-05-07 | 1992-05-07 | 赤外線検知素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315582A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005214800A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線イメージセンサ |
| GB2434912A (en) * | 2005-12-21 | 2007-08-08 | Durham Scient Crystals Ltd | Semiconductor X-ray detector device structure |
| US8093671B2 (en) | 2005-12-21 | 2012-01-10 | Kromek Limited | Semiconductor device with a bulk single crystal on a substrate |
| US8968469B2 (en) | 2005-12-21 | 2015-03-03 | Kromek Limited | Semiconductor device and method of manufacture thereof |
-
1992
- 1992-05-07 JP JP4114429A patent/JPH05315582A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005214800A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線イメージセンサ |
| GB2434912A (en) * | 2005-12-21 | 2007-08-08 | Durham Scient Crystals Ltd | Semiconductor X-ray detector device structure |
| US8093671B2 (en) | 2005-12-21 | 2012-01-10 | Kromek Limited | Semiconductor device with a bulk single crystal on a substrate |
| US8093095B2 (en) | 2005-12-21 | 2012-01-10 | Kromek Limited | Semiconductor device with a bulk single crystal on a substrate |
| US8968469B2 (en) | 2005-12-21 | 2015-03-03 | Kromek Limited | Semiconductor device and method of manufacture thereof |
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|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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