JPS5893292A - 半導体放射線検出器の製造方法 - Google Patents
半導体放射線検出器の製造方法Info
- Publication number
- JPS5893292A JPS5893292A JP56192159A JP19215981A JPS5893292A JP S5893292 A JPS5893292 A JP S5893292A JP 56192159 A JP56192159 A JP 56192159A JP 19215981 A JP19215981 A JP 19215981A JP S5893292 A JPS5893292 A JP S5893292A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation detector
- electrode
- manufacturing
- semiconductor radiation
- semiconductor
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/29—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to radiation having very short wavelengths, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、１次元あるいは２次元の放射線強度分布を計
測することのできる半導体放射線検出器を製造する方法
に関する。
測することのできる半導体放射線検出器を製造する方法
に関する。
発明の技術的背景とその問題点
ているが、この検出器は通常次のようにして製造されて
いる。まず、第１図（ａ）に示す如く半導体基板１、信
号電極２およびアース電極３からなる表面障壁型単位検
出素子（Ａｕ −ｎｓ １−Ａ７）４を最初に複数個製
造し、これらの単位検出素子４を同図（ｂ）に示す如く
接着剤５を介してアクリル板６上に接着して製造されて
いる。このようなｆＭ造方法は単位検出素子４０寸法が
数〔傷、〕角の場合には合理法のある方法であるが、放
射線強度分布に対する高空間分解能が要求される場合に
は素子寸法が数（ｔｔｕｎ ）角辺下のものを多数個整
然と配置する必要があり、製造時間および製造コストの
点で極めて不利になる。
いる。まず、第１図（ａ）に示す如く半導体基板１、信
号電極２およびアース電極３からなる表面障壁型単位検
出素子（Ａｕ −ｎｓ １−Ａ７）４を最初に複数個製
造し、これらの単位検出素子４を同図（ｂ）に示す如く
接着剤５を介してアクリル板６上に接着して製造されて
いる。このようなｆＭ造方法は単位検出素子４０寸法が
数〔傷、〕角の場合には合理法のある方法であるが、放
射線強度分布に対する高空間分解能が要求される場合に
は素子寸法が数（ｔｔｕｎ ）角辺下のものを多数個整
然と配置する必要があり、製造時間および製造コストの
点で極めて不利になる。
発明の目的
本発明の目的は、製造工程が簡単で製造コストの面で有
利な１次元或いは２次元の半導体放射線検出器の製造方
法を提供することにある。
利な１次元或いは２次元の半導体放射線検出器の製造方
法を提供することにある。
発明の概要
本発明は、単一の半導体基板の表面に信号電極を形成す
ると共に、半導体基板の層面にアース電極を形成したの
ち、アース電極を接着剤を介して固定板に接着し、しか
るのち上記半導体基板および固定板を上記信号（極側か
ら溝切加工するようにした方法である。すなわち、単位
検出素子を独立して個々に製造するのではなく、比較的
大面積の半導体基板に信号電極およびアース電極を配設
してから固定板と接着剤で一体化し、その後信号電極側
からの溝切加圧によって単位検出領域を分離するように
した方法である。
ると共に、半導体基板の層面にアース電極を形成したの
ち、アース電極を接着剤を介して固定板に接着し、しか
るのち上記半導体基板および固定板を上記信号（極側か
ら溝切加工するようにした方法である。すなわち、単位
検出素子を独立して個々に製造するのではなく、比較的
大面積の半導体基板に信号電極およびアース電極を配設
してから固定板と接着剤で一体化し、その後信号電極側
からの溝切加圧によって単位検出領域を分離するように
した方法である。
発明の効果
本発明によれば、単位検出素子を複数個製造したのちこ
れらを固定板に接着する方法に比して、その工程が簡略
化され製造時間の短縮ｆヒをはかり？８る。さらに、素
子方法が数（ｒｔｔｓ ）以下のものを多数個配置する
場合にあっても、比較的短い時間で容易に実現すること
ができる。つまり、放射線強度分布を高空間分解能で計
測できる１次元成いは２次元の半導体放射線検出器を短
時間で、かつ低コストで製造し１尋る等の効果を泰する
。
れらを固定板に接着する方法に比して、その工程が簡略
化され製造時間の短縮ｆヒをはかり？８る。さらに、素
子方法が数（ｒｔｔｓ ）以下のものを多数個配置する
場合にあっても、比較的短い時間で容易に実現すること
ができる。つまり、放射線強度分布を高空間分解能で計
測できる１次元成いは２次元の半導体放射線検出器を短
時間で、かつ低コストで製造し１尋る等の効果を泰する
。
発明の実施例
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第２図（ａ）〜（ｅｌは本発明の一実施例に係わる半導
体孜射線検出器製造工程を示す断面図である。
体孜射線検出器製造工程を示す断面図である。
まず、第Ｖ図（ａ）に示す如く半導体基板（ｎ−８ｉ）
１１の表面に分＾１している信号電極（Ａｕ ） １２
を広庸すると共に、慢面；ニアース電極（Ａ、Ａ）ｚ、
ｙを蒸着する。次に、第Ｖ図（ｂｌ Ｉ”−示す如く半
導体基板１）の裏面側、つまりアース電極１３を導電性
接着剤１４を介して金属性固定板（Ｐｂ）１５に接着す
る。次いで−ＣＯ，レーザ、Ｙ Ａ、 Ｇし検出頭載を
分≠Ｗする。しかるのち、第Ｖ鞠（ｄｌに示す如く信号
電極端子１６およびアース覗極端子１７を取着し、最後
に同図（ｅｌに示す如く溝にコリメータ１８を挿入固定
することによって半導体放射線検出器が形成される。そ
して、この検出器は第２図（ｅ）に示す如く紙面上方向
から入射される放射線の強１髪分布計測に用いられる。
１１の表面に分＾１している信号電極（Ａｕ ） １２
を広庸すると共に、慢面；ニアース電極（Ａ、Ａ）ｚ、
ｙを蒸着する。次に、第Ｖ図（ｂｌ Ｉ”−示す如く半
導体基板１）の裏面側、つまりアース電極１３を導電性
接着剤１４を介して金属性固定板（Ｐｂ）１５に接着す
る。次いで−ＣＯ，レーザ、Ｙ Ａ、 Ｇし検出頭載を
分≠Ｗする。しかるのち、第Ｖ鞠（ｄｌに示す如く信号
電極端子１６およびアース覗極端子１７を取着し、最後
に同図（ｅｌに示す如く溝にコリメータ１８を挿入固定
することによって半導体放射線検出器が形成される。そ
して、この検出器は第２図（ｅ）に示す如く紙面上方向
から入射される放射線の強１髪分布計測に用いられる。
なおコリメータ１８はＷ板に絶縁被膜をコーティングし
たものである。
たものである。
このように本実施例方法によれば、空間的に分離された
単位検出領域を有する１次元の半導体放射線検出器を簡
易な工程で容易に製造することができる。このため、半
導体放射線検出器の製造コストの低減化および製造時間
の短縮化をはかり鳴る。
単位検出領域を有する１次元の半導体放射線検出器を簡
易な工程で容易に製造することができる。このため、半
導体放射線検出器の製造コストの低減化および製造時間
の短縮化をはかり鳴る。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、前記半導体基板としては８ｉの他にＧａＡ
ｓ 、 ＣｄＴｅ 、 Ｇｅ或いはＨｇＩ。
い。例えば、前記半導体基板としては８ｉの他にＧａＡ
ｓ 、 ＣｄＴｅ 、 Ｇｅ或いはＨｇＩ。
等を用いることができる。さらに、半導体放射線検出器
の種類としては１表面障壁型に限らずＰＮ型やＰＩＮ型
にも適用することができる。
の種類としては１表面障壁型に限らずＰＮ型やＰＩＮ型
にも適用することができる。
できる。この場合、予め単位検出軸域を２次元的に分離
するか、或いは第３図に示す如く１次元検出器２０を複
数個使用すればよい。（放射線の入射方向は紙面に垂直
）その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形
して実施することができる。
するか、或いは第３図に示す如く１次元検出器２０を複
数個使用すればよい。（放射線の入射方向は紙面に垂直
）その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形
して実施することができる。
第１図（ａ）（ｂ）は従来の半導体放射線検出器製造工
程を示す断面図、第２図（ａｌ〜（ｅｌは本発明の−実
施例方法に係わる半纏体放射脈検出器製造工程を示す断
面図、第３図は変形例を示す…ｆ面図である。 １１・・・半導体基板（ｎ−８ｉ）、１２・・・信号膚
働（Ａ、 ｕ ）、１３−・・アース’ａｔ極（Ａり、
１４・・・搏濱性接盾剤、１５・・・固定板（Ｐｂ）、
１６・・・イぎ号゛ゼ極端子、１７・・・アース虐極端
子、１８・・・コリメータ、２０・・・単位検出器。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦４３９−
程を示す断面図、第２図（ａｌ〜（ｅｌは本発明の−実
施例方法に係わる半纏体放射脈検出器製造工程を示す断
面図、第３図は変形例を示す…ｆ面図である。 １１・・・半導体基板（ｎ−８ｉ）、１２・・・信号膚
働（Ａ、 ｕ ）、１３−・・アース’ａｔ極（Ａり、
１４・・・搏濱性接盾剤、１５・・・固定板（Ｐｂ）、
１６・・・イぎ号゛ゼ極端子、１７・・・アース虐極端
子、１８・・・コリメータ、２０・・・単位検出器。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦４３９−
Claims (4)
- （１）空間的に分離された単位検出領域を有し、１次元
或いは２次元の放射線強度分布の計測に供される半導体
放射線検出器をｉｌ！！！漬するに際し、単一の半導体
基板の表面に信号電極を形成する工程と、上記半導体基
板の裏面にアース電極を形成する工程と、上記アース電
極を接着剤を介して固定板に接着する工程と、前記半導
体基板および固定板を前記信号電極（ＩＩｌｌから溝切
加工する工程とを具備したことを特徴とする半導体放射
線検出器の製造方法。 - （２）前記信号電極を形成する工程は、空間的にあらか
じめ分離されている信号電極を形成することである特許
請求の範囲第１項記載の半導体放射線検出器の製造方法
。 - （３） 前記アース電極側に固定板をＷ看する接着剤
として、導電性接着剤を用いたことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の半導体放射線検出器の製造方法。 - （４）前記アース電極側に接着する固定板として、金属
性固定板を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の半導体放射線検出器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56192159A JPS5893292A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 半導体放射線検出器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56192159A JPS5893292A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 半導体放射線検出器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5893292A true JPS5893292A (ja) | 1983-06-02 |
Family
ID=16286670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56192159A Pending JPS5893292A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 半導体放射線検出器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5893292A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60124879A (ja) * | 1983-12-08 | 1985-07-03 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 多チャンネル形放射線検出器及びその製造方法 |
| JPH02260466A (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体放射線検出器 |
| US8044476B2 (en) | 2003-12-16 | 2011-10-25 | National University Corporation Shizuoka University | Wide range radiation detector and manufacturing method |
| JP2022105985A (ja) * | 2021-01-05 | 2022-07-15 | ジーイー・プレシジョン・ヘルスケア・エルエルシー | 付加方式で三次元プリントされた部品からの金属粒子漏出を軽減するシステム及び方法 |
-
1981
- 1981-11-30 JP JP56192159A patent/JPS5893292A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60124879A (ja) * | 1983-12-08 | 1985-07-03 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 多チャンネル形放射線検出器及びその製造方法 |
| JPH02260466A (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体放射線検出器 |
| US8044476B2 (en) | 2003-12-16 | 2011-10-25 | National University Corporation Shizuoka University | Wide range radiation detector and manufacturing method |
| JP2022105985A (ja) * | 2021-01-05 | 2022-07-15 | ジーイー・プレシジョン・ヘルスケア・エルエルシー | 付加方式で三次元プリントされた部品からの金属粒子漏出を軽減するシステム及び方法 |
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