JPH05315701A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
- Publication number
- JPH05315701A JPH05315701A JP4118688A JP11868892A JPH05315701A JP H05315701 A JPH05315701 A JP H05315701A JP 4118688 A JP4118688 A JP 4118688A JP 11868892 A JP11868892 A JP 11868892A JP H05315701 A JPH05315701 A JP H05315701A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- junction
- optical semiconductor
- semiconductor device
- type
- ridge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
- H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06203—Transistor-type lasers
- H01S5/06206—Controlling the frequency of the radiation, e.g. tunable twin-guide lasers [TTG]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/095—Laser devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/956—Making multiple wavelength emissive device
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光半導体素子の高性能化、駆動回路の簡略
化、精密調整の不要化、安定化を目的とする。 【構成】 接合部もしくはその一部において活性領域を
共有する独立分離された基板１０面に垂直な第１の接合
Ａ1,Ａ2と、第２の接合Ｂ1,Ｂ2を設けることにより、第
２の接合Ｂ1,Ｂ2で素子の駆動を第１の接合Ａ1,Ａ2で素
子の制御を行なう。
化、精密調整の不要化、安定化を目的とする。 【構成】 接合部もしくはその一部において活性領域を
共有する独立分離された基板１０面に垂直な第１の接合
Ａ1,Ａ2と、第２の接合Ｂ1,Ｂ2を設けることにより、第
２の接合Ｂ1,Ｂ2で素子の駆動を第１の接合Ａ1,Ａ2で素
子の制御を行なう。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信、光情報処理等
の分野に広く利用される光半導体装置に関する。
の分野に広く利用される光半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】本発明の１つの適用例として波長可変レ
ーザがある。波長可変レーザの従来の技術の代表例とし
て1990年電子情報通信学会秋季全国大会予稿４ー１４９
があげられる。図７は１素子の導波路方向での断面概略
図である。図に示すように４電極タンデム型ＤＢＲレー
ザで電流注入によりＤＢＲ領域73の回折格子部分75の実
効屈折率を変えることにより共振波長を変えるものであ
る。調整用に位相制御領域72を設けそこへの第３の注入
電流が必要である。また、レーザの活性領域71の他に変
調領域74が設けられている。
ーザがある。波長可変レーザの従来の技術の代表例とし
て1990年電子情報通信学会秋季全国大会予稿４ー１４９
があげられる。図７は１素子の導波路方向での断面概略
図である。図に示すように４電極タンデム型ＤＢＲレー
ザで電流注入によりＤＢＲ領域73の回折格子部分75の実
効屈折率を変えることにより共振波長を変えるものであ
る。調整用に位相制御領域72を設けそこへの第３の注入
電流が必要である。また、レーザの活性領域71の他に変
調領域74が設けられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前述の従来技術の代表
例では、図７に示されているように波長を変えるための
ＤＢＲ領域73への電流注入の他に位相を調整するための
位相制御領域72を設けて電流注入する必要がある。この
位相調整を行わないと一定の安定出力が得られない。従
って、位相制御領域72への微妙な電流注入によるバラン
スが必要であるため、安定動作のためには個々の厳密な
調整が必要であるばかりでなく温度制御を厳密に行う必
要がある。さらに、このように微妙なバランス動作であ
るため活性領域71への電流注入による直接変調は不可能
であり図のように電界による吸収率変化を利用した変調
領域74を設けて独立に変調信号を入力しなければならな
い。
例では、図７に示されているように波長を変えるための
ＤＢＲ領域73への電流注入の他に位相を調整するための
位相制御領域72を設けて電流注入する必要がある。この
位相調整を行わないと一定の安定出力が得られない。従
って、位相制御領域72への微妙な電流注入によるバラン
スが必要であるため、安定動作のためには個々の厳密な
調整が必要であるばかりでなく温度制御を厳密に行う必
要がある。さらに、このように微妙なバランス動作であ
るため活性領域71への電流注入による直接変調は不可能
であり図のように電界による吸収率変化を利用した変調
領域74を設けて独立に変調信号を入力しなければならな
い。
【０００４】このように、４単位素子の複合素子である
ための回路の複雑さ、個々の微妙な調整が必要であるこ
と、厳密な温度制御が必要であることが重大な課題であ
る。また、代表例と同様の従来類似素子に関してもこの
ような課題がある。
ための回路の複雑さ、個々の微妙な調整が必要であるこ
と、厳密な温度制御が必要であることが重大な課題であ
る。また、代表例と同様の従来類似素子に関してもこの
ような課題がある。
【０００５】そこで本発明は、高性能化、駆動回路の簡
略化、精密調整の不要化、安定化した光半導体装置を提
供することを目的とする。
略化、精密調整の不要化、安定化した光半導体装置を提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前述のような課題を解決
するため、従来技術の代表例に見られるような活性領域
以外の領域でレーザの発振条件を制御調整するのではな
く、下記のように直接活性領域でレーザの発振条件を制
御する手段を嵩じることである。
するため、従来技術の代表例に見られるような活性領域
以外の領域でレーザの発振条件を制御調整するのではな
く、下記のように直接活性領域でレーザの発振条件を制
御する手段を嵩じることである。
【０００７】即ち、本発明の提供する手段は、直接活性
領域でレーザの発振条件を制御するために接合部もしく
はその一部において活性領域を共有する独立の２つの接
合を設ける手段である。これにより、第１の接合への印
加電圧で活性領域の状態を制御するとともに第２の接合
を用いて電流注入によるレーザ発振させることが可能と
なる。さらに、前記の独立の２つの接合を設ける具体的
手段は以下の通りである。接合部もしくはその一部を共
有する２つの接合を独立に設けるために、第１の接合は
基板面に垂直にもしくは平行に第２の接合は基板面に平
行にもしくは垂直にして、かつ接合部もしくはその一部
で交わるようにしその交点に活性領域を設けることであ
る。さらに、本発明は前記２つの接合の独立分離をはか
るための具体的手段として、基板面に平行な第１もしく
は第２の接合をリッジ状に作製した後、リッジの両側に
基板面に垂直な前記第２もしくは第１の接合を形成する
前にリッジの両側の前記第１もしくは第２の接合を構成
する結晶およびその後形成する基板面に垂直な第２もし
く第１の接合を構成する結晶よりバンドギャップが大き
くキャリア濃度の低い結晶を堆積する手段を提供する。
領域でレーザの発振条件を制御するために接合部もしく
はその一部において活性領域を共有する独立の２つの接
合を設ける手段である。これにより、第１の接合への印
加電圧で活性領域の状態を制御するとともに第２の接合
を用いて電流注入によるレーザ発振させることが可能と
なる。さらに、前記の独立の２つの接合を設ける具体的
手段は以下の通りである。接合部もしくはその一部を共
有する２つの接合を独立に設けるために、第１の接合は
基板面に垂直にもしくは平行に第２の接合は基板面に平
行にもしくは垂直にして、かつ接合部もしくはその一部
で交わるようにしその交点に活性領域を設けることであ
る。さらに、本発明は前記２つの接合の独立分離をはか
るための具体的手段として、基板面に平行な第１もしく
は第２の接合をリッジ状に作製した後、リッジの両側に
基板面に垂直な前記第２もしくは第１の接合を形成する
前にリッジの両側の前記第１もしくは第２の接合を構成
する結晶およびその後形成する基板面に垂直な第２もし
く第１の接合を構成する結晶よりバンドギャップが大き
くキャリア濃度の低い結晶を堆積する手段を提供する。
【０００８】さらに、前記の第１の接合によりより有効
に前記活性領域の状態を制御する手段として活性領域に
量子閉じ込めシュタルク効果のある多重量子井戸を用い
ることである。
に前記活性領域の状態を制御する手段として活性領域に
量子閉じ込めシュタルク効果のある多重量子井戸を用い
ることである。
【０００９】
【作用】本発明は、波長可変レーザなどの光半導体装置
に関する新規構造とその作製法を提供するもであり、高
性能化、駆動回路の簡略化、精密調整の不要化、精密温
度制御の不要化、安定化に有効に作用する。
に関する新規構造とその作製法を提供するもであり、高
性能化、駆動回路の簡略化、精密調整の不要化、精密温
度制御の不要化、安定化に有効に作用する。
【００１０】さらに、駆動領域と制御領域が同一領域で
あり、駆動制御回路簡略化され、また個々の精密な調整
が不要となるため高密度集積、信頼性の向上に有効に作
用する。
あり、駆動制御回路簡略化され、また個々の精密な調整
が不要となるため高密度集積、信頼性の向上に有効に作
用する。
【００１１】
【実施例】本発明の実施例１を図１〜図５により説明す
る。図１〜図４は作製工程の途中におけるそれぞれの段
階における断面図、図５は完成した光半導体装置の斜視
図である。作製工程を順次説明する。図１に示すよう
に、（１００）ｎ型GaAs基板10上にｎ型GaAsバッファー
層11、厚さ５μmのｎ型Al0.3 Ga0.7 Asクラッド層12、
アンドープ多重量子井戸層（厚さ50ＡのGaAs井戸と厚さ
100ＡのAl0.2 Ga0.8Asバリアー層１０対）13，厚さ２
μmのｐ型Al0.3 Ga0.7 Asクラッド層14、厚さ１μmのｐ
型GaAsキャップ層15を成長する。次に、周期 500μm幅
２μmの SiO2ストライプパターンマスク21をフォトリソ
グラフィにより形成し、湿式エッチングを用いてｎ型Al
0.3 Ga0.7 Asクラッド層12までエッチングして図２に示
すように多重量子井戸を接合部に持つ基板面に垂直な第
１の接合Ａ1,Ａ2が形成されているリッジ構造22を作製
する。ここで、 SiO2 ストライプパターンマスク21は除
去せずに次の工程における選択成長のマスクとして使用
する。前記リッジ構造22の両側に厚さ３μmのアンドー
プAl0.5 Ga0.5 As層31を選択成長した後リッジ構造22の
一方の側を SiO2 膜でマスクし、他方の側を選択成長に
より厚さ４μmのｎ型Al0.3 Ga0.7 As層32、厚さ１μmの
ｎ型GaAsキャップ層33を成長する。次に、リッジ構造22
の一方の側の SiO2 マスクを除去し他方の選択成長した
側を SiO2 マスクでカバーして厚さ４μmのｐ型Al0.3 G
a0.7 As層34、厚さ１μmのｐ型GaAsキャップ層35を選択
成長することによりリッジ構造22を完全に埋込む。これ
により基板面に垂直な第１の接合部である多重量子井戸
層を接合部とする基板面に平行な第２の接合Ｂ1,Ｂ2が
作製される。しかる後に SiO2 マスクを除去し、フォト
リソグラフィを用いてリッジ構造の両側幅 100μmの領
域をｎ型およびｐ型GaAsキャップ層33、35を除去する。
次いで、リッジ構造の両側幅75μmの領域に SiO2 膜41
を付着し、リッジ構造22の直上に幅 100μmの第１の接
合のｐ型電極42を、また、リッジ構造22の両側のｎ型お
よびｐ型GaAsキャップ層33、35の表面にそれぞれ第２の
接合のｎ型およびｐ型電極43、44を、さらに、ｎ型GaAs
基板10の裏面には第１の接合のｎ型電極45を形成する。
最後にリッジ構造22のストライプ方向に、リッジ構造22
が中心になるようにして周期 500μmでスクライビング
してバー状にした後、リッジ構造22のストライプ方向と
垂直に周期 300μmで劈開する。このようにして、光半
導体装置の作製が完了する。ここでは、リッジ形成後の
基板面に平行な第２の接合Ｂ1,Ｂ2を作製するための再
成長を３回行っているが基板面に平行な第２の接合を構
成するリッジ構造22の両側のｎ型およびｐ型Al0.3 Ga0.
7 As層のドーピング手段として拡散法もしくはイオン注
入法を用いれば、このための再成長は１回で済むことは
明白である。また、基板面に垂直な第１の接合Ａ１,Ａ
２と基板面に平行な第２の接合と分離をさらに向上させ
るために図６に示すように前記の２つの接合を形成後
（図３）、リッジ構造の両側をエッチングし溝を形成す
る。その溝をアンドープAl0.5 Ga0.5 As層61で選択再成
長を行って埋込めば一層特性の改善が期待される。勿
論、溝のままで装置を作製しても良い。このようにし
て、作製した光半導体装置特性は以下の通りである。基
板面に平行な第２の接合に対するｐおよびｎ電極44、43
へ順方向バイアスを印加し電流注入して多重量子井戸活
性層のレーザを駆動する。このときの発振波長は、基板
面に垂直な第１の接合に対するｐおよびｎ電極42、45 間
に逆バイアスを印加しそのバイアス電圧を増大していく
と、長波長側にシフトし20Ｖの時およそ 100Ａのシフト
が見られる。また、シフトの応答速度は１ns以下で、シ
フト後の波長変動（ゆらぎや振動）は見られず、また出
力の大幅な変動も起こらない。以上のように、高速で安
定した波長可変を行うことができる。また、本実施例で
はGaAs／AlGaAs系のレーザを用いたが、同様の効果はIn
P ／InGaAsP 系のなどほかの半導体レーザを用いても有
効に発揮されることは明白である。
る。図１〜図４は作製工程の途中におけるそれぞれの段
階における断面図、図５は完成した光半導体装置の斜視
図である。作製工程を順次説明する。図１に示すよう
に、（１００）ｎ型GaAs基板10上にｎ型GaAsバッファー
層11、厚さ５μmのｎ型Al0.3 Ga0.7 Asクラッド層12、
アンドープ多重量子井戸層（厚さ50ＡのGaAs井戸と厚さ
100ＡのAl0.2 Ga0.8Asバリアー層１０対）13，厚さ２
μmのｐ型Al0.3 Ga0.7 Asクラッド層14、厚さ１μmのｐ
型GaAsキャップ層15を成長する。次に、周期 500μm幅
２μmの SiO2ストライプパターンマスク21をフォトリソ
グラフィにより形成し、湿式エッチングを用いてｎ型Al
0.3 Ga0.7 Asクラッド層12までエッチングして図２に示
すように多重量子井戸を接合部に持つ基板面に垂直な第
１の接合Ａ1,Ａ2が形成されているリッジ構造22を作製
する。ここで、 SiO2 ストライプパターンマスク21は除
去せずに次の工程における選択成長のマスクとして使用
する。前記リッジ構造22の両側に厚さ３μmのアンドー
プAl0.5 Ga0.5 As層31を選択成長した後リッジ構造22の
一方の側を SiO2 膜でマスクし、他方の側を選択成長に
より厚さ４μmのｎ型Al0.3 Ga0.7 As層32、厚さ１μmの
ｎ型GaAsキャップ層33を成長する。次に、リッジ構造22
の一方の側の SiO2 マスクを除去し他方の選択成長した
側を SiO2 マスクでカバーして厚さ４μmのｐ型Al0.3 G
a0.7 As層34、厚さ１μmのｐ型GaAsキャップ層35を選択
成長することによりリッジ構造22を完全に埋込む。これ
により基板面に垂直な第１の接合部である多重量子井戸
層を接合部とする基板面に平行な第２の接合Ｂ1,Ｂ2が
作製される。しかる後に SiO2 マスクを除去し、フォト
リソグラフィを用いてリッジ構造の両側幅 100μmの領
域をｎ型およびｐ型GaAsキャップ層33、35を除去する。
次いで、リッジ構造の両側幅75μmの領域に SiO2 膜41
を付着し、リッジ構造22の直上に幅 100μmの第１の接
合のｐ型電極42を、また、リッジ構造22の両側のｎ型お
よびｐ型GaAsキャップ層33、35の表面にそれぞれ第２の
接合のｎ型およびｐ型電極43、44を、さらに、ｎ型GaAs
基板10の裏面には第１の接合のｎ型電極45を形成する。
最後にリッジ構造22のストライプ方向に、リッジ構造22
が中心になるようにして周期 500μmでスクライビング
してバー状にした後、リッジ構造22のストライプ方向と
垂直に周期 300μmで劈開する。このようにして、光半
導体装置の作製が完了する。ここでは、リッジ形成後の
基板面に平行な第２の接合Ｂ1,Ｂ2を作製するための再
成長を３回行っているが基板面に平行な第２の接合を構
成するリッジ構造22の両側のｎ型およびｐ型Al0.3 Ga0.
7 As層のドーピング手段として拡散法もしくはイオン注
入法を用いれば、このための再成長は１回で済むことは
明白である。また、基板面に垂直な第１の接合Ａ１,Ａ
２と基板面に平行な第２の接合と分離をさらに向上させ
るために図６に示すように前記の２つの接合を形成後
（図３）、リッジ構造の両側をエッチングし溝を形成す
る。その溝をアンドープAl0.5 Ga0.5 As層61で選択再成
長を行って埋込めば一層特性の改善が期待される。勿
論、溝のままで装置を作製しても良い。このようにし
て、作製した光半導体装置特性は以下の通りである。基
板面に平行な第２の接合に対するｐおよびｎ電極44、43
へ順方向バイアスを印加し電流注入して多重量子井戸活
性層のレーザを駆動する。このときの発振波長は、基板
面に垂直な第１の接合に対するｐおよびｎ電極42、45 間
に逆バイアスを印加しそのバイアス電圧を増大していく
と、長波長側にシフトし20Ｖの時およそ 100Ａのシフト
が見られる。また、シフトの応答速度は１ns以下で、シ
フト後の波長変動（ゆらぎや振動）は見られず、また出
力の大幅な変動も起こらない。以上のように、高速で安
定した波長可変を行うことができる。また、本実施例で
はGaAs／AlGaAs系のレーザを用いたが、同様の効果はIn
P ／InGaAsP 系のなどほかの半導体レーザを用いても有
効に発揮されることは明白である。
【００１２】
【発明の効果】本発明による手段を用いて作製した光半
導体装置では活性層を接合部で共有した独立に駆動可能
な２つの接合を導入し、それぞれの接合を用いて素子の
駆動と制御を可能にすることにより、従来技術の課題で
ある、４電極素子であるための回路の複雑さ、個々の微
妙な調整が必要であること、厳密な温度制御が必要であ
ることなどを解決し、駆動回路の簡略化や困難な精密調
整を不要とし安定な高速動作が実現できるなどの効果が
あり、光通信や光情報処理に用いる高性能光半導体装置
の性能向上およびその実現に寄与するものである。
導体装置では活性層を接合部で共有した独立に駆動可能
な２つの接合を導入し、それぞれの接合を用いて素子の
駆動と制御を可能にすることにより、従来技術の課題で
ある、４電極素子であるための回路の複雑さ、個々の微
妙な調整が必要であること、厳密な温度制御が必要であ
ることなどを解決し、駆動回路の簡略化や困難な精密調
整を不要とし安定な高速動作が実現できるなどの効果が
あり、光通信や光情報処理に用いる高性能光半導体装置
の性能向上およびその実現に寄与するものである。
【図１】本発明の一実施例の光半導体装置の製造工程断
面図
面図
【図２】本発明の一実施例の光半導体装置の製造工程断
面図
面図
【図３】本発明の一実施例の光半導体装置の製造工程断
面図
面図
【図４】本発明の一実施例の光半導体装置の製造工程断
面図
面図
【図５】本発明の一実施例の光半導体装置の斜視図
【図６】本発明の一実施例の光半導体装置の改良製造工
程断面図
程断面図
【図７】従来技術による代表例の光半導体装置の断面概
要図
要図
１０ （１００）ｎ型GaAs基板 １１ ｎ型GaAsバッファ層 １２ ｎ型Al0.3 Ga0.7 Asクラッド層 １３ アンドープ多重量子井戸層 １４ ｐ型Al0.3 Ga0.7 Asクラッド層 １５ ｐ型GaAsキャップ層 ２１ SiO2 ストライプパターンマスク ２２ リッジ構造 ３１ アンドープAl0.5 Ga0.5 As層 ３２ ｎ型Al0.3 Ga0.7 As層 ３３ ｎ型GaAsキャップ層 ３４ ｐ型Al0.3 Ga0.7 As層 ３５ ｐ型GaAsキャップ層 ４１ SiO2 膜 ４２ 第１の接合のｐ型電極 ４３ 第２の接合のｎ型電極 ４４ 第２の接合のｐ型電極 ４５ 第１の接合のｎ型電極 ６１ アンドープAl0.5 Ga0.5 As層 ７１ 活性領域 ７２ 位相制御領域 ７３ ＤＢＲ領域 ７４ 変調領域 ７５ 回折格子部分
Claims (3)
- 【請求項１】接合部もしくその一部を共有する基板面に
垂直な接合方向の第１の接合と、前記基板面に平行な接
合方向の第２の接合とを有し、前記第１の接合で素子を
駆動し、前記第２の接合で素子制御することを特徴とす
る光半導体装置。 - 【請求項２】接合部に量子閉じ込めシュタルク効果を生
じさせるための多重量子井戸層を用いることを特徴する
請求項１記載の光半導体装置。 - 【請求項３】第１の接合をリッジ状に形成したのち、前
記リッジの両側面に前記第１の接合を構成している結晶
よりバンドギャップが大きくキャリア濃度の低い結晶を
前記第１の接合の接合面に当該の結晶表面が到達するこ
となく堆積し、次いで前記リッジの一方の側に前記第１
の接合を構成している結晶よりバンドギャップが大きい
ｐ型結晶を、他方の側に前記第１の接合を構成している
結晶よりバンドギャップが大きいｎ型結晶を堆積するこ
とにより第２の接合を形成したことをを特徴とする請求
項１記載の光半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4118688A JPH05315701A (ja) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | 光半導体装置 |
| US08/213,456 US5397740A (en) | 1992-05-12 | 1994-03-14 | Method of making an optical semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4118688A JPH05315701A (ja) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315701A true JPH05315701A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14742726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4118688A Pending JPH05315701A (ja) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | 光半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5397740A (ja) |
| JP (1) | JPH05315701A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0704913B1 (en) * | 1994-09-28 | 1999-09-01 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical semiconductor device and method of fabricating the same |
| JP6895690B2 (ja) * | 2019-06-25 | 2021-06-30 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 半導体レーザ |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5681994A (en) * | 1979-12-07 | 1981-07-04 | Seiji Yasu | Field effect type semiconductor laser and manufacture thereof |
| JPS6077486A (ja) * | 1983-10-05 | 1985-05-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ素子の製造方法 |
| US4700353A (en) * | 1985-08-12 | 1987-10-13 | Cornell Research Foundation, Inc. | Active modulation of quantum well lasers by energy shifts in gain spectra with applied electric field |
| JPH0642585B2 (ja) * | 1989-06-20 | 1994-06-01 | 光計測技術開発株式会社 | 半導体レーザ |
| US5084894A (en) * | 1989-06-20 | 1992-01-28 | Optical Measurement Technology Development Co., Ltd. | Optical semiconductor device |
| US5202896A (en) * | 1991-07-16 | 1993-04-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Bipolar inversion channel field effect transistor laser |
| US5224115A (en) * | 1991-07-17 | 1993-06-29 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Distributed feedback laser implemented using an active lateral grating |
-
1992
- 1992-05-12 JP JP4118688A patent/JPH05315701A/ja active Pending
-
1994
- 1994-03-14 US US08/213,456 patent/US5397740A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5397740A (en) | 1995-03-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0663710B1 (en) | Optical semiconductor device and method for producing the same | |
| JPH0817263B2 (ja) | 干渉計半導体レーザ | |
| JPS61196592A (ja) | 複合共振器型半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
| JPS621296A (ja) | 多端子型半導体レ−ザ素子 | |
| JP2000058958A (ja) | 多波長面発光半導体レーザアレイ | |
| EP4122062B1 (en) | Electroabsorption modulated laser | |
| US5397740A (en) | Method of making an optical semiconductor device | |
| JP3387751B2 (ja) | 偏波変調可能な半導体レーザ及びその製造方法 | |
| KR100377184B1 (ko) | 이득 결합형 단일모드 반도체 레이저 및 그 제조방법 | |
| JPH03227086A (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JP2687884B2 (ja) | 波長可変半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPS63124484A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPH01186693A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS6284583A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ | |
| JPS62173790A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH046113B2 (ja) | ||
| JPS63122188A (ja) | 光半導体装置 | |
| WO2025022644A1 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH03105992A (ja) | 光半導体素子 | |
| JPS61220389A (ja) | 集積型半導体レ−ザ | |
| JPS6221286A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS61212082A (ja) | 集積型半導体レ−ザ | |
| JPS6062177A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH02237190A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS6265490A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ |