JPH05315873A - 送信電力制御回路およびalc回路つき送信電力増幅装置 - Google Patents
送信電力制御回路およびalc回路つき送信電力増幅装置Info
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- JPH05315873A JPH05315873A JP11437492A JP11437492A JPH05315873A JP H05315873 A JPH05315873 A JP H05315873A JP 11437492 A JP11437492 A JP 11437492A JP 11437492 A JP11437492 A JP 11437492A JP H05315873 A JPH05315873 A JP H05315873A
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title claims abstract description 54
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 37
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】被送信電力制御回路の出力レベルが出力レベル
検出用RF検波器の周波数特性により一定に保たれなく
なることを解消する。 【構成】ALC回路つき送信電力増幅装置は、入力端子
1に入力されるRF信号レベルが変化しても出力端子5
における出力レベル一定値に保つ。従来のALC回路
は、基準電圧を発生する基準電圧発生器7とカップラ4
およびダイオード9からなる第1RF検波回路と比較増
幅器8とを含む。この実施例は、カップラ2およびダイ
オード6からなり検波電圧Vdを生じる第1RF検波回
路と同じ周波数特性の第2RF検波回路と、上記基準電
圧に検波電圧Vdを加算し、これを新たな基準電圧Va
とする加算器10をさらに含む。
検出用RF検波器の周波数特性により一定に保たれなく
なることを解消する。 【構成】ALC回路つき送信電力増幅装置は、入力端子
1に入力されるRF信号レベルが変化しても出力端子5
における出力レベル一定値に保つ。従来のALC回路
は、基準電圧を発生する基準電圧発生器7とカップラ4
およびダイオード9からなる第1RF検波回路と比較増
幅器8とを含む。この実施例は、カップラ2およびダイ
オード6からなり検波電圧Vdを生じる第1RF検波回
路と同じ周波数特性の第2RF検波回路と、上記基準電
圧に検波電圧Vdを加算し、これを新たな基準電圧Va
とする加算器10をさらに含む。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は送信電力増幅装置等の送
信出力レベレを制御する送信電力制御回路およびこの回
路を適用した自動出力レベル制御(ALC)回路つき送
信電力増幅装置に関し、特に周波数特性をもつRF検波
器を出力レベル検出器に用いる上記回路および装置の周
波数特性改良に関する。
信出力レベレを制御する送信電力制御回路およびこの回
路を適用した自動出力レベル制御(ALC)回路つき送
信電力増幅装置に関し、特に周波数特性をもつRF検波
器を出力レベル検出器に用いる上記回路および装置の周
波数特性改良に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種の送信電力制御回路および
この回路を適用したALC回路つき送信電力増幅装置に
ついて図2のブロック図を参照して説明する。
この回路を適用したALC回路つき送信電力増幅装置に
ついて図2のブロック図を参照して説明する。
【0003】入力端子1から送信電力レベルが制御され
るべき送信電力増幅器3の信号入力端31に供給された
高周波(RF)信号は、この増幅器3によって増幅され
信号出力端33を経て出力端子5に出力される。なお、
この増幅器3の利得は制御端32に印加される制御電圧
によって制御される。RF検波器19は、送信電力増幅
器3の出力端33におけるRF信号レベル(RF出力レ
ベル)に応じてRF信号を検波して直流電圧(検波電
圧)に変換する。比較増幅器8は、基準電圧発生器7か
ら印加された基準電圧とRF検波器19からの検波電圧
とを比較し、基準電圧より検波電圧の方が低ければ基準
電圧より高い制御電圧を送信電力増幅器3の制御端32
に与え、基準電圧より検波電圧の方が高ければ基準電圧
より低い制御電圧を制御端32に与える。すなわち、上
記RF出力レベルが基準電圧に相当する出力レベルより
低ければ、検波電圧が低いことになり、制御端32には
より高い制御電圧が印加される。するとRF出力レベル
が上がり、つれて検波電圧が高くなり、また制御端32
に加えられる制御電圧が低くなってRF出力レベルが下
がる。これを繰り返しながら出力端子5(信号出力端3
3)におけるRF出力レベルは基準電圧に相当する出力
レベルで安定する。上述の自動出力レベル制御(AL
C)ループにより、基準電圧が決まれば送信電力増幅器
3の出力レベルが一定に保たれる。
るべき送信電力増幅器3の信号入力端31に供給された
高周波(RF)信号は、この増幅器3によって増幅され
信号出力端33を経て出力端子5に出力される。なお、
この増幅器3の利得は制御端32に印加される制御電圧
によって制御される。RF検波器19は、送信電力増幅
器3の出力端33におけるRF信号レベル(RF出力レ
ベル)に応じてRF信号を検波して直流電圧(検波電
圧)に変換する。比較増幅器8は、基準電圧発生器7か
ら印加された基準電圧とRF検波器19からの検波電圧
とを比較し、基準電圧より検波電圧の方が低ければ基準
電圧より高い制御電圧を送信電力増幅器3の制御端32
に与え、基準電圧より検波電圧の方が高ければ基準電圧
より低い制御電圧を制御端32に与える。すなわち、上
記RF出力レベルが基準電圧に相当する出力レベルより
低ければ、検波電圧が低いことになり、制御端32には
より高い制御電圧が印加される。するとRF出力レベル
が上がり、つれて検波電圧が高くなり、また制御端32
に加えられる制御電圧が低くなってRF出力レベルが下
がる。これを繰り返しながら出力端子5(信号出力端3
3)におけるRF出力レベルは基準電圧に相当する出力
レベルで安定する。上述の自動出力レベル制御(AL
C)ループにより、基準電圧が決まれば送信電力増幅器
3の出力レベルが一定に保たれる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の送信電力制御回路およびALCつき送信電力制御装
置では、送信電力が一定に制御されるべき被送信電力制
御回路の出力レベル,例えば送信電力増幅器の出力レベ
ルが、RF検波器の出力する検波電圧に応じて制御され
るので、上記RF検波器が平坦な周波数特性を有してい
る場合のみ、平坦な周波数特性が約束される。もし、R
F検波器が周波数特性をもっているとこの装置への入力
周波数によりRF検波器から発生する検波電圧が異な
り、従って上記被送信電力制御回路の出力レベルが一定
に保たれないという不具合が生じる。このように従来の
送信電力制御回路およびALCつき送信電力制御装置で
は、RF検波器の周波数特性により出力レベルが一定に
保たれないという問題があった。
来の送信電力制御回路およびALCつき送信電力制御装
置では、送信電力が一定に制御されるべき被送信電力制
御回路の出力レベル,例えば送信電力増幅器の出力レベ
ルが、RF検波器の出力する検波電圧に応じて制御され
るので、上記RF検波器が平坦な周波数特性を有してい
る場合のみ、平坦な周波数特性が約束される。もし、R
F検波器が周波数特性をもっているとこの装置への入力
周波数によりRF検波器から発生する検波電圧が異な
り、従って上記被送信電力制御回路の出力レベルが一定
に保たれないという不具合が生じる。このように従来の
送信電力制御回路およびALCつき送信電力制御装置で
は、RF検波器の周波数特性により出力レベルが一定に
保たれないという問題があった。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の送信電力制御回
路は、基準電圧を発生する基準電圧発生器と、第1検波
電圧と前記基準電圧とに応答して制御電圧を生じこの制
御電圧を被送信電力制御回路の出力レベル制御用に供給
する比較増幅器と、前記被送信電力制御回路の出力レベ
ルを検出して前記第1検波電圧を生じる第1RF検波器
とを有する送信電力制御回路において、前記被送信電力
制御回路の入力レベルを検出して第2検波電圧を生じる
前記第1RF検波器とほぼ同じ周波数特性の第2RF検
波器と、前記基準電圧と前記第2検波電圧とを加算して
加算電圧を生じる加算器とをさらに含み、さらに前記比
較増幅器の比較入力の一つである前記基準電圧を前記加
算電圧に代えている。
路は、基準電圧を発生する基準電圧発生器と、第1検波
電圧と前記基準電圧とに応答して制御電圧を生じこの制
御電圧を被送信電力制御回路の出力レベル制御用に供給
する比較増幅器と、前記被送信電力制御回路の出力レベ
ルを検出して前記第1検波電圧を生じる第1RF検波器
とを有する送信電力制御回路において、前記被送信電力
制御回路の入力レベルを検出して第2検波電圧を生じる
前記第1RF検波器とほぼ同じ周波数特性の第2RF検
波器と、前記基準電圧と前記第2検波電圧とを加算して
加算電圧を生じる加算器とをさらに含み、さらに前記比
較増幅器の比較入力の一つである前記基準電圧を前記加
算電圧に代えている。
【0006】なお、上記被送信電力制御装置はALCつ
き送信電力増幅装置に適用することができる。
き送信電力増幅装置に適用することができる。
【0007】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【0008】図1は本発明の一実施例の回路図である。
本発明による送信電力制御回路を適用したこの送信電力
増幅装置は、図1に示した従来例と同様に、送信電力増
幅器3,基準電圧増幅器7および比較増幅器8を有し、
入力端子1からRF信号を入力し、出力端子5からRF
信号を出力する。また、カップラ4と検波用ダイオード
とで上記RF検波器(第1RF検波器)19を構成す
る。すなわち、カップラ4が増幅器3の信号出力端33
からの信号の大部分を出力端子7に出力するとともに上
記信号の一部をダイオード9に供給し、このダイオード
9がこの一部のRF信号から信号出力端33におけるR
F出力レベルに相当する検波電圧Vcを生じる。なお、
比較増幅器8は演算増幅器A1と帰還抵抗器R4とから
なり、ダイオード9の出力端と演算増幅器A1の抵抗器
R4接続側の第1の入力端との間には抵抗器R5を接続
している。
本発明による送信電力制御回路を適用したこの送信電力
増幅装置は、図1に示した従来例と同様に、送信電力増
幅器3,基準電圧増幅器7および比較増幅器8を有し、
入力端子1からRF信号を入力し、出力端子5からRF
信号を出力する。また、カップラ4と検波用ダイオード
とで上記RF検波器(第1RF検波器)19を構成す
る。すなわち、カップラ4が増幅器3の信号出力端33
からの信号の大部分を出力端子7に出力するとともに上
記信号の一部をダイオード9に供給し、このダイオード
9がこの一部のRF信号から信号出力端33におけるR
F出力レベルに相当する検波電圧Vcを生じる。なお、
比較増幅器8は演算増幅器A1と帰還抵抗器R4とから
なり、ダイオード9の出力端と演算増幅器A1の抵抗器
R4接続側の第1の入力端との間には抵抗器R5を接続
している。
【0009】この電力増幅装置は、図2の従来例に加え
て、カップラ2および検波用ダイオード6からなる第2
RF検波器と、演算増幅器A2および帰還抵抗器R3を
含む加算器10とを含んでいる。カップラ2は入力端子
1へ入力されるRF信号の大部分を増幅器3の信号入力
端子31に出力するとともにこの信号の一部をダイオー
ド6に供給し、ダイオード6がこの一部のRF信号から
入力端子1におけるRF信号入力レベルに相当する検波
電圧Vdを生じる。なお、カップラ4と2および検波用
ダイオード9と6とはほぼ同一性能を有している。但
し、カップラ4とダイオード9との間には、ダイオード
9および6へのRF信号レベルを同一とするために図示
されないRF信号減衰器を含み、ダイオード9および6
からの検波電圧VcおよびVdをほぼ同じとしている。
加算器10は、基準電圧発生器7からの基準電圧とダイ
オード6からの検波電圧Vdとを一方の入力端に加えて
加算し、出力端に生じる加算電圧Vaを比較増幅器8の
第2の入力端に供給する。なお、ダイオード6と基準電
圧発生器7との相互間に悪影響が生じないように、抵抗
器R1およびR2の直列回路をダイオード6と基準電圧
発生器7との間に接続し、抵抗器R1,R2の中間点を
加算器10の上記入力端に接続している。
て、カップラ2および検波用ダイオード6からなる第2
RF検波器と、演算増幅器A2および帰還抵抗器R3を
含む加算器10とを含んでいる。カップラ2は入力端子
1へ入力されるRF信号の大部分を増幅器3の信号入力
端子31に出力するとともにこの信号の一部をダイオー
ド6に供給し、ダイオード6がこの一部のRF信号から
入力端子1におけるRF信号入力レベルに相当する検波
電圧Vdを生じる。なお、カップラ4と2および検波用
ダイオード9と6とはほぼ同一性能を有している。但
し、カップラ4とダイオード9との間には、ダイオード
9および6へのRF信号レベルを同一とするために図示
されないRF信号減衰器を含み、ダイオード9および6
からの検波電圧VcおよびVdをほぼ同じとしている。
加算器10は、基準電圧発生器7からの基準電圧とダイ
オード6からの検波電圧Vdとを一方の入力端に加えて
加算し、出力端に生じる加算電圧Vaを比較増幅器8の
第2の入力端に供給する。なお、ダイオード6と基準電
圧発生器7との相互間に悪影響が生じないように、抵抗
器R1およびR2の直列回路をダイオード6と基準電圧
発生器7との間に接続し、抵抗器R1,R2の中間点を
加算器10の上記入力端に接続している。
【0010】さらに図1を参照してこの送信電力増幅装
置の出力レベル制御動作を説明すると、基準電圧発生器
7より加算器10に一定の基準電圧を印加すると、この
基準電圧に等しい加算電圧Vaが比較増幅器8に入力さ
れる。入力端子1より例えば周波数800MHzの一定
レベルのRF信号が送信電力増幅器3の信号入力端31
に入力されると、制御電圧Vbが送信電力増幅器3の制
御端32に印加され、出力端子5より送信出力が得られ
る。このときにはダイオード9からの検波電圧Vcが比
較増幅器8に入力され、これによって制御電圧Vbが下
がり、出力端子10における送信出力レベルが一定にな
る。
置の出力レベル制御動作を説明すると、基準電圧発生器
7より加算器10に一定の基準電圧を印加すると、この
基準電圧に等しい加算電圧Vaが比較増幅器8に入力さ
れる。入力端子1より例えば周波数800MHzの一定
レベルのRF信号が送信電力増幅器3の信号入力端31
に入力されると、制御電圧Vbが送信電力増幅器3の制
御端32に印加され、出力端子5より送信出力が得られ
る。このときにはダイオード9からの検波電圧Vcが比
較増幅器8に入力され、これによって制御電圧Vbが下
がり、出力端子10における送信出力レベルが一定にな
る。
【0011】次に、例えば周波数を850MHzにした
ときの送信電力増幅器9自身の周波数特性を補正する動
作について説明する。送信電力増幅器9のもつ周波数特
性とは、800MHzおよび850MHzの両RF信号
時にも基準電圧発生器7より同一基準電圧を印加し、か
つ同一のRF信号レベルを入力端子1に加えたときに、
送信出力レベルが異なるものである。図1の装置では、
RF信号周波数800MHz,850MHzいずれの場
合にも、送信電力増幅器3の信号出力端33における信
号レベル,すなわち検波電圧Vcを等しくするように制
御電圧Vbを周波数により異ならしめ、送信電力増幅器
3自身の周波数特性を補正している。これにより、入力
RF信号周波数が800MHz,850MHzのいずれ
の場合でも基準電圧が等しければ同じ出力レベルを得る
ことができる。
ときの送信電力増幅器9自身の周波数特性を補正する動
作について説明する。送信電力増幅器9のもつ周波数特
性とは、800MHzおよび850MHzの両RF信号
時にも基準電圧発生器7より同一基準電圧を印加し、か
つ同一のRF信号レベルを入力端子1に加えたときに、
送信出力レベルが異なるものである。図1の装置では、
RF信号周波数800MHz,850MHzいずれの場
合にも、送信電力増幅器3の信号出力端33における信
号レベル,すなわち検波電圧Vcを等しくするように制
御電圧Vbを周波数により異ならしめ、送信電力増幅器
3自身の周波数特性を補正している。これにより、入力
RF信号周波数が800MHz,850MHzのいずれ
の場合でも基準電圧が等しければ同じ出力レベルを得る
ことができる。
【0012】さらに、上記RF検波器の検波素子である
ダイオード9および6のもつ周波数特性の補正動作につ
いて説明する。例えば、ダイオード9が、周波数800
MHz,レベル+30dBmのRF信号からA(V)の
検波電圧Vc1を生じ、周波数850MHzでは(A−
1)(V)の検波電圧Vc2を生じると、周波数850
MHzの検波電圧Vc2は周波数800MHzの検波電
圧Vc1に比べ1(V)低くなる。従って、周波数80
0MHzで正規の+30dBm出力になるように比較増
幅器8からの制御電圧VbをVb1と定めていると、周
波数850MHzでの制御電圧Vb2は制御電圧Vb1
より高くなり、周波数850MHzでは出力端33に
(+30+α)dBmの出力を生じることになる。そこ
で、図1の実施例ではダイオード6にダイオード1と同
じ周波数特性を持つダイオードを用い、検波電圧Vdを
基準電圧に加えて加算器6に入力し、加算電圧Vaを変
化させている。
ダイオード9および6のもつ周波数特性の補正動作につ
いて説明する。例えば、ダイオード9が、周波数800
MHz,レベル+30dBmのRF信号からA(V)の
検波電圧Vc1を生じ、周波数850MHzでは(A−
1)(V)の検波電圧Vc2を生じると、周波数850
MHzの検波電圧Vc2は周波数800MHzの検波電
圧Vc1に比べ1(V)低くなる。従って、周波数80
0MHzで正規の+30dBm出力になるように比較増
幅器8からの制御電圧VbをVb1と定めていると、周
波数850MHzでの制御電圧Vb2は制御電圧Vb1
より高くなり、周波数850MHzでは出力端33に
(+30+α)dBmの出力を生じることになる。そこ
で、図1の実施例ではダイオード6にダイオード1と同
じ周波数特性を持つダイオードを用い、検波電圧Vdを
基準電圧に加えて加算器6に入力し、加算電圧Vaを変
化させている。
【0013】従って周波数850MHzにおいては、ダ
イオード9からの検波電圧Vcが低下してもダイオード
6からの検波電圧Vdも低下するため、加算器6からの
加算電圧Vaは800MHzのときより低い電圧とな
る。従って増幅器3の制御端32への制御電圧Vbが変
化し、ダイオード9のもつ周波数特性を補正している。
すなわちこの装置に入力されるRF信号の周波数が変化
しても、基準電圧発生器7からの基準電圧は一定である
が、ダイオード6からの検波電圧Vdの変化により加算
電圧Vaが制御され、ダイオード9の周波数特性がダイ
オード6の周波数特性により打ち消される。従って、こ
の送信電力増幅装置全体の周波数特性を補正でき、一定
の送信出力レベルを保つことができる。
イオード9からの検波電圧Vcが低下してもダイオード
6からの検波電圧Vdも低下するため、加算器6からの
加算電圧Vaは800MHzのときより低い電圧とな
る。従って増幅器3の制御端32への制御電圧Vbが変
化し、ダイオード9のもつ周波数特性を補正している。
すなわちこの装置に入力されるRF信号の周波数が変化
しても、基準電圧発生器7からの基準電圧は一定である
が、ダイオード6からの検波電圧Vdの変化により加算
電圧Vaが制御され、ダイオード9の周波数特性がダイ
オード6の周波数特性により打ち消される。従って、こ
の送信電力増幅装置全体の周波数特性を補正でき、一定
の送信出力レベルを保つことができる。
【0014】なお、被送信電力制御回路として上記送信
電力増幅器3に代えて、制御信号によって出力レベルが
制御される例えば可変減衰装置を用いても、この実施例
に適用した送信電力制御回路が有効に働くことは勿論で
ある。
電力増幅器3に代えて、制御信号によって出力レベルが
制御される例えば可変減衰装置を用いても、この実施例
に適用した送信電力制御回路が有効に働くことは勿論で
ある。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、送信電力
増幅器等の被送信電力制御回路自身の周波数特性だけで
なく出力レベルを検出する出力側RF検波器のもつ周波
数特性も入力側RF検波器の生じる検波電圧によって補
正するので、周波数に関係なく常に一定の出力レベルの
送信電力を得ることができる効果がある。
増幅器等の被送信電力制御回路自身の周波数特性だけで
なく出力レベルを検出する出力側RF検波器のもつ周波
数特性も入力側RF検波器の生じる検波電圧によって補
正するので、周波数に関係なく常に一定の出力レベルの
送信電力を得ることができる効果がある。
【図1】本発明の一実施例の回路図である。
【図2】従来例のブロック図である。
1 入力端子 2,4 カップラ 3 送信電力増幅器 5 出力端子 6,9 ダイオード 7 基準電圧発生器 8 比較増幅器 10 加算器 19 RF検波器 31 信号入力端 32 制御端 33 信号出力端 A1,A2 演算増幅器 R1〜R5 抵抗器
Claims (3)
- 【請求項1】 基準電圧を発生する基準電圧発生器と、
第1検波電圧と前記基準電圧とに応答して制御電圧を生
じこの制御電圧を被送信電力制御回路の出力レベル制御
用に供給する比較増幅器と、前記被送信電力制御回路の
出力レベルを検出して前記第1検波電圧を生じる第1R
F検波器とを有する送信電力制御回路において、 前記被送信電力制御回路の入力レベルを検出して第2検
波電圧を生じる前記第1RF検波器とほぼ同じ周波数特
性の第2RF検波器と、前記基準電圧と前記第2検波電
圧とを加算して加算電圧を生じる加算器とをさらに含
み、さらに前記比較増幅器の比較入力の一つである前記
基準電圧を前記加算電圧に代えることを特徴とする送信
電力制御回路。 - 【請求項2】 前記被送信電力制御回路が、制御端に印
加される前記制御電圧によって前記出力レベルを制御さ
れる送信電力増幅器であることを特徴とする請求項1記
載の送信電力制御回路。 - 【請求項3】 出力レベルが制御端に印加される制御電
圧によって制御される送信電力増幅器と、基準電圧を発
生する基準電圧発生器と、第1検波電圧と前記基準電圧
とに応答して前記制御電圧を生じる比較増幅器と、前記
被送信電力制御回路の出力レベルを検出して前記第1検
波電圧を生じる第1RF検波器とを有するALC回路つ
き送信電力増幅装置において、 前記被送信電力制御回路の入力レベルを検出して第2検
波電圧を生じる前記第1RF検波器とほぼ同じ周波数特
性の第2RF検波器と、前記基準電圧と前記第2検波電
圧とを加算して加算電圧を生じる加算器とをさらに含
み、さらに前記、較増幅器の比較入力の一つである前記
基準電圧を前記加算電圧に代えることを特徴とするAL
C回路つき送信電力増幅装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11437492A JPH05315873A (ja) | 1992-05-07 | 1992-05-07 | 送信電力制御回路およびalc回路つき送信電力増幅装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11437492A JPH05315873A (ja) | 1992-05-07 | 1992-05-07 | 送信電力制御回路およびalc回路つき送信電力増幅装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315873A true JPH05315873A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14636100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11437492A Pending JPH05315873A (ja) | 1992-05-07 | 1992-05-07 | 送信電力制御回路およびalc回路つき送信電力増幅装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315873A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100408040B1 (ko) * | 2001-07-23 | 2003-12-03 | 엘지전자 주식회사 | 고출력증폭기의 전력 이득 제어 장치 |
| KR100456108B1 (ko) * | 2000-07-07 | 2004-11-08 | 엘지전자 주식회사 | 송신기의 이중제어에 의한 자동레벨제어회로 |
| US12206370B2 (en) | 2019-06-28 | 2025-01-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including high frequency amplifier circuit, electronic component, and electronic device |
-
1992
- 1992-05-07 JP JP11437492A patent/JPH05315873A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100456108B1 (ko) * | 2000-07-07 | 2004-11-08 | 엘지전자 주식회사 | 송신기의 이중제어에 의한 자동레벨제어회로 |
| KR100408040B1 (ko) * | 2001-07-23 | 2003-12-03 | 엘지전자 주식회사 | 고출력증폭기의 전력 이득 제어 장치 |
| US12206370B2 (en) | 2019-06-28 | 2025-01-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including high frequency amplifier circuit, electronic component, and electronic device |
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