JPH05315931A - レベルシフト回路 - Google Patents
レベルシフト回路Info
- Publication number
- JPH05315931A JPH05315931A JP3296900A JP29690091A JPH05315931A JP H05315931 A JPH05315931 A JP H05315931A JP 3296900 A JP3296900 A JP 3296900A JP 29690091 A JP29690091 A JP 29690091A JP H05315931 A JPH05315931 A JP H05315931A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- level shifting
- voltage source
- vcc
- shifting circuit
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Abstract
(57)【要約】
【目的】低電圧源系の回路を高電圧源系の回路に変換す
るレベルシフト回路において、低電圧源の異常上昇を検
知してレベルシフト回路を停止させる。 【構成】低電圧源の異常上昇を検知する検知回路を有
し、高電圧源とレベルトシヘト回路との間にゲートを検
知回路の出力に接続したPチャネルトランジスタQP1
を設け、かつ、レベルシフト回路の出力端とグランドの
間に同じくゲートを検知回路の出力に接続したNチャネ
ルトランジスタQN1を設けている。 【効果】システムの異常等により低電圧源が定格異常に
上昇したとき、レベルシフト回路に供給される電源を切
断して貫通電流の発生を防ぎ、高電圧源系の回路の電位
を固定し異常動作を防ぐ。
るレベルシフト回路において、低電圧源の異常上昇を検
知してレベルシフト回路を停止させる。 【構成】低電圧源の異常上昇を検知する検知回路を有
し、高電圧源とレベルトシヘト回路との間にゲートを検
知回路の出力に接続したPチャネルトランジスタQP1
を設け、かつ、レベルシフト回路の出力端とグランドの
間に同じくゲートを検知回路の出力に接続したNチャネ
ルトランジスタQN1を設けている。 【効果】システムの異常等により低電圧源が定格異常に
上昇したとき、レベルシフト回路に供給される電源を切
断して貫通電流の発生を防ぎ、高電圧源系の回路の電位
を固定し異常動作を防ぐ。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はレベルシフト回路に関す
る。
る。
【0002】
【従来の技術】図3は従来のレベルシフト回路を用いた
ドライバ回路の一例を示す回路図である。入力端Tは低
電圧源(以後VCCと記す)をソースとするインバータ
2の入力に接続され、さらにこのインバータ2の出力が
同じくVCCをソースとするインバータ3に入力されて
いる。これら2つのインバータ2,3の出力がレベルシ
フト回路を構成する2つのNチャネル型絶縁ゲート電界
効果トランジスタ(以下、Nチャネルトランジスタとい
う)Q2,Q4のゲートに接続されている。レベルシフ
ト回路は高電圧源(以後VDDと記す)とグランド間に
Pチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタ(以下、
Pチャネルトランジスタという)Q1とNチャネルトラ
ンジスタQ2、PチャネルトランジスタQ3とNチャネ
ルトランジスタQ4が各々直列に接続される構成となっ
ており、PチャネルトランジスタQ1のゲートにはPチ
ャネルトランジスタQ3とNチャネルトランジスタQ4
の接続点T1が接続され、一方Pチャネルトランジスタ
Q3のゲートにはPチャネルトランジスタQ1とNチャ
ネルトランジスタQ2の接続点T2が接続されている。
ドライバ回路の一例を示す回路図である。入力端Tは低
電圧源(以後VCCと記す)をソースとするインバータ
2の入力に接続され、さらにこのインバータ2の出力が
同じくVCCをソースとするインバータ3に入力されて
いる。これら2つのインバータ2,3の出力がレベルシ
フト回路を構成する2つのNチャネル型絶縁ゲート電界
効果トランジスタ(以下、Nチャネルトランジスタとい
う)Q2,Q4のゲートに接続されている。レベルシフ
ト回路は高電圧源(以後VDDと記す)とグランド間に
Pチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタ(以下、
Pチャネルトランジスタという)Q1とNチャネルトラ
ンジスタQ2、PチャネルトランジスタQ3とNチャネ
ルトランジスタQ4が各々直列に接続される構成となっ
ており、PチャネルトランジスタQ1のゲートにはPチ
ャネルトランジスタQ3とNチャネルトランジスタQ4
の接続点T1が接続され、一方Pチャネルトランジスタ
Q3のゲートにはPチャネルトランジスタQ1とNチャ
ネルトランジスタQ2の接続点T2が接続されている。
【0003】レベルシフト回路の出力T1はVDDをソ
ースとするインバータ4を経て、そのドレインが出力端
子5に接続されたPチャネルトランジスタQ5のゲート
に入力される。ここでレベルシフト回路以降のトランジ
スタQ1〜Q5、インバータ4には高電圧が印加される
ため高耐圧設計となっている。
ースとするインバータ4を経て、そのドレインが出力端
子5に接続されたPチャネルトランジスタQ5のゲート
に入力される。ここでレベルシフト回路以降のトランジ
スタQ1〜Q5、インバータ4には高電圧が印加される
ため高耐圧設計となっている。
【0004】動作としては入力端Tに入力されたVCC
レベルの信号がレベルシフト回路によってVDDレベル
の信号に変換され、ICの出力端子5には入力端Tが0
のときハイ・インピーダンス、Tが1すなわちVCCの
とき1すなわちVDDが出力される。
レベルの信号がレベルシフト回路によってVDDレベル
の信号に変換され、ICの出力端子5には入力端Tが0
のときハイ・インピーダンス、Tが1すなわちVCCの
とき1すなわちVDDが出力される。
【0005】図5の波形図に示すようにVCCが異常に
上昇すると(時刻to )、VCC系のトランジスタがブ
レークダウンし、T1の電位は不定となりT11レベル
となる(図5(c))。出力端子5はこの信号レベルに
よりオンまたはオフする(図5(d))。
上昇すると(時刻to )、VCC系のトランジスタがブ
レークダウンし、T1の電位は不定となりT11レベル
となる(図5(c))。出力端子5はこの信号レベルに
よりオンまたはオフする(図5(d))。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】一般に自動車内で使用
される2電源を有するICには、バッテリーからの高電
圧源と、それを3端子レギュレータ等で降圧した低電圧
源が用いられる。
される2電源を有するICには、バッテリーからの高電
圧源と、それを3端子レギュレータ等で降圧した低電圧
源が用いられる。
【0007】3端子レギュレータの異常により低電圧源
が上昇し低電圧源系のトランジスタの耐圧を越えると、
トランジスタはブレークダウンしてその出力は不足とな
る。
が上昇し低電圧源系のトランジスタの耐圧を越えると、
トランジスタはブレークダウンしてその出力は不足とな
る。
【0008】レベルシフト回路の入力も不足となるため
貫通電流が発生し、レベルシフト回路の出力、さらにI
Cの出力端子も不定となってシステム全体に異常を引き
起こすという問題点があった。
貫通電流が発生し、レベルシフト回路の出力、さらにI
Cの出力端子も不定となってシステム全体に異常を引き
起こすという問題点があった。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明のレベルシフト回
路は、低電圧源を監視し、異常な上昇を検知する検知回
路と、その信号を受けて異常発生時にレベルシフト回路
の動作を停止し電位を固定するゲート回路を備えてい
る。
路は、低電圧源を監視し、異常な上昇を検知する検知回
路と、その信号を受けて異常発生時にレベルシフト回路
の動作を停止し電位を固定するゲート回路を備えてい
る。
【0010】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図1は本発明の第1の実施例の回路図である。図3
の従来のレベルシフト回路に対して低電圧源(VCC)
を監視してその異常上昇を検知する検知回路10と、そ
の出力をゲートに受ける2つのトランジスタQP1,Q
N1が追加してゲート回路を構成する。Nチャネルトラ
ンジスタQN1はグランドとレベルシフト回路の出力端
T1との間に接続されVCCに異常が検出された場合に
オンし、出力端T1をグランドに固定する。これにより
出力端子5はハイ・インピーダンス状態に初期化され
る。一方レベルシフト回路の2つのPチャネルトランジ
スタQ1,Q3のソースはPチャネルトランジスタQP
1を介してVDDと接続されVCCが異常時にはQP1
がオフすることによってレベルシフト回路はVDDから
切り離され電流が流れなくなる。
る。図1は本発明の第1の実施例の回路図である。図3
の従来のレベルシフト回路に対して低電圧源(VCC)
を監視してその異常上昇を検知する検知回路10と、そ
の出力をゲートに受ける2つのトランジスタQP1,Q
N1が追加してゲート回路を構成する。Nチャネルトラ
ンジスタQN1はグランドとレベルシフト回路の出力端
T1との間に接続されVCCに異常が検出された場合に
オンし、出力端T1をグランドに固定する。これにより
出力端子5はハイ・インピーダンス状態に初期化され
る。一方レベルシフト回路の2つのPチャネルトランジ
スタQ1,Q3のソースはPチャネルトランジスタQP
1を介してVDDと接続されVCCが異常時にはQP1
がオフすることによってレベルシフト回路はVDDから
切り離され電流が流れなくなる。
【0011】以上、記述した通り貫通電流を防ぎ、出力
を初期化、固定できる。
を初期化、固定できる。
【0012】図2は本発明の第2の実施例を示す回路図
である。
である。
【0013】図3に対してNチャネルトランジスタQN
1,QN2が追加されてゲート回路を構成する。Nチャ
ネルトランジスタQN2はNチャネルトランジスタQ2
のゲートに接続されVCC以上検知時にオンして、QN
2をオフ状態にし貫通電流を防ぐ。一方Nチャネルトラ
ンジスタQN1は図1の第1の実施例と同様である。以
上のようにして図1と同様の効果を得られる。
1,QN2が追加されてゲート回路を構成する。Nチャ
ネルトランジスタQN2はNチャネルトランジスタQ2
のゲートに接続されVCC以上検知時にオンして、QN
2をオフ状態にし貫通電流を防ぐ。一方Nチャネルトラ
ンジスタQN1は図1の第1の実施例と同様である。以
上のようにして図1と同様の効果を得られる。
【0014】尚VCC異常検知回路は図4に一例を示す
ようにコンパレータ6を用いて容易に構成できる。VD
Dとグランド間に直列に接続された2つの抵抗R1,R
2による分圧を利用して、コンパレータの(−)側入力
にはVCC定格以上の検知したいレベルを入力しておけ
ば良い。(+)側入力V5にVCC又はそれに応じた電
圧が入力される。
ようにコンパレータ6を用いて容易に構成できる。VD
Dとグランド間に直列に接続された2つの抵抗R1,R
2による分圧を利用して、コンパレータの(−)側入力
にはVCC定格以上の検知したいレベルを入力しておけ
ば良い。(+)側入力V5にVCC又はそれに応じた電
圧が入力される。
【0015】先に従来技術の不都合を説明した図5を用
いて、本発明のレベルシフト回路の動作を説明する。
いて、本発明のレベルシフト回路の動作を説明する。
【0016】時刻to においてVCCが異常検知レベル
を越すと(図5(a))、検知回路10の出力信号が1
すなわちVDD(図5(b))になり、それによりT1
は0に固定され(図5(c))、出力端子5はハイ・イ
ンピーダンス(図5(d))となる。
を越すと(図5(a))、検知回路10の出力信号が1
すなわちVDD(図5(b))になり、それによりT1
は0に固定され(図5(c))、出力端子5はハイ・イ
ンピーダンス(図5(d))となる。
【0017】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は電源系統の故
障などによる低電圧源の異常上昇を検知し、その場合に
レベルシフト回路の電位を固定するゲート回路を設けた
ので、貫通電流を防ぎ、高電圧源系の回路を安定化でき
るという効果を有している。
障などによる低電圧源の異常上昇を検知し、その場合に
レベルシフト回路の電位を固定するゲート回路を設けた
ので、貫通電流を防ぎ、高電圧源系の回路を安定化でき
るという効果を有している。
【図1】本発明の第1の実施例を示す回路図。
【図2】本発明は第2の実施例を示す回路図。
【図3】従来技術を示す回路図。
【図4】図1および図2で示した低電圧源異常検出回路
の一例の回路図。
の一例の回路図。
【図5】従来技術および本発明のレベルシフト回路の動
作を示す波形図。
作を示す波形図。
2,3,4 インバータ 5 出力端子 6 コンパレータ 10 低電圧源異常検出力回路 Q1,Q3,Q5,QP1 Pチャネルトランジスタ Q2,Q4,QN1,QN2 Nチャネルトランジス
タ T 入力端 T1,T2 レベルシフト回路の出力端 VDD 高電圧源 VCC 低電圧源
タ T 入力端 T1,T2 レベルシフト回路の出力端 VDD 高電圧源 VCC 低電圧源
Claims (1)
- 【請求項1】 低電圧源系の回路を高電圧源の回路に変
換するレベルシフト回路において、前記低電圧源の定格
以上の上昇を検知する検知回路と、前記検知回路の信号
を受けてレベルシフト回路の電位を固定するゲート回路
とを有することを特徴とするレベルシフト回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3296900A JPH05315931A (ja) | 1991-11-13 | 1991-11-13 | レベルシフト回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3296900A JPH05315931A (ja) | 1991-11-13 | 1991-11-13 | レベルシフト回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315931A true JPH05315931A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=17839616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3296900A Pending JPH05315931A (ja) | 1991-11-13 | 1991-11-13 | レベルシフト回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315931A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6107832A (en) * | 1999-02-05 | 2000-08-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Input/output circuit |
| US6545521B2 (en) * | 2001-06-29 | 2003-04-08 | International Business Machines Corporation | Low skew, power sequence independent CMOS receiver device |
| JP2004048377A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Renesas Technology Corp | レベルシフタ回路 |
| JP2005323195A (ja) * | 2004-05-10 | 2005-11-17 | Texas Instr Japan Ltd | レベルシフト回路 |
| US6985022B2 (en) | 2001-08-31 | 2006-01-10 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device |
| US7005908B2 (en) * | 2003-01-13 | 2006-02-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Voltage level shift circuit and power supply detection circuit |
| JP2007116388A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Nec Electronics Corp | 半導体装置 |
| JP2008096473A (ja) * | 2006-10-06 | 2008-04-24 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
| SG143089A1 (en) * | 2006-11-22 | 2008-06-27 | Hui Feng Lin | Structure of a cap of a chopstick |
| JP2009081805A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Oki Semiconductor Co Ltd | レベルシフタ回路 |
| US7759976B2 (en) | 2006-08-24 | 2010-07-20 | Fujitsu Semiconductor Limited | Level shift circuit |
-
1991
- 1991-11-13 JP JP3296900A patent/JPH05315931A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6107832A (en) * | 1999-02-05 | 2000-08-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Input/output circuit |
| US6545521B2 (en) * | 2001-06-29 | 2003-04-08 | International Business Machines Corporation | Low skew, power sequence independent CMOS receiver device |
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| US7375574B2 (en) | 2001-08-31 | 2008-05-20 | Renesas Technology Corporation | Semiconductor device |
| JP2004048377A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Renesas Technology Corp | レベルシフタ回路 |
| US7005908B2 (en) * | 2003-01-13 | 2006-02-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Voltage level shift circuit and power supply detection circuit |
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| JP2007116388A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Nec Electronics Corp | 半導体装置 |
| US7759976B2 (en) | 2006-08-24 | 2010-07-20 | Fujitsu Semiconductor Limited | Level shift circuit |
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| SG143089A1 (en) * | 2006-11-22 | 2008-06-27 | Hui Feng Lin | Structure of a cap of a chopstick |
| JP2009081805A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Oki Semiconductor Co Ltd | レベルシフタ回路 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010424 |