JPH05319976A - 超低炭素結晶成長装置及びシリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
超低炭素結晶成長装置及びシリコン単結晶の製造方法Info
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- JPH05319976A JPH05319976A JP4243860A JP24386092A JPH05319976A JP H05319976 A JPH05319976 A JP H05319976A JP 4243860 A JP4243860 A JP 4243860A JP 24386092 A JP24386092 A JP 24386092A JP H05319976 A JPH05319976 A JP H05319976A
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- crystal growth
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 チョクラルスキー法結晶成長装置に関し、低
炭素濃度のシリコン結晶成長装置を提供することを目的
とする。 【構成】 結晶成長室（１）内に結晶融液用るつぼ
（２）を有し、るつぼ（２）を加熱するヒータ（３）を
配し、結晶成長室（１）内壁に断熱材（４）を配して成
るチョクラルスキー法による結晶成長装置において、断
熱材（４）が無機繊維からなり、耐火部材（５）に収容
されて結晶室（１）内壁に取付けており、耐火部材
（５）に開口部を設けると共に断熱材（４）背面の結晶
成長室（１）壁にガス排出口（１０）を配し、よって断
熱材（４）から発生する炭素含有ガスを強制的にガス排
出口（１０）へ導き、炭素含有ガスの成長室（１）内へ
の流入を防止する構造を有する。
炭素濃度のシリコン結晶成長装置を提供することを目的
とする。 【構成】 結晶成長室（１）内に結晶融液用るつぼ
（２）を有し、るつぼ（２）を加熱するヒータ（３）を
配し、結晶成長室（１）内壁に断熱材（４）を配して成
るチョクラルスキー法による結晶成長装置において、断
熱材（４）が無機繊維からなり、耐火部材（５）に収容
されて結晶室（１）内壁に取付けており、耐火部材
（５）に開口部を設けると共に断熱材（４）背面の結晶
成長室（１）壁にガス排出口（１０）を配し、よって断
熱材（４）から発生する炭素含有ガスを強制的にガス排
出口（１０）へ導き、炭素含有ガスの成長室（１）内へ
の流入を防止する構造を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はチョクラルスキー法（Ｃ
Ｚ法）による結晶成長装置に係り、より詳しく述べる
と、ＣＺ法による結晶成長過程において該結晶に取り込
まれる炭素を従来濃度の１／５以下に低減可能なＣＺ法
による結晶成長装置に関する。
Ｚ法）による結晶成長装置に係り、より詳しく述べる
と、ＣＺ法による結晶成長過程において該結晶に取り込
まれる炭素を従来濃度の１／５以下に低減可能なＣＺ法
による結晶成長装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の一般的なＣＺ法結晶成長装置の例
を図９に示す。成長室１の中央にカーボン製るつぼ２、
これを取り囲んでカーボンヒータ３があり、かつ成長室
１の内壁に断熱材４を配している。断熱材４は炭素繊維
からなりカーボン部材５に収容して内壁面に取付けられ
ている。
を図９に示す。成長室１の中央にカーボン製るつぼ２、
これを取り囲んでカーボンヒータ３があり、かつ成長室
１の内壁に断熱材４を配している。断熱材４は炭素繊維
からなりカーボン部材５に収容して内壁面に取付けられ
ている。
【０００３】るつぼ２内のシリコンを加熱して溶融し、
種結晶１を融液６中から引き上げて単結晶７を得る。こ
の間、Ａｒ等の不活性ガスをガス導入口８から成長室１
内へ導入し、かつ真空ポンプ９にてガス排出口１０から
排出する。ガス排出口１０は炉の床面内に１〜２箇所設
けられている。なお、図中、るつぼ２を含むヒータ３及
びその内部は高温になるのでホットゾーンと呼ばれる。
種結晶１を融液６中から引き上げて単結晶７を得る。こ
の間、Ａｒ等の不活性ガスをガス導入口８から成長室１
内へ導入し、かつ真空ポンプ９にてガス排出口１０から
排出する。ガス排出口１０は炉の床面内に１〜２箇所設
けられている。なお、図中、るつぼ２を含むヒータ３及
びその内部は高温になるのでホットゾーンと呼ばれる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】超ＬＳＩの高性能化と
低価格化が、基板となるシリコンウエーハの低欠陥密度
化、大口径化をますます要求することは周知の事実であ
る。
低価格化が、基板となるシリコンウエーハの低欠陥密度
化、大口径化をますます要求することは周知の事実であ
る。
【０００５】代表的な超ＬＳＩであるＤＲＡＭの特性
は、そのリフレッシュ時間の長さで与えられる。リフレ
ッシュ時間は、ＤＲＡＭ中のコンデンサーが電荷を蓄積
できる時間に比例する。もしシリコン結晶中に析出物
（酸素原子の集合体なので酸素析出物とも呼ばれる）が
存在すると、蓄積すべき電荷が析出物を介してＤＲＡＭ
セルから逃げてしまうので、電荷の保持時間が短くなり
リフレッシュ時間も短時間になる。これはリフレッシュ
不良を引き起こす。一方析出物は再結合中心になるので
結晶のライフタイムを低下させる。すなわちライフタイ
ムの長い結晶を用いて作ったＤＲＡＭは、リフレッシュ
時間も長くなり高品質のＤＲＡＭとなる。著者たちは結
晶中の炭素が酸素析出物の形成を促進すること（後述）
に着目し、炭素濃度とライフタイムの関係を調べ図６に
示すように低炭素結晶ほどライフタイムが向上すること
を明らかにした。以上のように、超ＬＳＩの性能を向上
させるには低炭素濃度結晶を用いなければならない。
は、そのリフレッシュ時間の長さで与えられる。リフレ
ッシュ時間は、ＤＲＡＭ中のコンデンサーが電荷を蓄積
できる時間に比例する。もしシリコン結晶中に析出物
（酸素原子の集合体なので酸素析出物とも呼ばれる）が
存在すると、蓄積すべき電荷が析出物を介してＤＲＡＭ
セルから逃げてしまうので、電荷の保持時間が短くなり
リフレッシュ時間も短時間になる。これはリフレッシュ
不良を引き起こす。一方析出物は再結合中心になるので
結晶のライフタイムを低下させる。すなわちライフタイ
ムの長い結晶を用いて作ったＤＲＡＭは、リフレッシュ
時間も長くなり高品質のＤＲＡＭとなる。著者たちは結
晶中の炭素が酸素析出物の形成を促進すること（後述）
に着目し、炭素濃度とライフタイムの関係を調べ図６に
示すように低炭素結晶ほどライフタイムが向上すること
を明らかにした。以上のように、超ＬＳＩの性能を向上
させるには低炭素濃度結晶を用いなければならない。
【０００６】ウエーハの大口径化は、熱処理プロセスに
おいてウエーハに作用する熱応力の増大をもたらす。熱
応力がウエーハ（結晶）の降伏応力を上回ると多数の転
位が導入され、ウエーハの反りが増大しリソグラフィと
続く処理が困難になることはよく知られている。
おいてウエーハに作用する熱応力の増大をもたらす。熱
応力がウエーハ（結晶）の降伏応力を上回ると多数の転
位が導入され、ウエーハの反りが増大しリソグラフィと
続く処理が困難になることはよく知られている。
【０００７】超ＬＳＩの製造プロセスにおいては多くの
熱処理プロセスがあり、そのためウエーハ内には自然に
析出物が形成される。析出物が結晶内に形成されると、
降伏応力が低下することは報告されている。また析出物
が結晶内に形成されるとウエーハの反りが増大すること
も報告されている。従って今後大口径化が進んで熱応力
がますます増大することを考えると、析出物密度を低減
して降伏応力の低下を防ぎ熱応力に強い即ち反りにくい
結晶を開発しなければならない。
熱処理プロセスがあり、そのためウエーハ内には自然に
析出物が形成される。析出物が結晶内に形成されると、
降伏応力が低下することは報告されている。また析出物
が結晶内に形成されるとウエーハの反りが増大すること
も報告されている。従って今後大口径化が進んで熱応力
がますます増大することを考えると、析出物密度を低減
して降伏応力の低下を防ぎ熱応力に強い即ち反りにくい
結晶を開発しなければならない。
【０００８】析出物の密度は、点欠陥や炭素の濃度に依
存する。本発明者らは、図７に示すように結晶を１２９
０℃から急冷して点欠陥を導入すると酸素析出物の形成
が促進されることを明らかにした。図７の横軸は冷却速
度を表し、この冷却速度が大きいほど点欠陥濃度が高い
と考えられている。縦軸は析出した酸素量を表し、この
量が多いほど酸素析出物密度が高い。即ち図７は点欠陥
が多いほど酸素析出が起こりやすいことを示すと考えら
れる。しかしながら通常の熱プロセスにおいてはウエー
ハの冷却速度は３０℃／min 以下であるので、点欠陥濃
度が析出物密度を決定しているとは考えられない。また
結晶成長時においても結晶は冷却されながら成長する
が、通常の成長速度では（〜１mm／min）冷却速度はや
はり３０℃／min 以下である。
存する。本発明者らは、図７に示すように結晶を１２９
０℃から急冷して点欠陥を導入すると酸素析出物の形成
が促進されることを明らかにした。図７の横軸は冷却速
度を表し、この冷却速度が大きいほど点欠陥濃度が高い
と考えられている。縦軸は析出した酸素量を表し、この
量が多いほど酸素析出物密度が高い。即ち図７は点欠陥
が多いほど酸素析出が起こりやすいことを示すと考えら
れる。しかしながら通常の熱プロセスにおいてはウエー
ハの冷却速度は３０℃／min 以下であるので、点欠陥濃
度が析出物密度を決定しているとは考えられない。また
結晶成長時においても結晶は冷却されながら成長する
が、通常の成長速度では（〜１mm／min）冷却速度はや
はり３０℃／min 以下である。
【０００９】本発明者らが炭素濃度と酸素析出物密度の
関係を調べたところ、図８に示すように両者はほぼ比例
関係にあった。図８は、従来の結晶（炭素濃度〜３×１
０15cm-3）および炭素をドープした結果（炭素濃度１０
16〜１０17cm-3）を８００℃で１００時間熱処理した
後、酸素析出物密度を測定した結果である。析出物密度
は明らかに炭素濃度に依存して高くなっている。
関係を調べたところ、図８に示すように両者はほぼ比例
関係にあった。図８は、従来の結晶（炭素濃度〜３×１
０15cm-3）および炭素をドープした結果（炭素濃度１０
16〜１０17cm-3）を８００℃で１００時間熱処理した
後、酸素析出物密度を測定した結果である。析出物密度
は明らかに炭素濃度に依存して高くなっている。
【００１０】以上から、シリコンウエーハの低欠陥密度
化、大口径化のためには、結晶中の炭素を除去すること
が必要になることが判明したので、結晶中の炭素を低減
するための結晶成長装置を提供することが、本発明の目
的である。
化、大口径化のためには、結晶中の炭素を除去すること
が必要になることが判明したので、結晶中の炭素を低減
するための結晶成長装置を提供することが、本発明の目
的である。
【００１１】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の結晶成長
装置の模式断面，図１０は本発明によるたの結晶成長装
置の模式断面図である。
装置の模式断面，図１０は本発明によるたの結晶成長装
置の模式断面図である。
【００１２】本発明は、上記目的を達成するために、図
１及び図１０を参照して，結晶成長室１内に結晶融液用
るつぼ２を有し、該るつぼ２を加熱するヒータ３を配
し、結晶成長室１内壁に断熱材４を配して成るチョクラ
ルスキー法による結晶成長装置において、該断熱材４が
無機繊維からなり、耐火部材５に収容されて結晶成長室
１内壁に取付けており、該耐火部材５に開口部を設ける
と共に該断熱材４背面の結晶成長室１壁にガス排出口１
０を配し、よって該断熱材４から発生する炭素含有ガス
を強制的に該ガス排出口１０へ導き、該炭素含有ガスの
成長室内１への流入を防止する構造を有する結晶成長装
置，又は，結晶成長室１内に結晶融液用るつぼ２を有
し、該るつぼ２を加熱するヒータ３を配し、結晶成長室
（１）内壁に断熱材４を配して成るチョクラルスキー法
による結晶成長装置において、該断熱材４が無機繊維か
らなり、耐火部材５に収容されて結晶成長室１内壁に密
着して取付けており、該耐火部材５の上方に表出する該
結晶成長室１壁及び該耐火部材５の下方に表出する該結
晶成長室１底壁にガス排出口１０を配し、よって該断熱
材４から発生する炭素含有ガスを強制的にガス排出口１
０へ導き、該炭素含有ガスの成長室１内への流入を防止
する構造を有する結晶成長装置，又は，上記２つの結晶
成長装置の構造を有し、且つ、結晶成長装置室内に露出
する炭素材表面の全部又は一部をＳｉＣ又はＴｉＣ又は
ＮｂＣ又はＴａＣ又はＺｒＣ又はＢＮでコーティングし
たことを特徴とする結晶成長装置，又は，前記２つの結
晶成長装置の構造を有し、且つ、成長している結晶の外
側を覆うと共に成長炉内のパージガスを融液自由表面に
向けて流すパージ・チューブ１６を設けたことを特徴と
する結晶成長装置，又は，前記２つの結晶成長装置の構
造を有し、且つ、結晶成長装置室内に露出する炭素材表
面の全部又は一部をＳｉＣ又はＴｉＣ又はＮｂＣ又はＴ
ａＣ又はＺｒＣ又はＢＮでコーティングし、且つ、成長
している結晶の外側を覆うと共に成長炉内のパージガス
を融液自由表面に向けて流すパージ・チューブ１６を設
けたことを特徴とする結晶成長装置，又は，結晶成長室
１内に結晶融液用るつぼ２と，該るつぼ２を加熱するヒ
ータ３とを配し，該結晶成長室１内壁に断熱材４を配し
てなるチョクラルスキー結晶成長装置を用いてするシリ
コン単結晶の製造方法において，無機繊維からなる該断
熱材４の上部に位置し，該結晶成長室１壁又は該断熱材
４を収容して該結晶成長室１内壁に取付けられた耐火部
材５の何れかに開設されたガス排出口１０とを設け，該
ヒータ３により該るつぼ２を加熱し，該断熱材４から発
生する炭素含有ガスを強制的に該ガス排出口１０に導い
て該炭素含有ガスの該るつぼ２内への流入を防止しつ
つ，該るつぼ２内の結晶融液から超低炭素の結晶を成長
することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法を提供
する。
１及び図１０を参照して，結晶成長室１内に結晶融液用
るつぼ２を有し、該るつぼ２を加熱するヒータ３を配
し、結晶成長室１内壁に断熱材４を配して成るチョクラ
ルスキー法による結晶成長装置において、該断熱材４が
無機繊維からなり、耐火部材５に収容されて結晶成長室
１内壁に取付けており、該耐火部材５に開口部を設ける
と共に該断熱材４背面の結晶成長室１壁にガス排出口１
０を配し、よって該断熱材４から発生する炭素含有ガス
を強制的に該ガス排出口１０へ導き、該炭素含有ガスの
成長室内１への流入を防止する構造を有する結晶成長装
置，又は，結晶成長室１内に結晶融液用るつぼ２を有
し、該るつぼ２を加熱するヒータ３を配し、結晶成長室
（１）内壁に断熱材４を配して成るチョクラルスキー法
による結晶成長装置において、該断熱材４が無機繊維か
らなり、耐火部材５に収容されて結晶成長室１内壁に密
着して取付けており、該耐火部材５の上方に表出する該
結晶成長室１壁及び該耐火部材５の下方に表出する該結
晶成長室１底壁にガス排出口１０を配し、よって該断熱
材４から発生する炭素含有ガスを強制的にガス排出口１
０へ導き、該炭素含有ガスの成長室１内への流入を防止
する構造を有する結晶成長装置，又は，上記２つの結晶
成長装置の構造を有し、且つ、結晶成長装置室内に露出
する炭素材表面の全部又は一部をＳｉＣ又はＴｉＣ又は
ＮｂＣ又はＴａＣ又はＺｒＣ又はＢＮでコーティングし
たことを特徴とする結晶成長装置，又は，前記２つの結
晶成長装置の構造を有し、且つ、成長している結晶の外
側を覆うと共に成長炉内のパージガスを融液自由表面に
向けて流すパージ・チューブ１６を設けたことを特徴と
する結晶成長装置，又は，前記２つの結晶成長装置の構
造を有し、且つ、結晶成長装置室内に露出する炭素材表
面の全部又は一部をＳｉＣ又はＴｉＣ又はＮｂＣ又はＴ
ａＣ又はＺｒＣ又はＢＮでコーティングし、且つ、成長
している結晶の外側を覆うと共に成長炉内のパージガス
を融液自由表面に向けて流すパージ・チューブ１６を設
けたことを特徴とする結晶成長装置，又は，結晶成長室
１内に結晶融液用るつぼ２と，該るつぼ２を加熱するヒ
ータ３とを配し，該結晶成長室１内壁に断熱材４を配し
てなるチョクラルスキー結晶成長装置を用いてするシリ
コン単結晶の製造方法において，無機繊維からなる該断
熱材４の上部に位置し，該結晶成長室１壁又は該断熱材
４を収容して該結晶成長室１内壁に取付けられた耐火部
材５の何れかに開設されたガス排出口１０とを設け，該
ヒータ３により該るつぼ２を加熱し，該断熱材４から発
生する炭素含有ガスを強制的に該ガス排出口１０に導い
て該炭素含有ガスの該るつぼ２内への流入を防止しつ
つ，該るつぼ２内の結晶融液から超低炭素の結晶を成長
することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法を提供
する。
【００１３】
【実施例】図１に本発明の結晶成長装置の模式断面を示
す。従来の装置と同じ部材は図９と同じ参照数字を付し
た。この装置は従来の装置と比較して次の特徴がある。
す。従来の装置と同じ部材は図９と同じ参照数字を付し
た。この装置は従来の装置と比較して次の特徴がある。
【００１４】 断熱材は炉壁に接触させず、通気路１
５を設けてある。 ホットゾーンの表面はその素材であるカーボンが剥
き出しにならないように、シリコン・カーバイド（Ｓｉ
Ｃ）またはチタニウム・カーバイド（ＴｉＣ）またはニ
オビウム・カーバイド（ＮｂＣ）またはタンタリウム・
カーバイド（ＴａＣ）またはジルコニウム・カーバイド
（ＺｒＣ）またはボロン・ナイトライド（ＢＮ）でコー
ティングしてある。
５を設けてある。 ホットゾーンの表面はその素材であるカーボンが剥
き出しにならないように、シリコン・カーバイド（Ｓｉ
Ｃ）またはチタニウム・カーバイド（ＴｉＣ）またはニ
オビウム・カーバイド（ＮｂＣ）またはタンタリウム・
カーバイド（ＴａＣ）またはジルコニウム・カーバイド
（ＺｒＣ）またはボロン・ナイトライド（ＢＮ）でコー
ティングしてある。
【００１５】 成長している結晶の外側を覆うと共に
成長炉内のパージガスを融液自由表面に向けて流すパー
ジ・チューブ１６を設けてある。 真空ポンプへの排出口１０は炉壁に設け少なくとも
２箇所以上から排気する。ただし、排出口の位置は図２
（１），（２），（３）に示したように炉の上部から見
た場合角度αが２π／ｎ（ｎ：排気孔の数）で表される
ようにし、かつ２箇所以上の排出口の各々における吸引
力が同じになるように真空配管系を設計する。
成長炉内のパージガスを融液自由表面に向けて流すパー
ジ・チューブ１６を設けてある。 真空ポンプへの排出口１０は炉壁に設け少なくとも
２箇所以上から排気する。ただし、排出口の位置は図２
（１），（２），（３）に示したように炉の上部から見
た場合角度αが２π／ｎ（ｎ：排気孔の数）で表される
ようにし、かつ２箇所以上の排出口の各々における吸引
力が同じになるように真空配管系を設計する。
【００１６】まずＣＺ成長において結晶に炭素が取り込
まれるメカニズムを説明し、次に本発明がいかにして炭
素濃度の低減を可能にするかを述べる。成長炉内にはか
なりの酸素が存在する。その大部分は融液から蒸発する
ＳｉＯである。この他リークによる酸素、アルゴンに含
まれる酸素が微量存在する。これらの酸素はカーボンと
反応してＣＯ，ＣＯ2 を発生する。
まれるメカニズムを説明し、次に本発明がいかにして炭
素濃度の低減を可能にするかを述べる。成長炉内にはか
なりの酸素が存在する。その大部分は融液から蒸発する
ＳｉＯである。この他リークによる酸素、アルゴンに含
まれる酸素が微量存在する。これらの酸素はカーボンと
反応してＣＯ，ＣＯ2 を発生する。
【００１７】Ｃ＋ｎＯ → ＣＯn （ｎ＝１，２） 次にＣＯ，ＣＯ2 は融液に取り込まれ成長界面に到達し
結晶に混入する。従って結晶の炭素濃度を低減するに
は、次の２つの方法がある。
結晶に混入する。従って結晶の炭素濃度を低減するに
は、次の２つの方法がある。
【００１８】（Ａ）発生したＣＯn が融液に取り込まれ
ないうちに排気する。 （Ｂ）カーボンを酸素から隔離し、ＣＯn の発生を防
ぐ。 本発明の主要な特徴は（Ａ）である。ヒーターと炉壁の
間には断熱材がセットされているが、これは炭素繊維と
呼ばれる素材で作られているので無数の空隙がありコー
ティングすることは不可能である。従ってＣＯn の発生
を抑制できない。そこで図１に示したように、真空ポン
プの吸引力を利用してＣＯn が融液に取り込まれないう
ちに排気する方法をとる。このために断熱材と炉壁の間
にアルゴンガスの通気路を設け、アルゴンとともにＣＯ
n を排気する。このとき注意しなければならない点は、
排出口の位置は炉壁に設けることおよび図２に示したよ
うに排出口の数ｎは２以上でα＝２π／ｎなる角度であ
り、かつ吸引力はすべての排出口において同じにする点
である。すなわち吸引力のバランスがくずれると、断熱
材と炉壁に挟まれた通気路のＣＯn が逆流して炉の上部
に昇り融液に取り込まれる危険性が出てくるからであ
る。従来炉（図９）では断熱材が炉壁に完全に接触して
いるために、断熱材から発生したＣＯn が効率良く排気
されず融液に取り込まれているものと考えられる。本発
明の特徴（Ａ）をさらに徹底するために、図１に示した
パージ・チューブ１６を用いるとＣＯn の排気が一層加
速され炭素の低減により効果がある。パージ・チューブ
を用いた成長装置は、特開昭５５−１１３６９５号公
報、同５５−１４０７９７号公報、同５５−１５８１９
７号公報、特公昭５７−１５０７６号公報等に述べられ
ており今日では充分実用化されている。このパージ・チ
ューブによってＡｒガス流が融液表面に向けて整流され
る結果、該パージ・チューブの無い成長装置の場合より
高速且つ高効率でＳｉＯが排気されることは結晶メーカ
ーの間で良く知られている。従って成長炉内で発生した
ＣＯn もＡｒやＳｉＯと共に速やかに排気されることは
容易に理解できる。なおパージ・チューブの材質は、Ｓ
ｉＣ又はＴｉＣ又はＮｂＣ又はＴａＣ又はＺｒＣ又はＢ
Ｎでコーティングした炭素材、又は、高温においても不
純物発生の少ないタングステン（Ｗ）又はモリブデン
（Ｍｏ）等の高融点金属が望ましい。
ないうちに排気する。 （Ｂ）カーボンを酸素から隔離し、ＣＯn の発生を防
ぐ。 本発明の主要な特徴は（Ａ）である。ヒーターと炉壁の
間には断熱材がセットされているが、これは炭素繊維と
呼ばれる素材で作られているので無数の空隙がありコー
ティングすることは不可能である。従ってＣＯn の発生
を抑制できない。そこで図１に示したように、真空ポン
プの吸引力を利用してＣＯn が融液に取り込まれないう
ちに排気する方法をとる。このために断熱材と炉壁の間
にアルゴンガスの通気路を設け、アルゴンとともにＣＯ
n を排気する。このとき注意しなければならない点は、
排出口の位置は炉壁に設けることおよび図２に示したよ
うに排出口の数ｎは２以上でα＝２π／ｎなる角度であ
り、かつ吸引力はすべての排出口において同じにする点
である。すなわち吸引力のバランスがくずれると、断熱
材と炉壁に挟まれた通気路のＣＯn が逆流して炉の上部
に昇り融液に取り込まれる危険性が出てくるからであ
る。従来炉（図９）では断熱材が炉壁に完全に接触して
いるために、断熱材から発生したＣＯn が効率良く排気
されず融液に取り込まれているものと考えられる。本発
明の特徴（Ａ）をさらに徹底するために、図１に示した
パージ・チューブ１６を用いるとＣＯn の排気が一層加
速され炭素の低減により効果がある。パージ・チューブ
を用いた成長装置は、特開昭５５−１１３６９５号公
報、同５５−１４０７９７号公報、同５５−１５８１９
７号公報、特公昭５７−１５０７６号公報等に述べられ
ており今日では充分実用化されている。このパージ・チ
ューブによってＡｒガス流が融液表面に向けて整流され
る結果、該パージ・チューブの無い成長装置の場合より
高速且つ高効率でＳｉＯが排気されることは結晶メーカ
ーの間で良く知られている。従って成長炉内で発生した
ＣＯn もＡｒやＳｉＯと共に速やかに排気されることは
容易に理解できる。なおパージ・チューブの材質は、Ｓ
ｉＣ又はＴｉＣ又はＮｂＣ又はＴａＣ又はＺｒＣ又はＢ
Ｎでコーティングした炭素材、又は、高温においても不
純物発生の少ないタングステン（Ｗ）又はモリブデン
（Ｍｏ）等の高融点金属が望ましい。
【００１９】本発明の第２の特徴である（Ｂ）はカーボ
ンをＳｉＣ，ＴｉＣ，ＮｂＣ，ＴａＣ，ＺｒＣ，ＢＮな
どでコーティングして行なう。図３は、これらのコーテ
ィング材を空気中で加熱したときの酸化速度である。例
えば１０００℃では、ＢＮの酸化速度はカーボン（グラ
ファイト）の値の１／１０3 程度、ＳｉＣ，ＴｉＣ，Ｎ
ｂＣ，ＺｒＣはさらに数分の１から１／１０程度低い。
従ってこれらのコーティング材は、カーボンから酸素を
隔離する。
ンをＳｉＣ，ＴｉＣ，ＮｂＣ，ＴａＣ，ＺｒＣ，ＢＮな
どでコーティングして行なう。図３は、これらのコーテ
ィング材を空気中で加熱したときの酸化速度である。例
えば１０００℃では、ＢＮの酸化速度はカーボン（グラ
ファイト）の値の１／１０3 程度、ＳｉＣ，ＴｉＣ，Ｎ
ｂＣ，ＺｒＣはさらに数分の１から１／１０程度低い。
従ってこれらのコーティング材は、カーボンから酸素を
隔離する。
【００２０】以上述べた本発明の改良、即ち、 ・断熱材と炉壁の間にＡｒの通気炉を設けること、又
は、 ・断熱材と炉壁の間にＡｒの通気炉を設けること、且
つ、カーボン・ホットゾーンをコーティングすること、
又は、 ・断熱材と炉壁の間にＡｒの通気炉を設けること、且
つ、パージ・チューブを設けること、又は、 ・断熱材と炉壁の間にＡｒの通気炉を設けること、且
つ、カーボン・ホットゾーンをコーティングすること、
且つ、パージ・チューブを設けること、 を行えば、成長炉内のＣＯn の蒸気圧を従来炉内より低
下させることが出来る。これは次に述べる事実から容易
に結論される。
は、 ・断熱材と炉壁の間にＡｒの通気炉を設けること、且
つ、カーボン・ホットゾーンをコーティングすること、
又は、 ・断熱材と炉壁の間にＡｒの通気炉を設けること、且
つ、パージ・チューブを設けること、又は、 ・断熱材と炉壁の間にＡｒの通気炉を設けること、且
つ、カーボン・ホットゾーンをコーティングすること、
且つ、パージ・チューブを設けること、 を行えば、成長炉内のＣＯn の蒸気圧を従来炉内より低
下させることが出来る。これは次に述べる事実から容易
に結論される。
【００２１】図４に、原料の多結晶シリコンとカーボン
・ホットゾーンを全く使用しないゾーン溶融法（ＦＺ）
結晶の炭素濃度を、我々が分析した結果を示す（分析方
法はこれまでと同様に放射化分析法である）。ＦＺ結晶
の固化率１０％の部分の炭素濃度は1 ．７×１０15cm-3
で、多結晶シリコンの１／１０であった。一方シリコン
融液からの成長における炭素不純物の偏析係数は0 ．０
７〜0 ．１である。従 っ てＦＺ結晶において成長の
初期に固化した部分（固化率の小さな部分）の炭素濃度
は、ＦＺ成長炉の雰囲気からの汚染は全くなく単純に偏
析のみによって決まる。これは、ＦＺ炉がカーボン・ホ
ットゾーンを全く使用しないことから当然の結果であ
る。
・ホットゾーンを全く使用しないゾーン溶融法（ＦＺ）
結晶の炭素濃度を、我々が分析した結果を示す（分析方
法はこれまでと同様に放射化分析法である）。ＦＺ結晶
の固化率１０％の部分の炭素濃度は1 ．７×１０15cm-3
で、多結晶シリコンの１／１０であった。一方シリコン
融液からの成長における炭素不純物の偏析係数は0 ．０
７〜0 ．１である。従 っ てＦＺ結晶において成長の
初期に固化した部分（固化率の小さな部分）の炭素濃度
は、ＦＺ成長炉の雰囲気からの汚染は全くなく単純に偏
析のみによって決まる。これは、ＦＺ炉がカーボン・ホ
ットゾーンを全く使用しないことから当然の結果であ
る。
【００２２】ところが、図５に示したように本発明のう
ち断熱材と炉壁の間にＡｒの通気炉を設けた改良を行う
のみでも、ＣＺ結晶の初期に固化した部分の炭素濃度は
４×１０14cm-3であり、ＦＺ結晶の同じ部分の濃度の１
／４以下である。すなわち単純に偏析から予想される炭
素濃度よりもさらに低い。この結果から、ＣＺ成長にお
いても炭素不純物の偏析が起こっているがそれ以外に新
たな低炭素化のメカニズムが作用している、と結論され
る。後者のメカニズムとして、融液から炭素が蒸発して
いると考えるのが最も合理的である。なぜならば、融液
中には石英るつぼから供給された酸素が多量に存在する
ので融液中の炭素はＣＯn の形を取りやすいから、また
結晶中からＣＯn が直接雰囲気中に外拡散するとは考え
られないからである。もし結晶中からＣＯn が直接雰囲
気中に外拡散すると仮定すると、ＦＺ結晶においても偏
析から予想される濃度以下に低炭素化されねばならな
い。ＦＺ結晶においてこのような事実はないので、結晶
中からＣＯn が直接雰囲気中に外拡散するとは考えられ
ない。以上から、融液から炭素が蒸発していると考える
のが最も合理的である。（ＦＺ成長では、融液は他の物
質と接触しないのできわめて高純度であるが、多結晶シ
リコンに含まれていた炭素が蒸発できないという欠点を
持つと結論される）。従って、本発明のうち断熱材と炉
壁の間にＡｒの通気炉を設けた改良を行うのみでもＣＺ
炉内のＣＯn の蒸気圧を従来炉より低下させることがで
き、その結果融液からの炭素の蒸発が従来炉以上に促進
されるため低炭素濃度の結晶を得ることができる。炭素
蒸発の促進効果はパージ・チューブやコーティング・ホ
ットゾーンを用いるとさらに強力になることは明らかで
ある。
ち断熱材と炉壁の間にＡｒの通気炉を設けた改良を行う
のみでも、ＣＺ結晶の初期に固化した部分の炭素濃度は
４×１０14cm-3であり、ＦＺ結晶の同じ部分の濃度の１
／４以下である。すなわち単純に偏析から予想される炭
素濃度よりもさらに低い。この結果から、ＣＺ成長にお
いても炭素不純物の偏析が起こっているがそれ以外に新
たな低炭素化のメカニズムが作用している、と結論され
る。後者のメカニズムとして、融液から炭素が蒸発して
いると考えるのが最も合理的である。なぜならば、融液
中には石英るつぼから供給された酸素が多量に存在する
ので融液中の炭素はＣＯn の形を取りやすいから、また
結晶中からＣＯn が直接雰囲気中に外拡散するとは考え
られないからである。もし結晶中からＣＯn が直接雰囲
気中に外拡散すると仮定すると、ＦＺ結晶においても偏
析から予想される濃度以下に低炭素化されねばならな
い。ＦＺ結晶においてこのような事実はないので、結晶
中からＣＯn が直接雰囲気中に外拡散するとは考えられ
ない。以上から、融液から炭素が蒸発していると考える
のが最も合理的である。（ＦＺ成長では、融液は他の物
質と接触しないのできわめて高純度であるが、多結晶シ
リコンに含まれていた炭素が蒸発できないという欠点を
持つと結論される）。従って、本発明のうち断熱材と炉
壁の間にＡｒの通気炉を設けた改良を行うのみでもＣＺ
炉内のＣＯn の蒸気圧を従来炉より低下させることがで
き、その結果融液からの炭素の蒸発が従来炉以上に促進
されるため低炭素濃度の結晶を得ることができる。炭素
蒸発の促進効果はパージ・チューブやコーティング・ホ
ットゾーンを用いるとさらに強力になることは明らかで
ある。
【００２３】本発明の装置を用いる結晶成長方法は従来
の装置を用いる場合と同じである。現在最も多く用いら
れている大きさのＣＺ型成長装置は、中の石英るつぼが
１６インチのものである。
の装置を用いる場合と同じである。現在最も多く用いら
れている大きさのＣＺ型成長装置は、中の石英るつぼが
１６インチのものである。
【００２４】まず石英るつぼに原料の多結晶シリコンを
４５kgチャージしヒーターによって加熱溶融する。次に
あらかじめ準備した種結晶（単結晶）を融液表面に浸漬
し、回転しながら連続的に引き上げることによって成長
を行う。１６インチ石英るつぼから成長させる結晶の直
径は、６インチが標準的な大きさである。ここで注意し
なければならないことは、コーティング・ホットゾーン
を用いる場合その表面は機械的衝撃に弱く剥がれ易いの
で、成長の準備工程において他の部品と強く接触しない
ようにすることである。コーティングが剥がれるとカー
ボンがむき出しになり、ＣＯn が発生する。
４５kgチャージしヒーターによって加熱溶融する。次に
あらかじめ準備した種結晶（単結晶）を融液表面に浸漬
し、回転しながら連続的に引き上げることによって成長
を行う。１６インチ石英るつぼから成長させる結晶の直
径は、６インチが標準的な大きさである。ここで注意し
なければならないことは、コーティング・ホットゾーン
を用いる場合その表面は機械的衝撃に弱く剥がれ易いの
で、成長の準備工程において他の部品と強く接触しない
ようにすることである。コーティングが剥がれるとカー
ボンがむき出しになり、ＣＯn が発生する。
【００２５】図５に、従来炉で成長したシリコン結晶お
よび本発明炉（ただし断熱材のみを改良した炉）で成長
したシリコン結晶のそれぞれの炭素濃度分布を固化率に
対して示す。両方とも分析方法は放射化分析である。検
出限界は2 ．５×１０14cm-3で ある。
よび本発明炉（ただし断熱材のみを改良した炉）で成長
したシリコン結晶のそれぞれの炭素濃度分布を固化率に
対して示す。両方とも分析方法は放射化分析である。検
出限界は2 ．５×１０14cm-3で ある。
【００２６】従来結晶と比べて炭素濃度は全体的に約１
／５に低減されており、本発明の有効性を実証してい
る。パージ・チューブやコーティング・ホットゾーンを
組み合わせればさらに低炭素濃度の結晶を成長できるこ
とは明らかである。コーティング・ホットゾーンの効果
は、ガリウムヒ素の成長においてではあるがＢＮでカー
ボンをコーティングすることによって確認されている
（T. Inada, T. Fujii, T.Kikuta and T. Fukuda, App
l. Phys. Lett., 50 (1987) 143)。
／５に低減されており、本発明の有効性を実証してい
る。パージ・チューブやコーティング・ホットゾーンを
組み合わせればさらに低炭素濃度の結晶を成長できるこ
とは明らかである。コーティング・ホットゾーンの効果
は、ガリウムヒ素の成長においてではあるがＢＮでカー
ボンをコーティングすることによって確認されている
（T. Inada, T. Fujii, T.Kikuta and T. Fukuda, App
l. Phys. Lett., 50 (1987) 143)。
【００２７】また従来結晶では固化率の高い部分（例え
ば８０％以上）は高炭素濃度のため、ＵＬＳＩ用として
は用いることはできなかったが、本発明の炉で成長した
結晶は従来結晶と比べて低炭素濃度であるため、固化率
の高い部分（例えば８０〜９５％）をもＵＬＳＩ用とし
て利用可能である。故に成長における歩留まりが向上す
る。
ば８０％以上）は高炭素濃度のため、ＵＬＳＩ用として
は用いることはできなかったが、本発明の炉で成長した
結晶は従来結晶と比べて低炭素濃度であるため、固化率
の高い部分（例えば８０〜９５％）をもＵＬＳＩ用とし
て利用可能である。故に成長における歩留まりが向上す
る。
【００２８】図１０は、本発明による他の結晶成長装置
の模式断面図である。上述の本発明の結晶成長装置と同
じ部材は図１と同じ参照数字を付した。この装置は従来
の装置と比較して次の特徴がある。
の模式断面図である。上述の本発明の結晶成長装置と同
じ部材は図１と同じ参照数字を付した。この装置は従来
の装置と比較して次の特徴がある。
【００２９】 断熱材４は炉壁に密着して設けられ、
その間の通気を防止している。さらに、真空ポンプへの
ガス排出口１０が炉の上部炉壁の断熱材４より高い位置
に、及び、炉の底壁にそれぞれ設けられる。
その間の通気を防止している。さらに、真空ポンプへの
ガス排出口１０が炉の上部炉壁の断熱材４より高い位置
に、及び、炉の底壁にそれぞれ設けられる。
【００３０】 炉壁に設ける真空ポンプへの排出口１
０は少なくとも２箇所以上とする。ただし、排出口１０
の位置は炉の上部から見た場合角度αが２π／ｎ（ｎ：
排気孔の数）で表されるようにし、かつ２箇所以上の排
出口１０の各々における吸引力が同じになるように真空
配管系を設計する。
０は少なくとも２箇所以上とする。ただし、排出口１０
の位置は炉の上部から見た場合角度αが２π／ｎ（ｎ：
排気孔の数）で表されるようにし、かつ２箇所以上の排
出口１０の各々における吸引力が同じになるように真空
配管系を設計する。
【００３１】 ホットゾーンの表面はその素材である
カーボンが剥き出しにならないように、シリコン・カー
バイドまたはチタニウム・カーバイドまたはニオビウム
・カーバイドまたはタンタリウム・カーバイドまたはジ
ルコニウム・カーバイドまたはボロン・ナイトライドで
コーティングしてある。
カーボンが剥き出しにならないように、シリコン・カー
バイドまたはチタニウム・カーバイドまたはニオビウム
・カーバイドまたはタンタリウム・カーバイドまたはジ
ルコニウム・カーバイドまたはボロン・ナイトライドで
コーティングしてある。
【００３２】本実施例の主要な特徴は上部炉壁に設けた
排出口１０にある。ルツボから発生する酸素を含むアル
ゴンガスは、高温なため炉の上部に流入しやい。従っ
て，炉の上部に設けられた排出口１０からアルゴンガス
を排気することにより、高温のため炉の上部に流入し断
熱材と接触してＣＯn を含むこととなったアルゴンガス
を、効果的に排出することができる。もちろん、排出口
１０の配列についての考慮、及び吸引力のバランスをと
ることは本発明の既述の装置と同じである。さらに注意
を要することは，炉上部からの排気相互のバランスの
他，炉上部からの排気と炉の底部からの排気のバランス
をとることである。このバランスが崩れると断熱材と接
触してＣＯn を含むアルゴンガスが炉中央に逆流して融
液内に炭素が取り込まれる危険がある。かかるバランス
は，実験的に炉の構成に適した吸引力とすることにより
なされる。なお，ホットゾーンを構成する炭素部材の表
面をコーテングすることによりＣＯn の発生を減少でき
ることは既述の装置と同様である。
排出口１０にある。ルツボから発生する酸素を含むアル
ゴンガスは、高温なため炉の上部に流入しやい。従っ
て，炉の上部に設けられた排出口１０からアルゴンガス
を排気することにより、高温のため炉の上部に流入し断
熱材と接触してＣＯn を含むこととなったアルゴンガス
を、効果的に排出することができる。もちろん、排出口
１０の配列についての考慮、及び吸引力のバランスをと
ることは本発明の既述の装置と同じである。さらに注意
を要することは，炉上部からの排気相互のバランスの
他，炉上部からの排気と炉の底部からの排気のバランス
をとることである。このバランスが崩れると断熱材と接
触してＣＯn を含むアルゴンガスが炉中央に逆流して融
液内に炭素が取り込まれる危険がある。かかるバランス
は，実験的に炉の構成に適した吸引力とすることにより
なされる。なお，ホットゾーンを構成する炭素部材の表
面をコーテングすることによりＣＯn の発生を減少でき
ることは既述の装置と同様である。
【００３３】この本発明による他の成長装置を用いて成
長したシリコン結晶は，既述の本発明による成長装置を
用いて成長したシリコン結晶と同等の炭素濃度であっ
た。また，ライフタイム，酸素析出に関する特性も同じ
であった。
長したシリコン結晶は，既述の本発明による成長装置を
用いて成長したシリコン結晶と同等の炭素濃度であっ
た。また，ライフタイム，酸素析出に関する特性も同じ
であった。
【００３４】本実施例ではＣＯn を含むアルゴンガスを
効果的に排気することができるとともに，融液表面から
蒸発したＳｉＯをも効率良く排気することができので，
結晶欠陥の少ないシリコン単結晶を製造することができ
る。
効果的に排気することができるとともに，融液表面から
蒸発したＳｉＯをも効率良く排気することができので，
結晶欠陥の少ないシリコン単結晶を製造することができ
る。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、チョクラルスキー法に
よる結晶成長において結晶中の炭素濃度を低減した単結
晶を成長することが可能になる。
よる結晶成長において結晶中の炭素濃度を低減した単結
晶を成長することが可能になる。
【図１】本発明による結晶成長装置の模式断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の結晶成長装置のガス排出口の配置を示
す模式図である。
す模式図である。
【図３】各種コーティング材の酸化速度を示す図であ
る。
る。
【図４】多結晶シリコンとＦＺ成長結晶の炭素濃度を示
す図である。
す図である。
【図５】本発明と従来の装置により成長した結晶中の炭
素濃度を示す図である。
素濃度を示す図である。
【図６】結晶のライフタイムと炭素濃度の関係を示す図
である。
である。
【図７】結晶の冷却速度と析出酸素量との関係を示す図
である。
である。
【図８】析出酸素量の炭素濃度依存性を示す図である。
【図９】従来のＣＺ法結晶成長装置を示す断面図であ
る。
る。
【図１０】本発明による他の結晶成長装置の模式断面図
である。
である。
１…成長室（炉） ２…るつぼ ３…ヒータ ４…断熱材 ５…耐火部材 ６…融液 ７…単結晶 ８…ガス導入口 ９…真空ポンプ １０…排出口 １５…ガス通路 １６…パージ・チューブ
Claims (6)
- 【請求項１】 結晶成長室（１）内に結晶融液用るつぼ
（２）を有し、該るつぼ（２）を加熱するヒータ（３）
を配し、結晶成長室（１）内壁に断熱材（４）を配して
成るチョクラルスキー法による結晶成長装置において、 該断熱材（４）が無機繊維からなり、耐火部材（５）に
収容されて結晶成長室（１）内壁に取付けており、該耐
火部材（５）に開口部を設けると共に該断熱材（４）背
面の結晶成長室（１）壁にガス排出口（１０）を配し、
よって該断熱材（４）から発生する炭素含有ガスを強制
的に該ガス排出口（１０）へ導き、該炭素含有ガスの成
長室内（１）への流入を防止する構造を有する結晶成長
装置。 - 【請求項２】 結晶成長室（１）内に結晶融液用るつぼ
（２）を有し、該るつぼ（２）を加熱するヒータ（３）
を配し、結晶成長室（１）内壁に断熱材（４）を配して
成るチョクラルスキー法による結晶成長装置において、 該断熱材（４）が無機繊維からなり、耐火部材（５）に
収容されて結晶成長室（１）内壁に密着して取付けてお
り、該耐火部材（５）の上方に表出する該結晶成長室
（１）壁及び該耐火部材（５）の下方に表出する該結晶
成長室（１）底壁にガス排出口（１０）を配し、よって
該断熱材（４）から発生する炭素含有ガスを強制的にガ
ス排出口（１０）へ導き、該炭素含有ガスの成長室
（１）内への流入を防止する構造を有する結晶成長装
置。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２の構造を有し、且
つ、結晶成長装置室内に露出する炭素材表面の全部又は
一部をＳｉＣ又はＴｉＣ又はＮｂＣ又はＴａＣ又はＺｒ
Ｃ又はＢＮでコーティングしたことを特徴とする結晶成
長装置。 - 【請求項４】 請求項１又は請求項２の構造を有し、且
つ、成長している結晶の外側を覆うと共に成長炉内のパ
ージガスを融液自由表面に向けて流すパージ・チューブ
（１６）を設けたことを特徴とする結晶成長装置。 - 【請求項５】 請求項１又は請求項２の構造を有し、且
つ、結晶成長装置室内に露出する炭素材表面の全部又は
一部をＳｉＣ又はＴｉＣ又はＮｂＣ又はＴａＣ又はＺｒ
Ｃ又はＢＮでコーティングし、且つ、成長している結晶
の外側を覆うと共に成長炉内のパージガスを融液自由表
面に向けて流すパージ・チューブ（１６）を設けたこと
を特徴とする結晶成長装置。 - 【請求項６】 結晶成長室（１）内に結晶融液用るつぼ
（２）と，該るつぼ（２）を加熱するヒータ（３）とを
配し，該結晶成長室（１）内壁に断熱材（４）を配して
なるチョクラルスキー結晶成長装置を用いてするシリコ
ン単結晶の製造方法において，無機繊維からなる該断熱
材（４）の上部に位置し，該結晶成長室（１）壁又は該
断熱材（４）を収容して該結晶成長室（１）内壁に取付
けられた耐火部材（５）の何れかに開設されたガス排出
口（１０）とを設け，該ヒータ（３）により該るつぼ
（２）を加熱し，該断熱材（４）から発生する炭素含有
ガスを強制的に該ガス排出口（１０）に導いて該炭素含
有ガスの該るつぼ（２）内への流入を防止しつつ，該る
つぼ（２）内の結晶融液から超低炭素の結晶を成長する
ことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4243860A JPH05319976A (ja) | 1992-03-19 | 1992-09-14 | 超低炭素結晶成長装置及びシリコン単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6402592 | 1992-03-19 | ||
| JP4-64025 | 1992-03-19 | ||
| JP4243860A JPH05319976A (ja) | 1992-03-19 | 1992-09-14 | 超低炭素結晶成長装置及びシリコン単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05319976A true JPH05319976A (ja) | 1993-12-03 |
Family
ID=13246196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4243860A Withdrawn JPH05319976A (ja) | 1992-03-19 | 1992-09-14 | 超低炭素結晶成長装置及びシリコン単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05319976A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09202686A (ja) * | 1996-01-24 | 1997-08-05 | Sumitomo Sitix Corp | 単結晶の製造装置および製造方法 |
| JP2009001489A (ja) * | 2008-08-28 | 2009-01-08 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 単結晶の製造装置及び製造方法 |
| KR20190042457A (ko) | 2017-10-16 | 2019-04-24 | 가부시키가이샤 사무코 | 실리콘 단결정 제조 방법 |
-
1992
- 1992-09-14 JP JP4243860A patent/JPH05319976A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09202686A (ja) * | 1996-01-24 | 1997-08-05 | Sumitomo Sitix Corp | 単結晶の製造装置および製造方法 |
| JP2009001489A (ja) * | 2008-08-28 | 2009-01-08 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 単結晶の製造装置及び製造方法 |
| KR20190042457A (ko) | 2017-10-16 | 2019-04-24 | 가부시키가이샤 사무코 | 실리콘 단결정 제조 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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