JPH0532060A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JPH0532060A JPH0532060A JP3210187A JP21018791A JPH0532060A JP H0532060 A JPH0532060 A JP H0532060A JP 3210187 A JP3210187 A JP 3210187A JP 21018791 A JP21018791 A JP 21018791A JP H0532060 A JPH0532060 A JP H0532060A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- recording layer
- recording
- reflectance
- reflective layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 42
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 32
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 19
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 8
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 claims description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 11
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 11
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 abstract 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 40
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine group Chemical group N1=CCC2=CC=CC=C12 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 10
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 7
- 229920002601 oligoester Polymers 0.000 description 7
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 6
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 4
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910017770 Cu—Ag Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 3
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 3
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- GVPWHKZIJBODOX-UHFFFAOYSA-N dibenzyl disulfide Chemical compound C=1C=CC=CC=1CSSCC1=CC=CC=C1 GVPWHKZIJBODOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M methacrylate group Chemical group C(C(=C)C)(=O)[O-] CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- JRNVQLOKVMWBFR-UHFFFAOYSA-N 1,2-benzenedithiol Chemical group SC1=CC=CC=C1S JRNVQLOKVMWBFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QFGLGXAWPPBRHQ-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylbutane;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCC(C)(C)C QFGLGXAWPPBRHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXDYOLRABMJTEF-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(Cl)C(=O)C1=CC=CC=C1 RXDYOLRABMJTEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVXVZXROTWKIH-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1,2-diphenylpropan-1-one Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)(C)C(=O)C1=CC=CC=C1 DIVXVZXROTWKIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LWRBVKNFOYUCNP-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(4-methylsulfanylphenyl)-2-morpholin-4-ylpropan-1-one Chemical compound C1=CC(SC)=CC=C1C(=O)C(C)(C)N1CCOCC1 LWRBVKNFOYUCNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUZICZZQJDLXJN-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-4-hydroxybutanoate Chemical compound OCC(N)CC(O)=O BUZICZZQJDLXJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYVYAPXYZVYDHN-UHFFFAOYSA-N 9,10-phenanthroquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YYVYAPXYZVYDHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017518 Cu Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017752 Cu-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017943 Cu—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWYWGLHRNBIFJP-UHFFFAOYSA-N Ipazine Chemical compound CCN(CC)C1=NC(Cl)=NC(NC(C)C)=N1 OWYWGLHRNBIFJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UBUCNCOMADRQHX-UHFFFAOYSA-N N-Nitrosodiphenylamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1N(N=O)C1=CC=CC=C1 UBUCNCOMADRQHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEWRXOFRWNMLDM-UHFFFAOYSA-N O1CCN(CC1)C1=C(C(=C(S1)C(=O)C=1SC(=C(C1C(C)C)C)N1CCOCC1)C(C)C)C Chemical compound O1CCN(CC1)C1=C(C(=C(S1)C(=O)C=1SC(=C(C1C(C)C)C)N1CCOCC1)C(C)C)C VEWRXOFRWNMLDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical class C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000004699 copper complex Chemical class 0.000 description 1
- TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N copper zinc Chemical compound [Cu].[Zn] TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000434 metal complex dye Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N naphthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C(N=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1N=C1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C4=N1 LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N pyrylium Chemical compound C1=CC=[O+]C=C1 WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004053 quinones Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- 230000000699 topical effect Effects 0.000 description 1
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 反射率が高くかつ耐食性がよい反射層を有
し、しかも記録層が経時劣化しないため良好なアイパタ
ーンを有し、ジッターが少ない密着型の光記録媒体を提
供する。 【構成】 基板上に、色素を含有し、塩素を含まない記
録層を有し、記録層上に密着してCuと、Ag、Au、
Zn、NiおよびCdから選ばれる1〜5種の金属とを
含有する反射層を設層した構成とする。
し、しかも記録層が経時劣化しないため良好なアイパタ
ーンを有し、ジッターが少ない密着型の光記録媒体を提
供する。 【構成】 基板上に、色素を含有し、塩素を含まない記
録層を有し、記録層上に密着してCuと、Ag、Au、
Zn、NiおよびCdから選ばれる1〜5種の金属とを
含有する反射層を設層した構成とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光記録媒体、特にコン
パクトディスク対応のライト・ワンス型の光記録ディス
クに関する。
パクトディスク対応のライト・ワンス型の光記録ディス
クに関する。
【0002】
【従来の技術】基板上に反射層を有する光記録媒体とし
て、例えば、コンパクトディスク(以下、CDと略称す
る)規格に対応して追記ないし記録を行なうことのでき
る光記録ディスクが提案されている(日経エレクトロニ
クス1989年1月23日号,No.465,P10
7、社団法人近畿化学協会機能性色素部会,1989年
3月3日,大阪科学技術センター、SPIE vol 1078 Optic
al Data Storage TopicalMeeting,80 1989等)。
て、例えば、コンパクトディスク(以下、CDと略称す
る)規格に対応して追記ないし記録を行なうことのでき
る光記録ディスクが提案されている(日経エレクトロニ
クス1989年1月23日号,No.465,P10
7、社団法人近畿化学協会機能性色素部会,1989年
3月3日,大阪科学技術センター、SPIE vol 1078 Optic
al Data Storage TopicalMeeting,80 1989等)。
【0003】このものは、透明樹脂基板上に、色素層、
Au反射層および保護膜をこの順に設層して形成され
る。すなわち、反射層を色素層に密着して設けるもので
ある。
Au反射層および保護膜をこの順に設層して形成され
る。すなわち、反射層を色素層に密着して設けるもので
ある。
【0004】従来は、色素層にピットを形成するために
色素層上に空気層を設けていたが、この提案では、反射
層を色素層に密着して設ける密着型であるので、CD規
格のディスク全厚1.2mmの構成が可能となっている。
色素層上に空気層を設けていたが、この提案では、反射
層を色素層に密着して設ける密着型であるので、CD規
格のディスク全厚1.2mmの構成が可能となっている。
【0005】このような反射層と色素を含有する記録層
とを密着して設ける密着型の媒体の場合には、特に、記
録層の記録光および再生光に対し、60%以上、特にC
D規格では70%以上の反射率をもつ必要がある。この
ため、特開平2−79235号公報等に開示されている
とおり、反射層には、反射率が高く、しかも耐食性が良
いAu薄膜が使用されている。
とを密着して設ける密着型の媒体の場合には、特に、記
録層の記録光および再生光に対し、60%以上、特にC
D規格では70%以上の反射率をもつ必要がある。この
ため、特開平2−79235号公報等に開示されている
とおり、反射層には、反射率が高く、しかも耐食性が良
いAu薄膜が使用されている。
【0006】しかし、Auは、やわらかいため、記録光
を記録層に照射してピット部を形成すると、記録層の熱
膨張によってピット部上のAu薄膜が変形することがあ
る。このため、再生出力波形であるアイパターンが乱れ
たり、ジッターの増加を招いてしまう。
を記録層に照射してピット部を形成すると、記録層の熱
膨張によってピット部上のAu薄膜が変形することがあ
る。このため、再生出力波形であるアイパターンが乱れ
たり、ジッターの増加を招いてしまう。
【0007】また、Auは高価であるため、反射層とし
て、Ag、Cu等の比較的安価な金属薄膜を使用する提
案がされている。例えば、特開平2−79235号、同
2−87341号公報等には、反射層としてAg薄膜や
Cu薄膜等を使用する具体例が記載されている。
て、Ag、Cu等の比較的安価な金属薄膜を使用する提
案がされている。例えば、特開平2−79235号、同
2−87341号公報等には、反射層としてAg薄膜や
Cu薄膜等を使用する具体例が記載されている。
【0008】しかし、Cu薄膜やAg薄膜の場合、成膜
当初は70%程度の反射率が得られるが、耐食性が不十
分である。
当初は70%程度の反射率が得られるが、耐食性が不十
分である。
【0009】また、Au、AgおよびCu以外の金属薄
膜、例えばAl 薄膜では、十分な反射率が得られない。
このように、Au以外の金属薄膜を反射層に適用した光
記録ディスクは、耐食性と反射率とが両立せず、実用が
困難である。
膜、例えばAl 薄膜では、十分な反射率が得られない。
このように、Au以外の金属薄膜を反射層に適用した光
記録ディスクは、耐食性と反射率とが両立せず、実用が
困難である。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、前記の
問題を解決するため、特願平2−284085号により
反射層をCu−Au合金薄膜、同2−284086号に
より反射層をCu−Ag合金薄膜で構成する旨の提案を
行なっている。
問題を解決するため、特願平2−284085号により
反射層をCu−Au合金薄膜、同2−284086号に
より反射層をCu−Ag合金薄膜で構成する旨の提案を
行なっている。
【0011】しかし、色素を記録層として使用し、この
記録層に、パークロレートイオンやクロルイオン等を対
イオンとするシアニン色素等のカチオン色素が含まれて
いる場合、塩素を置換基として有する色素や、クエンチ
ャー、さらには色素カチオンとクエンチャーアニオンと
のイオン結合体等が含まれている場合、記録層上に、密
着してCuを含有する反射層を積層すると、Cuが記録
層内の塩素と反応し、色素が経時劣化することが判明し
た。
記録層に、パークロレートイオンやクロルイオン等を対
イオンとするシアニン色素等のカチオン色素が含まれて
いる場合、塩素を置換基として有する色素や、クエンチ
ャー、さらには色素カチオンとクエンチャーアニオンと
のイオン結合体等が含まれている場合、記録層上に、密
着してCuを含有する反射層を積層すると、Cuが記録
層内の塩素と反応し、色素が経時劣化することが判明し
た。
【0012】このため、ディスクを長期間保存したり、
高温・高湿下で使用したりすると、反射層自体にはほと
んど影響はないが、記録層が劣化し、この結果アイパタ
ーンが乱れ、ジッターが増加し、エラーレートが増大し
てしまう。
高温・高湿下で使用したりすると、反射層自体にはほと
んど影響はないが、記録層が劣化し、この結果アイパタ
ーンが乱れ、ジッターが増加し、エラーレートが増大し
てしまう。
【0013】本発明の目的は、反射率が高く、しかも耐
食性が良い反射層を有し、記録層が経時劣化せず、アイ
パターンの乱れやジッターの増加がなく、しかもエラー
レートが小さく、良好な記録や再生を行なうことができ
る光記録媒体を提供することにある。
食性が良い反射層を有し、記録層が経時劣化せず、アイ
パターンの乱れやジッターの増加がなく、しかもエラー
レートが小さく、良好な記録や再生を行なうことができ
る光記録媒体を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
(1)〜(3)の本発明により達成される。
(1)〜(3)の本発明により達成される。
【0015】(1)基板上に色素を含有する記録層を有
し、この記録層上に密着して反射層を設層した光記録媒
体であって、前記記録層には実質的に塩素元素が含有さ
れておらず、前記反射層は、Cuと、Ag、Au、Z
n、NiおよびCdからなる群より選ばれる1〜5種の
金属とを含有する合金薄膜であることを特徴とする光記
録媒体。
し、この記録層上に密着して反射層を設層した光記録媒
体であって、前記記録層には実質的に塩素元素が含有さ
れておらず、前記反射層は、Cuと、Ag、Au、Z
n、NiおよびCdからなる群より選ばれる1〜5種の
金属とを含有する合金薄膜であることを特徴とする光記
録媒体。
【0016】(2)基板側から再生光を照射したとき、
未記録部分の反射率が60%以上であり、記録部分の反
射率が未記録部分の反射率の60%以下であり、記録光
および再生光の波長における前記記録層の消衰係数kが
0.03〜0.25であり、記録光および再生光の波長
における前記記録層の屈折率nが1.8〜4.0であ
り、記録光および再生光の波長が600〜900nmであ
る上記(1)に記載の光記録媒体。
未記録部分の反射率が60%以上であり、記録部分の反
射率が未記録部分の反射率の60%以下であり、記録光
および再生光の波長における前記記録層の消衰係数kが
0.03〜0.25であり、記録光および再生光の波長
における前記記録層の屈折率nが1.8〜4.0であ
り、記録光および再生光の波長が600〜900nmであ
る上記(1)に記載の光記録媒体。
【0017】(3)前記反射層上に保護膜を有し、この
保護膜の25℃における鉛筆硬度がH〜8Hである上記
(1)または(2)に記載の光記録媒体。
保護膜の25℃における鉛筆硬度がH〜8Hである上記
(1)または(2)に記載の光記録媒体。
【0018】
【作用】本発明では反射層としてCuと所定の金属とを
含有するCu合金薄膜を用いる。このため、反射率が高
く、耐食性が良く、しかもAu薄膜に比べて硬い反射層
を形成できる。
含有するCu合金薄膜を用いる。このため、反射率が高
く、耐食性が良く、しかもAu薄膜に比べて硬い反射層
を形成できる。
【0019】また、色素を含有し、塩素を実質的に含ま
ない記録層を基板上に形成し、この記録層上に、密着し
て前記Cu合金薄膜の反射層を積層する。このため塩素
との反応による記録層中へのCuの拡散が防止され、記
録層の経時劣化を防止できる。
ない記録層を基板上に形成し、この記録層上に、密着し
て前記Cu合金薄膜の反射層を積層する。このため塩素
との反応による記録層中へのCuの拡散が防止され、記
録層の経時劣化を防止できる。
【0020】この結果、良好なアイパターンを有し、ジ
ッターが少なく、しかもエラーレートが小さく、良好な
記録や再生を行なうことができる光記録媒体が実現す
る。
ッターが少なく、しかもエラーレートが小さく、良好な
記録や再生を行なうことができる光記録媒体が実現す
る。
【0021】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
に説明する。
【0022】図1には本発明の光記録媒体の好適例が示
される。
される。
【0023】本発明の光記録媒体1は、基板2上に、記
録層3を有し、記録層3に密着して、反射層4、保護膜
5を順次積層した密着型のものである。
録層3を有し、記録層3に密着して、反射層4、保護膜
5を順次積層した密着型のものである。
【0024】基板2は、記録光および再生光(600〜
900nm程度、特に700〜800nm程度の半導体レー
ザー光、特に780nm)に対し、実質的に透明(好まし
くは透過率80%以上)な樹脂あるいはガラスから形成
される。これにより、基板裏面側からの記録および再生
が可能となる。
900nm程度、特に700〜800nm程度の半導体レー
ザー光、特に780nm)に対し、実質的に透明(好まし
くは透過率80%以上)な樹脂あるいはガラスから形成
される。これにより、基板裏面側からの記録および再生
が可能となる。
【0025】基板2は、通常のサイズのディスク状であ
って、CDとして用いる場合、厚さは1.2mm程度、直
径は80ないし120mm程度とする。
って、CDとして用いる場合、厚さは1.2mm程度、直
径は80ないし120mm程度とする。
【0026】この場合、基板材質としては、樹脂を用い
ることが好ましく、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹
脂、アモルファスポリオレフィン、TPX等の各種熱可
塑性樹脂が好適である。
ることが好ましく、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹
脂、アモルファスポリオレフィン、TPX等の各種熱可
塑性樹脂が好適である。
【0027】なお、必要に応じ、基板2の外表面、内表
面の少なくとも一方と、さらに必要に応じ、内・外周面
に酸素遮断性の被膜を形成してもよい。
面の少なくとも一方と、さらに必要に応じ、内・外周面
に酸素遮断性の被膜を形成してもよい。
【0028】基板2の記録層3形成面には、トラッキン
グ用のグルーブが形成されることが好ましい。グルーブ
は、スパイラル状の連続型グルーブであることが好まし
く、深さは250〜1800A 、幅は0.2〜1.1μ
m 、特に0.3〜0.6μm、ランド(隣り合うグルー
ブ同士の間の部分)幅は0.5〜1.4μm 、特に1.
0〜1.3μm であることが好ましい。グルーブをこの
ような構成とすることにより、グルーブ部の反射レベル
を下げることなく良好なトラッキング信号を得ることが
できる。なお、グルーブには、アドレス信号用の凹凸を
設けることもできる。
グ用のグルーブが形成されることが好ましい。グルーブ
は、スパイラル状の連続型グルーブであることが好まし
く、深さは250〜1800A 、幅は0.2〜1.1μ
m 、特に0.3〜0.6μm、ランド(隣り合うグルー
ブ同士の間の部分)幅は0.5〜1.4μm 、特に1.
0〜1.3μm であることが好ましい。グルーブをこの
ような構成とすることにより、グルーブ部の反射レベル
を下げることなく良好なトラッキング信号を得ることが
できる。なお、グルーブには、アドレス信号用の凹凸を
設けることもできる。
【0029】本発明では、基板がグルーブを有する場
合、記録光はグルーブ内の記録層に照射されるよう構成
されることが好ましい。すなわち、本発明の光記録媒体
は、グルーブ記録の光記録媒体として用いられることが
好ましい。グルーブ記録とすることにより、記録層の有
効厚さを大きくすることができる。
合、記録光はグルーブ内の記録層に照射されるよう構成
されることが好ましい。すなわち、本発明の光記録媒体
は、グルーブ記録の光記録媒体として用いられることが
好ましい。グルーブ記録とすることにより、記録層の有
効厚さを大きくすることができる。
【0030】また、基板2上に図示しない樹脂層を例え
ば2P法により設層して、樹脂層にトラッキング用の溝
やアドレス信号用の凹凸を設けてもよい。
ば2P法により設層して、樹脂層にトラッキング用の溝
やアドレス信号用の凹凸を設けてもよい。
【0031】樹脂層を構成する樹脂材質に特に制限はな
く、いわゆる2P法に用いられる公知の樹脂から適宜に
選択すればよいが、通常、放射線硬化型化合物が用いら
れる。
く、いわゆる2P法に用いられる公知の樹脂から適宜に
選択すればよいが、通常、放射線硬化型化合物が用いら
れる。
【0032】記録層3は、1種あるいは2種以上の色素
を相溶して形成される。この場合、光吸収色素にクエン
チャーを混合してもよく、さらに、色素カチオンとクエ
ンチャーアニオンとのイオン結合体を光吸収色素として
用いてもよい。
を相溶して形成される。この場合、光吸収色素にクエン
チャーを混合してもよく、さらに、色素カチオンとクエ
ンチャーアニオンとのイオン結合体を光吸収色素として
用いてもよい。
【0033】また、記録層3には、実質的にパークロレ
ートイオン等の塩素を含有させない。記録層3中に塩素
元素が、塩素イオン、塩素を含む原子団ないしそのイオ
ン、あるいは置換基として含まれていると、反射層4の
Cuが塩素と反応し、記録層ないし色素が経時劣化して
しまう。ここに、実質的に塩素元素を含まないとは、塩
素が不可避的不純物として含まれる場合まで排除するも
のではない。
ートイオン等の塩素を含有させない。記録層3中に塩素
元素が、塩素イオン、塩素を含む原子団ないしそのイオ
ン、あるいは置換基として含まれていると、反射層4の
Cuが塩素と反応し、記録層ないし色素が経時劣化して
しまう。ここに、実質的に塩素元素を含まないとは、塩
素が不可避的不純物として含まれる場合まで排除するも
のではない。
【0034】記録層3の記録光および再生光波長におけ
る消衰係数(複素屈折率の虚部)kは、0.03〜0.
25であることが好ましい。kが0.03未満となると
記録層の吸収率が低下し、通常の記録パワーで記録を行
うことが困難である。また、kが0.25をこえると、
反射率が60%を下回ってしまい、CD規格による再生
を行うことが困難である。この場合、kが0.04〜
0.20、特に0.05〜0.15であると、きわめて
好ましい結果をうる。
る消衰係数(複素屈折率の虚部)kは、0.03〜0.
25であることが好ましい。kが0.03未満となると
記録層の吸収率が低下し、通常の記録パワーで記録を行
うことが困難である。また、kが0.25をこえると、
反射率が60%を下回ってしまい、CD規格による再生
を行うことが困難である。この場合、kが0.04〜
0.20、特に0.05〜0.15であると、きわめて
好ましい結果をうる。
【0035】また、屈折率(複素屈折率の実部)nは、
1.8〜4.0、より好ましくは、2.2〜3.3であ
ることが好ましい。n<1.8では反射率が低下し、C
D規格による再生が困難となる傾向にある。また、n>
4.0とするためには、原料色素の入手が難しい。
1.8〜4.0、より好ましくは、2.2〜3.3であ
ることが好ましい。n<1.8では反射率が低下し、C
D規格による再生が困難となる傾向にある。また、n>
4.0とするためには、原料色素の入手が難しい。
【0036】nおよびkの測定に際しては、所定の透明
基板上に記録層を例えば400〜1000A 程度の厚さ
に実際の条件にて設層して、測定サンプルを作製する。
次いで、基板を通しての、あるいは記録層側からの反射
率を測定する。反射率は記録再生光波長を用いて鏡面反
射(5°程度)にて測定する。また、サンプルの透過率
を測定する。これらの測定値から、例えば、共立全書
「光学」石黒浩三P168〜178に準じ、n、kを算
出すればよい。
基板上に記録層を例えば400〜1000A 程度の厚さ
に実際の条件にて設層して、測定サンプルを作製する。
次いで、基板を通しての、あるいは記録層側からの反射
率を測定する。反射率は記録再生光波長を用いて鏡面反
射(5°程度)にて測定する。また、サンプルの透過率
を測定する。これらの測定値から、例えば、共立全書
「光学」石黒浩三P168〜178に準じ、n、kを算
出すればよい。
【0037】用いる光吸収性の色素としては、塩素元素
を実質的に含有せず、吸収極大が600〜900nm、好
ましくは600〜800nm、より好ましくは650〜7
50nmであれば、他に特に制限はないが、シアニン系、
フタロシアニン系、ナフタロシアニン系、アントラキノ
ン系、アゾ系、トリフェニルメタン系、ピリリウムない
しチアピリリウム塩系、スクワリリウム系、クロコニウ
ム系、金属錯体色素系等の1種ないし2種以上が好まし
い。
を実質的に含有せず、吸収極大が600〜900nm、好
ましくは600〜800nm、より好ましくは650〜7
50nmであれば、他に特に制限はないが、シアニン系、
フタロシアニン系、ナフタロシアニン系、アントラキノ
ン系、アゾ系、トリフェニルメタン系、ピリリウムない
しチアピリリウム塩系、スクワリリウム系、クロコニウ
ム系、金属錯体色素系等の1種ないし2種以上が好まし
い。
【0038】シアニン色素としては、縮合環を有してい
てもよいインドレニン環、特にベンゾインドレニン環を
有するシアニン色素であることが好ましい。
てもよいインドレニン環、特にベンゾインドレニン環を
有するシアニン色素であることが好ましい。
【0039】クエンチャーとしては、実質的に塩素を含
まないものを用いる。例えばビスフェニレンジチオー
ル、ジチオジケトン系、ニトロソジフェニルアミン系等
の遷移金属錯体が好ましい。
まないものを用いる。例えばビスフェニレンジチオー
ル、ジチオジケトン系、ニトロソジフェニルアミン系等
の遷移金属錯体が好ましい。
【0040】結合体としては、実質的に塩素元素を含ま
ないものを用いる。この場合、結合体を構成する色素カ
チオンとしては、縮合環を有していてもよいインドレニ
ン環を有するシアニン色素カチオン、また、クエンチャ
ーとしては上記の遷移金属錯体が好ましい。例えば、具
体的好適例としては、下記化1で表わされる光安定化シ
アニン色素、すなわちシアニン色素カチオンとクエンチ
ャーアニオンとのイオン結合体が挙げられる。
ないものを用いる。この場合、結合体を構成する色素カ
チオンとしては、縮合環を有していてもよいインドレニ
ン環を有するシアニン色素カチオン、また、クエンチャ
ーとしては上記の遷移金属錯体が好ましい。例えば、具
体的好適例としては、下記化1で表わされる光安定化シ
アニン色素、すなわちシアニン色素カチオンとクエンチ
ャーアニオンとのイオン結合体が挙げられる。
【0041】
【化1】
【0042】前記化1において、シアニン色素カチオン
は、ペンタメチン鎖を有するインドレニン系のものであ
るが、一方の核は4,5−ベンゾインドレニン環であ
り、他方の核はインドレニン環であり、左右非対称の異
核構造をもつ。そして、4,5−ベンゾインドレニン環
の窒素原子に結合するアルキル基CnH2n+1と、インド
レニン環の窒素原子に結合するアルキル基Cm H2m+1と
は、ともに直鎖のものであることが好ましいが、両者は
互いに異なるものであり、m>nとする。この場合、m
は2以上であり、好ましくは2〜10、特に2〜5の整
数である。また、nは、mより小さければよいが、特に
1〜3であることが好ましい。
は、ペンタメチン鎖を有するインドレニン系のものであ
るが、一方の核は4,5−ベンゾインドレニン環であ
り、他方の核はインドレニン環であり、左右非対称の異
核構造をもつ。そして、4,5−ベンゾインドレニン環
の窒素原子に結合するアルキル基CnH2n+1と、インド
レニン環の窒素原子に結合するアルキル基Cm H2m+1と
は、ともに直鎖のものであることが好ましいが、両者は
互いに異なるものであり、m>nとする。この場合、m
は2以上であり、好ましくは2〜10、特に2〜5の整
数である。また、nは、mより小さければよいが、特に
1〜3であることが好ましい。
【0043】さらに、インドレニン環のベンゼン環に
は、アルキル基ClH2l+1が結合してもよい。Cl H
2l+1は好ましくは、インドレニン環の5位に結合する
が、lは0(すなわちH)、あるいは1〜10、好まし
くは1〜3の整数である。
は、アルキル基ClH2l+1が結合してもよい。Cl H
2l+1は好ましくは、インドレニン環の5位に結合する
が、lは0(すなわちH)、あるいは1〜10、好まし
くは1〜3の整数である。
【0044】これに対し、クエンチャーアニオンは、ビ
ス−1,2−フェニレンジチオールの銅錯体である。そ
して、フェニレンジチオールの好ましくは4位には、ア
ルキル基Cp H2p+1が結合する。pは、1〜10の整
数、特にt−ブチル基(tBu)であることが好まし
い。
ス−1,2−フェニレンジチオールの銅錯体である。そ
して、フェニレンジチオールの好ましくは4位には、ア
ルキル基Cp H2p+1が結合する。pは、1〜10の整
数、特にt−ブチル基(tBu)であることが好まし
い。
【0045】以下に、前記光安定化シアニン色素の好ま
しい具体例を挙げる。
しい具体例を挙げる。
【0046】
【化2】
【0047】
【化3】
【0048】このような光安定化色素は、nおよびkの
波長依存性が少なく、770〜810nmにてnおよびk
の変化がきわめて少ない。そして、きわめて高い耐光性
を示す。
波長依存性が少なく、770〜810nmにてnおよびk
の変化がきわめて少ない。そして、きわめて高い耐光性
を示す。
【0049】記録層3の設層方法には特に制限がなく、
例えば、各種溶媒等を用いて塗布によって設層したり、
蒸着等公知の方法を用いればよい。
例えば、各種溶媒等を用いて塗布によって設層したり、
蒸着等公知の方法を用いればよい。
【0050】記録層3の厚さは、500〜2000A と
することが好ましい。この範囲外では反射率が低下し
て、CD規格の再生を行うことが難しくなる。
することが好ましい。この範囲外では反射率が低下し
て、CD規格の再生を行うことが難しくなる。
【0051】記録層3上には直接反射4が設層される。
【0052】記録層3と反射層間に、樹脂や薄膜の特に
厚い中間層を形成すると、記録層3との光学的バランス
が悪くなり、感度、モジューレーション等記録後の特性
が悪化する。
厚い中間層を形成すると、記録層3との光学的バランス
が悪くなり、感度、モジューレーション等記録後の特性
が悪化する。
【0053】反射層4は、Cuと、Ag、Au、Zn、
NiおよびCdからなる群より選ばれる1〜5種の金属
とを含有する合金薄膜で構成される。
NiおよびCdからなる群より選ばれる1〜5種の金属
とを含有する合金薄膜で構成される。
【0054】このような薄膜を用いることにより、Cu
薄膜、Ag薄膜、Al薄膜等に比べ、膜の耐食性が格段
と向上し、Au薄膜に比べ、膜の硬度が格段と増加す
る。
薄膜、Ag薄膜、Al薄膜等に比べ、膜の耐食性が格段
と向上し、Au薄膜に比べ、膜の硬度が格段と増加す
る。
【0055】この場合、Cuへの添加量と反射率低下の
関係等の理由から、反射層4は、Cuと、Ag、Auお
よびCdからなる群より選ばれる1〜3種の金属とを含
有する合金薄膜で構成されることが好ましい。そして、
とくにCuに添加した場合の耐食性向上効果の程度等の
理由から反射層4は、Cuと、Agおよび/またはAu
とを含有する合金薄膜で構成されることが好ましい。
関係等の理由から、反射層4は、Cuと、Ag、Auお
よびCdからなる群より選ばれる1〜3種の金属とを含
有する合金薄膜で構成されることが好ましい。そして、
とくにCuに添加した場合の耐食性向上効果の程度等の
理由から反射層4は、Cuと、Agおよび/またはAu
とを含有する合金薄膜で構成されることが好ましい。
【0056】反射層4中の各金属元素の好適含有量は元
素により異なるため、以下場合分けする。
素により異なるため、以下場合分けする。
【0057】Zn、Niおよび/またはCdの反射層4
中の含有量は、合計で40at% 以下が好ましい。
中の含有量は、合計で40at% 以下が好ましい。
【0058】含有量が40at% を超えると反射率が不十
分となる。
分となる。
【0059】ただし、含有量があまり少ないと耐食性が
不十分となるため、5〜30at% 、さらに好ましくは8
〜25at% 、特に好ましくは10〜20at% が好まし
い。
不十分となるため、5〜30at% 、さらに好ましくは8
〜25at% 、特に好ましくは10〜20at% が好まし
い。
【0060】また、Agおよび/またはAuの反射層4
中の含有量は、合計で5〜99at%が好ましい。
中の含有量は、合計で5〜99at%が好ましい。
【0061】前記範囲をこえると、膜の硬さが不十分で
あるため、記録光を記録層3に照射してピット部6を形
成する際、記録層3の熱膨張により、ピット部6上の反
射層4が変形してしまう。このため、アイパターンが乱
れたり、ジッターが増加する。前記範囲未満では、耐食
性が不十分である。例えば、高温・高湿下で長期間保存
あるいは使用すると、膜の反射率が低下し、エラーが増
加する。
あるため、記録光を記録層3に照射してピット部6を形
成する際、記録層3の熱膨張により、ピット部6上の反
射層4が変形してしまう。このため、アイパターンが乱
れたり、ジッターが増加する。前記範囲未満では、耐食
性が不十分である。例えば、高温・高湿下で長期間保存
あるいは使用すると、膜の反射率が低下し、エラーが増
加する。
【0062】前記の理由から、反射層4中のAgおよび
Auの含有量の上限は、より好ましくは90at% 、さら
に好ましくは80at% 、特に好ましくは70at% であ
り、特に反射層4中のAuの含有量の上限は60at% 、
Agの含有量は40at% 未満、特に35at% が好まし
い。また、下限は、より好ましくは6at% 、さらに好ま
しくは8at% 、特に好ましくは10at% が好ましい。
Auの含有量の上限は、より好ましくは90at% 、さら
に好ましくは80at% 、特に好ましくは70at% であ
り、特に反射層4中のAuの含有量の上限は60at% 、
Agの含有量は40at% 未満、特に35at% が好まし
い。また、下限は、より好ましくは6at% 、さらに好ま
しくは8at% 、特に好ましくは10at% が好ましい。
【0063】反射層4を形成するには、スパッタリン
グ、蒸着等の各種気相成膜法を用いればよい。
グ、蒸着等の各種気相成膜法を用いればよい。
【0064】反射層4の厚さは500A 以上であること
が好ましい。また、厚さの上限に特に制限はないが、コ
スト、生産作業時間等を考慮すると、1200A 程度以
下であることが好ましい。
が好ましい。また、厚さの上限に特に制限はないが、コ
スト、生産作業時間等を考慮すると、1200A 程度以
下であることが好ましい。
【0065】これにより、反射層4単独での反射率は、
85%以上、特に90%以上、媒体の未記録部の基板を
とおしての反射率は、60%以上、特に70%以上がえ
られる。
85%以上、特に90%以上、媒体の未記録部の基板を
とおしての反射率は、60%以上、特に70%以上がえ
られる。
【0066】反射層4上には、保護膜5が設層される。
【0067】保護膜5は、例えば紫外線硬化樹脂等の各
種樹脂材質から、通常は、0.1〜100μm 程度の厚
さに設層すればよい。保護膜5は、層状であってもシー
ト状であってもよい。
種樹脂材質から、通常は、0.1〜100μm 程度の厚
さに設層すればよい。保護膜5は、層状であってもシー
ト状であってもよい。
【0068】保護膜5は、特に放射線硬化型化合物およ
び光重合増感剤を含有する塗膜を放射線硬化したもので
あることが好ましい。そして、保護膜5の硬度が、25
℃における鉛筆硬度(JIS K−5400)で、H〜
8H、特に2H〜7Hであるように構成されることが好
ましい。
び光重合増感剤を含有する塗膜を放射線硬化したもので
あることが好ましい。そして、保護膜5の硬度が、25
℃における鉛筆硬度(JIS K−5400)で、H〜
8H、特に2H〜7Hであるように構成されることが好
ましい。
【0069】このように構成することにより、アイパタ
ーンがより一層良好になり、ジッターが格段と減少す
る。また、高温・高湿あるいは温湿度変化条件下の保存
においても、保護膜と反射層との剥離が生じない。より
具体的には、保護膜の硬度がHより軟らかいとアイパタ
ーンが乱れ、ジッターが増大し、8Hより硬くなると塗
膜がもろくなり膜形成能が低下する他、反射層との接着
力が低下する。
ーンがより一層良好になり、ジッターが格段と減少す
る。また、高温・高湿あるいは温湿度変化条件下の保存
においても、保護膜と反射層との剥離が生じない。より
具体的には、保護膜の硬度がHより軟らかいとアイパタ
ーンが乱れ、ジッターが増大し、8Hより硬くなると塗
膜がもろくなり膜形成能が低下する他、反射層との接着
力が低下する。
【0070】このような保護膜形成に用いる放射線硬化
型化合物には、オリゴエステルアクリレートが含まれる
ことが好ましい。
型化合物には、オリゴエステルアクリレートが含まれる
ことが好ましい。
【0071】オリゴエステルアクリレートは、アクリレ
ート基またはメタクリレート基を複数有するオリゴエス
テル化合物である。そして好ましいオリゴステルアクリ
レートとしては、分子量1000〜10000、好まし
くは2000〜7000であって、重合度2〜10、好
ましくは、3〜5のものが挙げられる。また、これらの
うちアクリレート基またはメタクリレート基を2〜6
個、好ましくは3〜6個有する多官能オリゴエステルア
クリレートが好ましい。
ート基またはメタクリレート基を複数有するオリゴエス
テル化合物である。そして好ましいオリゴステルアクリ
レートとしては、分子量1000〜10000、好まし
くは2000〜7000であって、重合度2〜10、好
ましくは、3〜5のものが挙げられる。また、これらの
うちアクリレート基またはメタクリレート基を2〜6
個、好ましくは3〜6個有する多官能オリゴエステルア
クリレートが好ましい。
【0072】また、上記の化合物に加えて、あるいはこ
れにかえて熱可塑性樹脂を放射線感応変性することによ
って得られる放射線硬化型化合物を用いてもよい。
れにかえて熱可塑性樹脂を放射線感応変性することによ
って得られる放射線硬化型化合物を用いてもよい。
【0073】このような放射線硬化型化合物の保護膜の
膜厚は0.1〜30μm 、より好ましくは1〜10μm
が好ましい。
膜厚は0.1〜30μm 、より好ましくは1〜10μm
が好ましい。
【0074】この膜厚が0.1μm 未満になると、一様
な膜を形成しにくく、湿度が高い雰囲気中での防湿効果
が十分でなく、記録層の耐久性が下がる。しかも、ジッ
ター防止効果が低下する。また、30μm をこえると、
樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒体の反りや保
護膜中のクラックが生じやすい。
な膜を形成しにくく、湿度が高い雰囲気中での防湿効果
が十分でなく、記録層の耐久性が下がる。しかも、ジッ
ター防止効果が低下する。また、30μm をこえると、
樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒体の反りや保
護膜中のクラックが生じやすい。
【0075】このような塗膜は、通常、スピンナーコー
ト、グラビア塗布、スプレーコート、ディッピング等、
種々の公知の方法を組み合わせて設層すればよい。この
時の塗膜の設層条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的
とする塗膜厚さ等を考慮して適宜決定すればよい。
ト、グラビア塗布、スプレーコート、ディッピング等、
種々の公知の方法を組み合わせて設層すればよい。この
時の塗膜の設層条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的
とする塗膜厚さ等を考慮して適宜決定すればよい。
【0076】本発明において塗膜に照射する放射線とし
ては、紫外線、電子線等が挙げられるが、紫外線が好ま
しい。
ては、紫外線、電子線等が挙げられるが、紫外線が好ま
しい。
【0077】紫外線を用いる場合には、前述したような
放射線硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加
えられる。
放射線硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加
えられる。
【0078】光重合増感剤としては、例えば、ベンゾイ
ンメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、α−メ
チルベンゾイン、α−クロルデオキシベンゾイン等のベ
ンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフェノン、モルホ
リノジメチルメチル−4−メチルチオフェニルケトン、
ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケトン類、ア
セトラキノン、フェナントラキノン等のキノン類、ベン
ジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノスルフィ
ド等のスルフィド類等を挙げることができる。
ンメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、α−メ
チルベンゾイン、α−クロルデオキシベンゾイン等のベ
ンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフェノン、モルホ
リノジメチルメチル−4−メチルチオフェニルケトン、
ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケトン類、ア
セトラキノン、フェナントラキノン等のキノン類、ベン
ジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノスルフィ
ド等のスルフィド類等を挙げることができる。
【0079】そして、このような光重合増感剤と放射線
硬化型化合物を含有する塗膜を紫外線によって硬化させ
るには、公知の種々の方法に従えばよい。たとえば、キ
セノン放電管、水銀放電管などの紫外線電球等を用いれ
ばよい。また、場合によっては電子線を用いることもで
きる。
硬化型化合物を含有する塗膜を紫外線によって硬化させ
るには、公知の種々の方法に従えばよい。たとえば、キ
セノン放電管、水銀放電管などの紫外線電球等を用いれ
ばよい。また、場合によっては電子線を用いることもで
きる。
【0080】このような構成の光記録媒体1に記録ない
し追記を行なうには、例えば780nmの記録光を、基板
2をとおしてパルス状に照射する。
し追記を行なうには、例えば780nmの記録光を、基板
2をとおしてパルス状に照射する。
【0081】これにより、記録層3が光を吸収して発熱
し、同時に基板2も加熱される。この結果、基板2と記
録層3との界面近傍において、色素等の記録層材質の融
解や分解が生じ、記録層3と基板2との界面に圧力が加
わり、グルーブの底壁や側壁を変形させることがある。
し、同時に基板2も加熱される。この結果、基板2と記
録層3との界面近傍において、色素等の記録層材質の融
解や分解が生じ、記録層3と基板2との界面に圧力が加
わり、グルーブの底壁や側壁を変形させることがある。
【0082】この場合記録層3の融解物や分解物を含有
する分解物層61が、通常グルーブ23の底部および境
界を覆うような形状に残存する。分解物層61の材質
は、実質的に基板材質を含まない材質であり、記録層材
質の分解物あるいは記録層材質の分解物と、記録層材質
との混合物によって構成される。分解物層61は、記録
層3の厚さの通常30〜90%程度の厚さである。
する分解物層61が、通常グルーブ23の底部および境
界を覆うような形状に残存する。分解物層61の材質
は、実質的に基板材質を含まない材質であり、記録層材
質の分解物あるいは記録層材質の分解物と、記録層材質
との混合物によって構成される。分解物層61は、記録
層3の厚さの通常30〜90%程度の厚さである。
【0083】そして、通常、分解物層61上には、空隙
63が形成され、分解物層61と、空隙63とがピット
部6に形成される。空隙63は、記録層3の厚さの通常
10〜70%程度の厚さである。
63が形成され、分解物層61と、空隙63とがピット
部6に形成される。空隙63は、記録層3の厚さの通常
10〜70%程度の厚さである。
【0084】また、このような記録過程において、基板
2は変形しない場合もあるが、通常、基板2のピット部
6は、加熱時の圧力によって凹状にへこむことになる。
基板2のへこみ量は、ピット部6の寸法が大きい程大き
く、通常0〜300A 程度の深さである。
2は変形しない場合もあるが、通常、基板2のピット部
6は、加熱時の圧力によって凹状にへこむことになる。
基板2のへこみ量は、ピット部6の寸法が大きい程大き
く、通常0〜300A 程度の深さである。
【0085】また、空隙63上には、反射層4に密着し
て微少膜厚にて記録層3ないしその分解物等が残存する
こともある。
て微少膜厚にて記録層3ないしその分解物等が残存する
こともある。
【0086】このように、ピット部6の基板2と記録層
3との界面部には、実質的に基板材質を含有しない層が
形成される。
3との界面部には、実質的に基板材質を含有しない層が
形成される。
【0087】記録光のパワーは、通常、5〜9mW程度、
基板回転線速度は1.2〜1.4m/s 程度とすればよ
い。
基板回転線速度は1.2〜1.4m/s 程度とすればよ
い。
【0088】このようにしてピット部6を形成したの
ち、例えば780nmの再生光を、基板2をとおして照射
すると、ピット部6により光の位相差を生じ、反射率が
未記録部分の60%以下、特に50%以下、さらには4
0%以下に低下する。一方、未記録部では、60%以
上、特に70%以上の高反射率を示しているので、CD
規格による再生が可能となる。なお、再生光のパワー
は、0.1〜10mW程度とする。
ち、例えば780nmの再生光を、基板2をとおして照射
すると、ピット部6により光の位相差を生じ、反射率が
未記録部分の60%以下、特に50%以下、さらには4
0%以下に低下する。一方、未記録部では、60%以
上、特に70%以上の高反射率を示しているので、CD
規格による再生が可能となる。なお、再生光のパワー
は、0.1〜10mW程度とする。
【0089】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ本発明を
さらに詳細に説明する。
さらに詳細に説明する。
【0090】実施例1
連続グルーブを有する120mmφ、厚さ1.2mmのポリ
オレフィン基板上に色素を含有し、塩素を含有しない記
録層を設層した。次いで記録層上に、スパッタリングに
よりCu−Ag合金薄膜を1000A 厚に設層して反射
層とし、さらに、オリゴエステルアクリレートを含有す
る紫外線硬化型樹脂を塗布した後紫外線硬化して5μm
厚の保護膜とし、光記録ディスクサンプルNo. 1を得
た。
オレフィン基板上に色素を含有し、塩素を含有しない記
録層を設層した。次いで記録層上に、スパッタリングに
よりCu−Ag合金薄膜を1000A 厚に設層して反射
層とし、さらに、オリゴエステルアクリレートを含有す
る紫外線硬化型樹脂を塗布した後紫外線硬化して5μm
厚の保護膜とし、光記録ディスクサンプルNo. 1を得
た。
【0091】サンプルNo. 1の記録層は、下記化4に示
される色素D1を90wt% 、塩素を含まない一重項酸素
クエンチャーを10wt% 用いて形成した。
される色素D1を90wt% 、塩素を含まない一重項酸素
クエンチャーを10wt% 用いて形成した。
【0092】
【化4】
【0093】記録層の設層は、基板を500〜3000
rpm で回転させながらスピンコート塗布により行なっ
た。塗布溶液としては、5.0シクロヘキサノンを用い
た。記録層の厚さはグルーブ部で2900A 、ランド部
で1900A であった。また、記録層の屈折率(n)は
2.3、消衰係数(k)は、0.03であった。
rpm で回転させながらスピンコート塗布により行なっ
た。塗布溶液としては、5.0シクロヘキサノンを用い
た。記録層の厚さはグルーブ部で2900A 、ランド部
で1900A であった。また、記録層の屈折率(n)は
2.3、消衰係数(k)は、0.03であった。
【0094】nおよびkは、上記色素を含有する溶液を
測定用基板上に乾燥膜厚1000Aに成膜して被検記録
層とし、この被検記録層のnおよびkを測定することに
より求めた。なお、この測定は、「光学」(石黒浩三
著、共立全書)第168〜178ページの記載に準じて
行なった。また、上記化4に示される色素を含有する記
録層の測定に際しては、溶媒にシクロヘキサノン、測定
用基板にポリオレフィン基板を用いた。
測定用基板上に乾燥膜厚1000Aに成膜して被検記録
層とし、この被検記録層のnおよびkを測定することに
より求めた。なお、この測定は、「光学」(石黒浩三
著、共立全書)第168〜178ページの記載に準じて
行なった。また、上記化4に示される色素を含有する記
録層の測定に際しては、溶媒にシクロヘキサノン、測定
用基板にポリオレフィン基板を用いた。
【0095】反射層のCu−Ag合金薄膜の組成は、C
u65Ag35(at% )であり、成膜条件は、下記のとおり
であった。
u65Ag35(at% )であり、成膜条件は、下記のとおり
であった。
【0096】スパッタ圧力:1.0Pa
投入パワー:11.0W/cm2
【0097】なお、Cu−Ag合金薄膜の組成は、誘導
結合高周波プラズマ分光分析にて求めた。
結合高周波プラズマ分光分析にて求めた。
【0098】また、保護膜は、下記の放射線硬化型化合
物および光重合増感剤を含む塗布組成物をスピンナーコ
ートで設層した。
物および光重合増感剤を含む塗布組成物をスピンナーコ
ートで設層した。
【0099】(塗布組成物)多官能オリゴエステルアク
リレート[オリゴエステルアクリレート(3官能以上)
30重量%、トリメチルプロパンアクリレート70重量
%、商品名アロニックスM−8030;東亜合成社製]
100重量部 光重合増感剤(商品名:IRGACURE907;日本チバ
ガイギー社製)5重量部
リレート[オリゴエステルアクリレート(3官能以上)
30重量%、トリメチルプロパンアクリレート70重量
%、商品名アロニックスM−8030;東亜合成社製]
100重量部 光重合増感剤(商品名:IRGACURE907;日本チバ
ガイギー社製)5重量部
【0100】このような塗布組成物を設層後、120W/
cmの紫外線を15sec 照射し架橋硬化させ、硬化膜とし
た。
cmの紫外線を15sec 照射し架橋硬化させ、硬化膜とし
た。
【0101】この膜の鉛筆硬度は2Hであった。
【0102】また、サンプルNo. 1において、記録層中
の色素D1を下記化5に示される色素D7に換えたほか
は同様として、比較用サンプルNo.2、サンプルNo. 1
において反射層をCu薄膜、Ag薄膜に換えたほかは同
様として、比較用サンプルNo. 3、No. 4を製造した。
の色素D1を下記化5に示される色素D7に換えたほか
は同様として、比較用サンプルNo.2、サンプルNo. 1
において反射層をCu薄膜、Ag薄膜に換えたほかは同
様として、比較用サンプルNo. 3、No. 4を製造した。
【0103】得られたサンプルNo. 1に対し、波長78
0nm、7mWのレーザーにてコンパクトディスク信号の記
録を行ない、次いで市販のコンパクトディスクプレーヤ
で再生を行なった。
0nm、7mWのレーザーにてコンパクトディスク信号の記
録を行ない、次いで市販のコンパクトディスクプレーヤ
で再生を行なった。
【0104】この結果、S/N比が高く、良好な再生を
行なうことができた。なお、未記録部で70%以上の反
射率が得られ、記録部の反射率は未記録部の反射率の4
0%以下であった。
行なうことができた。なお、未記録部で70%以上の反
射率が得られ、記録部の反射率は未記録部の反射率の4
0%以下であった。
【0105】次に、各サンプルに対し、下記の評価を行
なった。
なった。
【0106】1)反射率
サンプルに対し、波長780nm、7mWのレーザーにてコ
ンパクトディスク信号の記録を行なった後、市販のコン
パクトディスクプレーヤで再生を行なって記録部のRto
p レベルを測定した。
ンパクトディスク信号の記録を行なった後、市販のコン
パクトディスクプレーヤで再生を行なって記録部のRto
p レベルを測定した。
【0107】次いで、サンプルを温度80℃、湿度80
%RHの環境中に200時間放置した後、同様に記録部
のRtop レベルを測定した。
%RHの環境中に200時間放置した後、同様に記録部
のRtop レベルを測定した。
【0108】そして、各サンプルの初期の反射率を基準
(1.00)とし、サンプルNo. 1〜No. 4それぞれに
ついて規格化された反射率を算出した。
(1.00)とし、サンプルNo. 1〜No. 4それぞれに
ついて規格化された反射率を算出した。
【0109】評価基準
○…規格化した反射率が0.93超
×…規格化した反射率が0.93未満
【0110】2)C1エラー
市販のコンパクトディスクプレーヤで再生を行なって、
初期および200時間(80℃、80%RH)後のC1
エラーを測定した。この場合、C1エラーのCD規格
は、220(カウント/秒)以内である。
初期および200時間(80℃、80%RH)後のC1
エラーを測定した。この場合、C1エラーのCD規格
は、220(カウント/秒)以内である。
【0111】評価基準
○…C1エラー220(カウント/秒)以内
×…C1エラー220(カウント/秒)超
【0112】3)ジッター
市販のコンパクトディスクプレーヤで再生を行なって、
200時間(80℃、80%RH)後のジッターを測定
した。評価装置は、MEGURO社製CDジッターメー
ターMJM−631を使用した。
200時間(80℃、80%RH)後のジッターを測定
した。評価装置は、MEGURO社製CDジッターメー
ターMJM−631を使用した。
【0113】評価基準
○…30ns未満
×…30ns以上
【0114】4)感度
市販のコンパクトディスクプレーヤーで再生し、そのア
イパターンからそれぞれのディスクの最適記録感度(パ
ワー)を算出した。
イパターンからそれぞれのディスクの最適記録感度(パ
ワー)を算出した。
【0115】評価基準
○…8mW未満
×…8mW以上
【0116】なお、サンプルNo. 1の200時間後のア
イパターンのオシロ波形の写真を図2、No. 2の200
時間後のアイパターンのオシロ波形の写真を図3に示
す。両者のアイパターンを対比するとNo. 2はエラー、
ジッターが極端に劣化しており、本発明の塩素を含まな
い記録層の効果が判る。
イパターンのオシロ波形の写真を図2、No. 2の200
時間後のアイパターンのオシロ波形の写真を図3に示
す。両者のアイパターンを対比するとNo. 2はエラー、
ジッターが極端に劣化しており、本発明の塩素を含まな
い記録層の効果が判る。
【0117】上記1)〜4)の結果は表1に示されると
おりである。
おりである。
【0118】
【表1】
【0119】表1に示される結果から本発明の効果が明
らかである。
らかである。
【0120】なお、各サンプルの保護膜の鉛筆硬度を下
げたところ、アイパターンが少し乱れ、ジッターの増加
がみられた。
げたところ、アイパターンが少し乱れ、ジッターの増加
がみられた。
【0121】また、サンプルNo. 1において、記録層中
の色素をD2〜D6に示される色素に換えた各サンプル
や、反射層をCu−Au、Cu−Zn、Cu−Cd等の
Cu合金薄膜に換えた各サンプルを作製し、前記と同様
の評価を行なったところ比較サンプルより良好な結果が
得られた。
の色素をD2〜D6に示される色素に換えた各サンプル
や、反射層をCu−Au、Cu−Zn、Cu−Cd等の
Cu合金薄膜に換えた各サンプルを作製し、前記と同様
の評価を行なったところ比較サンプルより良好な結果が
得られた。
【0122】
【発明の効果】本発明の光記録媒体では、反射層の、耐
食性、耐湿性が良いため、高温、高湿下での使用や長期
保存を行なっても高反射率が維持される。
食性、耐湿性が良いため、高温、高湿下での使用や長期
保存を行なっても高反射率が維持される。
【0123】また記録層に塩素が含まれていないため、
Cuの拡散等による記録層の経時劣化が生じない。
Cuの拡散等による記録層の経時劣化が生じない。
【0124】このため、アイパターンの乱れがなく、ジ
ッターが少なく、エラーレートが小さく、良好な記録や
再生を行なうことができる光記録媒体が実現する。そし
て、高反射率で、しかもピット部での大きな反射率低下
を示すので、CD規格による再生を行なうことのできる
良好な光記録が可能となる。
ッターが少なく、エラーレートが小さく、良好な記録や
再生を行なうことができる光記録媒体が実現する。そし
て、高反射率で、しかもピット部での大きな反射率低下
を示すので、CD規格による再生を行なうことのできる
良好な光記録が可能となる。
【図1】本発明の光記録媒体を示す部分断面図である。
【図2】オシロ波形を示す図面代用写真であって、本発
明の光記録媒体のアイパターンが示される写真である。
明の光記録媒体のアイパターンが示される写真である。
【図3】オシロ波形を示す図面代用写真であって、比較
用の光記録媒体のアイパターンが示される写真である。
用の光記録媒体のアイパターンが示される写真である。
【符号の説明】
1…光記録媒体
2…基板
21…ランド部
23…グルーブ
3…記録層
4…反射層
5…保護膜
6…ピット部
61…分解物層
63…空隙
【化5】
【手続補正書】
【提出日】平成3年9月3日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0103
【補正方法】変更
【補正内容】
【0103】
【化5】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0104
【補正方法】変更
【補正内容】
【0104】得られたサンプルNo.1に対し、波長7
80nm、7mWのレーザーにてコンパクトディスク信
号の記録を行ない、次いで市販のコンパクトディスクプ
レーヤで再生を行なった。この結果、S/N比が高く、
良好な再生を行なうことができた。なお、未記録部で7
0%以上の反射率が得られ、記録部の反射率は未記録部
の反射率の40%以下であった。
80nm、7mWのレーザーにてコンパクトディスク信
号の記録を行ない、次いで市販のコンパクトディスクプ
レーヤで再生を行なった。この結果、S/N比が高く、
良好な再生を行なうことができた。なお、未記録部で7
0%以上の反射率が得られ、記録部の反射率は未記録部
の反射率の40%以下であった。
Claims (3)
- 【請求項1】 基板上に色素を含有する記録層を有し、
この記録層上に密着して反射層を設層した光記録媒体で
あって、 前記記録層には実質的に塩素元素が含有されておらず、
前記反射層は、Cuと、Ag、Au、Zn、Niおよび
Cdからなる群より選ばれる1〜5種の金属とを含有す
る合金薄膜であることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項2】 基板側から再生光を照射したとき、未記
録部分の反射率が60%以上であり、記録部分の反射率
が未記録部分の反射率の60%以下であり、記録光およ
び再生光の波長における前記記録層の消衰係数kが0.
03〜0.25であり、記録光および再生光の波長にお
ける前記記録層の屈折率nが1.8〜4.0であり、記
録光および再生光の波長が600〜900nmである請求
項1に記載の光記録媒体。 - 【請求項3】 前記反射層上に保護膜を有し、この保護
膜の25℃における鉛筆硬度がH〜8Hである請求項1
または2に記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3210187A JPH0532060A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3210187A JPH0532060A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0532060A true JPH0532060A (ja) | 1993-02-09 |
Family
ID=16585228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3210187A Pending JPH0532060A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0532060A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0613129A1 (en) * | 1993-02-26 | 1994-08-31 | Eastman Kodak Company | High stability gold based alloy reflectors for use in a writable compact disk |
| JP2006099890A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Taiyo Yuden Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| US20110051584A1 (en) * | 2009-08-31 | 2011-03-03 | Moser Baer India Limited | Optical recording mediums |
-
1991
- 1991-07-26 JP JP3210187A patent/JPH0532060A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0613129A1 (en) * | 1993-02-26 | 1994-08-31 | Eastman Kodak Company | High stability gold based alloy reflectors for use in a writable compact disk |
| JP2006099890A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Taiyo Yuden Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| US20110051584A1 (en) * | 2009-08-31 | 2011-03-03 | Moser Baer India Limited | Optical recording mediums |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5325351A (en) | Optical recording medium having a reflective layer made of Cu-Ag or Cu-Au alloy | |
| JP3199486B2 (ja) | 光記録ディスク | |
| US5419939A (en) | Optical recording disk | |
| JPH04146189A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH10177742A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH0532060A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2523421B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH10143919A (ja) | 光記録媒体 | |
| US7542406B2 (en) | Optical information recording medium | |
| US7910192B2 (en) | Optical recording medium | |
| JPH0449539A (ja) | 光情報媒体 | |
| JPH04372738A (ja) | 光記録媒体 | |
| KR100726846B1 (ko) | 광정보기록매체 | |
| JP2901417B2 (ja) | 光記録ディスクの製造方法 | |
| JPH04205934A (ja) | 光情報媒体 | |
| JPH10143917A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3016610B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH11185310A (ja) | 光記録媒体の製造方法及び光記録媒体 | |
| JP3124319B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH04157636A (ja) | 光情報媒体 | |
| JPH02201748A (ja) | 光記録媒体 | |
| TW200300933A (en) | Information recording medium | |
| JP3713619B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH0489279A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JP2001093187A (ja) | 光記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000208 |